DE2535156C3 - Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der DotierungInfo
- Publication number
- DE2535156C3 DE2535156C3 DE19752535156 DE2535156A DE2535156C3 DE 2535156 C3 DE2535156 C3 DE 2535156C3 DE 19752535156 DE19752535156 DE 19752535156 DE 2535156 A DE2535156 A DE 2535156A DE 2535156 C3 DE2535156 C3 DE 2535156C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- areas
- lacquer
- etching
- lacquer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0277—Electrolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
h) Entfernen des Ätzmittels,
i) Wiederholung der VcrfahrcnsschriUc t) bis
h), bis die bei der Entwicklung löslichen Gebiete der Lackschicht entfernt sind,
k) Entfernen der restlichen Teile der Lackschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine für clcktronenstrahlempf indliche Lackschicht verwendet wird, daß die Bestrahlung
mit einem Elektronenstrahl erfolgt, und daß der Elektronenstrahl nach vorgegebenem Raster
auf die Schicht aus strahlungsempfindlichcm Lack gelenkt wird.
3. Verwendung einer nach den Verfahren 1 oder 2 hergestellten Schicht als Maske bei der Dotierung
von Halbleiterkörpern mittels Diffusion und/oder Ionenimplantation.
Die Erfindung betrifft ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches I angegebenes Verfahren zur Herstellung
einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit nach vorgegebenem Muster verteilten Schichtbereichen
mit verringerter und zueinander abgestufter Schichtdicke sowie die Verwendung der Schicht als
Maske bei der Dotierung.
In der Halbleitertechnik tritt häufig das Problem auf, daß eine Schicht, die sich auf einer Unterlage,
z. B. einem Halbleiterkörper, befindet, mit Stufen bzw. stufenförmigen Verliefungen versehen werden
muß. Zur Herstellung von derartigen Mustern mit Bereichen mit verringerter und zueinander abgestufter
Schichtdicke wird auf eine gleichmäßig dicke Ausgangsschicht eine Photolackschicht aufgebracht,
durch eine erste Maske belichtet und entwickelt. Sodann erfolgt eine erste Ätzung der vom Photolack befreiten
Gebiete der Schicht. Mit einem zweiten Photomaskcnschritt und einer daran anschließenden Ätzung
werden dann die weniger tiefen Bereiche in der Schicht erzeugt. Bei diesem Verfahren ist es notwendig,
nacheinander zwei Bestrahlungsmasken zu verwenden. Die Lage dieser beiden Masken muß zueinander
sehr genau justiert werden, wenn feine Strukturen erzeugt werden sollen.
Aus IBMTechn. Discl. Bull. Band 17, Nr. 7, 1974,
Seiten 2168 bis 2169, ist ein Verfahren bekannt, bei
dem mit Hilfe einer Photomaske, die Gebiete unterschiedlicher Absorption besitzt, in einer Photolackschicht
bei Belichtung Gebiete unterschiedlicher Löslichkeit erzeugt werden. Bei der Entwicklung des
Photolackes erhalten diese Gebiete unterschiedlicher Löslichkeit eine ihrer Löslichkeit entsprechend abgestufte
Schichtdicke. Eine solche mit Gebieten unterschiedlicher Schichtdicke versehene Photolackschicht
wird als Maske für eine Implantationsdotierung verwendet. Eine solche Photolackschicht mit Gebieten
abgestufter Schichtdicke ist aber z. B. ungeeignet für die Durchführung von Hochtemperaturprozessen,
beispielsweise einer lokalen Oxydation oder einer Hochtemperatur-Diffusionsdotierung, weil bei dem
dazu notwendigen Hochtemperaturprozeß die Photolackschicht aufweichen und fließen würde. Aus IBM
Techn. Discl. Bull. Band 17, Nr. X, 1975, Seiten 2160
bis 2161, ist ein weiteres Verfahren bekannt, bei dem
ein strahlungsempfindlichcr Lack durch eine Bestrahlungsmaske unterschiedlich stark belichtet wird, bei
dem die am stärksten belichteten Teile zunächst durch Entwicklung abgetragen werden und dadurch Teile
einer darunterliegenden Oxidschicht freigelegt werden. Diese freigelegten Teile der Oxidschicht werden
sodann durch Atzen abgetragen, danach wird mit einem
weiteren Enlwicklungsschritt der Teil mit der nächst höheren Löslichkeit der Phololacksehicht abgetragen.
Bei diesem Verfahren wird die unter dem Phoiolack befindliche Oxidschicht beim Ätzvorgang
entweder ganz entfernt, oder sie bleibt mit Photolack
bedeckt und damit ungeätzt. Gebiete mit abgestufter Schichtdicke lassen sich nach diesem Verfahren in der
unter dem Photolack befindlichen Oxidschicht nicht erreichen.
Aus der US-PS 38 57 041 sowie aus der I)I-OS
2050763 sind Verfahren bekannt, nach denen ein elektronenstrahlempfindlicher Photolack verwendet
wird und die Belichtung dieses Photolackes dadurch erfolgt, daß ein Elektronenstrahl rasterförmig über die
zu belichtende Fläche gi.führi wird, herner ist es aus
diesen Druckschriften bekannt, derart hergestellte Schichten als Maske bei der Dotierung von Halbleiterkörpern
zu verwenden.
Aufgabe der Erfindung ist es. ein Verfahren anzugeben,
bei dem unter Verwendung einer unterschied
lieh stark belichteten Fhotolackschicht in einer damn-
ter befindlichen Schicht aus anderem Material, z. B. einer Oxidschicht, Stufen bzw. einzelne Gebiete mit
zueinander abgestufter Schichtdicke erzeugt werden kennen.
Diese Aufgabe wird bei einem im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahren erfindungsgemäß
in der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß eine einzelne Photomaske ausreichend ist, und
daß mit ihm die gewünschten Gebiete abgestufter Schichtdicke auch in temperaturfesten Materialien,
wie z. B. in Oxidschichten, hergestellt werden können, wobei die jeweilige Schichtdicke durch die Dauer des
Ätzens bestimmt werden kann.
Wie bei den bekannten Verfahren wird die Tatsache ausgenutzt, daß die Dosis der auftreffenden
Strahlung die Löslichkeit des Lackes beim Entwickeln bestimmt. Bei Verwendung von Positiv-Lacken steigt
die Löslichkeit mit zunehmender Dosis, bei Negativ-Lack fällt sie mit zunehmender Strahlungsdosis ab.
Unterschiedlich stark bestrahlte Bereiche des Photolackes werden dementsprechend beim Entwickeln
verschieden schnell fortgelöst, so daß beispielsweise bei der Verwendung von Positiv-Lack der der größten
Strahlungsdosis ausgesetzte Bereich bereits fortgelöst ist, während die weniger stark bestrahlten Bereiche
noch stehenbleiben.
Dementsprechend hat die Erfindung den Vorteil, daß bereits eine Belichtung durch eine Photomaske
zur Erzeugung einer nach vorgegebenem Muster strukturierten Schicht genügt.
Die Dicken der jeweiligen Bereiche verhalten sich zueinander wie die dort erzeugte Löslichkeit des Lakkes
und damit entsprechend der aufgetroffenen Strahlungsdosis. Bei Verwendung von lichtempfindlichen
Photolacken könnte man beispielsweise die jeweils auftreffende Strahlungsdosis dadurch festlegen, daß
man eine Photomaske benutzt, die an den entsprechenden Stellen Grauzonen verschiedener Absorption
besitzt.
Feine Strukturen im Photolack lassen sich jedoch genauer und einfacher erreichen, wenn man nach einer
vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung einen elektronenempfindlichen Lack verwendet und die
Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl erfolgt. Der Elektronenstrahl wird dabei etwa gemäß den aus der
I !S-PS 38 57 (Wl oder der DIi-OS 20 50 763 bekannten
Verfahren nach vorgegebenem Raster auf die Schicht aus strahlungsempfindlichem Lack gelenkt.
Die Strahlungsdosis wird dabei durch die Verweilzeit des Elektronenstrahles an dem jeweiligen Rasterpunkt
bestimmt.
Nach dem Entwickeln weist die Lackschicht dann ein Muster mit Bereichen verschiedener Dicke auf,
das dem Bestrahlungsmuster entspricht und bei dem der Bereich mit der größten Löslichkeit entfernt ist.
Sodann wird die unter der Photolackschicht liegende Schicht an der von dem Photolack befreiten Stelle geätzt.
Im Anschluß daran wird der Entwicklungsvorgang für die Photolackschicht wiederholt, so daß das
Gebiet mit der nun höchsten Löslichkeit entfernt wird. Daran schließt sich wiederum ein Ätzvorgang, der unter
der Ph-v.olackschicht liegenden Schicht an, wobei
das zuers- geätzte Gebiet nochmals geätzt and dadurch
weiter vertieft wird. Das Weiterentwickeln des Photolackes und das nachfolgende Ätzen der darun-"
> terliegenden Schicht wird so lange wiederholt, bis in der unter dem Photolack liegenden Schicht die gewünschte
Struktur von Gebieten mit unterschiedlicher Schichtdicke erreicht ist.
Eine so hergestellte Schicht kann gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung als Maske bei der
Dotierung von Halbleiterkörpern mittels Diffusion und/oder Ionenimplantation verwendet werden.
Die Eindringtiefe der Dotierstoffteilchen hängt dabei von der jeweiligen Dicke der auf dem Halbleiteri"·
körper befindlichen Schicht ab.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnuag dargestellt und wird im folgenden näher
beschrieben.
Der Verfahrensgang wird schematisch durch die -'" Fig. 1 bis 8 dargestellt.
Auf einem Silizium-Halbleiterkörper I befindet sich eine Siliziumdioxidschicht 2, die mit Schichtbereichen
unterschiedlicher Dicke versehen werden soll. Dazu wird zunächst eine Schicht aus elcktronenemp-
-'"> findlichem Lack 3 aufgebracht und sodann mittels eines Elektronenstrahles belichtet, der dabei in dem
Lack ein rasterartiges Bild erzeugt. Die Lackschicht wird sodann entwickelt. Dabei entstehen entsprechend
der Belichtung in der Lackschicht Schichtbereiche 4. 5, 6 mit verschiedener Dicke. Die Lacksciiicht
wird dabei so lange entwickelt, bis der Schichtbereich 5 mit der größten Löslichkeit von der
Siliziumdioxidschicht abgelöst ist. Der so freigelegte Schichtbercich der Siliziumdioxidschicht wird sodann
r. mit einer Ätzflüssigkeit, z. B. Fluorwasserstoff, behandelt und abgeätzt. Nach diesem ersten Ätzvorgang
wird die Lackschicht weiter entwickelt; es werden dadurch weitere Schichtbereiche 6 der Siliziumdioxidschicht
freigelegt. An diesen Stellen und zugleich in in dem bereits nach dem eisten Entwicklungsvorgang
freigelegten Schichtbereich 5 wird sodann die Siliziumdioxidschicht geätzt. Auf Grund der verschiedenen
Ätzdauer der Schichtbereiche 5 und 6 reicht nach Abbruch dieses Ätzvorganges der Schichtbereich 5 weii,
ter in die Siliziumdioxidschicht hinein als die Schichtbereiche 6. Der Schichtbereich 5 kann bei genügend
langer Ätzdauer auch die SiO2-Schicht durchsetzen,
so daß der unter der SiO,-Schicht befindliche Halbleiter
dort freigelegt ist (Fig. 7).
