JP2003279775A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JP2003279775A JP2003279775A JP2002081926A JP2002081926A JP2003279775A JP 2003279775 A JP2003279775 A JP 2003279775A JP 2002081926 A JP2002081926 A JP 2002081926A JP 2002081926 A JP2002081926 A JP 2002081926A JP 2003279775 A JP2003279775 A JP 2003279775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- core layer
- manufacturing
- optical waveguide
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程が単純で、導波路の断面形状を矩形状に
することができる光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１、下部クラッド層１２、コア層
１３を順次堆積し、コア層１３表面にフォトレジスト１
５を塗布し、フォトレジスト１５上に導波路パターンが
形成されたフォトマスクを配置し、フォトレジスト１５
上に光を照射して光照射部を化学反応させ、現像して導
波路パターンを有するレジスト膜１６を形成する際、レ
ジスト膜１６の断面形状を、レジスト膜１６の表面から
コア層１３の表面に向って次第に幅が狭くなっている逆
テーパ状に形成する光導波路の製造方法。コア層１３の
表面に塗布するフォトレジスト１５の厚さを１．５〜６
μｍとする。フォトレジスト１５の粘度を２０〜１２０
ミリパスカル秒とする。フォトレジスト１５に照射する
光を、完全にコリメートされていない光とする。
することができる光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１、下部クラッド層１２、コア層
１３を順次堆積し、コア層１３表面にフォトレジスト１
５を塗布し、フォトレジスト１５上に導波路パターンが
形成されたフォトマスクを配置し、フォトレジスト１５
上に光を照射して光照射部を化学反応させ、現像して導
波路パターンを有するレジスト膜１６を形成する際、レ
ジスト膜１６の断面形状を、レジスト膜１６の表面から
コア層１３の表面に向って次第に幅が狭くなっている逆
テーパ状に形成する光導波路の製造方法。コア層１３の
表面に塗布するフォトレジスト１５の厚さを１．５〜６
μｍとする。フォトレジスト１５の粘度を２０〜１２０
ミリパスカル秒とする。フォトレジスト１５に照射する
光を、完全にコリメートされていない光とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において使
用される光受動部品の光導波路の製造方法に関する。
用される光受動部品の光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】代表的な光導波路である平面型光導波路
は、シリコンなどの基板上に、下部クラッド層、コア層
および上部クラッド層を形成して得られるものである。
図３は、従来の単一光モード光導波路の製造方法におい
て、光導波路の製造工程を示す概略断面図である。従来
の光導波路の製造方法では、先ず、図３（ａ）に示すよ
うに、基板１の表面上に、化学気相堆積法（ＣＶＤ
法）、火炎堆積法（ＦＨＤ法）などにより、第１の石英
系膜（以下、「下部クラッド層」と記す。）２、およ
び、この下部クラッド層２よりも屈折率の高い材料から
なる第２の石英系膜（以下、「コア層」と記す。）３を
順次堆積形成する。次いで、図３（ｂ）に示すように、
スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などにより、コア
層３の表面上に、多結晶シリコン（以下、「ｐｏｌｙ−
Ｓｉ」と記す。）、ケイ化タングステンなどからなるエ
ッチングマスク４を形成する。次いで、図３（ｃ）に示
すように、エッチングマスク４の表面上に、スピンコー
ト法などによりフォトジスト５を塗布する。
は、シリコンなどの基板上に、下部クラッド層、コア層
および上部クラッド層を形成して得られるものである。
図３は、従来の単一光モード光導波路の製造方法におい
て、光導波路の製造工程を示す概略断面図である。従来
の光導波路の製造方法では、先ず、図３（ａ）に示すよ
うに、基板１の表面上に、化学気相堆積法（ＣＶＤ
法）、火炎堆積法（ＦＨＤ法）などにより、第１の石英
系膜（以下、「下部クラッド層」と記す。）２、およ
び、この下部クラッド層２よりも屈折率の高い材料から
なる第２の石英系膜（以下、「コア層」と記す。）３を
順次堆積形成する。次いで、図３（ｂ）に示すように、
スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などにより、コア
層３の表面上に、多結晶シリコン（以下、「ｐｏｌｙ−
Ｓｉ」と記す。）、ケイ化タングステンなどからなるエ
ッチングマスク４を形成する。次いで、図３（ｃ）に示
すように、エッチングマスク４の表面上に、スピンコー
ト法などによりフォトジスト５を塗布する。
【０００３】次いで、図３（ｄ）に示すように、フォト
レジスト５の表面に導波路形状が形成されたフォトマス
ク（図示略）を配置し、露光、現像処理を行なって不必
要なフォトレジストを取り除き、導波路形状の開口部を
有するレジスト膜６を形成する。ここで、レジスト膜６
の断面形状は、その表面からエッチングマスク４の表面
に向って次第に幅が広くなっているテーパ状をなしてい
る。次いで、図３（ｅ）に示すように、レジスト膜６を
マスクとして、ドライエッチングにより、レジスト膜６
の形成されていない部分のエッチングマスク４を除去
し、エッチングマスク４を導波路形状に形成し、次いで
残ったレジスト膜を灰化（アッシング）する。次いで、
図３（ｆ）に示すように、エッチングマスク４をマスク
として、ドライエッチングにより、エッチングマスク４
の形成されていない部分のコア層３を除去し、所望の導
波路形状に形成されたコア層３を得る。次いで、導波路
形状に形成されたコア層３の表面上に、ＣＶＤ法、ＦＨ
Ｄ法などにより、上部クラッド層（図示略）を堆積し、
光導波路を得る。
レジスト５の表面に導波路形状が形成されたフォトマス
ク（図示略）を配置し、露光、現像処理を行なって不必
要なフォトレジストを取り除き、導波路形状の開口部を
有するレジスト膜６を形成する。ここで、レジスト膜６
の断面形状は、その表面からエッチングマスク４の表面
に向って次第に幅が広くなっているテーパ状をなしてい
る。次いで、図３（ｅ）に示すように、レジスト膜６を
マスクとして、ドライエッチングにより、レジスト膜６
の形成されていない部分のエッチングマスク４を除去
し、エッチングマスク４を導波路形状に形成し、次いで
残ったレジスト膜を灰化（アッシング）する。次いで、
図３（ｆ）に示すように、エッチングマスク４をマスク
として、ドライエッチングにより、エッチングマスク４
の形成されていない部分のコア層３を除去し、所望の導
波路形状に形成されたコア層３を得る。次いで、導波路
形状に形成されたコア層３の表面上に、ＣＶＤ法、ＦＨ
Ｄ法などにより、上部クラッド層（図示略）を堆積し、
光導波路を得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】単一モード光導波路で
は、コア層３が設計通りの導波路形状に、精度良く加工
されている必要がある。通常、導波路の形状は矩形状で
あることが望ましく、この導波路の形状により、偏波依
存損失などの偏波特性が良好となり、さらには所望する
デバイスの解析、設計が容易かつ精密となり、設計に極
めて近い光学特性を実現できる。ところで、従来の光導
波路の製造方法では、エッチングマスク４をコア層３の
表面上に形成することにより、コア層３のドライエッチ
ングによって、コア層３に形成された導波路の断面形状
が、レジスト膜６の断面形状に影響され、レジスト膜６
と同様に、その表面から下部クラッド層の表面に向って
次第に幅が広くなっているテーパ状をなすのを防止して
いた。
は、コア層３が設計通りの導波路形状に、精度良く加工
されている必要がある。通常、導波路の形状は矩形状で
あることが望ましく、この導波路の形状により、偏波依
存損失などの偏波特性が良好となり、さらには所望する
デバイスの解析、設計が容易かつ精密となり、設計に極
めて近い光学特性を実現できる。ところで、従来の光導
波路の製造方法では、エッチングマスク４をコア層３の
表面上に形成することにより、コア層３のドライエッチ
ングによって、コア層３に形成された導波路の断面形状
が、レジスト膜６の断面形状に影響され、レジスト膜６
と同様に、その表面から下部クラッド層の表面に向って
次第に幅が広くなっているテーパ状をなすのを防止して
いた。
【０００５】しかしながら、従来の光導波路の製造方法
では、エッチングマスク４を形成する工程、これらをド
ライエッチングする工程、さらには、ドライエッチング
後に残ったエッチングマスク４を除去する工程が必要で
あるため、工程数が多く、工程が複雑になるという問題
があった。また、レジスト膜６のテーパ角度が極端に大
きくなってしまうと、テーパ角の大きなエッチングマス
ク４が形成されてしまい、図３（ｆ）に示したように、
最終的に、コア層３に形成された導波路の断面形状が矩
形状にならずに、テーパ状になってしまうという問題が
あった。このように、導波路の断面形状が矩形状に形成
されないと、偏波特性が悪く、設計からずれた光学特性
を示す光導波路となってしまう。
では、エッチングマスク４を形成する工程、これらをド
ライエッチングする工程、さらには、ドライエッチング
後に残ったエッチングマスク４を除去する工程が必要で
あるため、工程数が多く、工程が複雑になるという問題
があった。また、レジスト膜６のテーパ角度が極端に大
きくなってしまうと、テーパ角の大きなエッチングマス
ク４が形成されてしまい、図３（ｆ）に示したように、
最終的に、コア層３に形成された導波路の断面形状が矩
形状にならずに、テーパ状になってしまうという問題が
あった。このように、導波路の断面形状が矩形状に形成
されないと、偏波特性が悪く、設計からずれた光学特性
を示す光導波路となってしまう。
【０００６】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、工程が単純で、導波路の断面形状を矩形状にするこ
とができる光導波路の製造方法を提供することを課題と
する。
で、工程が単純で、導波路の断面形状を矩形状にするこ
とができる光導波路の製造方法を提供することを課題と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は、基板の表面
に下部クラッド層を形成し、該下部クラッド層の表面に
コア層を形成し、該コア層の表面にフォトレジストを塗
布し、該フォトレジスト上に導波路パターンが形成され
たフォトマスクを配置し、前記フォトレジストに光を照
射した後、前記フォトレジストを現像することによって
前記導波路パターンが形成されたレジスト膜を形成し、
該レジスト膜をマスクとして、エッチングにより前記コ
ア層に導波路を形成する光導波路の製造方法において、
前記導波路パターンが形成された前記レジスト膜の断面
形状を、前記レジスト膜の表面から前記コア層の表面に
向って次第に幅が狭くなっている逆テーパ状に形成する
光導波路の製造方法によって解決できる。前記コア層の
表面に塗布する前記フォトレジストの厚さを１．５〜６
μｍとすることが好ましい。前記フォトレジストの粘度
を２０〜１２０ミリパスカル秒とすることが好ましい。
上記光導波路の製造方法において、前記フォトレジスト
に照射する光を、完全にコリメートされていない光とす
ることが好ましい。
に下部クラッド層を形成し、該下部クラッド層の表面に
コア層を形成し、該コア層の表面にフォトレジストを塗
布し、該フォトレジスト上に導波路パターンが形成され
たフォトマスクを配置し、前記フォトレジストに光を照
射した後、前記フォトレジストを現像することによって
前記導波路パターンが形成されたレジスト膜を形成し、
該レジスト膜をマスクとして、エッチングにより前記コ
ア層に導波路を形成する光導波路の製造方法において、
前記導波路パターンが形成された前記レジスト膜の断面
形状を、前記レジスト膜の表面から前記コア層の表面に
向って次第に幅が狭くなっている逆テーパ状に形成する
光導波路の製造方法によって解決できる。前記コア層の
表面に塗布する前記フォトレジストの厚さを１．５〜６
μｍとすることが好ましい。前記フォトレジストの粘度
を２０〜１２０ミリパスカル秒とすることが好ましい。
上記光導波路の製造方法において、前記フォトレジスト
に照射する光を、完全にコリメートされていない光とす
ることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の光導波路の製造方法において、光導波
路の製造工程を示す概略断面図である。本発明の光導波
路の製造方法では、先ず、図１（ａ）に示すように、基
板１１の表面上に、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、火炎
堆積法（ＦＨＤ法）などにより、下部クラッド層１２、
および、コア層１３を順次堆積形成する。基板１１とし
ては、光導波路の基板として用いられるものであれば、
いかなるものも使用可能であるが、一般的には、厚さ３
５０〜１０００μｍ程度の石英ウェーハ、単結晶シリコ
ンウェーハなどが用いられる。下部クラッド層１２とし
ては、厚さ１０〜２５μｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2）膜、二酸化ケイ素−三酸化二ホウ素−五酸化二リン
（ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｐ2Ｏ5）膜などが好ましい。コア
層１３としては、厚さ４．５〜８．０μｍ程度の二酸化
ケイ素−二酸化ゲルマニウム（ＳｉＯ2−ＧｅＯ2）膜、
二酸化ケイ素−二酸化チタン（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2）膜な
どが好ましい。また、コア層１３は、下部クラッド層１
２よりも、屈折率が０．３〜１．５％程度大きくなって
いる。
図１は、本発明の光導波路の製造方法において、光導波
路の製造工程を示す概略断面図である。本発明の光導波
路の製造方法では、先ず、図１（ａ）に示すように、基
板１１の表面上に、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、火炎
堆積法（ＦＨＤ法）などにより、下部クラッド層１２、
および、コア層１３を順次堆積形成する。基板１１とし
ては、光導波路の基板として用いられるものであれば、
いかなるものも使用可能であるが、一般的には、厚さ３
５０〜１０００μｍ程度の石英ウェーハ、単結晶シリコ
ンウェーハなどが用いられる。下部クラッド層１２とし
ては、厚さ１０〜２５μｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2）膜、二酸化ケイ素−三酸化二ホウ素−五酸化二リン
（ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｐ2Ｏ5）膜などが好ましい。コア
層１３としては、厚さ４．５〜８．０μｍ程度の二酸化
ケイ素−二酸化ゲルマニウム（ＳｉＯ2−ＧｅＯ2）膜、
二酸化ケイ素−二酸化チタン（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2）膜な
どが好ましい。また、コア層１３は、下部クラッド層１
２よりも、屈折率が０．３〜１．５％程度大きくなって
いる。
【０００９】次いで、図１（ｂ）に示すように、コア層
１３の表面上に、スピンコート法などによりフォトジス
ト１５を塗布する。このとき、フォトレジスト１５を塗
布する厚さは１．５〜６μｍ程度が好ましく、より好ま
しくは１．５〜４μｍ程度である。フォトレジスト１５
の厚さを上記の範囲内とすれば、後述のフォトレジスト
１５の露光において、フォトレジスト１５の表面上に配
置されたマスクを通過した光が、フォトレジスト１５の
表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が広くなっ
ているテーパ状に広がる。よって、後述のレジスト膜１
６に形成される導波路パターンの断面形状を、レジスト
膜１６の表面からコア層１６の表面に向って次第に幅が
狭くなっている逆テーパ状に形成することができる。
１３の表面上に、スピンコート法などによりフォトジス
ト１５を塗布する。このとき、フォトレジスト１５を塗
布する厚さは１．５〜６μｍ程度が好ましく、より好ま
しくは１．５〜４μｍ程度である。フォトレジスト１５
の厚さを上記の範囲内とすれば、後述のフォトレジスト
１５の露光において、フォトレジスト１５の表面上に配
置されたマスクを通過した光が、フォトレジスト１５の
表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が広くなっ
ているテーパ状に広がる。よって、後述のレジスト膜１
６に形成される導波路パターンの断面形状を、レジスト
膜１６の表面からコア層１６の表面に向って次第に幅が
狭くなっている逆テーパ状に形成することができる。
【００１０】また、ここで用いられるフォトレジスト１
５としては、光や紫外線照射により感度よく化学反応を
起こし、未反応部が可溶化（ネガ型）する樹脂、また
は、反応部が溶媒に可溶化（ポジ型）する樹脂であり、
高解像度の任意形状を形成することができる樹脂が用い
られる。本発明の光導波路の製造方法では、特に、ポジ
型フォトレジストが好ましく用いられる。また、フォト
レジスト１５としては、厚塗り可能な、粘度２０〜１２
０ミリパスカル秒程度の高粘度のものが好ましい。粘度
が２０ミリパスカル秒未満および１２０ミリパスカル秒
を超えるフォトレジストは、コア層１３の表面上に、フ
ォトレジスト１５を上記所定の厚みに塗布することが難
しくなる。
５としては、光や紫外線照射により感度よく化学反応を
起こし、未反応部が可溶化（ネガ型）する樹脂、また
は、反応部が溶媒に可溶化（ポジ型）する樹脂であり、
高解像度の任意形状を形成することができる樹脂が用い
られる。本発明の光導波路の製造方法では、特に、ポジ
型フォトレジストが好ましく用いられる。また、フォト
レジスト１５としては、厚塗り可能な、粘度２０〜１２
０ミリパスカル秒程度の高粘度のものが好ましい。粘度
が２０ミリパスカル秒未満および１２０ミリパスカル秒
を超えるフォトレジストは、コア層１３の表面上に、フ
ォトレジスト１５を上記所定の厚みに塗布することが難
しくなる。
【００１１】次いで、このフォトレジスト１５をプリベ
ークして、予備硬化した後、フォトレジスト１５上に任
意の導波路パターンを有するポジ型フォトマスク（図示
略）を配置し、フォトレジスト１５に光や紫外線を照射
し（フォトレジスト１５の露光）、現像、リンスするこ
とにより、図１（ｃ）に示すような断面形状のレジスト
膜１６を形成する。このレジスト膜１６には、導波路パ
ターンが形成されており、その断面形状はレジスト膜１
６の表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が狭く
なっている逆テーパ状になっている。ここで、フォトレ
ジスト１５の露光方法は、マスクをコア層１３に接触さ
せて露光するコンタクト法、またはマスクとコア層１３
との間に一定の間隔を空けて露光するプロキシミティー
法のうちいずれの方法であってもよいが、投影露光法の
ように、コリメート光をフォトレジストに照射する露光
法は適さない。
ークして、予備硬化した後、フォトレジスト１５上に任
意の導波路パターンを有するポジ型フォトマスク（図示
略）を配置し、フォトレジスト１５に光や紫外線を照射
し（フォトレジスト１５の露光）、現像、リンスするこ
とにより、図１（ｃ）に示すような断面形状のレジスト
膜１６を形成する。このレジスト膜１６には、導波路パ
ターンが形成されており、その断面形状はレジスト膜１
６の表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が狭く
なっている逆テーパ状になっている。ここで、フォトレ
ジスト１５の露光方法は、マスクをコア層１３に接触さ
せて露光するコンタクト法、またはマスクとコア層１３
との間に一定の間隔を空けて露光するプロキシミティー
法のうちいずれの方法であってもよいが、投影露光法の
ように、コリメート光をフォトレジストに照射する露光
法は適さない。
【００１２】図２は、本発明の光導波路の製造方法にお
いて、フォトレジストの露光時に、マスクを通過した光
がフォトレジスト中を透過していく様子を示す断面模式
図である。上述のように、コア層１３の表面上に、フォ
トレジスト１５を厚塗りし、非コリメート光を照射する
ことによって、フォトマスク２０を通過した光２１が、
コア層１３に近付くにしたがって、次第にテーパ状に広
がりながらフォトレジスト１５内を透過する。そして、
フォトレジスト１５は、光２１の透過した部分が化学反
応を起こす。次いで、フォトレジスト１５の露光された
部分を、用いたフォトレジストに適した現像液により溶
解して除去すれば、図１（ｃ）に示すように、断面形状
が、その表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が
狭くなっている逆テーパ状のレジスト膜１６が形成され
る。このように、マスクの上方からフォトレジスト１５
に照射する光を、完全にコリメートされていない光とす
れば、この光がフォトレジスト１５内でテーパ状に広が
り、その結果として、フォトレジスト１５が、その断面
形状が逆テーパ状となるように露光される。
いて、フォトレジストの露光時に、マスクを通過した光
がフォトレジスト中を透過していく様子を示す断面模式
図である。上述のように、コア層１３の表面上に、フォ
トレジスト１５を厚塗りし、非コリメート光を照射する
ことによって、フォトマスク２０を通過した光２１が、
コア層１３に近付くにしたがって、次第にテーパ状に広
がりながらフォトレジスト１５内を透過する。そして、
フォトレジスト１５は、光２１の透過した部分が化学反
応を起こす。次いで、フォトレジスト１５の露光された
部分を、用いたフォトレジストに適した現像液により溶
解して除去すれば、図１（ｃ）に示すように、断面形状
が、その表面からコア層１３の表面に向って次第に幅が
狭くなっている逆テーパ状のレジスト膜１６が形成され
る。このように、マスクの上方からフォトレジスト１５
に照射する光を、完全にコリメートされていない光とす
れば、この光がフォトレジスト１５内でテーパ状に広が
り、その結果として、フォトレジスト１５が、その断面
形状が逆テーパ状となるように露光される。
【００１３】次いで、レジスト膜１６をマスクとして、
ドライエッチングにより、レジスト膜１６の形成されて
いない部分のコア層１３を除去し、次いで、残ったフォ
トレジストを灰化することにより、図１（ｄ）に示すよ
うな所望の導波路形状に形成されたコア層１３を得る。
得られたコア層１３は、断面形状が矩形状の導波路が形
成されたものとなる。次いで、コア層１３の表面上に、
ＣＶＤ法、ＦＨＤ法などにより、上部クラッド層（図示
略）を堆積し、光導波路を得る。
ドライエッチングにより、レジスト膜１６の形成されて
いない部分のコア層１３を除去し、次いで、残ったフォ
トレジストを灰化することにより、図１（ｄ）に示すよ
うな所望の導波路形状に形成されたコア層１３を得る。
得られたコア層１３は、断面形状が矩形状の導波路が形
成されたものとなる。次いで、コア層１３の表面上に、
ＣＶＤ法、ＦＨＤ法などにより、上部クラッド層（図示
略）を堆積し、光導波路を得る。
【００１４】このように、本発明の光導波路の製造方法
によれば、エッチングマスクを用いることなく、断面形
状が矩形状の導波路を形成することができる。したがっ
て、本発明の光導波路の製造方法で製造された光導波路
は、設計に極めて近い光学特性を示す光導波路となる。
また、従来の光導波路の製造方法におけるエッチングマ
スクの形成、エッチングおよび除去の工程が無くなるの
で、製造工程が簡略化され、結果として製造コストを低
減することができる。
によれば、エッチングマスクを用いることなく、断面形
状が矩形状の導波路を形成することができる。したがっ
て、本発明の光導波路の製造方法で製造された光導波路
は、設計に極めて近い光学特性を示す光導波路となる。
また、従来の光導波路の製造方法におけるエッチングマ
スクの形成、エッチングおよび除去の工程が無くなるの
で、製造工程が簡略化され、結果として製造コストを低
減することができる。
【００１５】また、本発明によれば、石英系光導波路の
みならず、高分子光導波路の製造においても、導波路を
断面形状が矩形になるように容易に形成することができ
る。さらには、レジスト厚、露光条件を適当に選択すれ
ば、同様の原理を用いて半導体光導波路にも適用でき
る。したがって、本発明の光導波路の製造方法は、低偏
波依存損失、単一モード伝搬を実現する全ての光導波路
の製造に適用することができる。
みならず、高分子光導波路の製造においても、導波路を
断面形状が矩形になるように容易に形成することができ
る。さらには、レジスト厚、露光条件を適当に選択すれ
ば、同様の原理を用いて半導体光導波路にも適用でき
る。したがって、本発明の光導波路の製造方法は、低偏
波依存損失、単一モード伝搬を実現する全ての光導波路
の製造に適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
の製造方法は、基板の表面に下部クラッド層を形成し、
該下部クラッド層の表面にコア層を形成し、該コア層の
表面にフォトレジストを塗布し、該フォトレジスト上に
導波路パターンが形成されたフォトマスクを配置し、前
記フォトレジストに光を照射した後、前記フォトレジス
トを現像することによって前記導波路パターンが形成さ
れたレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとし
て、エッチングにより前記コア層に導波路を形成する光
導波路の製造方法において、前記導波路パターンが形成
された前記レジスト膜の断面形状を、前記レジスト膜の
表面から前記コア層の表面に向って次第に幅が狭くなっ
ている逆テーパ状に形成することにより、エッチングマ
スクを用いることなく、断面形状が矩形状の導波路を形
成することができる。したがって、本発明の光導波路の
製造方法で製造された光導波路は、設計に極めて近い優
れた光学特性を示す光導波路となる。また、本発明の光
導波路の製造方法によれば、光導波路の製造における製
造工程が簡略化され、結果として製造コストを低減する
ことができる。
の製造方法は、基板の表面に下部クラッド層を形成し、
該下部クラッド層の表面にコア層を形成し、該コア層の
表面にフォトレジストを塗布し、該フォトレジスト上に
導波路パターンが形成されたフォトマスクを配置し、前
記フォトレジストに光を照射した後、前記フォトレジス
トを現像することによって前記導波路パターンが形成さ
れたレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとし
て、エッチングにより前記コア層に導波路を形成する光
導波路の製造方法において、前記導波路パターンが形成
された前記レジスト膜の断面形状を、前記レジスト膜の
表面から前記コア層の表面に向って次第に幅が狭くなっ
ている逆テーパ状に形成することにより、エッチングマ
スクを用いることなく、断面形状が矩形状の導波路を形
成することができる。したがって、本発明の光導波路の
製造方法で製造された光導波路は、設計に極めて近い優
れた光学特性を示す光導波路となる。また、本発明の光
導波路の製造方法によれば、光導波路の製造における製
造工程が簡略化され、結果として製造コストを低減する
ことができる。
【図１】 本発明の光導波路の製造方法において、光導
波路の製造工程を示す概略断面図である。
波路の製造工程を示す概略断面図である。
【図２】 本発明の光導波路の製造方法において、フォ
トレジストの露光時に、マスクを通過した光がフォトレ
ジスト中を透過していく様子を示す断面模式図である。
トレジストの露光時に、マスクを通過した光がフォトレ
ジスト中を透過していく様子を示す断面模式図である。
【図３】 従来の単一光モード光導波路の製造方法にお
いて、光導波路の製造工程を示す概略断面図である。
いて、光導波路の製造工程を示す概略断面図である。
１１・・・基板、１２・・・下部クラッド層、１３・・・コア
層、１５・・・フォトレジスト、１６・・・レジスト膜、２０
・・・フォトマスク、２１・・・光
層、１５・・・フォトレジスト、１６・・・レジスト膜、２０
・・・フォトマスク、２１・・・光
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小川 弘晋
千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ
クラ佐倉事業所内
(72)発明者 藤田 大吾
千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ
クラ佐倉事業所内
(72)発明者 佐久間 健
千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ
クラ佐倉事業所内
(72)発明者 細谷 英行
千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ
クラ佐倉事業所内
Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA05 PA21 PA24 QA02
QA04 TA41
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の表面に下部クラッド層を形成し、
該下部クラッド層の表面にコア層を形成し、該コア層の
表面にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストの上
に導波路パターンが形成されたフォトマスクを配置し、
前記フォトレジストに光を照射した後、前記フォトレジ
ストを現像することによって前記導波路パターンが形成
されたレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとし
て、エッチングにより前記コア層に導波路を形成する光
導波路の製造方法において、 前記導波路パターンが形成された前記レジスト膜の断面
形状を、前記レジスト膜の表面から前記コア層の表面に
向って次第に幅が狭くなっている逆テーパ状に形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記コア層の表面に塗布する前記フォト
レジストの厚さを１．５〜６μｍとすることを特徴とす
る請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 前記フォトレジストの粘度を２０〜１２
０ミリパスカル秒とすることを特徴とする請求項１また
は２記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の光
導波路の製造方法において、 前記フォトレジストに照射する光を、完全にコリメート
されていない光とすることを特徴とする光導波路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002081926A JP2003279775A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002081926A JP2003279775A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279775A true JP2003279775A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=29230362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002081926A Withdrawn JP2003279775A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003279775A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678977B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2007-02-05 | 강준모 | 더미 패턴을 이용한 광도파로의 제조 방법 |
| JP2009031587A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光デバイスの製造方法 |
-
2002
- 2002-03-22 JP JP2002081926A patent/JP2003279775A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678977B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2007-02-05 | 강준모 | 더미 패턴을 이용한 광도파로의 제조 방법 |
| JP2009031587A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2757983B2 (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
| US20110136063A1 (en) | Method to fabricate a redirecting mirror in optical waveguide devices | |
| JPH10163174A (ja) | 薄膜のパターニング方法 | |
| EP1520208B1 (en) | Mask and manufacturing method using mask | |
| KR100741926B1 (ko) | 폴리실리콘 패턴 형성 방법 | |
| JP2003279775A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| KR100907887B1 (ko) | 하프톤형 위상 시프트 마스크의 제조방법 | |
| US7387869B2 (en) | Method of forming pattern for semiconductor device | |
| JP3120000B2 (ja) | 基板の突状部の電極の形成方法 | |
| KR100350762B1 (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology | |
| JPH07325382A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100401206B1 (ko) | 실리카함유 포토 레지스트를 이용한 반도체 및 광소자제조 방법 | |
| KR0147468B1 (ko) | 반도체장치 제조시의 패턴 형성방법 | |
| KR0130168B1 (ko) | 미세 패턴 형성방법 | |
| JPH04186641A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100510616B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 ｂａｒｃ 패터닝 및 식각 방법 | |
| JPH10104817A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| KR100755149B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법 | |
| JP3354959B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR0151294B1 (ko) | 전계효과트랜지스터 제조방법 | |
| KR20000037885A (ko) | 미세패턴 형성 방법 | |
| Perentos et al. | Ion beam etching of high resolution structures in Ta2O5 for grating-assisted directional coupler applications | |
| JP3243904B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR20030050952A (ko) | 반도체 제조용 노광 마스크의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |