JP5917978B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
従って、Geにより作製した受光素子または発光素子をSi基板上に作製出来れば、光デバイス/電子デバイスの融合を妨げる物性上/プロセス上の技術バリアを克服することが可能となる。
図7に、Ge層中に燐(P)をイオン注入し、その後Pの活性化アニールを行った後のGe層のシート抵抗(RSheet)を示す。図7の縦軸はRSheet、横軸は活性化アニール温度の絶対値の逆数を示している。図はSi保護膜(Si cap層)の膜厚を変化させた際の実験結果を示している。図から明らかなように、Si cap層の膜厚が増大するのに伴い、同一温度におけるシート抵抗は増大する。これはSi中の不純物の活性化率がGeに比べて低いことを反映している。即ち金属層との接合部近傍において、キャリア密度が低下することを意味しており、コンタクト抵抗の増大が懸念される。
1)半導体支持基板上に設けられた半導体膜と、半導体膜上に選択的に設けられ、半導体膜よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体膜の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、第1の半導体膜の側面、あるいは上面の少なくともいずれかに接して設けられ、第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し半導体膜を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜とを備え、第1の半導体膜の一部領域において、第1の半導体膜と第1の金属元素とが混晶化して形成された第1の混晶層と、第2の半導体膜と第1の金属元素とが混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、半導体膜はシリコンを含み、第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする。
2)半導体支持基板上に設けられた半導体膜と、半導体膜と周囲を接しながら囲まれ、半導体膜よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体膜の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、第1の半導体膜の上面に接して設けられ、第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し半導体膜を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜とを備え、第1の半導体膜内に、第1導電型の不純物を添加した第1導電型電極領域と前記第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物を添加した第2導電型電極領域とが、それぞれ空間的に離隔して設けられ、第1の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第1の混晶層と、第2の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、第1導電型電極領域と第2導電型電極領域のそれぞれに、第1の混晶層と第2の混晶層からなる積層構造が形成されており、半導体膜はシリコンを含み、第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする。
3)半導体基板と該半導体基板上に形成された絶縁膜とを含む半導体支持基板と、絶縁膜上に選択的に設けられ、半導体基板よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体基板の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、第1の半導体膜の側面、あるいは上面の少なくともいずれかに接して設けられ、第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し半導体基板を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜と、を備え、第1の半導体膜内に、第1導電型の不純物を添加した第1導電型電極領域と第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物を添加した第2導電型電極領域とが、それぞれ空間的に離隔して設けられ、第1の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第1の混晶層と、第2の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、半導体基板はシリコンを含み、第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする。
