TWI602015B - 光阻組成物及光阻圖案之產生方法 - Google Patents

光阻組成物及光阻圖案之產生方法 Download PDF

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Description

光阻組成物及光阻圖案之產生方法
本發明係有關一種光阻組成物以及一種光阻圖案之產生方法。
關於形成負型光阻圖案之方法，JP2008-309879A1述及一種光阻組成物，係包括： 藉由酸的作用增加其極性且藉由活性光或輻射裝置照射在正型顯影劑中顯示溶解度增加及在負型顯影劑中顯示溶解度下降之樹脂、藉由活性光或輻射裝置照射產生酸之化合物、溶劑、以及包括氟原子及矽原子之至少一者之樹脂。
Techno Times公司於2011年6月所發表之“顯示器月刊”第31頁教示在藉由微影技術由光阻組成物形成光阻圖案的製程中，以正型顯影劑顯影得到正型光阻圖案，且以負型顯影劑顯影得到負型光阻圖案。
本發明係提供一種適合用於產生負型光阻圖案之光阻組成物。
本發明係有關下述者：
<1>一種光阻組成物，係包括：包括式(I)所示之結構單元之樹脂： 式中，R1表示氫原子或甲基，及R2表示具有氟原子之C1-C10飽和烴基；以及包括具有酸不穩定基之結構單元且無式(I)所示之結構單元之樹脂；以及式(II)所示之酸產生劑： 式中，X2表示C1-C6烷二基，其中氫原子可被羥基或-O-R5基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R4及R5各自獨立表示C1-C24烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，及Z+表示有機陽離子。
<2>依據<1>之光阻組成物，其中酸產生劑係以式(IIA)表示者： 式中，X2及Z+係如<1>所定義，R6表示C1-C17烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R7表示C1-C6烷基，及R8表示C1-C6氟烷基，但R6，R7與R8之碳原子總數為19以下。
<3>依據<1>或<2>之光阻組成物，其進一步包括式(B1)所示之鹽： 式中，Qb1及Qb2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1表示單鍵或C1-C17二價飽和烴基，其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，Y表示氫原子或C3-C18脂環族烴基，其中亞甲基可被氧原子，磺醯基或羰基置換且其中氫原子可被取代基置換，及Z1+表示有機陽離子。
<4>依據<1>至<3>任一者之光阻組成物，其進一步包括式(D)所示之化合物： 式中，R1d及R2d各自獨立表示C1-C12烴基，C1-C6烷氧基，C2-C7醯基，C2-C7醯氧基，C2-C7烷氧基羰基，硝基或鹵 素原子，且符號md及nd各自獨立表示0至4之整數。
<5>依據<1>至<4>任一者之光阻組成物，其中式(I)所示之結構單元係式(Ia)所示者： 式中，R1'表示氫原子或甲基，R3表示C1-C4全氟烷基，及n表示1至4之整數。
<6>依據<1>至<5>任一者之光阻組成物，其進一步包括溶劑。
<7>一種產生光阻圖案之方法，係包括下述步驟(1)至(5)：(1)將依據<1>至<6>任一者之光阻組成物塗敷在基板上之步驟；(2)藉由乾燥該組成物形成組成物膜之步驟；(3)使該組成物膜曝光於輻射線之步驟；(4)烘烤該經曝光之組成物膜之步驟；以及(5)使該經烘烤之組成物膜顯影，因而形成光阻圖案之步驟。
以下說明本發明之光阻組成物。
本發明之光阻組成物係包括：包括式(I)所示之結構單元之樹脂，其有時稱為“樹脂(A1)”；包括具有酸不穩定基之結構單元且無式(I)所示之結構單元之樹脂，其有時稱為“樹脂(A2)”；以及式(II)所示之酸產生劑。
樹脂(A1)包括式(I)所示之結構單元： 式(I)中，R1表示氫原子或甲基，及R2表示具有氟原子之C1-C10飽和烴基。
R2所示之具有氟原子之飽和烴基包含含氟之烷基及含氟之脂環族烴基。
含氟之烷基的實例包含二氟甲基，三氟甲基，1,1-二氟乙基，2,2-二氟乙基，2,2,2-三氟乙基，全氟乙基，1,1,2,2-四氟丙基，1,1,2,2,3,3-六氟丙基，1,1,1,3,3,3-六氟丙烷-2-基，全氟乙基甲基，1-(三氟甲基)-1,2,2,2-四氟乙基，全氟丙基，1,1,2,2-四氟丁基，1,1,2,2,3,3-六氟丁基，1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基，2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基，全氟丁基，全氟第三丁基，2-(全氟丙基)乙基，1,1,2,2,3,3,4,4-八氟戊基，全氟戊基，1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十雙氟戊基，1,1-雙(三氟甲基)-2,2,3,3,3-五氟丙基，全氟戊基，2-(全氟丁基)乙基，2-(全氟辛基)乙基，1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟己基，1,1,2,2,3,3,4,4, 5,5,6,6-十二氟己基，全氟戊基甲基及全氟己基。
含氟之脂環族烴基的實例包含全氟環己基及全氟金剛烷基。
具有氟原子之飽和烴基較佳為C1-C8含氟烷基，更佳為C1-C5含氟烷基。這些含氟烷基較佳以-(CH2)n-R3表示之，其中R3表示C1-C4全氟烷基且其中n表示1至4之整數。
式(I)所示之結構單元較佳為式(Ia)所示者：
式(Ia)中，R1'表示氫原子或甲基，R3表示C1-C4全氟烷基，且n表示1至4之整數。
R3所示之全氟烷基包含三氟甲基，全氟乙基，全氟丙基，及全氟丁基。
式(I)所示之結構單元係衍生自式(I')所示之化合物：
式(I')中，R1及R2係如上述所定義。
式(I')所示之化合物包含下述者。
式(I')所示之化合物可藉由已知方法製造，如包括在鹼性條件中使相對應之氟烷基碘化合物與(甲基)丙烯酸酯反應。
樹脂(A1)較佳包括具有酸不穩定基之結構單元。
本文之“酸不穩定基”係指包括在與酸接觸的情形下能夠被裂解以得到親水基如羥基或羧基之離去基(leaving group)的基團。
式(I)所示之結構單元不具酸不穩定基。
酸不穩定基的特定實例包含式(1)所示之基團： 式中，Ra1，Ra2及Ra3各自獨立表示C1-C8烷基，C3-C20脂環族烴基或其組合，或者Ra1與Ra2可彼此結合以形成C2-C20二價烴基，且*表示結合位置，以及式(2)所示之基團： 式中，Ra1'及Ra2'各自獨立表示氫原子或C1-C12烴基，及Ra3'表示C1-C20烴基，或者，Ra3'與Ra1'和Ra2'一起表示C2-C20二價烴基，其中二價烴基的亞甲基可被-O-或-S-置換。
C1-C8烷基的特定實例包含甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，戊基，己基，庚基及辛基。
脂環族烴基可為單環或多環。脂環族烴基的實例包含單環脂環族烴基如C3-C20環烷基(例如環戊基，環己基，甲基環己基，二甲基環己基，環庚基及環辛基)以及多環脂環族烴基如十氫萘基，金剛烷基，降冰片基，甲基降冰片基，及下述者。
脂環族烴基較佳具有3至16個碳原子。
當式(1)之Ra1與Ra2彼此結合以形成C2-C20二價烴基時，-C(Ra1)(Ra2)(Ra3)所示之部份包含下述基團且環較佳具有3至12個碳原子： 式中，Ra3係如上述之相同定義及*表示對式(1)之-O-的結合位置。
較佳係式(1)所示之基團，如1,1'-二烷基烷氧基羰基，其中Ra1，Ra2及Ra3各自獨立表示C1-C8烷基如第三丁基，式(1)所示之基團，其中Ra1與Ra2彼此結合以形成金剛烷基且Ra3為C1-C8烷基如2-烷基金剛烷-2-基氧羰基以及式(1)所示之基團，其中Ra1及Ra2為C1-C8烷基且Ra3為金剛烷基如1-(1-金剛烷-1-基)-1-烷基烷氧基羰基。
至於式(2)，烴基的實例包含烷基，脂環族烴基及芳香族烴基。
烷基及脂環族烴基的實例包含與上述相同者。芳香族烴基的實例包含芳基如苯基，萘基，蒽基，對-甲基苯基，對-第三丁基苯基，對-金剛烷基苯基，甲苯基，二甲苯基，異丙苯基(cumyl)，均三甲苯基(mesityl)，聯苯基，菲基， 2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。
較佳為Ra1’及Ra2’之至少一者為氫原子。
式(2)所示之基團的實例包含下述者。
衍生具有酸不穩定基之結構單元之單體較佳為具有酸不穩定基及碳-碳雙鍵之化合物，更佳為具有酸不穩定基之(甲基)丙烯酸酯化合物。
該種(甲基)丙烯酸酯化合物較佳具有C5-C20脂環族烴基。
當光阻組成物包括含有具有龐大結構(bulky structure)之結構單元如飽和脂環族烴基之樹脂時，此光阻組成物可提供具有優異解析度之光阻圖案。
衍生自具有酸不穩定基之(甲基)丙烯酸酯化合物之結構單元包含那些式(a1-1)及(a1-2)所示者： 式中La1及La2各自獨立表示氧原子或*-O-(CH2)k1-CO-O-，其中*表示對-CO-的結合位置，k1表示1至7之整數，Ra4及Ra5各自獨立表示氫原子或甲基，Ra6及Ra7各自獨立表示C1-C8烷基，C3-C18脂環族烴基，及其組合。
m1表示0至14之整數，n1表示0至10之整數，及n1'表示0至3。
La1較佳為*-O-或*-O-(CH2)f1-CO-O-，其中*表示對-CO-的結合位置，f1表示1至4之整數，更佳為*-O-。
k1較佳表示1至4之整數，更佳為1之整數。
Ra4及Ra5較佳為甲基。
Ra6及Ra7所示之各基團的實例包含與上述相同者。
Ra6及Ra7所示之烷基較佳具有1至6個碳原子。Ra6及Ra7所示之飽和環狀烴基較佳具有3至8個碳原子，更佳為3至6個碳原子。
式(a1-1)中，m1較佳為0至3之整數，更佳為0或1。式(a1-2)中，n1較佳為0至3之整數，更佳為0或1，n1'較佳為0或1。
衍生式(a1-1)所示之結構單元之單體包含描述於JP2010-204646A之化合物。
至於衍生式(a1-1)所示之結構單元之單體，較佳為式(a1-1-1)，式(a1-1-2)，式(a1-1-3)，式(a1-1-4)，式(a1-1-5)，式(a1-1-6)，式(a1-1-7)及式(a1-1-8)所示之化合物，更佳為式(a1-1-1)，式(a1-1-2)，式(a1-1-3)及式(a1-1-4)所示之化合物。
衍生式(a1-2)所示之結構單元之單體的實例包含(甲基)丙烯酸1-乙基-環戊-1-基酯，(甲基)丙烯酸1-乙基-環己-1-基酯，(甲基)丙烯酸1-乙基-環庚-1-基酯，(甲基)丙烯酸1-甲基-環戊-1-基酯，(甲基)丙烯酸1-甲基-環己-1-基酯，(甲基)丙烯酸1-異丙基-環戊-1-基酯，及(甲基)丙烯酸1-異丙基-環己-1-基酯。
至於衍生式(a1-2)所示之結構單元之單體，較佳為那些式(a1-2-1)至(a1-2-12)所示者，更佳為那些式(a1-2-3)，(a1-2-4)，(a1-2-9)及(a1-2-10)所示者，又更佳為那些式(a1-2-3)及(a1-2-9)所示者。
當樹脂(A1)包括至少一個具有酸不穩定基之結構單元時，以樹脂(A1)之所有結構單元計之，樹脂中之結構單元的含量通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
當樹脂(A1)包括至少一個式(a1-1)或式(a1-2)所示之結構單元時，以樹脂(A1)之所有結構單元計之，樹脂中之這些結構單元的含量通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
具有酸不穩定基之結構單元的另一實例包含式(a1-5)所示之結構單元： 式中R31表示氫原子，鹵素原子，或具有鹵素基團之C1-C6烷基，Za1表示單鍵或*-O-(CH2)k4-La4-O-其中*表示對-La1-的結合 位置，及k4表示1至4之整數，La1，La2，La3及La4各自獨立表示氧原子或硫原子，s1表示1至3之整數，以及s1'表示0至3之整數。
式(a1-5)中，R31較佳表示氫原子，甲基，或三氟甲基。La1較佳表示氧原子。較佳係La2與La3之一表示氧原子且另一個表示硫原子。s1較佳表示1，s1'較佳表示0至2之整數。Za1較佳表示單鍵或-CH2-CO-O-。
衍生式(a1-5)所示之結構單元之單體包含下述者。
當樹脂(A1)具有衍生自式(a1-5)所示之化合物之結構單元時，以樹脂之所有結構單元計之，此結構單元的含量通 常為1至50莫耳%，較佳為3至45莫耳%，更佳為5至40莫耳%。
樹脂(A1)進一步包括式(I)所示之結構單元以外之不具酸不穩定基之結構單元，如式(IIIA)所示之結構單元，以及衍生自本技藝領域中已知單體之另一結構單元： 式中R11表示氫原子或甲基，環W2表示C1至C10烴環，A12表示氧原子，*-CO-O-或*-O-CO-，其中*表示對環W2的結合位置，以及R12表示C1-C6含氟烷基。
環W2所示之烴環包含脂環族烴環，較佳為飽和脂環族烴環。
飽和脂環族烴環包含下述者。
環W2包含金剛烷環及環己烷環，較佳為金剛烷環。
R12所示之含氟烷基包含那些上述者，較佳為下述者。
式(IIIA)所示之結構單元較佳包含下述者及那些其中貼附於該等者之主鏈之甲基被氫原子置換者。
樹脂(A1)中，以樹脂之所有結構單元計之，式(I)所示之結構單元的含量通常為5至100莫耳%，較佳為20至100莫耳%。
樹脂(A1)較佳包括式(I)所示之結構單元及具有酸不穩定基之結構單元，更佳係由式(I)所示之結構單元及具有酸不穩定基之結構單元所組成。
樹脂(A1)較佳包括式(a1-1)及/或(a1-2)所示之結構單元作為具有酸不穩定基之結構單元。
當樹脂(A1)係由式(I)所示之結構單元及具有酸不穩定基之結構單元所組成時，以樹脂之所有結構單元計之，其含量係較佳為10至95莫耳%式(I)所示之結構單元及5至90莫耳%具有酸不穩定基之結構單元，更佳為15至90莫耳%式(I)所示之結構單元及10至85莫耳%具有酸不穩定基之結構單元，又更佳為20至85莫耳%式(I)所示之結構單元及10至80莫耳%具有酸不穩定基之結構單 元。
當樹脂(A1)進一步包括不具酸不穩定基之結構單元，式(IIIA)所示之結構單元，及衍生自本技藝領域中已知單體之另一結構單元時，以樹脂之所有結構單元計之，這些結構單元的總含量較佳為1至95莫耳%，更佳為2至80莫耳%。各結構單元可單獨含有或與樹脂(A1)中相同結構式所示之其他者一起含有。
樹脂(A1)可使用衍生式(I)所示之結構單元及如上述之其他結構單元之單體，利用已知聚合方法，如自由基聚合反應而製造。樹脂(A1)中之各結構單元的含量可藉由在樹脂製造時控制衍生相對應之結構單元之各單體的用量而予以控制。
樹脂(A1)的重量平均分子量較佳為5000以上，更佳為7,000以上，又更佳為10000以上，且較佳為80,000以下，更佳為50,000以下，又更佳為30,000以下。
重量平均分子量可利用凝膠滲透層析術(標準品：聚乙烯)而測量。測量的詳細方法描述於本說明書之實施例中。
本發明之光阻組成物包括樹脂(A2)。
樹脂(A2)包括具有酸不穩定基且無式(I)所示之結構單元之結構單元。
樹脂(A2)可包括不具酸不穩定基之結構單元及衍生自本領域中已知單體之另一結構單元。
樹脂(A2)較佳顯示藉由酸的作用分解而增加在有機溶 劑(如乙酸丁酯及2-庚酮)中之溶解度的性質。
當樹脂(A2)包括至少一種具有酸不穩定基之結構單元時，以樹脂(A2)之所有結構單元計之，樹脂中之此結構單元的含量通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
當樹脂(A2)包括式(a1-1)或式(a1-2)所示之至少一種結構單元時，以樹脂(A2)之所有結構單元計之，樹脂中之此結構單元的含量通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
當樹脂(A2)包括式(a1-5)所示之至少一種結構單元時，以樹脂(A2)之所有結構單元計之，樹脂中之此結構單元的含量通常為1至50莫耳%，較佳為3至45莫耳%，更佳為5至40莫耳%。
不具酸不穩定基之結構單元較佳包括羥基或內酯環。當光阻組成物包括該種結構單元時，可改良其光阻圖案的解析度及其與基板的黏著性。這些結構單元可視由光阻組成物製造光阻圖案所用之曝光光源予以適合地選擇之。
當使用KrF準分子雷射(波長：248nm)微影技術系統，或高能量雷射如電子束及極紫外線作為曝光系統時，較佳係包括不具酸不穩定基但具有酚醛-羥基之結構單元的樹脂。
當使用ArF準分子雷射(波長：193nm)作為曝光系統時，較佳係包括不具酸不穩定基但具有醇羥基之 結構單元之樹脂，更佳係包括下式(a2-1)所示之結構單元的樹脂。
不具酸不穩定基但具有羥基之結構單元，較佳具有羥基金剛烷基。
不具酸不穩定基但具有羥基之結構單元的較佳實例包含式(a2-1)所示之結構單元： 式中Ra14表示氫原子或甲基，Ra15及Ra16各自獨立表示氫原子，甲基或羥基，La3表示*-O-或*-O-(CH2)k2-CO-O-，其中*表示對-CO-之結合位置，及k2表示1至7之整數，及01表示0至10之整數。
