JP5370857B2 - ゲルマニウム受光器およびその製造方法 - Google Patents
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- シリコン層の上に接して形成された第1ゲルマニウム層と、
この第1ゲルマニウム層の上に接して形成された第2ゲルマニウム層と、
この第2ゲルマニウム層の上に接し、前記第2ゲルマニウム層の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層と
を少なくとも備え、
前記第1ゲルマニウム層および前記第2ゲルマニウム層の一方はノンドープとされ、他方は第1導電型とされ、
ノンドープとされた前記第1ゲルマニウム層の側の前記シリコン層、もしくはノンドープとされた前記第2ゲルマニウム層の側の前記シリコンキャップ層は、第2導電型とされ、
第1導電型とされた前記第2ゲルマニウム層の側の前記シリコンキャップ層、もしくは第1導電型とされた前記第1ゲルマニウム層の側の前記シリコン層は、第1導電型とされている
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1記載のゲルマニウム受光器において、
第2導電型とされた前記シリコン層の上にノンドープとされた前記第1ゲルマニウム層が形成され、
前記第1ゲルマニウム層の上に第1導電型とされた前記第2ゲルマニウム層が形成され、
前記第2ゲルマニウム層の上に第1導電型とされた前記シリコンキャップ層が形成されている
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 酸化シリコンからなる下部クラッド層の上にシリコンからなるシリコンコアを形成する第1工程と、
一部の前記シリコンコアに第1導電型の不純物を導入して第1導電型領域を形成する第2工程と、
前記下部クラッド層の上に前記シリコンコアを覆うように上部クラッド層を形成する第3工程と、
前記シリコンコアの前記第1導電型領域の一部が露出する開口部を前記上部クラッド層に形成する第4工程と、
前記第1導電型領域の露出部に接してゲルマニウム層を選択的に形成する第5工程と、
前記ゲルマニウム層の上に接して前記ゲルマニウム層の上面を覆ってシリコンキャップ層を形成する第6工程と、
前記ゲルマニウム層の上層に第2導電型の不純物を導入して第2導電型領域を形成し、少なくとも前記ゲルマニウム層および前記第2導電型領域を含んで構成されたゲルマニウム受光器を形成する第7工程と
を少なくとも備えることを特徴とするゲルマニウム受光器の製造方法。
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