4)半導体支持基板上に形成されたシリコンを含む半導体膜に、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に第1の開口部を形成する工程と、半導体膜とは異なる元素をその一部に含み、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が半導体膜よりも小さい第1の半導体膜を第1の開口部内に選択的にエピタキシャル成長する第1エピ成長工程と、第1の半導体膜上に、単結晶シリコンまたは前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率より低いゲルマニウム含有率の単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が第1の半導体膜よりも大きい第2の半導体膜を第1の絶縁膜に対して選択的にエピタキシャル成長する第2エピ成長工程と、第2の半導体膜の一部に第1導電型の不純物を注入することにより第2の半導体膜及び第1の半導体膜の一部に第1導電型の不純物が添加された第1の不純物領域を形成する工程と、第2の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、第2の半導体膜表面上の第1の不純物領域の一部が露出するように第2の絶縁膜に第2の開口部を形成する工程と、第2の開口部を含むように第2の絶縁膜上に第1の金属を堆積させる工程と、熱処理を行い、第2の半導体膜と第1の金属とを混晶化させた第1の混晶層を前記第2の開口内に形成する工程と、熱処理で第2の開口領域下部の第1の半導体膜と第1の金属を第1の半導体膜と混晶化させ第2の混晶層を形成する工程と、第2の開口領域以外に堆積した第1の金属をエッチング除去する工程とを有し、第2の混晶層は、第1の半導体膜内において第1の不純物領域と接するように第1の金属の堆積量及び熱処理の条件を調整し形成されることを特徴とする。
以下に具体的な実施例について述べる。図面記載された図は、必ずしも正確に縮尺を合せているわけではなく、論理が明確になるように重要な部分を強調して模式的に描画してある。
さらに、本実施例では、受光素子下層をp型Si、上層をn型Geとしたが、受光素子下層をn型Si、上層をp型Geとしてもなんら問題はない。
SOI基板を用い、上部SOI層504を導波路形状及び受光素子の下地形状に加工し、図18A、図19Aの構造を得る。
図24と図25に本発明に係る半導体発光装置の第1の実施例を示す。図24と図25はそれぞれ互いに垂直方向の断面図を示している。
図29と図30に本発明に係る半導体発光装置の第2の実施例を示す。図29と図30はそれぞれ互いに垂直方向の断面図を示している。
SOI基板1001上に、実施例1〜実施例7に示したいずれかのGe受光素子1002と、Siからなる光変調器1003と、実施例8〜実施例9で開示したいずれかのGe発光素子1004が形成され、それぞれがSOI層からなる光導波路1005で結合されている。上記光導波路1005には光ファイバ1006が結合しており、SOI基板1001外部との光信号の送受信が可能な構造を成している。
10…n型単結晶ゲルマニウム領域、11…n型単結晶シリコン領域、12…二酸化シリコン層、13…ニッケル・ジャーマニウム層、14…ニッケル・シリサイド層、15…窒化チタン層、16…アルミニウム層、
101…シリコン基板、102…二酸化シリコン層、103…単結晶シリコン層、104…単結晶ゲルマニウム層、105…n型単結晶ゲルマニウム層、106…p型単結晶シリコン領域、107…二酸化シリコン層、108…金属電極、111…シリコン基板、112…二酸化シリコン層、113…単結晶シリコン層、114…単結晶ゲルマニウム層、115…p型単結晶シリコン領域、116…n型単結晶シリコン領域、117…二酸化シリコン層、118…シリコン窒化膜、119…窒化チタン層、120…アルミニウム層、121…シリコン基板、122…単結晶ゲルマニウム層、123…アモルファスシリコン層、124…n型単結晶ゲルマニウム領域、125…n型アモルファスシリコン領域、126…p型単結晶シリコン領域、127…シリコン窒化膜、128…金属層、
201…シリコン基板、202…二酸化シリコン層、203…二酸化シリコン層、204…単結晶シリコン層、205…高濃度p型単結晶シリコン領域、206…低濃度p型単結晶シリコン領域、207…二酸化シリコン層、208…単結晶ゲルマニウム層、
209…n型単結晶ゲルマニウム層、210…単結晶シリコン保護膜、211…二酸化シリコン層、212…ニッケル・ジャーマニウム層、213…ニッケル・シリサイド層、214…窒化チタン層、215…アルミニウム層、
301…シリコン基板、302…二酸化シリコン層、303…二酸化シリコン層、304…単結晶シリコン層、305…高濃度p型単結晶シリコン領域、306…低濃度p型単結晶シリコン領域、307…二酸化シリコン層、308…単結晶ゲルマニウム層、309…単結晶シリコン保護膜、310…二酸化シリコン層、311…n型単結晶ゲルマニウム領域、312…n型単結晶シリコン領域、313…ニッケル・ジャーマニウム層、314…ニッケル・シリサイド層、315…二酸化シリコン層、316…窒化チタン層、317…アルミニウム層、
401…シリコン基板、402…二酸化シリコン層、403…二酸化シリコン層、404…単結晶シリコン層、405…高濃度p型単結晶シリコン領域、406…低濃度p型単結晶シリコン領域、407…二酸化シリコン層、408…単結晶ゲルマニウム層、409…単結晶シリコン保護膜、410…n型単結晶ゲルマニウム領域、411…n型単結晶シリコン領域、412…二酸化シリコン層、413…ニッケル・ジャーマニウム層、414…ニッケル・シリサイド層、415…窒化チタン層、416…アルミニウム層、
501…シリコン基板、502…二酸化シリコン層、503…二酸化シリコン層、504…単結晶シリコン層、505…二酸化シリコン層、506…単結晶シリコン層、507a…高濃度p型単結晶シリコン領域、507b…高濃度p型単結晶シリコン領域508…低濃度p型単結晶シリコン領域、509…二酸化シリコン層、510…単結晶ゲルマニウム層、511…単結晶シリコン保護膜、512…n型単結晶ゲルマニウム領域、513…n型単結晶シリコン領域、514…二酸化シリコン層、515…ニッケル・ジャーマニウム層、516…ニッケル・シリサイド層、517…窒化チタン層、518…アルミニウム層、
601…シリコン基板、602…埋め込み二酸化シリコン領域、603…高濃度p型単結晶シリコン領域、604…低濃度p型単結晶シリコン領域、605…二酸化シリコン層、
606…単結晶ゲルマニウム層、607…単結晶シリコン保護膜、608…n型単結晶ゲルマニウム領域、609…n型単結晶シリコン領域、610…二酸化シリコン層、611…ニッケル・ジャーマニウム層、612…ニッケル・シリサイド層、613…窒化チタン層、614…アルミニウム層、
701…シリコン基板、702…二酸化シリコン層、703…二酸化シリコン層、704…単結晶シリコン層、705…単結晶ゲルマニウム層、706…単結晶シリコン保護膜、707…n型単結晶シリコン領域、708…n型単結晶ゲルマニウム領域、709…n型単結晶シリコン領域、710…p型単結晶シリコン領域、711…p型単結晶ゲルマニウム領域、712…p型単結晶シリコン領域、713…二酸化シリコン層、714…ニッケル・ジャーマニウム層、715…ニッケル・シリサイド層、716…窒化チタン層、717…アルミニウム層、
801…シリコン基板、802…二酸化シリコン層、803…二酸化シリコン層、804…単結晶シリコン層、805…二酸化シリコン層、806…シリコン窒化膜、807…二酸化シリコン層、808…単結晶シリコン・ゲルマニウム層、809…単結晶ゲルマニウム層、810…二酸化シリコン層、811…単結晶シリコン保護膜、812…二酸化シリコン層、813…単結晶ゲルマニウム層、814…単結晶シリコン保護膜、815a…n型単結晶ゲルマニウム領域、815b…n型単結晶ゲルマニウム領域、816…n型単結晶シリコン領域、817a…p型単結晶ゲルマニウム領域、817b…p型単結晶ゲルマニウム領域、818…p型単結晶シリコン領域、819…二酸化シリコン層、820…シリコン窒化膜、821…ニッケル・ジャーマニウム層、822…ニッケル・シリサイド層、823…窒化チタン層、824…アルミニウム層、
901…シリコン基板、902…二酸化シリコン層、903…二酸化シリコン層、904…単結晶シリコン層(SOI層)、905…二酸化シリコン層、906…単結晶シリコン・ゲルマニウム層、907…単結晶ゲルマニウム領域、908…二酸化シリコン層、909…単結晶シリコン・ゲルマニウム領域、910…単結晶シリコン保護膜、911…二酸化シリコン層、912…n型単結晶シリコン領域、913…n型単結晶ゲルマニウム領域、914…n型単結晶シリコン領域、915…p型単結晶シリコン領域、916…p型単結晶ゲルマニウム領域、917…p型単結晶シリコン領域、918…ニッケル・シリサイド層、919…ニッケル・ジャーマニウム層、920…ニッケル・シリサイド層、921…二酸化シリコン層、922…シリコン窒化膜、923…窒化チタン層、924…アルミニウム層、
1001…SOI(Silicon on Insulator)基板、1002…ゲルマニウム受光素子、1003…シリコン光変調器、1004…ゲルマニウム発光素子、1005…シリコン光導波路、1006…光ファイバ、1007…金属電極、1008…LSIチップ。
Claims (12)
- 半導体支持基板上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜上に選択的に設けられ、前記半導体膜よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体膜の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜の側面、あるいは上面の少なくともいずれかに接して設けられ、前記第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し前記半導体膜を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜と、を備え、
前記第1の半導体膜の一部領域において、前記第1の半導体膜と第1の金属元素とが混晶化して形成された第1の混晶層と、前記第2の半導体膜と前記第1の金属元素とが混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、
前記半導体膜はシリコンを含み、
前記第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、前記第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 半導体支持基板上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜と周囲を接しながら囲まれ、前記半導体膜よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体膜の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜の上面に接して設けられ、前記第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し前記半導体膜を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜と、を備え、
前記第1の半導体膜内に、第1導電型の不純物を添加した第1導電型電極領域と前記第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物を添加した第2導電型電極領域とが、それぞれ空間的に離隔して設けられ、
前記第1の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第1の混晶層と、前記第2の半導体膜と前記第1の金属元素が混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、
前記第1導電型電極領域と前記第2導電型電極領域のそれぞれに、前記第1の混晶層と前記第2の混晶層からなる積層構造が形成されており、
前記半導体膜はシリコンを含み、
前記第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、前記第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の金属元素は、ニッケルであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記半導体膜の一部に形成され第1導電型の不純物が添加された第1不純物添加領域と、
前記第1の半導体膜の他の一部に形成され前記第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物が添加された第2不純物添加領域と、を有し、
前記第2不純物添加領域は、前記第1不純物添加領域と前記第1の半導体膜を介して離隔して設けられ、前記第1の混晶層と前記第2の混晶層が接する面と異なる面において前記第1の混晶層と接していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体膜内に、前記第1導電型の不純物を添加した第1導電型電極領域と前記第2導電型の不純物を添加した第2導電型電極領域とが、それぞれ空間的に離隔して設けられ、
前記第1の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第1の混晶層と、前記第2の半導体膜と前記第1の金属元素が混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、
前記第1導電型電極領域と前記第2導電型電極領域のそれぞれに、前記第1の混晶層と前記第2の混晶層からなる積層構造が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記半導体膜は、該半導体膜の一部領域上に前記第1の半導体膜を形成する台座領域と、該台座領域の両端部に連接され前記半導体膜の他の一部領域に形成された光を伝播する光導波路領域とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板と該半導体基板上に形成された絶縁膜とを含む半導体支持基板と、
前記絶縁膜上に選択的に設けられ、前記半導体基板よりも小さい禁制帯幅を有し該半導体基板の組成とは異なる元素を含んでなる第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜の側面、あるいは上面の少なくともいずれかに接して設けられ、前記第1の半導体膜よりも大きい禁制帯幅を有し前記半導体基板を構成する元素を含んでなる第2の半導体膜と、を備え、
前記第1の半導体膜内に、第1導電型の不純物を添加した第1導電型電極領域と前記第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物を添加した第2導電型電極領域とが、それぞれ空間的に離隔して設けられ、
前記第1の半導体膜と第1の金属元素が混晶化して形成された第1の混晶層と、前記第2の半導体膜と前記第1の金属元素が混晶化して形成された第2の混晶層とのそれぞれが接して積層された積層構造を有し、
前記半導体基板はシリコンを含み、
前記第1の半導体膜は、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第2の半導体膜は、単結晶シリコンまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率は、前記第2の半導体膜中のゲルマニウム含有率よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の金属元素は、ニッケルであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記半導体支持基板上に該半導体支持基板の表面に対する水平方向の長さが垂直方向の長さより短い断面形状を有する前記第2の半導体層からなる複数の薄膜が互いに対向して周期的に配列された薄膜構造を有し、
前記複数の薄膜のそれぞれは、前記第1の半導体層から放出される光の波長の1/2の整数倍の周期で配列されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 半導体支持基板上に形成されたシリコンを含む半導体膜に、第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜に第1の開口部を形成する工程と、
前記半導体膜とは異なる元素をその一部に含み、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が前記半導体膜よりも小さい第1の半導体膜を前記第1の開口部内に選択的にエピタキシャル成長する第1エピ成長工程と、
前記第1の半導体膜上に、単結晶シリコンまたは前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率より低いゲルマニウム含有率の単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が前記第1の半導体膜よりも大きい第2の半導体膜を前記第1の絶縁膜に対して選択的にエピタキシャル成長する第2エピ成長工程と、
前記第2の半導体膜の一部に第1導電型の不純物を注入することにより前記第2の半導体膜及び前記第1の半導体膜の一部に前記第1導電型の不純物が添加された第1の不純物領域を形成する工程と、
前記第2の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の半導体膜表面上の前記第1の不純物領域の一部が露出するように前記第2の絶縁膜に第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部を含むように前記第2の絶縁膜上に第1の金属を堆積させる工程と、
熱処理を行い、前記第2の半導体膜と前記第1の金属とを混晶化させた第1の混晶層を前記第2の開口内に形成する工程と、
前記熱処理で前記第2の開口領域下部の前記第1の半導体膜と前記第1の金属を前記第1の半導体膜と混晶化させ第2の混晶層を形成する工程と、
前記第2の開口領域以外に堆積した第1の金属をエッチング除去する工程とを有し、
前記第2の混晶層は、前記第1の半導体膜内において前記第1の不純物領域と接するように前記第1の金属の堆積量及び前記熱処理の条件を調整し形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1エピ成長工程において、
前記半導体膜とは異なる元素をその一部に含み、禁制帯幅が前記半導体膜よりも小さい第1の半導体膜を第1の不純物の添加を行わないでエピタキシャル成長させ、その後前記第1の不純物を添加させて前記第1の開口部内に選択的にエピタキシャル成長を行うことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体支持基板上に形成されたシリコンを含む半導体膜に、第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜に第1の開口部を形成する工程と、
前記半導体膜とは異なる元素をその一部に含み、単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が前記半導体膜よりも小さい第1の半導体膜を前記第1の開口部内に選択的にエピタキシャル成長する第1エピ成長工程と、
前記第1の半導体膜上に、単結晶シリコンまたは前記第1の半導体膜中のゲルマニウム含有率より低いゲルマニウム含有率の単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、禁制帯幅が前記第1の半導体膜よりも大きい第2の半導体膜を前記第1の絶縁膜に対して選択的にエピタキシャル成長する第2エピ成長工程と、
前記第2の半導体膜表面の一部を成す第1の領域にIII族元素を注入し、前記第2の半導体膜及び前記第1の半導体膜の前記第1の領域下部にIII族元素添加領域を形成する工程と、
前記第2の半導体膜表面上で前記第1の領域とは隔てられた第2の領域にV族元素を注入し、前記第2の半導体膜及び前記第1の半導体膜の前記第2の領域下部にV族元素添加領域を形成する工程と、
前記第2の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記III族元素添加領域の表面の一部及び前記V族元素添加領域の表面の一部が露出するように前記第2の絶縁膜にそれぞれ第2の開口部及び第3の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部及び第3の開口部を含むように前記第2の絶縁膜上に第1の金属を堆積させる工程と、
熱処理を行い、前記第2の開口内及び前記第3の開口内において前記第2の半導体膜と前記第1の金属を混晶化させ、第1の混晶層を形成する工程と、
前記熱処理で前記第2の開口領域及び前記第3の開口領域下部の前記第1の半導体膜と前記第1の金属を前記第1の半導体層と前記第2の半導体膜を混晶化させ第2の混晶層を形成する工程と、
前記第2の開口領域及び前記第3の開口領域以外に堆積した第1の金属をエッチング除去する工程とを有し、
前記第2の混晶層は前記第1の半導体層内において前記III族元素添加領域及びV族元素添加領域と接するように前記第1の金属堆積量及び前記熱処理条件を調整し形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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