JP2015087509A - 光導波路の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平坦化された上部クラッド層104の上に酸化膜105を形成する。酸化膜105は、平坦な面に形成されるので、例えば、段差による脆弱な部分が発生しないなど、高品質な状態で形成される。このとき、既に形成されているコア131の形状崩れが抑制される温度条件の範囲で、酸化膜105を形成する。また、不純物がコア131へ拡散することが抑制される温度条件の範囲で、酸化膜105を形成する。
【選択図】 図1E
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1A〜図1Eを用いて説明する。図1A〜図1Eは、本発明の実施の形態1における光導波路の作製方法を説明する、各工程における状態を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2について、図3A〜図3Jを用いて説明する。図3A〜図3Jは、本発明の実施の形態2における光導波路の作製方法を説明する、各工程における状態を示す断面図である。
Claims (4)
- 酸化シリコンよりなる下部クラッド層の上にシリコンよりなるコアを形成する第1工程と、
前記下部クラッド層の上に、前記コアを覆う酸化シリコンもしくは酸窒化シリコンよりなる上部クラッド層を形成する第2工程と、
前記上部クラッド層の表面を平坦化する第3工程と、
前記上部クラッド層の上に酸化シリコンもしくは酸窒化シリコンよりなる酸化膜を形成する第4工程と
を備え、
前記第2工程では、前記コアの形状崩れもしくは前記コアへの不純物拡散が抑制される温度条件の範囲で前記上部クラッド層を形成し、
前記第4工程では、前記コアへの不純物拡散が抑制される温度条件の範囲で前記酸化膜を形成する
ことを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項1記載の光導波路の作製方法において、
前記上部クラッド層および前記酸化膜は、プラズマCVD法により形成することを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項2記載の光導波路の作製方法において、
前記上部クラッド層および前記酸化膜は、ECRプラズマCVD法により形成することを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の光導波路の作製方法において、
前記酸化膜は、前記コアの上側のクラッドとして機能することを特徴とする光導波路の作製方法。
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