式(a2-1)中，La3較佳為*-O-或*-O-(CH2)f2-CO-O-，其中*表示對-CO-的結合位置，及f2表示1至4之整數，更佳為*-O-或*-O-CH2-CO-O-，又更佳為*-O-。Ra14較佳為甲基，Ra15較佳為氫原子，Ra16較佳為氫原子或羥基，o1較佳為0，1，2或3，更佳為0或1。
衍生式(a2-1)所示之結構單元之單體包含那些描述於JP2010-204646A者，較佳為那些式(a2-1-1)，(a2-1-2)，(a2-1-3)，(a2-1-4)，(a2-1-5)及(a2-1-6)所示者，更佳為那些式(a2-1-1)，(a2-1-2)，(a2-1-3)及(a2-1-4)所示者，又佳為那些式(a2-1-1)及(a2-1-3)所示者。
當樹脂(A2)具有式(a2-1)所示之結構單元時，以樹脂之所有結構單元之總莫耳數計之，式(a2-1)所示之結構單元的含量通常為1至45莫耳%，較佳為1至40莫耳%，更佳為1至35莫耳%，又更佳為2至20莫耳%。
至於不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元，內酯環的實例包含單環內酯環如β-丙內酯環，γ-丁內酯環及γ-戊內酯環，以及由單環內酯環與其他環所形成之縮合環。其中，較佳為γ-丁內酯環及由γ-丁內酯與其他環所形成之縮合環。
不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元的較佳實例包含那些式(a3-1)，(a3-2)及(a3-3)所示者： 式中，La4，La5及La6各自獨立表示*-O-或*-O-(CH2)k3-CO-O-，其中*表示對-CO-的結合位置，及k3表示1至7之整數，Ra18，Ra19及Ra20各自獨立表示氫原子或甲基，Ra21 表示C1-C4脂肪族烴基，Ra22及Ra23每次發生時獨立為羧基，氰基或C1-C4脂肪族烴基，及p1表示0至5之整數，q1及r1各自獨立表示0至3之整數。
較佳係La4，La5及La6各自獨立表示*-O-或*-O-(CH2)d1-CO-O-，其中*表示對-CO-的結合位置，及d1表示1至4之整數，更佳係La4，La5及La6為*-O-或*-O-CH2-CO-O-，又更佳係La4，La5及La6為*-O-，Ra18，Ra19，Ra20及Ra21較佳為甲基。較佳係Ra22及Ra23每次發生時獨立為羧基，氰基或甲基。p1，q1及r1較佳為0至2之整數，p1，q1及r1更佳為0或1。
衍生不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元的單體描述於JP2010-204646A。衍生不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元之單體的實例較佳包含那些式(a3-1-1)，(a3-1-2)，(a3-1-3)及(a3-1-4)，式(a3-2-1)，(a3-2-2)，(a3-2-3)及(a3-2-4)，及式(a3-3-1)，(a3-3-2)，(a3-3-3)及(a3-3-4)所示者，更佳為那些式(a3-1-1)及(a3-1-2)，及式(a3-2-3)及(a3-2-4)所示者，又更佳為那些式(a3-1-1)及(a3-2-3)所示者。
以樹脂(A2)中之結構單元之總莫耳數計之，不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元的含量通常為5至70莫耳%，較佳為10至60莫耳%，更佳為10至65莫耳%。
樹脂(A2)包括具有酸不穩定基之結構單元及不具酸不穩定基之結構單元。
樹脂(A2)中，具有酸不穩定基之結構單元較佳為那些式(a1-1)及(a1-2)所示者，更佳為那些式(a1-1)所示者。不具酸不穩定基之結構單元較佳為那些具有羥基或內酯環者。對樹脂(A2)而言，不具酸不穩定基但具有羥基之結構單元較佳為那些式(a2-1)所示者。對樹脂(A2)而言，不具酸不穩定基但具有內酯環之結構單元較佳為那些式(a3-1)及(a3-2)所示者。
當樹脂(A2)包括衍生自具有金剛烷基之單體之結構單元時，較佳為式(a1-1)所示之結構單元，以具有酸不穩定基之所有結構單元之100莫耳%計之，此結構單 元的含量較佳為15莫耳%以上。當光阻組成物包括較大量之含金剛烷環之結構單元時，由其所得到之光阻圖案可具有更改良之耐乾蝕刻性。
以樹脂之所有結構單元計之，樹脂(A2)中之具有酸不穩定基之結構單元的含量通常為1至100莫耳%，較佳為10至95莫耳%，更佳為15至90莫耳%，又更佳為20至85莫耳%。
當樹脂(A2)包括不具酸不穩定基之結構單元時，以樹脂之所有結構單元計之，此結構單元的含量通常為5至95莫耳%，較佳為10至80莫耳%，更佳為20至70莫耳%，又更佳為30至70莫耳%。
當樹脂(A2)包括具有酸不穩定基之結構單元及不具酸不穩定基之結構單元時，以樹脂之所有結構單元計之，這些結構單元的含量較佳為10至95莫耳%具有酸不穩定基之結構單元及5至90莫耳%不具酸不穩定基之結構單元，更佳為15至90莫耳%具有酸不穩定基之結構單元及10至85莫耳%不具酸不穩定基之結構單元，又更佳為20至85莫耳%具有酸不穩定基之結構單元及15至80莫耳%不具酸不穩定基之結構單元。
樹脂(A2)的重量平均分子量通常為2,500以上，較佳為3,000以上，更佳為4,000以上，且通常為50,000以下，較佳為30,000以下，更佳為15,000以下。
本發明之光阻組成物包括用量通常為0.01：10至5：10，較佳為0.05：10至3：10，更佳為0.1： 10至2：10，又更佳為0.2：10至1：10(以重量計之[樹脂(A1)的含量]：[樹脂(A2)的含量]表示之)之樹脂(A1)及樹脂(A2)。
本發明之光阻組成物可進一步包括樹脂(A1)及樹脂(A2)以外之另一樹脂。該種另一樹脂包括由如上述之不具酸不穩定基之結構單元且無式(I)所示之結構單元所組成者。
當光阻組成物包括該種另一樹脂時，此樹脂的含量較佳為光阻組成物中之總樹脂的0.1至50莫耳%，更佳為0.5至30莫耳%，又更佳為1至20莫耳%。
以固體成分之總和計之，本發明之光阻組成物通常含有80重量%以上之樹脂。以固體成分之總和計之，本發明光阻組成物通常含有99.9質量%以下之樹脂。本說明書中，“固體成分”係指光阻組成物中溶劑以外之成分。此含量可利用已知分析設備如氣體或液體層析術測量。
本發明之光阻組成物包括式(II)所示之鹽： 式中，X2表示C1-C6烷二基，其中氫原子可被羥基或-O-R5基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R4及R5各自獨立表示C1-C24烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，及Z+表示有機陽離子。
X2所示之烷二基包含亞甲基，伸乙基，丙烷-1,3-二基，丙烷-1,2-二基，丁烷-1,4-二基，戊烷-1,5-二基，己烷-1,6-二基，乙烷-1,1-二基，丙烷-1,1-二基，丙烷-2,2-二基，丁烷-1,3-二基，2-甲基丙烷-1,2-二基，戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基。烷二基較佳為亞甲基。
其中亞甲基可被氧原子或羰基置換之烷二基包含下述二價基團： 其中*表示對CF2的結合位置。
其中氫原子可被羥基或-OR5基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換之烷二基包含下述二價基團： 其中*表示對CF2的結合位置。R4及R5所示之烴基可為飽和或不飽和者，其包含直鏈烷基或烯基，支鏈烷基或烯基，單環或多環脂環族烴基，芳香族烴基，及包括其兩個以上之基團。直鏈烷基包含甲基，乙基，丙基，丁基，戊基及己基。支鏈烷基包含異丙基，丁基，異丁基，第二丁基及第三丁基。直鏈或支鏈烯基包含乙烯基及α-甲基乙烯基。單環脂環族烴基包含環丁基，環戊基，環己基及環辛基。多環脂環族烴基包含降冰片基及金剛烷基。芳香族烴基包含苯基，萘基，對-甲基苯基，對-第三丁基苯基，對-金剛 烷基苯基，甲苯基，二甲苯基，2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。
式(II)所示之鹽較佳為式(IIA)所示者： 式中，X2及Z+係如上述所定義，R6表示C1-C17烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R7表示C1-C6烷基，及R8表示C1-C6氟烷基，但R6，R7與R8之碳原子總數為19以下。
R6所示之烴基的實例包含R4之上述實例中之C1-C17烴基，特別是C1-C17烷基或烯基，C3-C17單環或多環脂環族烴基，和C6-C17芳香族烴基以及其組合。R6所示之烴基包含C1-C17脂環族烴基，其中亞甲基可被氧原子或羰基置換。
其中亞甲基可被氧原子或羰基置換之脂環族烴基包含下述者： 其中*表示結合位置。
R7所示之烷基包含甲基，乙基，丙基，丁基，戊基及己基。
R8示之氟烷基包含三氟甲基，全氟乙基，1,1,2,2-四氟乙基，全氟丁基，1,1,2,2,3,3,4,4-八氟乙基，較佳為三氟甲基。
R6較佳表示C1-C4烷基如甲基，乙基，C2-C4烯基如丙烯基；苯基，C3-C10脂環族烴基，其中亞甲基可被羰基置換且其中氫原子可被羥基置換，如環己基，金剛烷基，側氧基金剛烷基，及羥基金剛烷基。
R7較佳表示C1-C2烷基，更佳為乙基。
R8較佳表示C1-C3氟烷基，更佳為三氟甲基。
式(II)所示之鹽較佳為下述者：
各式中，Z+係如上述所定義。
Z+所示之有機陽離子的實例包含有機鎓陽離子如有機鋶陽離子，有機錪陽離子，有機銨陽離子，苯并噻唑鎓陽離子及有機鏻陽離子，較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子，更佳為芳基鋶陽離子。本文中，芳基鋶包含那些具有一個，兩個或三個芳基者。
Z+所示之有機陽離子的較佳實例包含式(b2-1)至(b2-4)所示之有機陽離子： 式中Rb4，Rb5及Rb6獨立表示C1-C30烷基，其中氫原子可被羥基或C1-C18烷氧基或C6-C36芳香族烴基置換，C3-C12脂環族烴基，其中氫原子可被鹵素原子，C2-C4醯基或縮水甘油氧基置換，及C6-C18芳香族烴基，其中氫原子可被鹵素原子，羥基，或C1-C12烷氧基置換，且Rb4與Rb5，Rb4與Rb6，或Rb5與Rb6可彼此結合以形成含有S+之環，Rb7及Rb8每次發生時獨立為羥基，C1-C12烷基或C1-C12烷氧基，m2及n2獨立表示0至5之整數，Rb9及Rb10獨立表示C1-C18烷基或C3-C18脂環族烴基，或者Rb9與Rb10彼此結合以形成C1-C10二價無環烴基，其與相鄰之S+一起形成3-至12-員環，較佳為3-至7-員環，此二價無環烴基中之一個或多個-CH2-可被氧原子，硫原子或 羰基置換，及Rb11表示氫原子，C1-C18烷基，或C3-C18脂環族烴基或C6-C18芳香族烴基，及Rb12表示C1-C12烷基，其中氫原子可被C6-C18芳香族烴基置換；C3-C18脂環族烴基；及選擇性地經C1-C12烷氧基或C1-C12烷基羰基氧基取代之C6-C18芳香族烴基，或者Rb11與Rb12彼此結合以形成C1-C10二價無環烴基，其與相鄰之-CHCO-一起形成2-側氧基環烷基，此二價無環烴基中之一個或多個-CH2-可被氧原子，硫原子或羰基置換，以及Rb13，Rb14，Rb15，Rb16，Rb17及Rb18獨立表示羥基，C1-C12烷基或C1-C12烷氧基，Lb11表示-S-或-O-，以及o2，p2，s2及t2各自獨立表示0至5之整數，q2及r2各自獨立表示0至4之整數，及u2表示0或1。
各取代基所示之烷基的實例包含甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，第二丁基，第三丁基，戊基，己基，辛基，及2-乙基己基。Rb9至Rb12所示之烷基較佳具有1至12個碳原子。
其中氫原子可被脂環族烴基置換之烷基的實例包含1-(金剛烷-1-基)烷-1-基。
各取代基所示之脂環族烴基可為單環或多環，其氫原子可被烷基置換。當其氫原子被烷基置換時，碳原子的總數為20以下。
單環脂環族烴基的實例包含環烷基如環丙 基，環丁基，環戊基，環己基，環庚基，環癸基。
多環脂環族烴基的實例包含十氫萘基，金剛烷基，降冰片基，及下述者。
Rb9至Rb12所示之脂環族烴基較佳具有4至12個碳原子。
其中氫原子被烷基置換之脂環族烴基的實例包含甲基環己基，2-烷基金剛烷-2-基，甲基降冰片基，及異冰片基。
各取代基所示之芳香族烴基的較佳實例包含經取代或未經取代之苯基如苯基，甲苯基，二甲苯基，異丙苯基，均三甲苯基，4-乙基苯基，4-第三丁基苯基，4-環己基苯基，4-金剛烷基苯基，2,6-二乙基苯基，2-甲基-6-乙基苯基，聯苯基，萘基，菲基。
其中氫原子被烷氧基置換之芳香族烴基的較佳實例包含4-甲氧基苯基。
其中氫原子被芳香族烴基置換之烷基(亦即，芳烷基)的較佳實例包含苯甲基，苯乙基，苯基丙基，三苯甲基，萘基甲基及萘基乙基。
當芳香族烴基具有烷基或脂環族烴基作為取代基時，取代基較佳為C1-C12烷基或C3-C18脂環族烴基。
烷氧基的實例包含甲氧基，乙氧基，丙氧 基，丁氧基，戊氧基，己氧基，庚氧基，辛氧基，癸氧基及十二烷氧基。
C2-C4醯基的實例包含乙醯基，丙醯基及丁醯基。
鹵素原子的實例包含氟原子，氯原子，溴原子及碘原子。
烷基羰基氧基的較佳實例包含甲基羰基氧基，乙基羰基氧基，正丙基羰基氧基，異丙基羰基氧基，正丁基羰基氧基，第二丁基羰基氧基，第三丁基羰基氧基，戊基羰基氧基，己基羰基氧基，辛基羰基氧基及2-乙基己基羰基氧基。
藉由Rb4與Rb5，Rb4與Rb6，或Rb5與Rb6彼此結合所形成之含有S+之環可為單環，多環，芳香環，非芳香環，飽和環或不飽和環。除了S+外，此環亦可含有一個或多個硫原子或氧原子。此環較佳具有3至18個碳原子，更佳具有4至13個碳原子。
藉由結合Rb9與Rb10所形成之C3-C12二價無環烴基的實例包含三亞甲基，四亞甲基及五亞甲基。與相鄰S+及二價無環烴基一起形成之環基的實例包含四氫噻吩-1-鎓環(四氫噻吩鎓環)，硫代環己烷-1-鎓環及1,4-氧雜硫代環己烷-4-鎓環。較佳為C3-C7二價無環烴基。
藉由結合Rb11與Rb12所形成之C1-C10二價無環烴基的實例包含亞甲基，伸乙基，伸丙基，伸丁基及伸戊基，環基的實例包含側氧基環戊烷環，側氧基環己烷 環，側氧基降冰片烷環及側氧基金剛烷環。較佳為C1-C5二價無環烴基。
上述陽離子中，較佳為式(b2-1)所示之陽離子，更佳為其中Rb4，Rb5及Rb6之任一者為芳香族烴基之式(b2-1)所示之陽離子，又更佳為式(b2-1-1)所示之陽離子，特佳為三苯基鏻陽離子，二苯基甲苯基鋶陽離子或三甲苯基鋶陽離子。
式中Rb19，Rb20及Rb21每次發生時獨立為鹵素原子(較佳為氟原子)，羥基，C1-C12烷基，C1-C12烷氧基或C3-C18脂環族烴基；或者Rb19與Rb20，Rb19與Rb21，或Rb20與Rb21可彼此結合以與S+一起形成環；以及v2，w2及x2獨立表示0至5之整數。
Rb19，Rb20及Rb21各者較佳為鹵素原子(較佳為氟原子)，羥基，C1-C12烷基及C1-C12烷氧基，更佳為鹵素原子(較佳為氟原子)及C1-C6烷基。v2，w2及x2獨立表示0或1。
式(b2-1-1)所示之陽離子更明確地說包含那些描述於JP2010-204646A者。
式(II)所示之鹽係由上述陰離子之任一者與上述陽離子之任一者所組成，更明確地說係那些下述者所示者。
式(II)所示之鹽係市售可購得者。
式(II)所示之鹽可藉由在溶劑如氯仿中使式(II-0-1)所示之鹽與式(II-0-2)所示之化合物反應而製造： 式中X2，R4及Z+係如上述所定義。
式(II-0-1)所示之鹽包含下述鹽類，其可藉由US2007/298352A1所述之方法而獲得。
式(II-0-2)所示之化合物可藉由在溶劑如氯仿中使式(II-0-3)所示之鹽與式(II-0-4)所示之化合物反應而製造。
式中R4係如上述所定義。
式(II-0-3)所示之化合物包含下述化合物，其係市售可購得者。
式(III-A)所示之鹽可藉由在溶劑如氯仿中使式(IIIA-1)所示之鹽與式(IIIA-2)所示之化合物反應而製造。
式中X2，R6，R7，R8及Z+係如上述所定義。
式(IIIA-1)所示之鹽可藉由在酸觸媒如對-甲苯磺酸存在下於溶劑如二甲基甲醯胺中使式(III-0-1)所示之鹽與式(IIIA-4)所示之化合物反應而獲得。
式中X2，R7，R8及Z+係如上述所定義。
式(IIIA-4)所示之鹽包含三氟丙酮酸酯。
式(III-A-2)所示之鹽可藉由在溶劑如氯仿中使式(IIIA-5)所示之鹽與式(IIIA-6)所示之化合物反應而獲得。
式中R6係如上述所定義。
式(IIIA-5)所示之鹽包含下述化合物。
此光阻組成物包括單獨或者其兩種以上種 之組合之式(II)所示之鹽。
此光阻組成物可包括式(II)所示之鹽以外之酸產生劑。此鹽以外之該種酸產生劑有時稱為“酸產生劑(B)”。
酸產生劑係一種可被光或輻射性分解而產生酸之化合物。酸產生劑可為離子性或非離子性者。酸產生劑可單獨或者其兩種以上種之組合使用之。非離子性酸產生劑包含有機鹵化物，磺酸酯(例如2-硝基苯甲基酯，芳香族磺酸酯，肟磺酸酯，N-磺醯基氧基醯亞胺，磺醯基氧基酮，重氮萘醌4-磺酸酯)及碸(例如二碸，酮基碸及磺醯基重氮甲烷)。離子性酸產生劑包含包括鎓鹽陽離子之鎓鹽化合物(例如重氮鎓鹽，鏻鹽，鋶鹽，錪鹽)。鎓鹽之陰離子包含磺酸陰離子，磺醯基醯亞胺陰離子及磺醯基甲基化物陰離子。
酸產生劑包含照射輻射性時產生酸之化合物，其描述於JP63-26653A1，JP55-164824A1，JP62-69263A1，JP63-146038A1，JP63-163452A1，JP62-153853A1，JP63-146029A1，US專利第3779778號，US專利第3849137號，德國專利第3914407號及歐洲專利第126712號。
酸產生劑(B)較佳為含氟之酸產生劑，更佳為式(B1)所示之鹽： 式中Qb1及Qb2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1表示單鍵或C1-C17二價飽和烴基，其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，Y表示氫原子或C3-C18脂環族烴基，其中亞甲基可被氧原子，磺醯基或羰基置換且其中氫原子可被取代基置換，以及Z+表示有機陽離子。
Qb1及Qb2所示之全氟烷基的實例包含三氟甲基，五氟乙基，七氟丙基，九氟丁基，十氟戊基及十三氟己基，較佳為三氟甲基。較佳為Q1及Q2獨立表示氟原子或三氟甲基，Q1及Q2更佳為氟原子。
Lb1所示之二價飽和烴基的實例包含直鏈烷二基，支鏈烷二基，單環二價脂環族烴基，多環二價脂環族烴基及其組合。其特定實例包含直鏈烷二基如亞甲基，伸乙基，丙烷-1,3-二基，丙烷-1,2-二基，丁烷-1,4-二基，丁烷-1,3-二基，戊烷-1,5-二基，己烷-1,6-二基，庚烷-1,7-二基，辛烷-1,8-二基，壬烷-1,9-二基，癸烷-1,10-二基，乙烷-1,1-二基，丙烷-1,1-二基；支鏈烷二基包含藉由貼附側鏈於直鏈烷二基所形成之基團，如丁烷-1,3-二基，2-甲基丙烷-1,3-二基，2-甲基丙烷-1,2-二基，戊烷-1,4-二基，及2-甲基丁烷-1,4-二基；單環二價脂環族烴基如環丁烷-1,3-二基，環戊烷-1,3-二基，環己烷-1,2-二基，1-甲基環己烷-1,2-二基，環己烷-1,4-二基，環辛烷-1,2-二基，及環辛烷-1,5-二基；以及多環二價脂環族烴基如降冰片烷-2,3-二 基，降冰片烷-1,4-二基，降冰片烷-2,5-二基，金剛烷-1,2-二基，金剛烷-1,5-二基及金剛烷-1,6-二基。
當Lb1表示其中亞甲基可被氧原子或羰基置換之二價飽和烴基時，Lb1的實例包含如下式(b1-1)至(b1-7)之任一者所示之部份： 式中Lb2表示單鍵或C1-C15二價飽和烴基，Lb3表示單鍵或C1-C12二價飽和烴基，Lb4表示C1-C13二價飽和烴基，但Lb3與Lb4之總碳數至多為13，Lb5表示單鍵或C1-C14二價飽和烴基，Lb6表示C1-C15二價飽和烴基，但Lb5與Lb6之總碳數至多為15，Lb7表示單鍵或C1-C15二價飽和烴基，Lb8表示C1-C15二價飽和烴基，但Lb7與Lb8之總碳數至多為16，Lb9表示單鍵或C1-C13二價飽和烴基，Lb10表示C1-C14二價飽和烴基，但Lb9與Lb10之總碳數至多為14，Lb11及Lb12各自獨立表示單鍵或C1-C11二價飽和烴基， Lb13表示C1-C12二價飽和烴基，但Lb11，Lb12與Lb13之總碳數至多為12，Lb14及Lb15各自獨立表示單鍵或C1-C13二價飽和烴基，以及Lb16表示C1-C14二價飽和烴基，但Lb14，Lb15與Lb16之總碳數至多為14，*表示結合位置，左邊的*表示對-C(Q1)(Q2)-之結合位置，右邊的*表示對-(C=O)-之結合位置。
式(b1-1)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-2)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-3)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-4)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-5)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-6)所示之部份的實例包含如下所示者。
式(b1-7)所示之部份的實例包含如下所示者。
Lb1較佳為式(b1-1)至(b1-4)之任一者所示之部份，更佳為式(b1-1)或(b1-2)之任一者所示之部份，又更佳為式(b1-1)所示之部份。式(b1-1)所示之部份中，較佳為那些其中Lb2表示單鍵或亞甲基者，更佳為其中Lb2表示單鍵，亦即，*-CO-O-，其中*表示對-C(Q1)(Q2)-之結合位置。
Y所示之脂環族烴基的實例包含那些式(Y1)至(Y11)所示者。其中亞甲基可被氧原子，磺醯基或羰基置換之Y所示之脂環族烴基的實例包含那些式(Y12)至(Y26)所示者。
其中，較佳為那些式(Y1)至(Y19)所示者，更佳為那些式(Y11)，(Y14)，(Y15)及(Y19)所示者，又更佳為那些式(Y11)及(Y14)所示者。
Y所示之脂環族烴基之取代基的實例包含鹵素原子，羥基，側氧基，C1-C12烷基，含羥基之C1-C12烷基，C3-C16脂環族烴基，C1-C12烷氧基，選擇性地經C1-C4烷基取代之C6-C18芳香族烴基，C7-C21芳烷基，C2-C4醯基，縮水甘油氧基，或-(CH2)j2-O-CO-Rb1-，其中Rb1表示C1-C16烷基，C3-C16脂環族烴基或選擇性地經C1-C4烷基取代之C6-C18芳香族烴基。符號j2表示0至4之整數。鹵素原子的實例包含氟原子，氯原子，溴原子及碘原子。含羥基之烷基的實例包含羥基甲基及羥基乙基。烷氧基的實例包含甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基，庚氧基，辛氧基，癸氧基，十二烷氧基。 芳香族烴基的實例包含苯基，萘基，蒽基，對-甲基苯基，對-第三丁基苯基，對-金剛烷基苯基，甲苯基，二甲苯基，異丙苯基，均三甲苯基，聯苯基，菲基，2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。芳烷基的實例包含苯甲基，苯乙基，苯基丙基，萘基甲基及萘基乙基。醯基的實例包含乙醯基，丙醯基及丁醯基。
Y所示之基團的實例包含下述者。
Y較佳為可具有取代基之C3-C18脂環族烴基，更佳為可具有取代基如側氧基或羥基之金剛烷基，更佳為金剛烷基，羥基金剛烷基，或側氧基金剛烷基。
鹽(B1)之磺酸陰離子包含式(b1-1-1)至(b1-1-9)所示之陰離子： 式中Qb1，Qb2，Lb2及Y係如上述所定義，Rb2及Rb3各自獨立表示C1-C4烷基，較佳為甲基。
鹽(B2)之磺酸陰離子包含那些描述於JP2010-204646A1者。
Z1+所示之有機陽離子的實例包含有機鎓陽離子如有機鋶陽離子，有機錪陽離子，有機銨陽離子，苯并噻唑鎓陽離子及有機鏻陽離子，較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子，更佳為式(b2-1)至(b2-4)所示之陽離子，又更佳為芳基鋶陽離子。
鹽(B1)的實例包含式(B1-1)至(B1-20)所示之鹽。其中，較佳為包括三苯基鋶陽離子或三甲苯基鋶陽離子之鹽，更佳為式(B1-1)，(B1-2)，(B1-3)，(B1-6)，(B1-7)，(B1-11)，(B1-12)，(B1-13)及(B1-14)所示之鹽。
當光阻組成物中之酸產生劑僅有鹽(II)時，相對於100重量份總樹脂，鹽的含量較佳為1重量份以上，更佳為3重量份以上，且較佳為30重量份以下，更佳為25重量份以下。
當酸產生劑為鹽(II)及該鹽以外之酸產生劑時，相對於100重量份總樹脂，酸產生劑的總含量較佳為1重量份以上，更佳為3重量份以上，且較佳為40重量份以下，更佳為35重量份以下。
鹽(II)與該鹽以外之酸產生劑的重量比通常為5：95至95：5，較佳為10：90至90：10，更佳為15：85至85：15。
本發明之光阻組成物可包括式(D)所示之化合物： 式中，R1d及R2d各自獨立表示C1-C12烴基，C1-C6烷氧基，C2-C7醯基，C2-C7醯氧基，C2-C7烷氧基羰基，硝基或鹵素原子，且符號md及nd各自獨立表示0至4之整數。
R1d及R2d所示之烴基的實例包含脂肪族烴基，脂環族烴基，芳香族烴基及其組合。脂肪族烴基的實例包含烷基如甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，異丁基，第三丁基，戊基，己基及壬基。
脂環族烴基可為單環或多環，其可為飽和及不飽和者。脂環族烴基的實例包含環烷基如環丙基，環丁基，環戊基，環己基，環壬基及環十二烷基；降冰片基；以及金剛烷基。
芳香族烴基的實例包含芳基如苯基，1-萘基，2-萘基，2-甲基苯基，3-甲基苯基，4-甲基苯基，4-乙基苯基，4-丙基苯基，4-異丙基苯基，4-丁基苯基，4-第三丁基苯基，4-己基苯基，4-環己基苯基，蒽基，對-金剛烷基苯基，甲苯基，二甲苯基，異丙苯基，均三甲苯基，聯苯基，菲基，2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。
其組合的實例包含烷基-環烷基，環烷基-烷基，及芳 烷基(例如，苯甲基，1-苯基乙基，2-苯基乙基，1-苯基-1-丙基，1-苯基-2-丙基，2-苯基-2-丙基，3-苯基-1-丙基，4-苯基-1-丁基，5-苯基-1-戊基，6-苯基-1-己基)。
烷氧基的實例包含甲氧基及乙氧基。
醯基的實例包含乙醯基，丙醯基，苯甲醯基及環己烷羰基。
醯氧基的實例包含那些其中氧基(-O-)連接於上述醯基者。
烷氧基羰基的實例包含那些其中羰基(-CO-)連接於上述烷氧基者。
鹵素原子的實例包含氟原子，氯原子及溴原子。
R1d及R2d較佳係各自獨立表示C1-C8烷基，C3-C10環烷基，C1-C6烷氧基，C2-C4醯基，C2-C4醯氧基，C2-C4烷氧基羰基，硝基或鹵素原子。
符號md及nd較佳係各自獨立表示0至2之整數，更佳為0。
式(D)所示之化合物的特定實例包含下述者。
式(D)所示之化合物可藉由描述於“Tetrahedron第45冊，第19號，第6281-6296頁”之方法製備之，其係商業上可購得者。
以固體成分之總和計之，本發明之光阻組成物通常含有0.01重量%至5重量%，較佳為0.01重量%至3重量%，更佳為0.01重量%至1重量%之式(D)所示之化合物。
本發明光阻組成物通常含有溶劑。溶劑的實例包含二醇醚酯如乙酸乙基纖維素酯，乙酸甲基纖維素酯及乙酸丙二醇單甲基醚酯；酯如乳酸乙酯，乙酸丁酯，乙酸戊酯及丙酮酸乙酯；酮如丙酮，甲基異丁基酮，2-庚酮及環己酮；及環狀酯如γ-丁內酯。
以本發明光阻組成物之總用量計之，溶劑的用量通常為90重量%以上，較佳為92重量%以上或更佳為94重量%以上。以本發明光阻組成物之總用量計之，溶劑的用量通常為99.9重量%以下，較佳為99重量%以下。
本發明之光阻組成物可含有鹼性化合物。
鹼性化合物較佳為鹼性含氮有機化合物，其實例包含胺化合物及銨鹽。胺化合物包含脂肪族胺及芳香族胺。脂肪族胺的實例包含一級胺，二級胺及三級胺。芳香族胺的實例包含其中芳香環具有一個或多個胺基之芳香族胺如苯胺以及雜芳香族胺如吡啶。
鹼性化合物較佳包含式(C1)，(C2)，(C3)，(C4)，(C5)，(C6)，(C7)及(C8)所示之化合物，較佳為式(C1-1)所示之化合物。
式中，Rc1，Rc2及Rc3獨立表示氫原子，C1-C6烷基，C5-C10脂環族烴基或C6-C10芳香族烴基，且烷基及脂環族烴基可具有選自由羥基，胺基及C1-C6烷氧基所組成群組之取代基，且芳香族烴基可具有選自由C1-C6烷基，C5-C10脂環 族烴基，羥基，胺基及C1-C6烷氧基所組成群組之取代基]， 式中，Rc2及Rc3係如上所定義，各Rc4獨立表示C1-C6烷基，C1-C6烷氧基，C5-C10脂環族烴基或C6-C10芳香族烴基，及m3表示0至3之整數， 式中，Rc5，Rc6，Rc7及Rc8係與Rc1相同定義，各Rc9獨立表示C1-C6烷基，C3-C6脂環族基或C2-C6烷醯基，及n3表示0至8之整數， 式中，各Rc10，Rc11，Rc12，Rc13及Rc16係與Rc1相同定義，各Rc14，Rc15及Rc17係與Rc4相同定義，Lc1表示C1-C6烷二基，-CO-，-C(=NH)-，-S-或其組合，及o3和p3各自獨立表示0至3之整數， 式中，各Rc18，Rc19及Rc20係與Rc4相同定義，Lc2表示單鍵， C1-C6烷二基，-CO-，-C(=NH)-，-S-或其組合，及q3，r3和p3各自表示0至3之整數。
各式(C1)至(C8)及式(C1-1)中，烷基，脂環族烴基，芳香族烴基，烷氧基及烷二基的實例係與上述相同。
烷醯基的實例包含乙醯基，2-甲基乙醯基，2,2-二甲基乙醯基，丙醯基，丁醯基，異丁醯基，戊醯基，2,2-二甲基丙醯基。
式(C1)所示之化合物的實例包含1-萘基胺，2-萘基胺，苯胺，二異丙基苯胺，2-甲基苯胺，3-甲基苯胺，4-甲基苯胺，4-硝基苯胺，N-甲基苯胺，N,N-二甲基苯胺，二苯基胺，己胺，庚胺，辛胺，壬胺，癸胺，二丁胺，二戊胺，二己胺，二庚胺，二辛胺，二壬胺，二癸胺，三乙胺，三甲胺，三丙胺，三丁胺，三戊胺，三己胺，三庚胺，三辛胺，三壬胺，三癸胺，甲基二丁胺，甲基二戊胺，甲基二己胺，甲基二環己胺，甲基二庚胺，甲基二辛胺，甲基二壬胺，甲基二癸胺，乙基二丁胺，乙基二戊胺，乙基二己胺，乙基二庚胺，乙基二辛胺，乙基二壬胺，乙基二癸胺，二環己基甲胺，參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺，參異丙醇胺，乙二胺，丁二胺，己二胺，4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷，4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷及4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷。這些之中，較佳為二異丙基苯胺，更佳為2,6-二異丙基苯胺。
式(C2)所示之化合物的實例包含哌。
式(C3)所示之化合物的實例包含嗎啉。
式(C4)所示之化合物的實例包含哌啶及具有哌啶骨架之受阻胺化合物，如揭露於JP11-52575A者。
式(C5)所示之化合物的實例包含2,2'-亞甲基雙苯胺。
式(C6)所示之化合物的實例包含咪唑及4-甲基咪唑。
式(C7)所示之化合物的實例包含吡啶及4-甲基吡啶。
式(C8)所示之化合物的實例包含二-2-吡啶基酮，1,2-二(2-吡啶基)乙烷，1,2-二(4-吡啶基)乙烷，1,3-二(4-吡啶基)丙烷，1,2-雙(2-吡啶基)乙烯，1,2-雙(4-吡啶基)乙烯，1,2-二(4-吡啶基氧)乙烷，4,4'-二吡啶硫，4,4'-二吡啶二硫，2,2'-二吡啶基胺，2,2'-二甲基吡啶基胺及聯吡啶。
銨鹽的實例包含氫氧化四甲銨，氫氧化四丁銨，氫氧化四己銨，氫氧化四辛銨，氫氧化苯基三甲銨，氫氧化(3-三氟甲基苯基)三甲銨及氫氧化(2-羥基乙基)三甲銨(所謂的“膽鹼”)。
當光阻組成物含有鹼性化合物時，以固體成分之總和計之，其含量通常為0.01至5重量%，較佳為0.01至3重量%，更佳為0.01至1重量%。
若有需要，本發明光阻組成物可含有小量的各種添加劑如敏化劑，解離抑制劑，其他聚合物，界面活性劑，安定劑及染料，只要不妨礙本發明的效果即可。
本發明之光阻組成物通常可藉由在溶劑中以組成物之適合比率混合樹脂(A1)，式(II)所示之鹽，以及若有需要另一種樹脂，另一種鹽類，式(D)所示之化合物，鹼性化合物及/或添加劑，選擇性地接著以具有0.03μm至0.2μm孔徑之過濾器過濾混合物而製備。
這些成分的混合次序並不限於任何特定次序。混合成分時的溫度通常為10至40℃，其可鑑於樹脂等選擇。
混合時間通常為0.5至24小時，其可鑑於溫度選擇之。混合成分的手段並不侷限於特定者。此等成分可藉由攪拌而混合。
光阻組成物中之成分的用量可藉由選擇欲使用於製造其之用量而調整。
本發明光阻組成物可使用於化學放大型光阻組成物。
光阻圖案可使用本發明光阻組成物藉由下述步驟(1)至(5)而製造：(1)將本發明之光阻組成物塗敷在基板上之步驟，(2)藉由乾燥此組成物形成組成物膜之步驟，(3)使此組成物膜曝露於輻射線之步驟，(4)烘烤此經曝露之組成物膜之步驟，以及(5)使此經烘烤之組成物膜顯影以形成光阻圖案之步驟。
將光阻組成物塗敷在基板上通常係使用習 知裝置如旋轉塗佈機而進行。基板的實例包含其上形成著感測器，電路，電晶體等之矽晶圓或石英晶圓。基板可以抗反射層如含有六甲基二矽氮烷者塗佈。就形成抗反射層而言，可使用市售可購得之用於有機抗反射層之該種組成物。
組成物膜通常係藉由使用加熱裝置如加熱板或減壓器加熱塗覆層，以使溶劑乾涸而形成。加熱溫度較佳為50至200℃，加熱時間較佳為10至180秒，操作壓力較佳為1至1.0*105Pa。這些條件可鑑於溶劑選擇之。
使用曝光裝置使所得之組成物膜曝露於輻射線。曝光通常係經由具有對應於所要之光阻圖案之圖案的光罩而進行。曝光光源的實例包含UV區域中放射雷射光之光源如KrF準分子雷射(波長：248nm)，ArF準分子雷射(波長：193nm)及F2雷射(波長：157nm)，以及藉由來自固態光源(如YAG或半導體雷射)之雷射光之波長轉換之遠UV區域或真空UV區域中放射調諧式雷射光之光源。曝光光源可為電子束或極紫外線(EUV)。
經由光罩曝光使組成物膜具有曝光區域及未曝光區域。
烘烤經曝光之組成物膜的步驟係所謂的後-曝光烘烤，其係利用加熱手段如加熱板進行。經曝光之組成物膜的烘烤溫度較佳為50至200℃，更佳為70至150℃。藉由後-曝光烘烤進一步進行去保護反應。
經烘烤之組成物膜的顯影通常係使用顯影裝置以顯影 劑而進行。顯影方法包含浸漬法，淺灘法(paddle method)，噴佈法及動態分配法。顯影溫度較佳為5至60℃，顯影時間較佳為5至300秒。
當由本發明之光阻組成物製備正型光阻圖案時，使用鹼顯影劑進行顯影。鹼顯影劑可為此技藝中所使用之各種鹼水溶液的任一種。一般而言，經常使用氫氧化四甲銨或氫氧化(2-羥基乙基)三甲銨(所謂的“膽鹼”)的水溶液。鹼顯影劑可包括界面活性劑。
顯影後，較佳以超純水沖洗具有光阻圖案之組成物膜，且較佳自其移除組成物膜及基板上殘留的水。
當由本發明之光阻組成物製備負型光阻圖案時，使用含有有機溶劑之顯影劑進行顯影，該種顯影劑有時稱為“有機顯影劑”。
有機顯影劑之有機溶劑的實例包含酮溶劑如2-己酮，2-庚酮；二醇醚酯溶劑如乙酸丙二醇單甲基醚酯；酯溶劑如乙酸丁酯；二醇醚溶劑如丙二醇單甲基醚；醯胺溶劑如N,N-二甲基乙醯胺；以及芳香族烴溶劑如茴香醚(anisole)。
在有機顯影劑中，有機溶劑的含量較佳為90重量%至100重量%，更佳為95重量%至100重量%。較佳係有機顯影劑基本上係由有機溶劑所組成。
其中，有機顯影劑較佳為包括乙酸丁酯及/或2-庚酮之顯影劑。
乙酸丁酯與2-庚酮的總含量較佳為50重量%至100重量%，更佳為90重量%至100重量%。較佳係有 機顯影劑基本上係由乙酸丁酯及/或2-庚酮所組成。有機顯影劑可包括界面活性劑或非常小量的水。
使用有機顯影劑的顯影可藉由以其他溶劑如醇(包含4-甲基-2-戊醇及異丙醇)置換顯影劑而予以終止。
顯影後，具有光阻圖案之光阻膜較佳以清洗劑沖洗。該種清洗劑並不侷限於特定者，但其要溶解欲沖洗之膜，其實例包含含有一般有機溶劑之溶劑，較佳為醇或酯溶劑。
沖洗後，較佳為自光阻膜及基板上移除所殘留之清洗劑。
本發明光阻組成物適合於KrF準分子雷射微影技術，ArF準分子雷射微影技術，EB(電子束)微影技術及EUV曝光微影技術，特別適合於液體浸潤式曝光微影技術。此光阻組成物適合於半導體之精細加工。
實施例
本發明將藉由實施例更加明確地說明，其不闡釋為限制本發明的範圍。
使用於表示下述實施例及比較例所使用之任何成分的含量及任何材料的用量之“%”及“份數”皆以重量基準計之，除非另有說明。
下述實施例中所使用之任何材料的重量平均分子量係在下述條件下藉由凝膠滲透層析術所發現之值。
設備：HLC-8120 GPC型，TOSOH公司所製
管柱：三個具有保護管柱之TSKgel Multipore HXL-M，TOSOH公司所製
溶劑：四氫呋喃
流動速率：1.0mL/min
偵測器：RI偵測器
管柱溫度：40℃
注射體積：100μL
標準參考材料：標準聚苯乙烯，TOSOH公司所製
樹脂合成中所使用之單體如下。
各單體被稱為“單體X”，其中X表示其結構式的符號。
合成例1
以45/14/2.5/22.5/16(單體(a1-1-3)/單體(a1-2-9)/單體(a2-1-3)/單體(a3-2-3)/單體(a4-1))之莫耳比率混合單體(a1-1-3)，(a1-2-9)，(a2-1-3)，(a3-2-3)及(a4-1)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.5倍重量份之用量比率之 1,4-二烷以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙異丁腈/所有單體=1/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙異丁腈，及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=3/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之反應混合物在73℃加熱約5小時。
將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於1,4-二烷中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以71%產率得到具有約8.8×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂A1。樹脂A1具有下述結構單元。
合成例2
以45/14/2.5/22/16.5(單體(a1-1-3)/單體(a1-2-9)/單體(a2-1-3)/單體(a3-2-1)/單體(a3-1-1))之莫耳比率混合單體(a1-1-3)，(a1-2-9)，(a2-1-3)，(a3-2-1)及(a3-1-1)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.5倍重量份之用量比率之乙酸丙二醇單甲基醚酯以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙異丁腈/所有單體=0.95/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙異丁腈，及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=2.85/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊 腈)，使所得之反應混合物在73℃加熱約5小時。將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於乙酸丙二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以73%產率得到具有約7.9×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂A2。樹脂A2具有下述結構單元。
合成例3
以35/25/40(單體(a1-1-1)/單體(a2-1-1)/單體(a3-1-1))之莫耳比率混合單體(a1-1-1)，(a2-1-1)及(a3-1-1)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.5倍重量份之用量比率之乙酸丙二醇單甲基醚酯以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙異丁腈/所有單體=1/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙異丁腈，及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=3/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之反應混合物在75℃加熱約5小時。將所得之反應混合物倒入大量甲醇中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於乙酸丙二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以90%產率得到具有約8.7×103之重 量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂A3。樹脂A3具有下述結構單元。
合成例4
以50/50(單體(I-1)/單體(a1-2-9))之莫耳比率混合單體(I-1)及(a1-2-9)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.2倍重量份之用量比率之甲基異丁基酮以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=3/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。
將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於乙酸丙二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以85%產率得到具有約9.0×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂H1。樹脂H1具有下述結構單元。
合成例5
對單體(a4-z)添加相對於所有單體之總份數，4倍重量份之用量比率之乙酸丙二醇單甲基醚酯以製備混合物。對此混合物添加V-601/單體=8/100之莫耳比率之作為起始劑之V-601(WAKO PURE CHEMICAL)，使所得之混合物在80℃加熱約5小時。將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於乙酸丙二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以70%產率得到具有約7.6×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂H2。樹脂H2具有下述結構單元。
合成例6
以50/50(單體(I-2)/單體(a1-2-9))之莫耳比率混合單體(I-2)及(a1-2-9)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.2倍重量份之用量比率之甲基異丁基酮以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=3/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。
將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。使沉澱物溶解於乙酸丙 二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以87%產率得到具有約9.1×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂H3。樹脂H3具有下述結構單元。
合成例7
以50/50(單體(I-1)/單體(a1-1-1))之莫耳比率混合單體(I-1)及(a1-1-1)，再對其添加相對於所有單體之總份數，1.2倍重量份之用量比率之甲基異丁基酮以製備混合物。對此混合物添加偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)/所有單體=3/100之莫耳比率之作為起始劑之偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之。
使沉澱物溶解於乙酸丙二醇單甲基醚酯中，然後倒入大量甲醇與水之混合物中以造成沉澱，接著藉由過濾收集之；為了純化，進行這些步驟兩次。結果，以83%產率得到具有約9.4×103之重量平均分子量的樹脂。此樹脂稱為樹脂H4。樹脂H4具有下述結構單元。
實施例1至10及比較例1至2 (光阻組成物之製備)
混合及溶解表1所示之下述成分，進一步，羥由具有0.2μm孔徑之氟樹脂過濾器予以過濾，以製備光阻組成物。
表1所示之符號表示下述成分。
<樹脂>
A1：樹脂A1，A2：樹脂A2，A3：樹脂A3
H1：樹脂H1，H2：樹脂H2，H3：樹脂H3，H4：樹脂H4
<酸產生劑>
I1：式(I1-2)所示之鹽，Central Grass公司所製
B1-3：式(B1-3)所示之鹽，以描述於JP2010-152341A1之實施例之方式製備之
Z1：式(Z1)所示之鹽
<焠熄劑>
C1：2,6-二異丙基苯胺(東京化學工業公司的產品)
<式(D)所示之化合物>
D1：下式所示之化合物
<溶劑>
(光阻圖案之產生)
以“ARC-29”(其為Nissan化學工業公司所製之有機抗反射塗佈組成物)塗佈各矽晶圓，然後在205℃烘烤60秒，以形成78nm-厚有機抗反射塗層。將上述製備之各光阻組成物旋轉塗佈在抗反射塗層上，使得在乾燥後所得之膜的厚度變成110nm。
藉此以各光阻組成物塗佈之矽晶圓各直接在加熱板上於表1之“PB”欄所示之溫度預烘烤60秒。
使用浸潤式曝光用之ArF準分子分檔器(“XT：1900Gi”，ASML公司所製，NA=1.35，3/4環形，X-Y偏振)及接觸-孔洞圖案之光罩(孔洞間距120nm/孔徑55nm)，在逐步改變曝光量下，對各組成物膜由此所形成之各晶圓施加曝光。使用超純水作為浸潤溶劑。
曝光後，於表1之“PEB”欄所示之溫度在加熱板上對各晶圓施加後曝光烘烤60秒，然後以乙酸丁酯(東京化學工業公司的產品)在23℃以動態分配法之方式進行顯影20秒。
<解析度之評估>
以掃描式電子顯微鏡觀察顯影後之各負型光阻圖案。
當具有直徑55nm之圖案沒有堵塞部份時，具有該種圖案之組成物評估為良好且在表2中以“○”標示之。當具有直徑55nm之圖案具有堵塞部份時，具有該種圖案之組成物評估為不良且在表2中以“×”標示之。
有效靈敏度(ES)係指在經由上述光罩曝光後使得孔洞圖案的直徑變成55nm之曝光量。
<聚焦寬容度(DOF)之評估>
以逐步改變焦距，在ES的曝光量得到光阻圖案。觀察在顯影後有機抗反射塗層基板上所顯影之各圖案並測量當其中孔徑在55nm±5%內(60.5nm至49.5nm)時之圖案的焦距，計算焦距最大值與焦距最小值間之差異。各差異亦顯示在“DOF”欄中之插入語。差異愈大，光阻組成物之聚焦寬容度愈佳。
<CD均勻度(CDU)之評估>
以與上述相同之方式製備光阻圖案，但使用形成接觸孔洞圖案之光罩(孔洞間距120nm/孔徑60nm)。以掃描式電子顯微鏡觀察光阻圖案。測量接觸孔洞圖案的孔徑二十四(24)次再計算其平均直徑。分別測量在相同晶圓上之105個孔洞的平均直徑。定義105個孔洞的平均直徑為其母體，計算標準偏差為CDU。標準偏差愈小，則愈佳。再者，各CDU係示於表2之“CDU”欄中。
本發明之光阻組成物可提供具有優異圖案輪廓之良好光阻圖案。

Claims (5)

  1. 一種光阻組成物，係包括：包括式(I)所示之結構單元之樹脂： 式中，R1表示氫原子或甲基，及R2表示具有氟原子之C1-C10飽和烴基；以及包括具有酸不穩定基之結構單元且無式(I)所示之結構單元之樹脂；以及式(IIA)所示之酸產生劑： 式中，X2表示C1-C6烷二基，其中氫原子可被羥基或-O-R5基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R5表示C1-C24烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R6表示C1-C17烴基，其中氫原子可被氟原子或羥基置換且其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，R7表示C1-C6烷基，及R8表示C1-C6氟烷基，但R6，R7與R8之碳原子總數為19以下，及 Z+表示有機陽離子；以及式(D)所示之化合物： 式中，R1d及R2d各自獨立表示C1-C12烴基、C1-C6烷氧基、C2-C7醯基、C2-C7醯氧基、C2-C7烷氧基羰基、硝基或鹵素原子，且符號md及nd各自獨立表示0至4之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光阻組成物，其進一步包括式(B1)所示之鹽： 式中，Qb1及Qb2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1表示單鍵或C1-C17二價飽和烴基，其中亞甲基可被氧原子或羰基置換，Y表示氫原子或C3-C18脂環族烴基，其中亞甲基可被氧原子、磺醯基或羰基置換且其中氫原子可被置換基置換，及Z1+表示有機陽離子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光阻組成物，其中式(I)所示之結構單元係式(Ia)所示者： 式中，R1'表示氫原子或甲基，R3表示C1-C4全氟烷基，及n表示1至4之整數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光阻組成物，其進一步包括溶劑。
  5. 一種產生光阻圖案之方法，係包括下述步驟(1)至(5)：(1)將申請專利範圍第1項所述之光阻組成物塗敷在基板上之步驟；(2)藉由乾燥該組成物形成組成物膜之步驟；(3)使該組成物膜曝光於輻射線之步驟；(4)烘烤該經曝光之組成物膜之步驟；以及(5)使該經烘烤之組成物膜顯影，因而形成光阻圖案之步驟。
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