in Dieser kombinierte Vorgang aus Entwickeln der
Lackschicht und anschließender Ätzung des neu freigelegten Materials wird so lange fortgesetzt, bis in der
Siliziumdioxidschicht das gewünschte Muster hergestellt ist. Mit diesem Verfahren lassen sich die in Fig. S
r> dargestellten stufenförmigen Muster herstellen. Es ist weiterhin möglich, Bereiche mit kontinuierlich abnehmender
Schichtdicke dadurch zu erhalten, daß die Lackschicht in diesen Bereichen mit einer entsprechend
kontinuierlich zu- bzw. abnehmenden Dosis ^i bestrahlt wird. Die so erhaltene Siliziumdioxidschicht
kann dann als Diffusionsmaske für eine nachfolgende Dotierung des unter der Siliziumdioxidschicht befindlichen
Halbleiters benutzt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit nach einem vorgegebenen
Muster verteilten Schichtbereichen mit verringerter und zueinander abgestufter Schichtdicke,
bei dem zuerst folgende Verfahrensschritte (a bis f) ausgeführt werden:
a) Aufbringen der Schicht auf das Substrat,
b) Aufbringen einer strahlungsempfindlichen Lackschicht auf die Schicht,
c) Bestrahlen der einzelnen Gebiete der Lackschicht, die jeweils über einen der nach dem
vorgegebenen Muster vorgesehenen Schichtbereiche abgestufter Schichtdicke liegen
mit einer voneinander verschiedenen Strahlungsdosis, so daß Lackschichtgebiete unterschiedlicher Löslichkeit beim Entwikkeln
erzeugt werden,
d) Entwickeln der Lackschicht für eine solche Zeitspanne, bis das Lackschichtgebiet mit der
größten Löslichkeit entfernt ist,
e) Abtragen der von der Lackschicht befreiten Bereiche der Schicht durch Ätzen bis zu einer
vorgegebenen Tiefe,
f) Weitercntwickcln der Lackschicht, bis die Lackschichtgebiete mit der nunmehr vorliegenden
höchsten Löslichkeit entfernt sind, gekennzeichnet durch den folgenden Ablauf der weiteren Verfahrensschrittc:
g) Abätzen der während des Verfahrensschrittes f) von der Lackschicht befreiten Schichtbereiche
(6) zugleich mit den bereits während des Verfahrcnsschritlcs e) geätzten Schichtbereichen
(5) bis zu vorgegebenen Ätztiefen, wobei in den erneut geätzten Schichtbcreicheii
(5) eine größere Ätztiefe erzielt wird als in den erstmals geätzten Schichtbereichen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752535156 DE2535156C3 (de) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752535156 DE2535156C3 (de) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2535156A1 DE2535156A1 (de) | 1977-02-10 |
DE2535156B2 DE2535156B2 (de) | 1977-12-29 |
DE2535156C3 true DE2535156C3 (de) | 1978-08-31 |
Family
ID=5953381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752535156 Expired DE2535156C3 (de) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2535156C3 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4309812A (en) * | 1980-03-03 | 1982-01-12 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching |
FR2526584A1 (fr) * | 1982-05-04 | 1983-11-10 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une structure metallique de forme complexe pour semi-conducteurs et circuits integres |
US5622633A (en) * | 1994-08-18 | 1997-04-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with suspended microstructure and method for fabricating same |
US6066569A (en) * | 1997-09-30 | 2000-05-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Dual damascene process for metal layers and organic intermetal layers |
KR100290852B1 (ko) * | 1999-04-29 | 2001-05-15 | 구자홍 | 에칭 방법 |
US6420247B1 (en) * | 2000-04-10 | 2002-07-16 | Motorola, Inc. | Method of forming structures on a semiconductor including doping profiles using thickness of photoresist |
US7553770B2 (en) | 2007-06-06 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Reverse masking profile improvements in high aspect ratio etch |
-
1975
- 1975-08-06 DE DE19752535156 patent/DE2535156C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2535156B2 (de) | 1977-12-29 |
DE2535156A1 (de) | 1977-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2624832C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lackmustern | |
DE2628099C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maske | |
DE3625340C2 (de) | ||
DE2529054C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes | |
DE2460988C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat | |
EP0120834B1 (de) | Optisch strukturiertes Filter und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2429026A1 (de) | Verfahren zum kopieren von duennfilmmustern auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE3030653C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE3037876C2 (de) | ||
EP0203215A1 (de) | Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken | |
DE2855080A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duesenplaettchen fuer tintenstrahldrucker | |
DE2260229B2 (de) | ||
EP0212054A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgentiefenlithographie | |
DE2535156C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung | |
DE3604342A1 (de) | Verfahren zur erzeugung eines musters | |
DE4041409C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Reliefbildes | |
DE68918177T2 (de) | Feinstruktur-Herstellungsverfahren. | |
DE1797255A1 (de) | Verfahren zum Verhindern des Schaeumens bei der Herstellung von Photoresistmustern | |
DE2643811A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines musters in einer photolackschicht und hierfuer geeignete maske | |
DE2143737A1 (de) | Photoaetzverfahren | |
DE3337300A1 (de) | Verfahren zum herstellen integrierter halbleiterschaltkreise | |
DE10309266B3 (de) | Verfahren zum Bilden einer Öffnung einer Licht absorbierenden Schicht auf einer Maske | |
DE69125653T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung einschliesslich eines Herstellungsschrittes für ein Muster eines Fotoresistfilms | |
DE3842481C2 (de) | ||
DE2452326A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer aetzmaske mittels energiereicher strahlung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |