JP4091476B2 - 光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 - Google Patents
光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4091476B2 JP4091476B2 JP2003142559A JP2003142559A JP4091476B2 JP 4091476 B2 JP4091476 B2 JP 4091476B2 JP 2003142559 A JP2003142559 A JP 2003142559A JP 2003142559 A JP2003142559 A JP 2003142559A JP 4091476 B2 JP4091476 B2 JP 4091476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- core
- impurity
- photodetector
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オプトエレクトロニクス分野，光通信分野などにおいて使用される光集積回路に用いられる、シリコンを光の導波路として用いた光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、光導波路，発光素子，受光素子のいずれをも作製することが可能である。このため、例えば光通信分野においては、光検出器，半導体レーザ，光導波路回折格子による波長フィルタなどを同一の基板上にモノリシックに集積したモノリシック光集積回路が、開発（実現）されている（特許文献１参照）。この集積回路では、波長多重で伝送されてくる光を分波して光検出する機能と、波長多重した光信号を送り出す双方向波長多重伝送機能とを持ち合わせている。
【０００３】
これに対し、シリコン半導体は、ＬＳＩの微細化，大規模化に見られるように、電子素子には広く利用されているが、間接遷移型半導体のため、発光素子などの光素子を実現するのが困難であり、光集積回路にはあまり利用されていない。シリコンを用いた電子制御式光減衰器（非特許文献１参照）、シリコンを用いた光導波路（非特許文献２参照）、シリコンを用いた周波数選択フィルタなどの光制御デバイスは実現されているが、これらに光素子をモノリシックに集積した光集積回路は実現されていない。
【０００４】
また、受光素子（検出器）と導波路とをモノリシックに集積しようとした場合、これらを同系列の材料で構成しようとすると、導波路を低損失で伝搬する光を検出器で吸収して電気信号に変換させることになる。これは、相反する要求であり、従来では、シリコンを用いた光導波路において、検出器と導波路とが集積された光集積回路を実現することが困難であった。現状では、シリコンを用いた光制御デバイスに、化合物半導体などを利用した光検出器を後から実装して組み合わせて用いている。
【０００５】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平３−２２３６３５号公報
【非特許文献１】
Proceedings of the SPIE: The International Society for Optical Engineering. vol.4293,p.1-9,2001
【非特許文献２】
"Low loss mode size converter from 0.3 μｍ square Si wire waveguides to singlemode fibers" Electronics Letters, vol.38, No.25, p.1669-1670(2002)
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来では、シリコンを用いた光集積回路に、後から光検出器を実装しているため、光軸合わせなど製造に大きなコストがかかるものとなっている。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、シリコンからなるコア（導波路）と光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することを可能とし、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施の形態に係る光検出器は、絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、この受光部コアの両脇に接して配置された受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、第１電圧印加部に設けられた第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、第２電圧印加部に受光部コアより所定距離離間して設けられた第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、少なくとも受光部コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極とを少なくとも備えたものである。
この光検出器は、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアス電圧を印加し、このことにより生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態とすると、受光部コアには、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようになる。
【０００９】
上記光検出器において、受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の不純物添加領域を設けるようにしてもよい。
また、上記光検出器において、不純物添加領域は、第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されているようにしても良い。
また、上記光検出器において、不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域であればよい。
【００１０】
また、本発明の実施の形態に係る光検出器内蔵シリコン光導波路は、絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、この受光部コアの両脇に接して配置された受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、第１電圧印加部に設けられた前記第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、第２電圧印加部に受光部コアより所定距離離間して設けられた前記第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、受光部コアの少なくとも一方の光入射端の側の下部クラッド層の上に配置され、受光部コアと同一の断面形状を有する単結晶シリコンから構成された導波路コアと、少なくとも受光部コアおよび導波路コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極とを少なくとも備えたものである。
この光検出器内蔵シリコン光導波路は、受光部コアの領域が光検出器となり、この光検出器において、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアス電圧を印加し、このことにより生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態とすると、受光部コアには、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようになる。
【００１１】
上記光検出器内蔵シリコン光導波路において、受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の不純物添加領域が設けられているようにしてもよい。また、不純物添加領域は、第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されているようにしてもよい。
また、上記光検出器内蔵シリコン光導波路において、不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域であればよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
［実施の形態１］
はじめに、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。
【００１３】
また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア１０３，導波路コア１０４を備える。受光部コア１０３の両脇には、受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６が接して配置されている。また、電圧印加部１０５と電圧印加部１０６とは、受光部コア１０３を介し、対向して配置されている。ここで、受光部コア１０３の部分が光検出器となる。
【００１４】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、断面の形状が例えば一辺が０．２〜０．３μｍの正方形である。なお、これら断面の形状は、正方形に限らず、下部クラッド層１０２の平面方向に横長の長方形であっても良い。これら下部クラッド層１０２の上の構造体は、単結晶シリコンから構成されたものである。この単結晶シリコンは、ノンドープの単結晶シリコン層，高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層，あるいは高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層であればよい。
【００１５】
また、上記構造体は、所望の厚さより薄い高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコン層を結晶成長させて所望の厚さとした単結晶シリコン層を、パターニングすることで形成したものでも良い。同様に、上記構造体は、所望の厚さより薄い高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとした単結晶シリコン層を、パターニングすることで形成したものでも良い。なお、単結晶シリコンからなる各コアや電圧印加部などの表面は、熱酸化により数ｎｍの薄い酸化膜が形成されているようにしても良い。この薄い酸化膜は、キャリアの表面再結合を抑制する。
【００１６】
受光部コア１０３は、リンあるいはヒ素などのｎ形の不純物が添加されたｎ形不純物添加領域１３１が、部分的に設けられた領域である。従って、受光部コア１０３は、この導波方向にノンドープの領域とｎ形不純物添加領域１３１とが形成されたものである。図１に示した光検出器においては、受光部コア１０３の導波方向に、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１が設けられている。
【００１７】
また、本実施の形態では、ｎ形不純物添加領域１３１にエルビウムなどの希土類と酸素とを添加している。ｎ形不純物添加領域１３１におけるエルビウムの添加量は、１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度である。また、ｎ形不純物添加領域１３１における酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度である。酸素原子の存在により、添加されているエルビウムが３価の陽イオンの状態となり、以降に説明する光吸収効果を発現するようになる。
【００１８】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、ｎ形高濃度不純物領域１５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア１０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。なお、上部クラッド層１０７は、コアの部分を覆うように形成すればよい。
【００１９】
また、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域１５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。ここで、上部クラッド層１０７がコア部分だけを覆うように形成した場合、各電極は、開口部を介することなく設けることができる。なお、各コアは、下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０７より屈折率が大きく、コア及びこれを覆うクラッド層により光導波路が構成される。
【００２０】
以上のように構成した本実施の形態における光検出器について、以下に説明する。
図１に示す光検出器では、まず、高抵抗なシリコンからなる受光部コア１０３の両側には、電圧印加部１０５，１０６を配置し、またこれら各々に、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１を設け、ＰＮあるいはＰＩＮダイオード構造としている。このダイオード構造に逆バイアスの電位を印加すると、受光部コア１０３は、拡大した空乏領域の中に配置された状態となる。
【００２１】
このように、受光部コア１０３が空乏領域の中に配置されても、ｎ形不純物添加領域１３１は、中性領域として残存する。従って、図１に示す光検出器によれば、逆バイアス電位が印加されて形成された空乏領域で囲まれた受光部コア１０３の領域に、複数のｎ形中性領域が存在した状態となる。また、ｎ形不純物添加領域１３１は、所定の間隔を開けて形成され、ノンドープの領域と交互に配置されている。従って、複数のｎ形中性領域のとなりには空乏領域が存在し、各々の中性領域の近傍に各々空乏領域が存在した状態となっている。所定の長さの受光部コア１０３に、より多くのｎ形不純物添加領域１３１とノンドープの領域との組を設けることで、上記中性領域と空乏領域との界面を、より多くすることができる。
【００２２】
ここで、受光部コア１０３による導波路を光が伝搬すると、各中性領域の自由キャリアである電子が光を吸収して高エネルギー状態となる。このなかで、各中性領域の空乏領域に近い位置に存在する電子が、光を吸収して高エネルギーになると、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じるようになる。このように、本実施の形態の光検出器は、受光部コア１０３のシリコン中のキャリア濃度を高くし、自由キャリアによる光吸収効果を用いて光電変換を行うようにしたものである。なお、図１の光検出器では、受光部コア１０３に所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１を設けたが、これは、正孔よりも電子の方が光吸収断面積が大きいためである。
【００２３】
また、図１に示す光検出器では、ｎ形不純物添加領域１３１に、ｎ形不純物に加えて希土類元素と酸素とをを添加した。従って、図１に示す光検出器では、逆バイアス電位が印加されて形成された空乏領域に近い位置に、希土類元素が存在することになる。
ｎ形不純物添加領域１３１では、添加されている希土類元素が、自身の発光波長帯に相当する光を吸収し、電子正孔対を生じる。例えば、エルビウムは、シリコン中において、１．５４μｍ付近の光を選択的に吸収し、電子正孔対を生じることが報じられている（文献："Energy backtransfer and infrared photoresponse in elbium-doped silicon p-n diodes" Journal of Applied Physics, vol.88,No.9,p.5381-5387(2000)）。
【００２４】
従って、受光部コア１０３による導波路を光が伝搬すると、ｎ形不純物添加領域１３１に添加されている希土類元素が光励起されて電子正孔対が発生し、発生した電子と正孔は、空乏領域に到達して光誘起電流を発生させる。
以上に説明したように、本実施の形態における光検出器（光検出器内蔵シリコン光導波路）は、上述した自由キャリアによる光吸収効果と希土類元素の光吸収効果とにより、シリコンを用いた光検出器を実現したものである。
【００２５】
以上に説明した本実施の形態における光検出器では、シリコンからなるコアによる導波路構造において光検出部を構成したので、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが容易に可能となる。この結果、本実施の形態によれば、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになる。
【００２６】
つぎに、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について、図２〜６を用いて簡単に説明する。
まず、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用意する。ＳＯＩ基板は、埋め込み絶縁層の上の単結晶シリコン層が、ノンドープの単結晶シリコン層，高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層，あるいは高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層であればよい。また、単結晶シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコン層を結晶成長させて所望の厚さとしたものでも良い。同様に、単結晶シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗ｎ形単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとしたものでも良い。
【００２７】
この単結晶シリコン層を、公知のフォトリソグラフィグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工し、基板１０１の上の下部クラッド層１０２の上に、受光部コア１０３及び導波路コア１０４を形成し、また、受光部コア１０３の両脇に接する受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を形成する（図２）。受光部コア１０３と導波路コア１０４は、同一のリッジ状の構造体として形成する。言い換えると、導波路コア１０４の一部に受光部コア１０３が設けられた状態とする。なお、受光部コア１０３と導波路コア１０４とを、同一の構造体として形成する必要はない。
【００２８】
下部クラッド層１０２は、前述したＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の部分である。また、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び電圧印加部１０５，１０６を形成する単結晶シリコン層は、ノンドープである。
このように、下部クラッド層１０２の上に各パターンを形成したら、受光部コア１０３の上に所定の間隔で配置された開口部を有するマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとし、イオン注入法によりリンあるいはヒ素を導入（添加）する。この結果、図３に示すように、受光部コア１０３に、複数のｎ形不純物添加領域１３１が形成される。複数のｎ形不純物添加領域１３１を形成した領域が、受光部コア１０３となる。
【００２９】
つぎに、図４に示すように、酸素原子及び希土類元素であるエルビウムを、選択的なイオン注入法によりｎ形不純物添加領域１３１に添加する。ｎ形不純物添加領域１３１に対する希土類元素の添加量は、１×１０18ｃｍ〜１×１０20ｃｍ-3程度であればよい。また、ｎ形不純物添加領域１３１に対する酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度とすればよい。なお、希土類元素は、エルビウム（Ｅｒ），ツリウム（Ｔｍ），ホルミウム（Ｈｏ）のいずれかであればよい。
【００３０】
つぎに、図５に示すように、上部クラッド層１０７を形成する。上部クラッド層１０７の形成では、まず、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁材料を、下部クラッド層１０２の上に堆積し、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び電圧印加部１０５，１０６を覆う絶縁膜が形成された状態とする。つぎに、公知のフォトリソグラフィ技術により、形成された絶縁膜の受光部コア１０３及び導波路コア１０４の上部に配置されるマスクパターンを形成する。次いで、マスクパターンをマスクとして絶縁膜を選択的にエッチング除去する。このとき、マスクが形成されていない領域においても、絶縁膜が薄く残るようにし、上部クラッド層１０７とする。
【００３１】
ところで、上部クラッド層１０７を形成する前に、受光部コア１０３と電圧印加部１０５，１０６の表面に、数ｎｍの熱酸化膜を形成しておくようにしてもよい。熱酸化膜を形成しておくことで、シリコンからなる受光部コア１０３と電圧印加部１０５，１０６の表面におけるキャリアの再結合を抑制できるようになり、受光部コア１０３における受光（光電変換）効率をより大きくすることが可能となる。
【００３２】
以上のようにして、上部クラッド層１０７を形成した後、図６に示すように、まず、電圧印加部１０５，１０６の一部領域上の上部クラッド層１０７に、所定のマスクパターンを用いた選択的なエッチングにより、開口部１７１，１７２を形成する。次いで、開口部１７２が形成された領域を隠すマスクパターンによる選択的なイオン注入により、開口部１７１の底部に露出する電圧印加部１０５の領域に、ｎ形高濃度不純物領域１５１形成する。
【００３３】
また、開口部１７１が形成された領域を隠すマスクパターンによる選択的なイオン注入により、開口部１７２の底部に露出する電圧印加部１０６の領域に、ｐ形高濃度不純物領域１６１を形成する。これらのイオン注入をした後、窒素雰囲気において７００〜１０００℃の加熱処理を行い、ｎ形不純物添加領域１３１を含むイオン注入をした領域の活性化と、注入による損傷の回復を行う。
【００３４】
最後に、例えばアルミニウムなどの電極材料の膜を堆積形成し、形成した電極材料の膜をパターニングすることで、図１に示すように、ｎ形高濃度不純物領域１５１とｐ形高濃度不純物領域１６１に各々接続する電極１１１と電極１１２を形成する。
以上の工程により、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路が形成される。
【００３５】
［実施の形態２］
つぎに、本発明の他の実施の形態について説明する。図７は、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び受光部コア１０３の両脇に接する受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を備える。受光部コア１０３の部分が光検出器となる。
【００３６】
受光部コア１０３は、リンあるいはヒ素などのｎ形の不純物が添加されたｎ形不純物添加領域１３１が、部分的に設けられた領域である。従って、受光部コア１０３は、この導波方向にノンドープの領域とｎ形不純物添加領域１３１とが形成されたものである。図７に示した光検出器においては、受光部コア１０３の導波方向に、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１が設けられている。
【００３７】
また、ｎ形不純物添加領域１３１には、ｎ形の不純物に加え、エルビウムなどの希土類と酸素とを添加している。ｎ形不純物添加領域１３１におけるエルビウムの添加量は、１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度である。また、ｎ形不純物添加領域１３１における酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度である。酸素原子の存在により、添加されているエルビウムが３価の陽イオンの状態となり、光吸収効果を発現するようになる。
【００３８】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、ｎ形高濃度不純物領域２５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア１０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。
【００３９】
また、ｎ形高濃度不純物領域２５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域２５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。
【００４０】
以上に説明した図７の光検出器は、ｎ形高濃度不純物領域２５１を除いた他の構成は、図１に示した光検出器と同様である。図７に示した光検出器は、ｎ形高濃度不純物領域２５１を受光部コア１０３に接して配置したものである。
受光部コア１０３にまで広がる空乏領域を形成するためには、ｐ形高濃度不純物領域１６１は受光部コア１０３より所定距離離間している必要があるが、ｎ形高濃度不純物領域２５１は受光部コア１０３に接していてもよい。
【００４１】
図７に示す光検出器においても、図１に示した光検出器と同様に、シリコンからなるコアによる導波路構造において光検出部を構成したので、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが容易に可能となる。この結果、図７に示す光検出器によっても、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになる。
【００４２】
［実施の形態３］
つぎに、本発明の他の実施の形態について説明する。図８は、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア２０３，導波路コア１０４，及び受光部コア２０３の両脇に接する受光部コア２０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を備える。受光部コア２０３は、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域２３１が設けられた領域である。受光部コア２０３の部分が光検出器となる。
【００４３】
受光部コア２０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、受光部コア２０３より所定距離離間してｎ形高濃度不純物領域１５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア２０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。
【００４４】
また、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域１５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。
【００４５】
以上に説明した図８の光検出器は、図１に示した光検出器と異なり、ｎ形不純物添加領域１３１に希土類元素や酸素を添加していない。なお、図８に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の他の構成は、図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路と同様である。図１に示したように希土類元素添加領域を設けると、添加している希土類により各々異なる波長の受光感度を、光検出器が備えるようになる。
【００４６】
例えば、エルビウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．５４μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。また、ツリウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．６５μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。また、ホルミウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．９６μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。
【００４７】
これらに対し、ｎ形不純物添加領域１３１に希土類元素を添加していない図８の光検出器では、上述したような波長選択性のない状態となる。また、図８に示す光検出器は希土類元素を添加しない構成なので、図１に示した光検出器に比較して製造が容易となり、より安価な素子の提供が可能となる。
なお、図８の光検出器においても、図７の光検出器と同様に、ｎ形高濃度不純物領域１５１が、受光部コア１０３に接しているようにしてもよい。
【００４８】
また、例えば、ｎ形不純物添加領域１３１やｎ形高濃度不純物領域１５１及びｐ形高濃度不純物領域１６１の各導電形を入れ替えても、同様の光検出器が構成できる。導電形を入れ替えた場合、受光部コアにおける不純物添加領域では、正孔が自由キャリアとなり、正孔が光を吸収して高エネルギーになり、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じるものとなる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、単結晶シリコンからなる受光部コアに、部分的に不純物添加領域を設け、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアスとなる電圧を印加することで生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態としたとき、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようにした。
【００５０】
このことにより、受光部コアに光が伝搬することで、中性領域の電子などの自由キャリアが光を吸収して高エネルギー状態となり、中性領域の空乏領域に近い位置に存在する高エネルギー状態となった自由キャリアは、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じる。従って、本発明によれば、シリコンからなる導波路コアに連続して形成できる受光部コアにより光検出器が構成できる。この結果、本発明によれば、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが可能となり、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【図２】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図３】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図４】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図５】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図６】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図７】 本発明の他の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【図８】 本発明の他の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【符号の説明】
１０１…基板、１０２…下部クラッド層、１０３…受光部コア、１０４…導波路コア、１０５，１０６…電圧印加部、１０７…上部クラッド層、１１１，１１２…電極、１３１…ｎ形不純物添加領域、１３２…希土類元素添加領域、１５１…ｎ形高濃度不純物領域、１６１…ｐ形高濃度不純物領域。
【発明の属する技術分野】
本発明は、オプトエレクトロニクス分野，光通信分野などにおいて使用される光集積回路に用いられる、シリコンを光の導波路として用いた光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、光導波路，発光素子，受光素子のいずれをも作製することが可能である。このため、例えば光通信分野においては、光検出器，半導体レーザ，光導波路回折格子による波長フィルタなどを同一の基板上にモノリシックに集積したモノリシック光集積回路が、開発（実現）されている（特許文献１参照）。この集積回路では、波長多重で伝送されてくる光を分波して光検出する機能と、波長多重した光信号を送り出す双方向波長多重伝送機能とを持ち合わせている。
【０００３】
これに対し、シリコン半導体は、ＬＳＩの微細化，大規模化に見られるように、電子素子には広く利用されているが、間接遷移型半導体のため、発光素子などの光素子を実現するのが困難であり、光集積回路にはあまり利用されていない。シリコンを用いた電子制御式光減衰器（非特許文献１参照）、シリコンを用いた光導波路（非特許文献２参照）、シリコンを用いた周波数選択フィルタなどの光制御デバイスは実現されているが、これらに光素子をモノリシックに集積した光集積回路は実現されていない。
【０００４】
また、受光素子（検出器）と導波路とをモノリシックに集積しようとした場合、これらを同系列の材料で構成しようとすると、導波路を低損失で伝搬する光を検出器で吸収して電気信号に変換させることになる。これは、相反する要求であり、従来では、シリコンを用いた光導波路において、検出器と導波路とが集積された光集積回路を実現することが困難であった。現状では、シリコンを用いた光制御デバイスに、化合物半導体などを利用した光検出器を後から実装して組み合わせて用いている。
【０００５】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平３−２２３６３５号公報
【非特許文献１】
Proceedings of the SPIE: The International Society for Optical Engineering. vol.4293,p.1-9,2001
【非特許文献２】
"Low loss mode size converter from 0.3 μｍ square Si wire waveguides to singlemode fibers" Electronics Letters, vol.38, No.25, p.1669-1670(2002)
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来では、シリコンを用いた光集積回路に、後から光検出器を実装しているため、光軸合わせなど製造に大きなコストがかかるものとなっている。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、シリコンからなるコア（導波路）と光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することを可能とし、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施の形態に係る光検出器は、絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、この受光部コアの両脇に接して配置された受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、第１電圧印加部に設けられた第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、第２電圧印加部に受光部コアより所定距離離間して設けられた第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、少なくとも受光部コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極とを少なくとも備えたものである。
この光検出器は、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアス電圧を印加し、このことにより生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態とすると、受光部コアには、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようになる。
【０００９】
上記光検出器において、受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の不純物添加領域を設けるようにしてもよい。
また、上記光検出器において、不純物添加領域は、第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されているようにしても良い。
また、上記光検出器において、不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域であればよい。
【００１０】
また、本発明の実施の形態に係る光検出器内蔵シリコン光導波路は、絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、この受光部コアの両脇に接して配置された受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、第１電圧印加部に設けられた前記第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、第２電圧印加部に受光部コアより所定距離離間して設けられた前記第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、受光部コアの少なくとも一方の光入射端の側の下部クラッド層の上に配置され、受光部コアと同一の断面形状を有する単結晶シリコンから構成された導波路コアと、少なくとも受光部コアおよび導波路コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極とを少なくとも備えたものである。
この光検出器内蔵シリコン光導波路は、受光部コアの領域が光検出器となり、この光検出器において、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアス電圧を印加し、このことにより生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態とすると、受光部コアには、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようになる。
【００１１】
上記光検出器内蔵シリコン光導波路において、受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の不純物添加領域が設けられているようにしてもよい。また、不純物添加領域は、第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されているようにしてもよい。
また、上記光検出器内蔵シリコン光導波路において、不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域であればよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
［実施の形態１］
はじめに、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。
【００１３】
また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア１０３，導波路コア１０４を備える。受光部コア１０３の両脇には、受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６が接して配置されている。また、電圧印加部１０５と電圧印加部１０６とは、受光部コア１０３を介し、対向して配置されている。ここで、受光部コア１０３の部分が光検出器となる。
【００１４】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、断面の形状が例えば一辺が０．２〜０．３μｍの正方形である。なお、これら断面の形状は、正方形に限らず、下部クラッド層１０２の平面方向に横長の長方形であっても良い。これら下部クラッド層１０２の上の構造体は、単結晶シリコンから構成されたものである。この単結晶シリコンは、ノンドープの単結晶シリコン層，高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層，あるいは高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層であればよい。
【００１５】
また、上記構造体は、所望の厚さより薄い高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコン層を結晶成長させて所望の厚さとした単結晶シリコン層を、パターニングすることで形成したものでも良い。同様に、上記構造体は、所望の厚さより薄い高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとした単結晶シリコン層を、パターニングすることで形成したものでも良い。なお、単結晶シリコンからなる各コアや電圧印加部などの表面は、熱酸化により数ｎｍの薄い酸化膜が形成されているようにしても良い。この薄い酸化膜は、キャリアの表面再結合を抑制する。
【００１６】
受光部コア１０３は、リンあるいはヒ素などのｎ形の不純物が添加されたｎ形不純物添加領域１３１が、部分的に設けられた領域である。従って、受光部コア１０３は、この導波方向にノンドープの領域とｎ形不純物添加領域１３１とが形成されたものである。図１に示した光検出器においては、受光部コア１０３の導波方向に、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１が設けられている。
【００１７】
また、本実施の形態では、ｎ形不純物添加領域１３１にエルビウムなどの希土類と酸素とを添加している。ｎ形不純物添加領域１３１におけるエルビウムの添加量は、１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度である。また、ｎ形不純物添加領域１３１における酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度である。酸素原子の存在により、添加されているエルビウムが３価の陽イオンの状態となり、以降に説明する光吸収効果を発現するようになる。
【００１８】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、ｎ形高濃度不純物領域１５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア１０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。なお、上部クラッド層１０７は、コアの部分を覆うように形成すればよい。
【００１９】
また、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域１５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。ここで、上部クラッド層１０７がコア部分だけを覆うように形成した場合、各電極は、開口部を介することなく設けることができる。なお、各コアは、下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０７より屈折率が大きく、コア及びこれを覆うクラッド層により光導波路が構成される。
【００２０】
以上のように構成した本実施の形態における光検出器について、以下に説明する。
図１に示す光検出器では、まず、高抵抗なシリコンからなる受光部コア１０３の両側には、電圧印加部１０５，１０６を配置し、またこれら各々に、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１を設け、ＰＮあるいはＰＩＮダイオード構造としている。このダイオード構造に逆バイアスの電位を印加すると、受光部コア１０３は、拡大した空乏領域の中に配置された状態となる。
【００２１】
このように、受光部コア１０３が空乏領域の中に配置されても、ｎ形不純物添加領域１３１は、中性領域として残存する。従って、図１に示す光検出器によれば、逆バイアス電位が印加されて形成された空乏領域で囲まれた受光部コア１０３の領域に、複数のｎ形中性領域が存在した状態となる。また、ｎ形不純物添加領域１３１は、所定の間隔を開けて形成され、ノンドープの領域と交互に配置されている。従って、複数のｎ形中性領域のとなりには空乏領域が存在し、各々の中性領域の近傍に各々空乏領域が存在した状態となっている。所定の長さの受光部コア１０３に、より多くのｎ形不純物添加領域１３１とノンドープの領域との組を設けることで、上記中性領域と空乏領域との界面を、より多くすることができる。
【００２２】
ここで、受光部コア１０３による導波路を光が伝搬すると、各中性領域の自由キャリアである電子が光を吸収して高エネルギー状態となる。このなかで、各中性領域の空乏領域に近い位置に存在する電子が、光を吸収して高エネルギーになると、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じるようになる。このように、本実施の形態の光検出器は、受光部コア１０３のシリコン中のキャリア濃度を高くし、自由キャリアによる光吸収効果を用いて光電変換を行うようにしたものである。なお、図１の光検出器では、受光部コア１０３に所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１を設けたが、これは、正孔よりも電子の方が光吸収断面積が大きいためである。
【００２３】
また、図１に示す光検出器では、ｎ形不純物添加領域１３１に、ｎ形不純物に加えて希土類元素と酸素とをを添加した。従って、図１に示す光検出器では、逆バイアス電位が印加されて形成された空乏領域に近い位置に、希土類元素が存在することになる。
ｎ形不純物添加領域１３１では、添加されている希土類元素が、自身の発光波長帯に相当する光を吸収し、電子正孔対を生じる。例えば、エルビウムは、シリコン中において、１．５４μｍ付近の光を選択的に吸収し、電子正孔対を生じることが報じられている（文献："Energy backtransfer and infrared photoresponse in elbium-doped silicon p-n diodes" Journal of Applied Physics, vol.88,No.9,p.5381-5387(2000)）。
【００２４】
従って、受光部コア１０３による導波路を光が伝搬すると、ｎ形不純物添加領域１３１に添加されている希土類元素が光励起されて電子正孔対が発生し、発生した電子と正孔は、空乏領域に到達して光誘起電流を発生させる。
以上に説明したように、本実施の形態における光検出器（光検出器内蔵シリコン光導波路）は、上述した自由キャリアによる光吸収効果と希土類元素の光吸収効果とにより、シリコンを用いた光検出器を実現したものである。
【００２５】
以上に説明した本実施の形態における光検出器では、シリコンからなるコアによる導波路構造において光検出部を構成したので、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが容易に可能となる。この結果、本実施の形態によれば、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになる。
【００２６】
つぎに、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について、図２〜６を用いて簡単に説明する。
まず、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用意する。ＳＯＩ基板は、埋め込み絶縁層の上の単結晶シリコン層が、ノンドープの単結晶シリコン層，高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層，あるいは高抵抗ｎ形の単結晶シリコン層であればよい。また、単結晶シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗ｐ形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコン層を結晶成長させて所望の厚さとしたものでも良い。同様に、単結晶シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗ｎ形単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとしたものでも良い。
【００２７】
この単結晶シリコン層を、公知のフォトリソグラフィグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工し、基板１０１の上の下部クラッド層１０２の上に、受光部コア１０３及び導波路コア１０４を形成し、また、受光部コア１０３の両脇に接する受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を形成する（図２）。受光部コア１０３と導波路コア１０４は、同一のリッジ状の構造体として形成する。言い換えると、導波路コア１０４の一部に受光部コア１０３が設けられた状態とする。なお、受光部コア１０３と導波路コア１０４とを、同一の構造体として形成する必要はない。
【００２８】
下部クラッド層１０２は、前述したＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の部分である。また、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び電圧印加部１０５，１０６を形成する単結晶シリコン層は、ノンドープである。
このように、下部クラッド層１０２の上に各パターンを形成したら、受光部コア１０３の上に所定の間隔で配置された開口部を有するマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとし、イオン注入法によりリンあるいはヒ素を導入（添加）する。この結果、図３に示すように、受光部コア１０３に、複数のｎ形不純物添加領域１３１が形成される。複数のｎ形不純物添加領域１３１を形成した領域が、受光部コア１０３となる。
【００２９】
つぎに、図４に示すように、酸素原子及び希土類元素であるエルビウムを、選択的なイオン注入法によりｎ形不純物添加領域１３１に添加する。ｎ形不純物添加領域１３１に対する希土類元素の添加量は、１×１０18ｃｍ〜１×１０20ｃｍ-3程度であればよい。また、ｎ形不純物添加領域１３１に対する酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度とすればよい。なお、希土類元素は、エルビウム（Ｅｒ），ツリウム（Ｔｍ），ホルミウム（Ｈｏ）のいずれかであればよい。
【００３０】
つぎに、図５に示すように、上部クラッド層１０７を形成する。上部クラッド層１０７の形成では、まず、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁材料を、下部クラッド層１０２の上に堆積し、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び電圧印加部１０５，１０６を覆う絶縁膜が形成された状態とする。つぎに、公知のフォトリソグラフィ技術により、形成された絶縁膜の受光部コア１０３及び導波路コア１０４の上部に配置されるマスクパターンを形成する。次いで、マスクパターンをマスクとして絶縁膜を選択的にエッチング除去する。このとき、マスクが形成されていない領域においても、絶縁膜が薄く残るようにし、上部クラッド層１０７とする。
【００３１】
ところで、上部クラッド層１０７を形成する前に、受光部コア１０３と電圧印加部１０５，１０６の表面に、数ｎｍの熱酸化膜を形成しておくようにしてもよい。熱酸化膜を形成しておくことで、シリコンからなる受光部コア１０３と電圧印加部１０５，１０６の表面におけるキャリアの再結合を抑制できるようになり、受光部コア１０３における受光（光電変換）効率をより大きくすることが可能となる。
【００３２】
以上のようにして、上部クラッド層１０７を形成した後、図６に示すように、まず、電圧印加部１０５，１０６の一部領域上の上部クラッド層１０７に、所定のマスクパターンを用いた選択的なエッチングにより、開口部１７１，１７２を形成する。次いで、開口部１７２が形成された領域を隠すマスクパターンによる選択的なイオン注入により、開口部１７１の底部に露出する電圧印加部１０５の領域に、ｎ形高濃度不純物領域１５１形成する。
【００３３】
また、開口部１７１が形成された領域を隠すマスクパターンによる選択的なイオン注入により、開口部１７２の底部に露出する電圧印加部１０６の領域に、ｐ形高濃度不純物領域１６１を形成する。これらのイオン注入をした後、窒素雰囲気において７００〜１０００℃の加熱処理を行い、ｎ形不純物添加領域１３１を含むイオン注入をした領域の活性化と、注入による損傷の回復を行う。
【００３４】
最後に、例えばアルミニウムなどの電極材料の膜を堆積形成し、形成した電極材料の膜をパターニングすることで、図１に示すように、ｎ形高濃度不純物領域１５１とｐ形高濃度不純物領域１６１に各々接続する電極１１１と電極１１２を形成する。
以上の工程により、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路が形成される。
【００３５】
［実施の形態２］
つぎに、本発明の他の実施の形態について説明する。図７は、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア１０３，導波路コア１０４，及び受光部コア１０３の両脇に接する受光部コア１０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を備える。受光部コア１０３の部分が光検出器となる。
【００３６】
受光部コア１０３は、リンあるいはヒ素などのｎ形の不純物が添加されたｎ形不純物添加領域１３１が、部分的に設けられた領域である。従って、受光部コア１０３は、この導波方向にノンドープの領域とｎ形不純物添加領域１３１とが形成されたものである。図７に示した光検出器においては、受光部コア１０３の導波方向に、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域１３１が設けられている。
【００３７】
また、ｎ形不純物添加領域１３１には、ｎ形の不純物に加え、エルビウムなどの希土類と酸素とを添加している。ｎ形不純物添加領域１３１におけるエルビウムの添加量は、１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度である。また、ｎ形不純物添加領域１３１における酸素原子の添加量は、１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3程度である。酸素原子の存在により、添加されているエルビウムが３価の陽イオンの状態となり、光吸収効果を発現するようになる。
【００３８】
受光部コア１０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、ｎ形高濃度不純物領域２５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア１０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。
【００３９】
また、ｎ形高濃度不純物領域２５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域２５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。
【００４０】
以上に説明した図７の光検出器は、ｎ形高濃度不純物領域２５１を除いた他の構成は、図１に示した光検出器と同様である。図７に示した光検出器は、ｎ形高濃度不純物領域２５１を受光部コア１０３に接して配置したものである。
受光部コア１０３にまで広がる空乏領域を形成するためには、ｐ形高濃度不純物領域１６１は受光部コア１０３より所定距離離間している必要があるが、ｎ形高濃度不純物領域２５１は受光部コア１０３に接していてもよい。
【００４１】
図７に示す光検出器においても、図１に示した光検出器と同様に、シリコンからなるコアによる導波路構造において光検出部を構成したので、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが容易に可能となる。この結果、図７に示す光検出器によっても、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになる。
【００４２】
［実施の形態３］
つぎに、本発明の他の実施の形態について説明する。図８は、本実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
この光検出器内蔵シリコン光導波路は、まず、基板１０１の上に、酸化シリコンなどから構成された下部クラッド層１０２を備える。また、下部クラッド層１０２の上には、受光部コア２０３，導波路コア１０４，及び受光部コア２０３の両脇に接する受光部コア２０３より薄い電圧印加部１０５，１０６を備える。受光部コア２０３は、所定の間隔を開けて複数のｎ形不純物添加領域２３１が設けられた領域である。受光部コア２０３の部分が光検出器となる。
【００４３】
受光部コア２０３，導波路コア１０４は、所定の方向に延在する直線上に配列され、これらを覆うように上部クラッド層１０７が形成されている。上部クラッド層１０７は、絶縁材料から構成され、電圧印加部１０５，１０６の上にも形成されている。電圧印加部１０５には、受光部コア２０３より所定距離離間してｎ形高濃度不純物領域１５１が設けられている。また、電圧印加部１０６には、受光部コア２０３より所定距離離間してｐ形高濃度不純物領域１６１が設けられている。
【００４４】
また、ｎ形高濃度不純物領域１５１，ｐ形高濃度不純物領域１６１の上部には、上部クラッド層１０７を貫通する開口部が設けられ、この開口部を介して各々電極１１１，１１２が形成されている。電極１１１は、ｎ形高濃度不純物領域１５１にオーミック接合し、電極１１２は、ｐ形高濃度不純物領域１６１にオーミック接合している。
【００４５】
以上に説明した図８の光検出器は、図１に示した光検出器と異なり、ｎ形不純物添加領域１３１に希土類元素や酸素を添加していない。なお、図８に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の他の構成は、図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路と同様である。図１に示したように希土類元素添加領域を設けると、添加している希土類により各々異なる波長の受光感度を、光検出器が備えるようになる。
【００４６】
例えば、エルビウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．５４μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。また、ツリウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．６５μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。また、ホルミウムを添加した希土類元素添加領域を設けた場合、波長１．９６μｍの光に対して特に高い感度を有するようになる。
【００４７】
これらに対し、ｎ形不純物添加領域１３１に希土類元素を添加していない図８の光検出器では、上述したような波長選択性のない状態となる。また、図８に示す光検出器は希土類元素を添加しない構成なので、図１に示した光検出器に比較して製造が容易となり、より安価な素子の提供が可能となる。
なお、図８の光検出器においても、図７の光検出器と同様に、ｎ形高濃度不純物領域１５１が、受光部コア１０３に接しているようにしてもよい。
【００４８】
また、例えば、ｎ形不純物添加領域１３１やｎ形高濃度不純物領域１５１及びｐ形高濃度不純物領域１６１の各導電形を入れ替えても、同様の光検出器が構成できる。導電形を入れ替えた場合、受光部コアにおける不純物添加領域では、正孔が自由キャリアとなり、正孔が光を吸収して高エネルギーになり、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じるものとなる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、単結晶シリコンからなる受光部コアに、部分的に不純物添加領域を設け、第１高濃度不純物領域，受光部コア，第２高濃度不純物領域からなるダイオード構成の領域に逆バイアスとなる電圧を印加することで生成される空乏領域で受光部コアが覆われた状態としたとき、不純物添加領域の存在により、中性領域と空乏化された領域とが、隣り合わせで存在するようにした。
【００５０】
このことにより、受光部コアに光が伝搬することで、中性領域の電子などの自由キャリアが光を吸収して高エネルギー状態となり、中性領域の空乏領域に近い位置に存在する高エネルギー状態となった自由キャリアは、近傍の空乏層に容易に到達して光誘起電流を生じる。従って、本発明によれば、シリコンからなる導波路コアに連続して形成できる受光部コアにより光検出器が構成できる。この結果、本発明によれば、シリコンからなるコアと光検出部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することが可能となり、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【図２】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図３】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図４】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図５】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図６】 図１に示した光検出器内蔵シリコン光導波路の製造方法について説明する製造途中の状態を概略的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図７】 本発明の他の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【図８】 本発明の他の実施の形態における光検出器内蔵シリコン光導波路の構成例を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），及び一部を拡大した平面図（ｃ）である。
【符号の説明】
１０１…基板、１０２…下部クラッド層、１０３…受光部コア、１０４…導波路コア、１０５，１０６…電圧印加部、１０７…上部クラッド層、１１１，１１２…電極、１３１…ｎ形不純物添加領域、１３２…希土類元素添加領域、１５１…ｎ形高濃度不純物領域、１６１…ｐ形高濃度不純物領域。
Claims (8)
- 絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、
この受光部コアの両脇に接して配置された前記受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、
前記第１電圧印加部に設けられた第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、
前記第２電圧印加部に前記受光部コアより所定距離離間して設けられた第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、
少なくとも前記受光部コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、
前記第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、
前記第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極と
を少なくとも備えたことを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の前記不純物添加領域が設けられている
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項１または２記載の光検出器において、
前記不純物添加領域は、前記第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されている
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光検出器において、
前記不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域である
ことを特徴とする光検出器。 - 絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、第１導電形の不純物が添加された不純物添加領域が部分的に設けられた単結晶シリコンからなる受光部コアと、
この受光部コアの両脇に接して配置された前記受光部コアより薄い単結晶シリコンの層からなる第１電圧印加部及び第２電圧印加部と、
前記第１電圧印加部に設けられた第１導電形の不純物が導入された第１高濃度不純物領域と、
前記第２電圧印加部に前記受光部コアより所定距離離間して設けられた第２導電形の不純物が導入された第２高濃度不純物領域と、
前記受光部コアの少なくとも一方の光入射端の側の前記下部クラッド層の上に配置され、前記受光部コアと同一の断面形状を有する単結晶シリコンから構成された導波路コアと、
少なくとも前記受光部コア及び前記導波路コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッド層と、
前記第１高濃度不純物領域にオーミック接続する第１電極と、
前記第２高濃度不純物領域にオーミック接続する第２電極と
を少なくとも備えたことを特徴とする光検出器内蔵シリコン光導波路。 - 請求項５記載の光検出器内蔵シリコン光導波路において、
前記受光部コアの導波方向に、所定の間隔を開けて複数の前記不純物添加領域が設けられている
ことを特徴とする光検出器内蔵シリコン光導波路。 - 請求項５または６記載の光検出器内蔵シリコン光導波路において、
前記不純物添加領域は、前記第１導電形の不純物に加えて希土類元素と酸素元素とが添加されている
ことを特徴とする光検出器内蔵シリコン光導波路。 - 請求項５〜７のいずれか１項に記載の光検出器内蔵シリコン光導波路において、
前記不純物添加領域はｎ形の導電形となる不純物が添加された領域である
ことを特徴とする光検出器内蔵シリコン光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003142559A JP4091476B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003142559A JP4091476B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004349350A JP2004349350A (ja) | 2004-12-09 |
| JP4091476B2 true JP4091476B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=33530614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003142559A Expired - Fee Related JP4091476B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4091476B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5234104B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-07-10 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子 |
| KR101272783B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2013-06-11 | 한국전자통신연구원 | 도파로 광 검출기 |
| JP5152874B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2013-02-27 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器の製造方法 |
| JP6991330B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124262A (en) * | 1980-03-04 | 1981-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide passage light detecting device |
| DE4011860A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Siemens Ag | Halbleiterelement mit einer silizium-schicht |
| US6226112B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-05-01 | Agere Systems Inc. | Optical time-division-multiplex system |
| EP0993053A1 (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Infrared detector integrated with a waveguide and method of manufacturing |
| WO2002069004A2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Bookham Technology Plc | Semiconductor optical waveguide device |
| US7386207B2 (en) * | 2001-12-27 | 2008-06-10 | Kotura, Inc. | In-line light sensor |
-
2003
- 2003-05-20 JP JP2003142559A patent/JP4091476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004349350A (ja) | 2004-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5232981B2 (ja) | ＳｉＧｅフォトダイオード | |
| US7800193B2 (en) | Photodiode, method for manufacturing such photodiode, optical communication device and optical interconnection module | |
| US8326094B2 (en) | In-line light sensor | |
| KR100745274B1 (ko) | 박형 실리콘-온-절연기(ｓｏｉ) 플랫폼에 집적된 다결정질게르마늄계 도파관 검출기 | |
| KR100244048B1 (ko) | 광반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2748914B2 (ja) | 光検出用半導体装置 | |
| JP6184539B2 (ja) | 半導体受光素子、光電融合モジュール、半導体受光素子の製造方法 | |
| US9735296B2 (en) | Semiconductor light receiving device | |
| JP2008526003A (ja) | ゲルマニウムオンシリコンの光検出器 | |
| JP6527611B1 (ja) | 半導体受光素子、光電融合モジュール、半導体受光素子の製造方法 | |
| JP2007503130A (ja) | 不純物に基づく導波路検出器 | |
| JP6378928B2 (ja) | Ｇｅ系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム | |
| JP5370857B2 (ja) | ゲルマニウム受光器およびその製造方法 | |
| US20050100272A1 (en) | Integrated demultiplexer/photoreceiver for optical networks and method of controlling transparency of optical signal transmission layer | |
| US8639065B2 (en) | System having avalanche effect light sensor with enhanced sensitivity | |
| JP2017220581A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、光インターコネクトシステム | |
| WO2008080428A1 (en) | Waveguide photodetector in germanium on silicon | |
| JP4091476B2 (ja) | 光検出器及び光検出器内蔵シリコン光導波路 | |
| JP6726248B2 (ja) | 半導体受光素子、及び光電融合モジュール | |
| JP5204059B2 (ja) | 光検出器の製造方法 | |
| JP3778406B2 (ja) | フォトセンサおよびイメージセンサ | |
| JP2017152434A (ja) | 半導体装置及び光インターコネクトシステム | |
| JPS6333309B2 (ja) | ||
| JP4624540B2 (ja) | 量子半導体装置、波長多重化光信号受信装置、光メモリ装置 | |
| WO2004017428A1 (en) | Wavelength-demultiplexer with integrated monolithic photodiodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050722 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080228 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4091476 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |