KR20090027431A - 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 DPT(Double Patterning Technology) 공정시 두 번에 걸친 마스크(mask) 작업으로 인한 라인(line) 선폭의 임계치수 불균일성을 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 피식각층 상에 식각 저지막을 형성하는 단계와, 상기 식각 저지막 상에 희생막을 형성하는 단계와, 상기 희생막을 국부적으로 식각하여 희생 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴을 포함하는 상기 식각 저지막의 상부면을 따라 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막을 일부 식각하여 상기 희생 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 희생패턴을 제거하는 단계와, 상기 스페이서를 식각 장벽층으로 상기 피식각층을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 제공한다.
반도체 소자, 미세패턴, DPT
Description
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것이다.
최근에는 반도체 소자가 고집적화되어 감에 따라 40nm급 이하의 라인 앤드 스페이스(Line and Space; 이하, LS라 함)가 요구되고 있다. 하지만, 현재 개발되어 상용화된 노광장비의 한계 상 60nm급 이하의 LS를 형성하는 것은 매우 어려운 실정이다. 이에 따라, 현재 상용화된 노광장비를 그대로 이용하면서 60nm 이하의 미세한 LS를 구현하기 위하여 DPT(Double Patterning Technology) 공정기술이 제안되었다.
이하, 도 1a 내지 도 1d를 결부시켜 DPT 공정을 적용한 종래기술에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 설명하기로 한다. 도 1a 내지 도 1d는 공정 단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 피식각층(101)이 형성된 반도체 기판(100) 상에 순차적으로 이종의 물질로 이루어진 제1 및 제2 하드 마스크(102, 103)를 형 성한다.
이어서, 제2 하드 마스크(103) 상에 감광막을 도포한 후 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 포함하는 마스크 공정을 실시하여 감광막 패턴(104)(이하, 제1 감광막 패턴이라 함)을 형성한다.
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 감광막 패턴(104)을 이용한 식각공정을 실시하여 제2 하드 마스크(103, 도 1a참조)를 식각한다. 이로써, 제2 하드 마스크 패턴(103A)이 형성된다.
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 마스크 공정을 실시하여 제2 하드 마스크 패턴(103A) 사이에 감광막 패턴(105)(이하, 제2 감광막 패턴이라 함)을 형성한다.
이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 제2 하드 마스크 패턴(103A, 도 1c참조)과 제2 감광막 패턴(105, 도 1c참조)을 식각 마스크로 이용한 식각공정을 실시하여 제1 하드 마스크(102, 도 1c참조)를 식각한다. 이로써, 제1 하드 마스크 패턴(102A)이 형성된다.
이어서, 제1 하드 마스크 패턴(102A)을 식각 마스크로 이용한 식각공정을 실시하여 피식각층(101)을 식각한다. 이로써, 미세패턴(또는, 라인)(미도시)이 형성된다.
이와 같이, DPT 공정기술을 적용한 종래기술에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 있어서, 큰 문제점은 미세패턴의 선폭 균일성이 첫 번째와 두 번째 마스크의 정렬 정확성(overlay accuracy)에 좌우된다는 점이다. 소자 특성에 적합한 미세패턴의 선폭 균일성을 확보하기 위해서는 첫 번째 마스크와 두 번째 마스크의 정렬이 '│Mean│+3σ' 기준으로 4nm 이하로 제어되어야 하나, 실제 노광 장비에선 아직 3σ를 7nm 정도 밖에 제어하지 못하고 있어 장비 개발이 요구되나, 기술적 한계로 구현되지 못하고 있다. 더욱이, 도 1c에 도시된 바와 같이, 제2 하드 마스크 패턴(103A)이 형성된 상태에서 마스크 공정을 통해 제2 감광막 패턴(105)을 형성함에 따라 제2 하드 마스크 패턴(103A)이 손실되어 제2 하드 마스크 패턴(103A)의 임계치수가 변형된다.
따라서, 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, DPT 공정시 두 번에 걸친 마스크 작업으로 인한 라인 선폭의 임계치수 불균일성을 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은, 피식각층 상에 식각 저지막을 형성하는 단계와, 상기 식각 저지막 상에 희생막을 형성하는 단계와, 상기 희생막을 국부적으로 식각하여 희생 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴을 포함하는 상기 식각 저지막의 상부면을 따라 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막을 일부 식각하여 상기 희생 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 희생패턴을 제거하는 단계와, 상기 스페이서를 식각 장벽층으로 상기 피식각층을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 제공한다.
상기한 구성을 포함하는 본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과들을 얻을 수 있다.
첫째, 본 발명에 의하면, 한번의 마스크 공정만으로도 DPT 공정과 같은 미세패턴을 구현할 수 있다.
둘째, 본 발명에 의하면, 일반적인 DPT 공정시 실시되는 두번의 마스크 공정에 기인하여 발생되는 오정렬 문제에 의한 라인 임계치수의 불균일성을 개선시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께와 간격은 설명의 편의와 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이며, 층이 다른 층 또는 기판 '상' 또는 '상부'에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면번호로 표시된 부분은 동일한 층을 나타내며, 각 도면번호에 영문을 포함하는 경우 동일층이 식각 또는 연마공정 등을 통해 일부가 변형된 것을 의미한다.
실시예1
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예1에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 공정 단면도이다. 여기서는, 일례로 게이트 전극 상부에 형성된 하드 마스크를 피식각층으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(200) 상에 피식각층으로 하드 마스크(201)를 형성한다. 이때, 하드 마스크(201)는 산화막, 질화막, 산화질화막, 카본이 함유된 막(예컨대, 비정질카본막), 다결정실리콘막 또는 이들이 적층된 적층막 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있으며, 바람직하게는 비정질카본막으로 형 성한다. 더욱 구체적으로, 산화막은 실리콘산화막(SiO2), 질화막은 실리콘질화막(Si3N4)으로 형성하고, 산화질화막은 실리콘산화질화막(SiON)막으로 형성한다.
이어서, 하드 마스크(201) 상에 식각 저지막(202)을 형성한다. 이때, 식각 저지막(202)은 하드 마스크(201)와 식각 선택비를 갖는 이종의 물질로 형성한다. 예컨대, 산화막(예컨대, 실리콘산화막), 질화막(예컨대, 실리콘질화막), 산화질화막(예컨대, 실리콘산화질화막) 또는 다결정실리콘막(예컨대, 도프트(doped) 또는 언-도프트(un-doped)) 중 선택된 어느 하나로 형성한다. 더욱 구체적으로, 하드 마스크(201)가 비정질카본막으로 형성된 경우 실리콘산화질화막으로 형성한다.
이어서, 식각 저지막(202) 상에 희생막(203)을 형성한다. 이때, 희생막(203)은 식각 저지막(202)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중에서 선택된 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다. 예컨대, 희생막(203)은 건식식각공정 또는 습식식각공정시 제거되는 정도, 즉 제거율에 따라 적절히 선택될 수 있다. 구체적으로, 희생막(203)은 습식식각공정을 통해 비교적 제거가 용이한 산화막(실리콘산화막) 또는 스핀 코팅막(spin coating layer)으로 형성하거나, 건식식각공정을 통해 비교적 제거가 용이한 다결정실리콘막 또는 비정질카본막으로 형성할 수 있다. 바람직하게 식각 저지막(202)이 실리콘산화질화막으로 형성된 경우 건식식각공정으로 제거가 용이한 다결정실리콘막으로 형성한다. 이때, 산화막으로는 TEOS(Tetra Ethyle Ortho Silicate) 또는 HARP(High Aspect Ratio Process)를 사용하는 것이 바람직하고, 스핀 코팅막으로는 SOD(Spin On Dielectric) 또는 SOG(Spin On Glass)막을 사 용하는 것이 바람직하다. 또한, 희생막(203)은 식각 저지막(202)이 충분히 식각되는 동안 식각 장벽층으로 기능할 수 있도록 500~2000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 희생막(203) 상에 이머젼(immersion) 감광막 패턴의 변형(deformation)과 식각 선택비 감소에 따른 패턴 불량을 개선하기 위하여 하드 마스크(204)를 더 형성할 수도 있다. 이때, 하드 마스크(204)는 희생막(203)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있으며, 희생막(203)과의 식각 선택비를 고려하여 200~600Å의 두께로 형성한다. 예컨대, 하드 마스크(204)는 산화막 또는 실리콘산화질화막으로 형성한다. 또한, 하드 마스크(204)는 식각 저지막(202)과도 높은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성한다. 예컨대, 식각 저지막(202)이 실리콘산화질화막으로 형성된 경우 산화막(예컨대, 실리콘산화막)으로 형성한다.
이어서, 하드 마스크(204) 상에 반사 방지층(205)을 형성할 수도 있다. 이때, 반사 방지층(205)은 BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)의 단층막으로 형성하거나, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, 이하, CVD라 함) 공정으로 증착되는 DARC(Dielectric Anti-Reflective Coating)와 BARC가 적층된 적층막으로 형성할 수도 있다. 예컨대, DARC는 굴절률(refractive index)이 1.95이고, 소화계수(extinction coefficient)가 0.53인 물질로 형성하고, BARC는 유기 물질로 형성한다.
이어서, 반사 방지층(205) 상에 감광막 패턴(206)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(206)을 형성하기 위한 노광공정은 최종 피식각층(201)의 LS 비가 1:3(L:S)가 되도록 실시하며, 공정상의 변동성을 고려하여 1:2.5~1:3.5(L:S)의 범위 내에서 실시한다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(206)을 이용하여 반사 방지층(205A), 하드 마스크(204A) 및 희생막(203A)을 식각한다. 이때, 식각공정은 식각 저지막(202)을 식각 장벽층으로 이용하여 건식식각공정 또는 습식식각공정으로 실시할 수 있으며, 바람직하게는 건식식각공정으로 실시한다. 또한, 식각공정은 반사 방지층(205A)과 하드 마스크(204A)를 먼저 식각한 후 식각된 하드 마스크(204A)를 식각 장벽층으로 희생막(203A)을 식각할 수도 있다. 이때, 희생막(203A)과 식각 저지막(202)과의 식각 선택비를 높이기 위해 Cl2, HBr 또는 이들의 혼합가스를 주(main) 가스로 사용할 수 있다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(208, 도 2b참조)과 반사 방지층(205A, 도 2b참조)을 제거한다. 이때, 제거공정은 희생막(203A)의 프로파일(profile)이 변형되지 않도록 산소(O2) 플라즈마를 이용한 애싱(ashing) 공정으로 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 하드 마스크(204A, 도 2b참조)를 제거한다. 이때, 제거공정은 희생막(203A)을 식각 장벽층으로 이용하여 실시한다. 예컨대, 하드 마스크(204A)가 실리콘산화막으로 형성된 경우 DHF(Diluted HF)-HF:DIW(Deionized Water)=50:1~100:1- 또는 BOE(Buffered Oxide Etchant)-NH4F:HF=20:1~300:1- 용액 을 사용하여 습식식각한다. 이로써, 희생막(203A)으로 이루어진 희생 패턴이 형성된다.
이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 희생막(203A)을 포함하는 식각 저지막(202) 상에 스페이서용 절연막(207)을 형성한다. 이때, 절연막(207)은 희생막(203A)을 포함하는 식각 저지막(202)의 상부면을 따라 균일한 두께를 갖는 라이너 형태(liner type)로 형성하여 후속 식각공정 후 수직한 프로파일(vertical profile)을 갖도록 한다.
한편, 절연막(207)은 피복률(step coverage rate)이 0.9 이상으로 우수한 특성을 갖는 물질로 형성할 수 있다. 여기서, 피복률이라 함은 증착되는 물질의 부위별 두께가 일정한 정도를 나타내는 두께 균일성을 의미한다. 예컨대, 희생막(203A) 상부에 증착되는 두께(T1)와, 희생막(203A)의 측벽에 증착되는 두께(T2)(또는, 식각 저지막(202) 상부에 증착되는 두께(T3))의 비를 나타낸다. 따라서, 피복률이 0.9 이상이라 함은 T2(또는, T3)/T1가 0.9 이상인 것을 의미한다. 이를 위해 절연막(207)은 원자층 증착(Atomic Layer Dielectric, 이하, ALD라 함) 공정으로 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, ALD-알루미늄산화막(Al2O3) 또는 ALD-질화막으로 형성할 수도 있다.
또한, 절연막(207)은 희생막(203A) 및 식각 저지막(202)과 식각 선택비를 갖는 물질들 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있으며, 바람직하게는 희생막(203A)이 다결정실리콘막으로 형성되고, 식각 저지막(202)이 실리콘산화질화막으로 형성된 경우 산화막으로 형성할 수 있다. 구체적으로, 하드 마스크(201)가 비정질카본막으로 형성된 경우, 비정질카본막의 물성에 영향-패턴 프로파일의 변형-을 주지 않도록 저온에서 형성한다. 예컨대, 절연막(207)은 550℃ 미만, 더욱 구체적으로 100~550℃의 온도에서 증착이 가능한 저온 산화막(Low Temperature Oxide)으로 형성한다.
이어서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 희생막(203A)과 식각 저지막(202)을 식각 장벽층으로 이용한 식각공정을 실시하여 희생막(203A)과 식각 저지막(202)이 노출되도록 절연막(207, 도 2d참조)을 식각한다. 이때, 식각공정은 플라즈마 식각(plasma etch) 장비를 이용한 이등방성 건식식각공정, 예컨대 에치백(etch back) 공정으로 실시할 수 있다. 예컨대, 절연막(207)이 산화막으로 형성된 경우 물리적인 식각(physical etch) 특성이 강하게 작용하도록 높은 파워(high power) 조건에서 식각하고, 그 식각 가스로는 불화탄소 화합물, 예컨대 C4F6, C4F8, CF4, CHF3 또는 이들의 혼합가스를 사용한다. 이로써, 희생막(204A)의 양측벽에는 스페이서(207A)가 형성된다.
이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이, 희생막(203A, 도 2e참조)을 선택적으로제거한다. 이때, 제거공정은 스페이서(207A)와 식각 저지막(202)을 식각 장벽층으로 이용하여 습식식각공정 또는 건식식각공정으로 실시한다. 예컨대, 희생막(203A)이 산화막으로 형성된 경우 DHF 또는 BOE 용액을 사용하거나, HF 용액과 HNO3가 혼합된 혼합용액(H2O 포함)을 사용하여 습식식각한다. 구체적으로, HF 용액과 HNO3의 혼합용액의 경우 HF의 농도를 0.1% 미만으로 한다. 이외에, 비정질카본막으로 형성된 경우 질소(N2)와 산소(O2)를 사용하여 건식식각하고, 다결정실리콘막으로 형성된 경우 Cl2, HBr 또는 이들의 혼합가스를 사용하여 건식식각한다. 이로써, 절연막(207A)으로 이루어진 제2 희생 패턴이 형성된다.
이어서, 도 2g에 도시된 바와 같이, 스페이서(207A)를 식각 장벽층으로 식각 저지막(202A)과 하드 마스크(201A)를 순차적으로 식각한다. 이때, 식각공정은 플라즈마 식각 장비를 이용하여 이방성 건식식각공정으로 실시한다. 예컨대, 식각공정은 식각 저지막(202A)이 실리콘산화질화막 또는 실리콘질화막으로 형성된 경우 불화탄소 화합물, 예컨대 CHF3 또는 CF4 가스를 주 식각가스로 사용하고, 하드 마스크(201A)가 비정질카본막으로 형성된 경우 질소(N2)와 산소(O2)를 사용하여 실시한다. 이로써, LS가 1:3인 하드 마스크 패턴이 형성된다.
실시예2
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예2에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 공정 단면도이다. 여기서는, 일례로 게이트 전극 상부에 형성된 하드 마스크를 피식각층으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 설명한다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(300) 상에 피식각층으로 하드 마스크(301)를 형성한다. 이때, 하드 마스크(301)는 산화막, 질화막, 산화질화막, 비정질카본막, 다결정실리콘막 또는 이들이 적층된 적층막 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있으며, 바람직하게는 비정질카본막으로 형성한다. 더욱 구체적으로, 산화막은 실리콘산화막, 질화막은 실리콘질화막으로 형성하고, 산화질화막은 실리콘산화질화막막으로 형성한다.
이어서, 하드 마스크(301) 상에 제1 식각 저지막(302)을 형성한다. 이때, 제1 식각 저지막(202)은 하드 마스크(201)와 식각 선택비를 갖는 이종의 물질로 형성한다. 예컨대, 산화막, 질화막, 산화질화막 또는 다결정실리콘막 중 선택된 어느 하나로 형성한다. 더욱 구체적으로, 하드 마스크(301)가 비정질카본막으로 형성된 경우 실리콘산화질화막으로 형성한다.
이어서, 제1 식각 저지막(302) 상에 제2 식각 저지막(303)을 형성한다. 이때, 제2 식각 저지막(303)은 제1 식각 저지막(302)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다. 예컨대, 제2 식각 저지막(303)은 제1 식각 저지막(302)이 실리콘산화질화막으로 형성된 경우 다결정실리콘막으로 형성한다.
이어서, 제2 식각 저지막(303) 상에 희생막(304)을 형성한다. 이때, 희생막(304)은 제2 식각 저지막(303)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중에서 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다. 예컨대, 희생막(304)은 건식식각공정 또는 습식식각공정시 제거되는 정도, 즉 식각 제거율에 따라 적절히 선택될 수 있다. 구체적으로, 희생막(304)은 습식식각공정을 통해 비교적 제거가 용이한 산화막 또는 스핀 코팅막으로 형성하거나, 건식식각공정을 통해 비교적 제거가 용이한 다결정실리콘막 또는 비정질카본막으로 형성할 수 있다. 바람직하게 제2 식각 저지막(303)이 다 결정실리콘막으로 형성된 경우 건식식각공정으로 제거가 용이한 비정질카본막으로 형성한다. 이때, 산화막으로는 TEOS 또는 HARP를 사용하는 것이 바람직하고, 스핀 코팅막으로는 SOD 또는 SOG막을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 희생막(304)은 제2 식각 저지막(303)이 충분히 식각되는 동안 식각 장벽층으로 기능할 수 있도록 500~2000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 희생막(304) 상에 이머젼 감광막 패턴의 변형과 식각 선택비 감소에 따른 패턴 불량을 개선하기 위하여 하드 마스크(305)를 더 형성할 수도 있다. 이때, 하드 마스크(305)는 희생막(304)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있으며, 희생막(304)과의 식각 선택비를 고려하여 200~600Å의 두께로 형성한다. 예컨대, 하드 마스크(305)는 산화막 또는 실리콘산화질화막으로 형성한다. 또한, 하드 마스크(305)는 제2 식각 저지막(303)과도 높은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성한다. 예컨대, 제2 식각 저지막(303)이 다결정실리콘막으로 형성된 경우 실리콘산화질화막으로 형성한다.
이어서, 하드 마스크(305) 상에 반사 방지층(306)을 형성할 수도 있다. 이때, 반사 방지층(306)은 BARC의 단층막으로 형성하거나, DARC와 BARC가 적층된 적층막으로 형성할 수도 있다.
이어서, 반사 방지층(306) 상에 감광막 패턴(307)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(206)을 형성하기 위한 노광공정은 최종 피식각층(301)의 LS 비가 1:3(L:S)가 되도록 실시하며, 공정상의 변동성을 고려하여 1:2.5~1:3.5(L:S)의 범위 내에서 실시한다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(307)을 이용하여 반사 방지층(306A), 하드 마스크(305A) 및 희생막(304A)을 식각한다. 이때, 식각공정은 제2 식각 저지막(303)을 식각 장벽층으로 이용하여 건식식각공정 또는 습식식각공정으로 실시할 수 있다. 또한, 식각공정은 반사 방지층(306A)과 하드 마스크(305A)를 먼저 식각한 후 식각된 하드 마스크(305A)를 식각 장벽층으로 희생막(303A)을 식각할 수도 있다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(307, 도 3b참조)과 반사 방지층(306A, 도 3b참조)을 제거한다. 이때, 제거공정은 희생막(304A)의 프로파일이 변형되지 않도록 산소(O2) 플라즈마를 이용한 애싱 공정으로 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 하드 마스크(305A, 도 3b참조)를 제거한다. 이때, 제거공정은 희생막(304A)을 식각 장벽층으로 이용하여 실시한다. 이로써, 희생막(304A)으로 이루어진 희생 패턴이 형성된다.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 희생막(304A)을 포함하는 제2 식각 저지막(303) 상에 스페이서용 절연막(308)을 형성한다. 이때, 절연막(308)은 희생막(304A)을 포함하는 제2 식각 저지막(303)의 상부면을 따라 균일한 두께를 갖는 라이너 형태로 형성하여 후속 식각공정 후 수직한 프로파일을 갖도록 한다. 또한, 절연막(308)은 피복률이 0.9 이상으로 우수한 특성을 갖는 물질로 형성할 수 있다. 이를 위해 절연막(308)은 ALD-알루미늄산화막(Al2O3) 또는 ALD-질화막으로 형성할 수 있다. 또한, 절연막(308)은 희생막(304A) 및 제2 식각 저지막(203)과 높은 식각 선택비를 갖는 물질들 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다. 바람직하게는 희생막(304A)이 비정질카본막으로 형성되고, 제2 식각 저지막(303)이 다결정실리콘막으로 형성된 경우 산화막으로 형성한다. 더욱 바람직하게는 하드 마스크(301)를 구성하는 비정질카본막의 물성에 영향을 주지 않도록 100~550℃의 온도에서 증착이 가능한 저온 산화막으로 형성한다.
이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 희생막(304A)과 제2 식각 저지막(303)을 식각 장벽층으로 이용한 식각공정을 실시하여 희생막(304A)과 제2 식각 저지막(303)이 노출되도록 절연막(308, 도 3d참조)을 식각한다. 이때, 식각공정은 에치백 공정으로 실시할 수 있다. 예컨대, 절연막(308A)이 산화막으로 형성된 경우 실시예1에서와 같이 물리적인 식각 특성이 강하게 작용하도록 높은 파워 조건에서 식각하고, 그 식각 가스로는 불화탄소 화합물, 예컨대 C4F6, C4F8, CF4, CHF3 또는 이들의 혼합가스를 사용한다. 이로써, 희생막(304A)의 양측벽에는 스페이서(308A)가 형성된다.
이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이, 희생막(304A, 도 3e참조)을 선택적으로 제거한다. 이때, 제거공정은 희생막(304A)이 비정질카본막으로 형성된 경우, 스페이서(308A)와 제2 식각 저지막(303)을 식각 장벽층으로 이용한 건식식각공정으로 실시하는 것이 바람직하며, 이때 사용되는 가스로는 질소와 산소를 사용한다.
이어서, 도 3g에 도시된 바와 같이, 스페이서(308A)를 식각 장벽층으로 제2 식각 저지막(303A), 제1 식각 저지막(302A)과 하드 마스크(301A)를 순차적으로 식각한다. 이때, 식각공정은 플라즈마 식각 장비를 이용하여 이방성 건식식각공정으로 실시하는 것이 바람직하다. 예컨대, 식각공정은 제2 식각 저지막(303A)이 다결정실리콘막으로 형성된 경우, Cl2, HBr 또는 이들의 혼합가스를 사용하여 식각하고, 제1 식각 저지막(302A)이 실리콘산화질화막으로 형성된 경우 불화탄소 화합물, 예컨대 CHF3 또는 CF4 가스를 주 식각가스로 사용하며, 하드 마스크(301A)가 비정질카본막으로 형성된 경우 질소와 산소를 사용하여 실시한다. 이로써, LS가 1:3인 하드 마스크 패턴이 형성된다.
본 발명의 기술 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 특히, 본 발명의 실시예에서는 피식각층으로 하드 마스크를 적용하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 도전층을 포함하여 반도체 소자에서 사용되는 모든 물질에 대해 적용할 수도 있다. 또한, 본 발명은 이 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예들이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예1에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예2에 따른 반도체 소자의 미세패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200, 300 : 반도체 기판
201, 201A, 301, 301A : 하드 마스크(피식각층)
202, 202A : 식각 저지막
203, 203A, 304, 304A : 희생막(희생 패턴)
204, 204 : 하드 마스크
205, 205A, 306, 306A : 반사 방지층
206, 307 : 감광막 패턴
207, 308 : 절연막
207A, 308A : 스페이서
302, 302A : 제1 식각 저지막
303, 303A : 제2 식각 저지막
Claims (17)
- 피식각층 상에 식각 저지막을 형성하는 단계;상기 식각 저지막 상에 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막을 국부적으로 식각하여 희생 패턴을 형성하는 단계;상기 희생 패턴을 포함하는 상기 식각 저지막의 상부면을 따라 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 일부 식각하여 상기 희생 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계;상기 희생패턴을 제거하는 단계; 및상기 스페이서를 식각 장벽층으로 상기 피식각층을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 저지막은 상기 희생막과 식각 선택비를 갖는 물질로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 저지막은 상기 절연막과 식각 선택비를 갖는 물질로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 저지막은 산화막, 질화막, 실리콘산화질화막, 다결정실리콘막 또는 이들이 적층된 적층막 중 선택된 어느 하나로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 희생막은 다결정실리콘막 또는 비정질카본막으로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연막은 산화막 또는 실리콘산화질화막으로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연막은 ALD(Atomic Layer Deposition)막으로 형성하거나, 저온 산화막으로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 ALD막은 알루미늄산화막 또는 질화막으로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 저온 산화막은 100~550℃의 온도에서 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계는 플라즈마 식각 장비를 이용한 이등방성 건식식각공정으로 실시하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 건식식각공정은 불화탄소 화합물을 이용하여 실시하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 희생 패턴을 제거하는 단계는 상기 희생막이 다결정실리콘막으로 형성된 경우 HF와 HNO3의 혼합용액을 사용한 습식식각공정으로 실시하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 희생 패턴을 제거하는 단계는 상기 희생막이 비정질실리콘막으로 형성된 경우 질소와 산소 가스를 사용한 건식식각공정으로 실시하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 희생막을 형성하는 단계 후,상기 희생막 상에 반사 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 반사 방지층은 BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 반사 방지층은 DARC(Dielectric Anti-Reflective Coating)와 BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)의 적층 구조로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 피식각층은 산화막, 질화막, 실리콘산화질화막, 비정질카본막, 다결정실리콘막 또는 이들이 적층된 적층막 중 선택된 어느 하나로 형성하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
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| KR20160090426A (ko) * | 2015-01-21 | 2016-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법 |
| US10068767B2 (en) | 2015-10-13 | 2018-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
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2007
- 2007-09-12 KR KR1020070092644A patent/KR20090027431A/ko not_active Application Discontinuation
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