DE4419237B4 - Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists - Google Patents
Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists Download PDFInfo
- Publication number
- DE4419237B4 DE4419237B4 DE4419237A DE4419237A DE4419237B4 DE 4419237 B4 DE4419237 B4 DE 4419237B4 DE 4419237 A DE4419237 A DE 4419237A DE 4419237 A DE4419237 A DE 4419237A DE 4419237 B4 DE4419237 B4 DE 4419237B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist
- compound
- silicon
- germanium
- silylation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Verfahren
zur Entfernung eines entweder eine Siliciumverbindung oder eine
Germaniumverbindung enthaltenden Photoresists, die folgenden Schritte umfassend:
erzwungenes Herausdiffundieren der betreffenden Verbindung aus dem auf einem Siliciumsubstrat aufgetragenen Photoresist mittels einer Wärmebehandlung in einem Vor-Silylierungsofen; und
Entfernung des Photoresists durch ein Trockenentwicklungsverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas.
erzwungenes Herausdiffundieren der betreffenden Verbindung aus dem auf einem Siliciumsubstrat aufgetragenen Photoresist mittels einer Wärmebehandlung in einem Vor-Silylierungsofen; und
Entfernung des Photoresists durch ein Trockenentwicklungsverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung (Siliciumrest) oder eine Germaniumverbindung (Germaniumquelle)enthaltenden Photoresists.
- Bekannt sind zwei Arten von Verfahren, mit denen ein derartiger Photoresist entfernt werden kann, nämlich das Nassätzverfahren unter Verwendung eines Lösungsmittels und das Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas. Das Nassätzverfahren wird angewandt, um einen Photoresist zu entfernen, der abnorm auf einem Siliciumsubstrat gebildet wurde, und das Trockenätzverfahren, um einen Photoresist zu entfernen, der auf dem Substrat gebildet und mit Licht bestrahlt und entwickelt wurde.
- Da jedoch die Photoresistschicht bei einer hohen Temperatur durch ein Silylierungsverfahren gehärtet wird, ist der Photoresist im Lösungsmittel nicht löslich, so dass der Photoresist nicht nach dem Nassätzverfahren entfernt werden kann. Im Hinblick auf das Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas bildet die Siliciumverbindung in der Photoresistschicht bei Reaktion mit Sauerstoff einen Siliciumoxidfilm (SiOx) auf der Oberfläche des Photoresists, wobei der Film die verwendete Plasma-Strip-Vorrichtung verunreinigt.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung eines solchen Verfahrens zur Entfernung eines Photoresists, der eine Silicium- oder Germaniumverbindung enthält, bei dem die vorstehend genannten Probleme behoben sind.
- Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich aus den Merkmalen des Patentanspruches 1. Zusammenfassend sieht das erfindungsgemässe Verfahren das Herausdiffundieren eines eine Silicium- oder Germaniumverbindung enthaltenden Photoresists durch eine Wärmebehandlung in einem Vor-Silysierungsofen vor, in dem eine Temperatur von 20° bis 180°C und ein Druck von weniger als 13,3 kPa (100 Torr) aufrechterhalten wer den. Die Entfernung des Photoresists ohne diese Silicium- bzw. Germaniumverbindung erfolgt anschliessend durch ein Trockenentwicklungsverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas. Dabei ist es aus der US-521586 A grundsätzlich bekannt, Silicium- oder Germaniumverbindungen in einem Photoresist durch Erhitzen und weitere Behandlungen zu entfernen.
- Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung und Ausführungsbeispielen näher erläutert: Es zeigen:
-
1 ein Flussdiagramm, das die Stufen der Bildung eines Mikromusters auf einem Silicium-Wafer unter Anwendung eines Silylierungsverfahrens zeigt; -
2 und3 Querschnitte, die die Stufen der Bildung des Mikromusters auf dem Silicium-Wafer zeigen; -
4 ein Flussdiagramm, das die Stufen zur Entfernung eines Photoresists, der eine Silicium- oder Germaniumverbindung enthält, nach dem erfindungsgemässen Verfahren zeigt; und -
5 einen Querschnitt, der die Diffusionswege einer Silicium- oder Germaniumverbindung im Photoresist zeigt. - Gleiche Bezugszeichen beziehen sich auf entsprechende Teile in mehreren Ansichten der Zeichnung.
- Nach
1 wird ein Photoresist2 auf einen Silicium-Wafer1 aufgebracht. Ein Bereich des Photoresists2 wird mit Licht bestrahlt, und der andere Bereich des Photoresists2 , der nicht mit Licht bestrahlt wird, wird in einer Kammer mit einer hohen Temperatur und einem niedrigen Druck mittels eines Härtungsverfahrens vor der Silylierung zur Vernetzung gebracht. Durch Einspritzen eines organischen Lösungsmittels, wie TMDS (Tetramethyldisilazan} oder HMDS (Hexamethyldisilazan}, wird eine Siliciumverbindung in den bestrahlten Bereich des Photoresists2 implantiert, wobei Silylierungsbereiche3A und3B gebildet werden, wie dies in2 gezeigt ist. - Nachdem das Silylierungsverfahren abgeschlossen ist, wird ein Muster durch ein Entwicklungsverfahren mit einer Trockenentwicklungsausrüstung unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas gebildet. Hierbei variiert das Ätzselektivitätsverhältnis abhängig von der Konzentration der Siliciumverbindung, wobei die Teile des Photoresists mit geringer Konzentration unter Bildung eines Musters gut geätzt werden, wie es in
3 gezeigt ist. - Im Verlauf der Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird das Silylierungsverfahren für mehrere Silicium-Wafer durchgeführt, z.B. 25 Wafer in einer Einheit, während das Verfahren zur Bildung eines Musters für einen unter diesen ausgewählten Wafern zusätzlich zum Silylierungsverfahren durchgeführt wird. Wenn die Grösse des Musters auf dem ausgewählten Wafer mit der Standardgrösse des Musters übereinstimmt, wird das Verfahren zur Bildung eines Musters auch für die anderen Wafer durchgeführt. Sofern sich die Grösse des Musters auf dem ausgewählten Wafer von der Standardgrösse unterscheidet, wird der auf dem Wafer gebildete Photoresist entfernt, und das gesamte Herstellungsverfahren wird vom Beginn an erneut durchgeführt.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Entfernung des Photoresists, auf dem ein Muster gebildet ist, das grösser oder kleiner als die Standardgrösse des Musters ist, nachdem das Silylierungsverfahren abgeschlossen ist.
- Zunächst wird der Silicium-Wafer
1 nach der Durchführung des Silylierungsverfahrens Vor-Silylierungsofen (nicht gezeigt) erneut erwärmt, um den Photoresist2 , der auf den Silicium-Wafer1 aufgetragen wurde, zu entfernen, wobei im Ofen ein niedriger Druck (unter 13,3 kPa (100 Torr)) und eine hohe Temperatur (über 150∅C) aufrechterhalten werden. - Während des erneuten Erwärmens des Silicium-Wafers im Ofen wird die Siliciumverbindung im Photoresist durch Wärme herausdiffundiert. Die Diffusionspfade sind die Pfade A und B, wie sie in
5 gezeigt sind. Pfad B ist ein Eindringpfad zum vernetzten Bereich des Photoresists2 , während Pfad A ein Diffusionspfad hin zur Aussenseite des Photoresists2 ist. - Da die Konzentration der Siliciumverbindung ausserhalb des Photoresists
2 nahe Null ist und der Druck im Ofen, in der die Wiedererwärmungsbehandlung durchgeführt wird, sehr niedrig ist, nimmt der Unterschied der Konzentration zwischen der Siliciumverbindung des Photoresists2 und der Siliciumverbindung im Ofen zu, und die Siliciumverbindung im Photoresist wird rasch herausdiffundiert. - Daher ist das Herausdiffundieren der Siliciumverbindung, die durch den Pfad A zur Aussenseite des Photoresists
2 führt, einfacher als das Eindringen der Siliciumverbindung über Pfad B in den vernetzten Bereich. - Schliesslich wird der Photoresists
2 vollständig nach dem Trockenentwicklungsverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas entfernt. Das Trockenätzverfahren wird mit einer RIE-Ausrüstung (Ausrüstung für reaktives Ionenätzen, "Reactive Ion Etching") unter Verwendung eines Magnetrons zur Entfernung von Mehrschichtresisten durchgeführt. -
4 ist ein Flussdiagramm, das die Stufen zur Entfernung eines Photoresists zeigt. Bei diesem Verfahren sind die Temperatur und der Druck bei der Wiedererwärmungsbehandlung nicht wichtig, während es günstig ist, die Temperatur im Ofen bei 20 bis 180°C und den Druck unter 13,3 kPa (100 Torr) zu halten, um die Entfernung des Photoresists zu fördern. - Ein Photoresist, der eine Germaniumverbindung aufweist, kann ebenfalls nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren entfernt werden.
- Die vorliegende Erfindung weist den Vorteil auf, dass eine Siliciumverbindung oder eine Germaniumverbindung durch Erwärmen in einem Vor-Silylierungsofen herausdiffundiert werden können, ohne dass zusätzliche Ausrüstungen erforderlich wären, und dass der Photoresist nach dem Trockenentwicklungsverfahren entfernt werden kann, ohne den Ofen zu verunreinigen.
- Darüber hinaus verhindert der geringe Druck im Ofen dessen Verunreinigung, die durch die Siliciumverbindung hervorgerufen werden könnte.
Claims (3)
- Verfahren zur Entfernung eines entweder eine Siliciumverbindung oder eine Germaniumverbindung enthaltenden Photoresists, die folgenden Schritte umfassend: erzwungenes Herausdiffundieren der betreffenden Verbindung aus dem auf einem Siliciumsubstrat aufgetragenen Photoresist mittels einer Wärmebehandlung in einem Vor-Silylierungsofen; und Entfernung des Photoresists durch ein Trockenentwicklungsverfahren unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Ofen eine Temperatur von 20° bis 180°C und ein Druck von weniger als 13,3 kPa (100 Torr) aufrechterhalten werden.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trockenentwicklungsverfahren mit einer RIE-Ausrüstung unter Verwendung eines Magnetrons durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-9938 | 1993-06-03 | ||
| KR1019930009938A KR960010727B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4419237A1 DE4419237A1 (de) | 1994-12-08 |
| DE4419237B4 true DE4419237B4 (de) | 2007-10-11 |
Family
ID=19356696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4419237A Expired - Fee Related DE4419237B4 (de) | 1993-06-03 | 1994-06-01 | Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5491047A (de) |
| JP (1) | JP2741168B2 (de) |
| KR (1) | KR960010727B1 (de) |
| DE (1) | DE4419237B4 (de) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0184143B1 (ko) * | 1996-05-02 | 1999-04-01 | 문정환 | 측면확산성분 확인 패턴 및 확인 방법 |
| US5906911A (en) * | 1997-03-28 | 1999-05-25 | International Business Machines Corporation | Process of forming a dual damascene structure in a single photoresist film |
| KR19990055771A (ko) * | 1997-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 감광막 형성방법 |
| US6523928B2 (en) | 1998-09-30 | 2003-02-25 | Xerox Corporation | Method of treating a substrate employing a ballistic aerosol marking apparatus |
| US6454384B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-09-24 | Xerox Corporation | Method for marking with a liquid material using a ballistic aerosol marking apparatus |
| US6340216B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-01-22 | Xerox Corporation | Ballistic aerosol marking apparatus for treating a substrate |
| US6416156B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-07-09 | Xerox Corporation | Kinetic fusing of a marking material |
| US6751865B1 (en) * | 1998-09-30 | 2004-06-22 | Xerox Corporation | Method of making a print head for use in a ballistic aerosol marking apparatus |
| US6511149B1 (en) | 1998-09-30 | 2003-01-28 | Xerox Corporation | Ballistic aerosol marking apparatus for marking a substrate |
| US6328409B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-12-11 | Xerox Corporation | Ballistic aerosol making apparatus for marking with a liquid material |
| US6467862B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-10-22 | Xerox Corporation | Cartridge for use in a ballistic aerosol marking apparatus |
| US6416157B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-07-09 | Xerox Corporation | Method of marking a substrate employing a ballistic aerosol marking apparatus |
| KR100520669B1 (ko) * | 1999-05-06 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｔｓｉ 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 |
| KR100474544B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2005-03-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 조성물 |
| KR20020000951A (ko) * | 2000-06-22 | 2002-01-09 | 박종섭 | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 |
| US6969160B2 (en) * | 2003-07-28 | 2005-11-29 | Xerox Corporation | Ballistic aerosol marking apparatus |
| KR100635506B1 (ko) | 2005-11-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레지스트의 패턴형성방법 |
| WO2020102085A1 (en) | 2018-11-14 | 2020-05-22 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
| CN116705595A (zh) | 2020-01-15 | 2023-09-05 | 朗姆研究公司 | 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4599118A (en) * | 1981-12-30 | 1986-07-08 | Mostek Corporation | Method of making MOSFET by multiple implantations followed by a diffusion step |
| US5166038A (en) * | 1989-07-27 | 1992-11-24 | International Business Machines Corporation | Etch resistant pattern formation via interfacial silylation process |
| US5217851A (en) * | 1989-09-05 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pattern forming method capable of providing an excellent pattern of high resolution power and high sensitivity |
| JP2769038B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
-
1993
- 1993-06-03 KR KR1019930009938A patent/KR960010727B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-06-01 DE DE4419237A patent/DE4419237B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-02 JP JP6121327A patent/JP2741168B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-03 US US08/254,005 patent/US5491047A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5491047A (en) | 1996-02-13 |
| JP2741168B2 (ja) | 1998-04-15 |
| KR960010727B1 (ko) | 1996-08-07 |
| KR950001406A (ko) | 1995-01-03 |
| JPH07142456A (ja) | 1995-06-02 |
| DE4419237A1 (de) | 1994-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4419237B4 (de) | Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists | |
| DE69131878T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungs-Photomaske | |
| DE69111731T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Markierungen zum Alignieren von Marken. | |
| DE2754396C2 (de) | ||
| DE2431960C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Schicht auf einem Substrat mit Hilfe von Photoätzprozessen sowie Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
| DE2057929C3 (de) | Transparente Fotomaske | |
| DE102007035766A1 (de) | Resiststruktur-Verdickungsmarerial, Verfahren zum Ausbilden einer Resiststruktur, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
| DE3520813A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines integrierten optischen lichtwellenleiters | |
| DE2419030A1 (de) | Integrierte optische vorrichtung mit lichtwellenleiter und photodetektor, sowie verfahren zu ihrer herstellung | |
| EP0570609A1 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer mehrstufigen Struktur in einem Substrat | |
| DE3024084A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
| DE69132217T2 (de) | Strukturierte Maske mit transparenter Ätzstopschicht | |
| EP0852062B1 (de) | Dotierverfahren zur herstellung von homoübergängen in halbleitersubstraten | |
| DE102013202484B4 (de) | SOI-Wafer und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2227344B2 (de) | Verfahren zum aetzen von oeffnungen in eine schicht aus organischem material | |
| DE4410505C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich | |
| DE102009043482B4 (de) | Ein Halbleiterfertigungsprozess mit dazugehörigem Apparat | |
| DE69119931T2 (de) | Polarisatoren, Verfahren zu ihrer Herstellung und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen | |
| DE2450230A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren | |
| DE2020531C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren | |
| DE69031153T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE2535156C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung | |
| DE4200038C2 (de) | Verfahren zum Aushärten einer entwickelten Photolackschicht | |
| DE3726775A1 (de) | Abscheidung duenner schichten | |
| DE3133350A1 (de) | "verfahren zur herstellung von maskierungsschichten auf einer zu strukturierenden flaeche eines festkoerpers" |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140101 |