KR960010727B1 - 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 - Google Patents

반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960010727B1
KR960010727B1 KR1019930009938A KR930009938A KR960010727B1 KR 960010727 B1 KR960010727 B1 KR 960010727B1 KR 1019930009938 A KR1019930009938 A KR 1019930009938A KR 930009938 A KR930009938 A KR 930009938A KR 960010727 B1 KR960010727 B1 KR 960010727B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
silicon
groups
oxygen plasma
bake chamber
Prior art date
Application number
KR1019930009938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950001406A (ko
Inventor
김형수
원태경
Original Assignee
현대전자산업 주식회사
김주용
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대전자산업 주식회사, 김주용 filed Critical 현대전자산업 주식회사
Priority to KR1019930009938A priority Critical patent/KR960010727B1/ko
Priority to DE4419237A priority patent/DE4419237B4/de
Priority to JP6121327A priority patent/JP2741168B2/ja
Priority to US08/254,005 priority patent/US5491047A/en
Publication of KR950001406A publication Critical patent/KR950001406A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960010727B1 publication Critical patent/KR960010727B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 제조용 포토레지스트 제거방법
제1도는 실리레이션 공정을 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 공정 순서도.
제2도는 및 제3도는 실리콘 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 단면도.
제4도는 본 발명에 따라 실리콘 기가 함유된 포토레시스트를 제거하는 공정 순서도.
제5도는 포토레지스트내의 실리콘 기의 확산 경로를 도시한 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 웨이퍼 2 : 포토레지스트
본 발명은 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 기 또는 금속 기가 한유된 포토레지스트를 프리-실리레이션 베이크 챔버에서 열처리한 후 산소 플라즈마를 이용한 건식 현상 공정에 의해 실리콘 기 또는 금속 기가 함유된 포토레지스트를 제거하는 방법에 관한 것이다.
포토레지스트를 제거(strip)하는 종래의 방법은 용제(solvent)를 이용한 습식제거(wet strip)법과 산소 플라즈마를 이용한 건식제거(dry strip)법이 있다. 습식제거법은 주로 도포불량 등의 문제가 발생했을때 이용하는 방법이고 건식제거법은 노광 및 현상(wet development)을 거친 포토레지스트를 스트립하는데 이용하는 방법이다. 그러나 노광후에 포토레지스트에 선택적으로 실리콘 기를 고온에서 주입하는 실리레이션 방법을 이용하여, 미세패턴을 형성하는 공정기술에 있어서는 이상과 같은 종래의 방법으로느 포토레지스트 층을 스트립하기가 곤란하다.
실리레이션 공정을 거친 포토레지스트 층은 이미 높은 온도에서 경화되어 용제에 용해되지 않으므로 습식제거 되지 않기 때문이며, 또한 산소 플라즈마를 이용하는 건식식각방법에 있어서는, 포토레지스트 층에 주입된 실리콘 기와 산소가 반응하여 포토레지스트 표면에 실리콘 산화막(SiOx)층을 형성시키고 또 이 실리콘 산화막이 플라즈마 스트립 장비의 오염을 일으키기 때문이다.
그러므로 실리콘 기가 함유된 포토레지스트를 스트립하기 위해서는 별도의 추가장비와 공정이 적용되어야 한다.
따라서 본 발명은 포토레지스트 내의 실리콘 기 또는 금속 기를 열에너지에 의해 강제로 포토레지스트 밖으로 배출시킨 다음, 실리콘 기 또는 금속 기가 제거된 포토레지스트를 건식현상하여 상기한 단점을 해소할 수 있는 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 웨어퍼(1)상에 도포된 실리콘 기가 함유된 포토레지스트 (2)를 프리-실리레이션 베이크 챔버내에서 열처리하여 포토레지스트(2)의 실리콘 기를 강제로 배출시킨 다음 산소 플라즈마를 이용한 건식현상 공종에 의해 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로한다.
이하. 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1도는 실리레이션 공정을 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 공정 순서도로서 제2도 및 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
실리콘 웨이퍼(1)상에 포토레지스트(2)를 도포하고 포토레지스트(2)의 일정부분을 노광시킨 후 노광되지 않은 영역의 포토레지스트(2)를 크로스 링크시키기 위해 고온, 저압의 챔버 내에서의 프리-실리레이션(Pre-Silylation) 경화공정을 통해 경화시킨 다음 실리콘 소스인 TMDS, HDMS 등과 같은 실리콘 함유유기 용매의 분사에 따라 실리콘 기가 노광영역에 주입되어 실리레이션 영역(3A 및 3B)이 형성된 상태의 단면도가 제2도에 도시된다.
상기 실리레이션(Silylation) 공정후 산소 플라즈마등을 이용한 건식현상 장치에 의한 현상 공정에 의해 패턴이 형성되는데, 이때 실리콘 기의 농도에 따라 식각 선택도가 달라지며, 실리콘 기의 농도가 상대적으로 더 작은 영역의 포토레지스트가 잘 식각되어 최종적으로 제3도와 같은 패턴을 형성하게 된다.
그러나 반도체 생산 라인에서는 예를 들어 25개의 실리콘 웨어퍼를 한조로 하여여 실리레이션 공정을 실시하는데, 실리레이션 공정이 완료된 25개의 실리콘 웨이퍼에 대하여 패턴을 형성시키는 것이 아니라 25개의 실리콘 웨이퍼 중 하나를 선택하여 패턴을 형성한 후 패턴 사이즈를 측정하여 미리 설정된 패턴 사이즈와 일치하면 나머지 24개의 웨이퍼에 대하여 패턴공정을 실시하지만, 예를 들어 측정된 패턴 사이즈가 설정된 값보다 크거나 작으면 웨이퍼 상에 실리레이션된 포토레지스트를 제거하고 처음부터 다시 재작업(Rework)을 실시해야 한다.
본 발명은 재작업을 실시하기 위해 실리레이션된 포토레지스트를 제거하는 방법에 관한 기술로 이하에 상세히 설명한다.
실리레이션 공정이 완료된 실리콘 웨이퍼(1)상의 포토레지스트(2)를 제거하기 위해서 실리콘 웨어퍼(1)를 프리-실리레이션 베이크 챔버(도시안됨)에서 재열처리한다. 프리-실리레이션 베이크 챔버는 저압(100Torr이하), 고온(150℃이상)으로 유지되고 있다. 포토레지스트(2)내의 실리콘 기는 상기 챔버에서 재열처리 되는 동안 열에 의해 확산되는데 가능한 확산 경로는 제5도에 도시된 경로 A 및 B이다. 하나의 경로는 포토레지스트(2)내에 크로스 링크된 영역으로 침투되는 경로이고, 도 하나는 포토레지스트(2) 밖으로 확산되는 경로이다.
그런데 크로스 링크된 영역으로 실리콘 기가 침투되는 경로 B보다 포토레지스트(2) 밖으로 빠져나가는 경로 A가 더 쉬운 확산경로이다 포토레지스트(2) 밖은 실리콘 기의 농도가 거의 영(Zero)에 가깝고 또 재열처리하는 챔버의 압력이 매우 낮기 때문에 포토레지스트2)와 챔버 사이의 실리콘 기의 농도 구배가 매우 커져서 포토레지스트내의 실리콘 기가 급속히 포토레지스트(2) 밖으로 확산되어 나가기 때문이다. 이와 같은 과정을 거친후 산소 플라즈마를 이용한 건식현상에 의하여 포토레지스트(2)는 깨끗이 제거된다. 건식현상은 다층레지스트 공정시 사용하는 마그네트론을 이용한 장비가 이용된다.
제4도에는 포토레지스트를 스트립하는 공정 흐름도가 도시되는데 재열처리 공정조건에서 온도, 압력의 크기는 그다지 중요한 변수가 아니지만, 스크립 공정을 신속히 하기 위해서는 20내지 180℃범위의 온도, 100Torr이하의 입력조건이 바람직하다. 본 발명은 프리-실리레이션 베이크 챔버를 열처리 용도로 사용하여 포토레지스트내의 실리콘 기를 제거하는 것이므로 별도의 스트립 장비가 추가되지 않는다는 장점을 갖는다.
또한, 게르마늄 기와 같은 금속 기가 함유된 포토레지스트도 상술한 방법과 동일한 방법에 의해 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 별도의 추가 장비가 없이 실리레이션 장비에 부착되어 있는 프리-실리레이션 베이크 챔버의 열에너지를 이용하여 실리콘 기를 제거시킨 다음 건식현상하여 포토레지스트를 스트립하는 공정기술로서, 실리콘 기에 의한 챔버 오염을 일으키지 않는다. 한편 프리 실리레이션 베이크 챔버는 저압으로 유지되고 있으므로 실리콘 기에 의한 챔버의 오염을 무시할 수 있으며 공정의 단순화를 기대할 수 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법에 있어서, 실리콘 웨어퍼(1)상에 도포된 실리콘 기가 함유된 포토레지스트(2)를 프리-실리레이션 베이크 챔버내에서 열처리하여 포토레지스트(2)내의 실리콘 기를 강제로 배출시킨 다음 산소 플라즈마를 이용한 건식현상 공정에 의해 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법.
  2. 실리콘 웨어퍼(1)상에 도포된 금속 기가 함유된 포토레지스트(2)를 프리 실리레이션 베이크 챔버내에서 열처리하여 포토레지스트(2)내의 금속 기를 강제로 배출시킨 다음 산소 플라즈마를 이용한 건식현상 공정에의해 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 20 내지 180℃의 온도 및 100Torr이하의 압력조건하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 포토레지스트 제거 방법.
KR1019930009938A 1993-06-03 1993-06-03 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 KR960010727B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930009938A KR960010727B1 (ko) 1993-06-03 1993-06-03 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법
DE4419237A DE4419237B4 (de) 1993-06-03 1994-06-01 Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists
JP6121327A JP2741168B2 (ja) 1993-06-03 1994-06-02 シリコン基またはゲルマニウム基が含有されたフォトレジスト除去方法
US08/254,005 US5491047A (en) 1993-06-03 1994-06-03 Method of removing a silylated or germanium implanted photoresist

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930009938A KR960010727B1 (ko) 1993-06-03 1993-06-03 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950001406A KR950001406A (ko) 1995-01-03
KR960010727B1 true KR960010727B1 (ko) 1996-08-07

Family

ID=19356696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930009938A KR960010727B1 (ko) 1993-06-03 1993-06-03 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5491047A (ko)
JP (1) JP2741168B2 (ko)
KR (1) KR960010727B1 (ko)
DE (1) DE4419237B4 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0184143B1 (ko) * 1996-05-02 1999-04-01 문정환 측면확산성분 확인 패턴 및 확인 방법
US5906911A (en) * 1997-03-28 1999-05-25 International Business Machines Corporation Process of forming a dual damascene structure in a single photoresist film
KR19990055771A (ko) * 1997-12-27 1999-07-15 김영환 감광막 형성방법
US6511149B1 (en) * 1998-09-30 2003-01-28 Xerox Corporation Ballistic aerosol marking apparatus for marking a substrate
US6416157B1 (en) 1998-09-30 2002-07-09 Xerox Corporation Method of marking a substrate employing a ballistic aerosol marking apparatus
US6454384B1 (en) 1998-09-30 2002-09-24 Xerox Corporation Method for marking with a liquid material using a ballistic aerosol marking apparatus
US6328409B1 (en) 1998-09-30 2001-12-11 Xerox Corporation Ballistic aerosol making apparatus for marking with a liquid material
US6523928B2 (en) 1998-09-30 2003-02-25 Xerox Corporation Method of treating a substrate employing a ballistic aerosol marking apparatus
US6416156B1 (en) 1998-09-30 2002-07-09 Xerox Corporation Kinetic fusing of a marking material
US6340216B1 (en) 1998-09-30 2002-01-22 Xerox Corporation Ballistic aerosol marking apparatus for treating a substrate
US6467862B1 (en) 1998-09-30 2002-10-22 Xerox Corporation Cartridge for use in a ballistic aerosol marking apparatus
US6751865B1 (en) * 1998-09-30 2004-06-22 Xerox Corporation Method of making a print head for use in a ballistic aerosol marking apparatus
KR100520669B1 (ko) * 1999-05-06 2005-10-10 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｓｉ 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법
KR100474544B1 (ko) * 1999-11-12 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 조성물
KR20020000951A (ko) * 2000-06-22 2002-01-09 박종섭 반도체 소자의 미세패턴 제조방법
US6969160B2 (en) * 2003-07-28 2005-11-29 Xerox Corporation Ballistic aerosol marking apparatus
KR100635506B1 (ko) 2005-11-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 레지스트의 패턴형성방법
WO2020102085A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4599118A (en) * 1981-12-30 1986-07-08 Mostek Corporation Method of making MOSFET by multiple implantations followed by a diffusion step
US5215867A (en) * 1983-09-16 1993-06-01 At&T Bell Laboratories Method with gas functionalized plasma developed layer
US5166038A (en) * 1989-07-27 1992-11-24 International Business Machines Corporation Etch resistant pattern formation via interfacial silylation process
US5217851A (en) * 1989-09-05 1993-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pattern forming method capable of providing an excellent pattern of high resolution power and high sensitivity
JP2769038B2 (ja) * 1990-03-19 1998-06-25 三菱電機株式会社 パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2741168B2 (ja) 1998-04-15
DE4419237A1 (de) 1994-12-08
US5491047A (en) 1996-02-13
JPH07142456A (ja) 1995-06-02
DE4419237B4 (de) 2007-10-11
KR950001406A (ko) 1995-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960010727B1 (ko) 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법
US5262279A (en) Dry process for stripping photoresist from a polyimide surface
US4241165A (en) Plasma development process for photoresist
KR20030082554A (ko) 이온주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 방법
KR100379210B1 (ko) 반도체 웨이퍼 애싱 방법
GB2154330A (en) Fabrication of semiconductor devices
KR19980015733A (ko) 레지스트 패턴 형성방법
KR20000000680A (ko) 포토레지스트 제거방법
US5866302A (en) Pattern formation method
US7049053B2 (en) Supercritical carbon dioxide to reduce line edge roughness
KR100281113B1 (ko) 반도체소자의 패터닝 방법
KR920007337B1 (ko) 금속층위의 감광제 제거방법
JP2604934B2 (ja) レジストパターンの形成方法
KR0130386B1 (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
KR950014325B1 (ko) 실리레이션용 감광막 패턴 형성방법
JPS6381923A (ja) 感光性ポリイミド樹脂処理方法および装置
JP3439488B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20020197876A1 (en) Single-chamber dual-temperature photoresist dry strip
US6372658B1 (en) Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by ashing
KR20020001195A (ko) 반도체 소자의 감광막패턴 형성 방법
KR100239399B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR100215899B1 (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법
KR20060054681A (ko) 포토레지스트 패턴 및 박막 패턴 형성방법
KR100368985B1 (ko) 반도체디바이스제조공정의금속층패터닝방법
JP3653960B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110726

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee