JP4881686B2 - ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
4の露光機が開発されている。これらは一般によく知れている様に次式で表すことができる。
(解像力)=k1・(λ/NA)
(焦点深度)=±k2・λ/NA2
ここでλは露光光源の波長、NAは投影レンズの開口数、k1及びk2はプロセスに関係する係数である。
レーザーを光源とする露光機が検討されているが、短波長化のために露光装置に使用するレンズ素材とレジストに使用する素材が非常に限定されるため、装置や素材の製造コストや品質安定化が非常に困難であり、要求される期間内に十分な性能と安定性を有する露光装置及びレジストが間に合わない可能性が出てきている。
この「液浸の効果」は、λ0を露光光の空気中での波長とし、nを空気に対する液浸液
の屈折率、θを光線の収束半角としNA0=sinθとすると、液浸した場合、前述の解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。
(解像力)=k1・(λ0/n)/NA0
(焦点深度)=±k2・(λ0/n)/NA0 2
すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。
最近の液浸露光技術進捗が非特許文献1(SPIE Proc 4688,11(2002))、非特許文献2
(J.Vac.Sci.Tecnol.B 17(1999))、非特許文献3(SPIE Proc 3999,2(2000))等で報告されている。ArFエキシマレーザーを光源とする場合は、取り扱い安全性と193nmに
おける透過率と屈折率の観点で純水(193nmにおける屈折率1.44)が液浸液として最も有望であると考えられている。F2エキシマレーザーを光源とする場合は、157
nmにおける透過率と屈折率のバランスからフッ素を含有する溶液が検討されているが、環境安全性の観点や屈折率の点で十分な物は未だ見出されていない。液浸の効果の度合いとレジストの完成度から液浸露光技術はArF露光機に最も早く搭載されると考えられている。
また、液浸露光プロセスにおいて、スキャン式の液浸露光機を用いて露光する場合には、レンズの移動に追随して液浸液も移動しないと露光スピードの低下を招き、生産性に影響を与えることが懸念される。液浸液が水である場合においては、レジスト膜は疎水的であり、水追随性が良好であることが望まれている。
〔1〕 (A)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(C)下記一般式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表されるフッ素原子を有する繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して不溶である樹脂及び
(D)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物であって、(A)成分の樹脂がラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R 1 は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 は、フルオロアルキル基を表す。
R 3 は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R 4 〜R 7 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基又はフルオロアルコキシ基を表す。ただし、R 4 〜R 7 の内の少なくとも1つは、フッ素原子を表す。R 4 とR 5 又はR 6 とR 7 は、結合して環を形成してもよい。
R 8 は、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、脂環構造を表す。
kは、0〜3の整数を表す。
〔2〕 (A)成分の樹脂が有するラクトン基を有する繰り返し単位が、ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位(A1)であることを特徴とする上記〔1〕に記載のポジ型レジスト組成物。
〔3〕 ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位(A1)が、下記一般式(A2)で表される構造を有することを特徴とする上記〔2〕に記載のポジ型レジスト組成物。
R 1 〜R 6 は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。R 1 〜R 6 の内の少なくとも2つが、互いに結合して環構造を形成してもよい。但し、R 1 〜R 6 の内の少なくとも1つは、シアノ基又はシアノ基を有する置換基を表す。
〔4〕 ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位(A1)が、下記一般式(A6)で表される構造を有することを特徴とする上記〔2〕に記載のポジ型レジスト組成物。
R 18 は、単結合、水素原子又は置換基を表す。
L 1 は、ラクトン環の2位の炭素原子と、ラクトンの酸素原子を連結しラクトン環構造を形成する連結基を表す。
R 18 及びL 1 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
〔5〕 一般式(1−1)が、下記一般式(2−1)で表されることを特徴とする上記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
R 1 は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 3 は、水素原子又は1価の有機基を表す。
〔6〕 一般式(1−3)が、下記一般式(3−1)で表されることを特徴とする上記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
R 9 、R 10 及びR 11 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
lは、0又は1を表す。
〔7〕 更に、(E)塩基性化合物を有することを特徴とする上記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
〔8〕 更に、(F)界面活性剤を有することを特徴とする上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
〔9〕 (C)成分の樹脂の添加量が、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜5質量%であることを特徴とする上記〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
〔10〕 (B)成分の化合物が、トリフェニルスルホニウムカチオン構造を有することを特徴とする上記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
〔11〕 (D)成分の溶剤として、2種類以上の溶剤を含有し、且つ、1種類の溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする上記〔1〕〜〔10〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
〔12〕 上記〔1〕〜〔11〕のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により形成されたことを特徴とするレジスト膜。
〔13〕 上記〔12〕に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔14〕 液浸液を介してレジスト膜に露光することを特徴とする上記〔13〕に記載のパターン形成方法。
本発明は上記〔1〕〜〔14〕の構成を有するものであるが、以下その他についても参考のため記載した。
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(C)下記一般式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表されるフッ素原子を有する繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して不溶である樹脂及び
(D)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、フルオロアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R4〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基又はフルオロアルコキシ基を表す。ただし、R4〜R7の内の少なくとも1つは、フッ素原子を表す。R4とR5又はR6とR7は、結合して環を形成してもよい。
R8は、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、脂環構造を表す。
kは、0〜3の整数を表す。
R1〜R6は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。R1〜R6の内の少なくとも2つが、互いに結合して環構造を形成してもよい。但し、R1〜R6の内の少なくとも1つは、シアノ基又はシアノ基を有する置換基を表す。
R18は、単結合、水素原子又は置換基を表す。
L1は、ラクトン環の2位の炭素原子と、ラクトンの酸素原子を連結しラクトン環構造
を形成する連結基を表す。
R18及びL1は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表
す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
lは、0又は1を表す。
Xa、Xb及びXcは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。
R1aは、ラクトン構造を有する基を表す。
R2aは、水酸基又はシアノ基で置換された1価の有機基を表す。
R3aは、酸の作用により脱離する基を表す。
(9)及び(12)〜(16)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表
す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37、R36とR39とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。
Xcは、水素原子又はメチル基を表す。
R3aは、酸の作用により脱離する基を表す。
とも1種類の繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12〜R14の内の少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17〜R21の内の少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22〜R25の内の少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
R11'及びR12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子
団を表す。
AB2)であることが更に好ましい。
R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキ
ル基又はシクロアルキル基を表す。Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。
ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は、単結合又は2価の連結基を表す。
R17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又はラクトン構造を有する基を表す。
R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
nは、0又は1を表す。
Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合である。
Rp1は、上記一般式(pI)〜(pV)のいずれかの基を表す。
化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。
り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に有することができる。
有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなり得る。
い置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜7のシクロアルキ
ル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0〜
4の整数を表す。n2が、2以上の整数の時、複数存在するRb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。
R16'の内の少なくとも1つが一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表される基を
有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表される基を表す)、又は下記一般式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
Rb0のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。Rb0のアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子、メチル基が好ましい。
Abは、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単
結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは、単結合又は−Ab1−CO2−で表される連結基である。
Ab1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ま
しくは、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシル残基、アダマンチル残基、ノルボルニル残基である。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のうちのいずれかで示されるラクトン構造を有する基を表す。
Xaは、水素原子又はメチル基を表す。
R1aは、ラクトン構造を有する基を表す。
R1aのラクトン構造を有する基としては、例えば、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表されるラクトン構造から炭素原子に結合している水素原子が1個除かれることによって形成される基を挙げることができる。
R1〜R6は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。R1〜R6の内の少なく
とも2つが、互いに結合して環構造を形成してもよい。但し、R1〜R6の内の少なくとも1つは、シアノ基又はシアノ基を有する置換基を表す。
R1〜R6としてのシアノ基を有する置換基は、特に限定されず、前述の置換基にシアノ基が置換したものをあげることができ、シアノ基の炭素原子を除いて、炭素数は12以下が好ましく、6以下がより好ましい。
シアノ基は、ラクトン環に直結することが特に好ましい。
R7〜R13は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。R7〜R13の内の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Xは、−O−、−S−、−N(RN)2−、又は−(CH2)n−を表す。RNは、水素原
子又は炭素原子1〜4を有する置換基を表す。nは、1又は2を表す。
但し、R7〜R13及びXの内の少なくとも一つは、シアノ基又はシアノ基を有する基を
表す。
)として、繰り返し単位の主鎖及び側鎖のいずれかに有していればよい。
R14及びR15は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。
L2は、環構造を形成する連結基を表す。
R14、R15及びL2は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
但し、R14、R15及びL2の内の少なくとも1つは、シアノ基又はシアノ基を有する基
を表す。
ての水素原子、R14、R15としての置換基に於ける水素原子及びL2としての連結基にお
ける水素原子)の少なくとも一つを結合手(単結合)として、繰り返し単位の主鎖及び側鎖のいずれかに有していればよい。
R16及びR17は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。
L3は、環構造を形成する連結基を表す。
R16、R17及びL3は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
但し、R16、R17及びL3の内の少なくとも1つは、シアノ基又はシアノ基を有する基
を表す。
ての水素原子、R16、R17としての置換基における水素原子及びL3としての連結基にお
ける水素原子)の少なくとも一つを結合手(単結合)として、繰り返し単位の主鎖及び側鎖のいずれかに有していればよい。
R18は、単結合、水素原子又は置換基を表す。
L1は、ラクトン環の2位の炭素原子と、ラクトンの酸素原子を連結しラクトン環構造
を形成する連結基を表す。
R18及びL1は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
、R18としての置換基における水素原子及びL1としての連結基における水素原子)の少
なくとも一つを結合手(単結合)として、繰り返し単位の主鎖及び側鎖のいずれかに有していればよい。
R19〜R23は、各々独立に、単結合、水素原子又は置換基を表す。R19〜R23の内の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
一般式(A3)〜(A7)に於けるシアノ基を有する置換基は、一般式(A2)におけるものと同様である。
一般式(A2)〜(A7)に於ける、少なくとも2つの置換基が互いに結合して形成する環構造としては、例えば、5〜6員環を挙げることができる。環構造は、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
一般式(A4)〜(A5)に於ける、L2、L3が形成する環構造としては、例えば、ノルボルナン構造を挙げることができる。環構造は、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
Raは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子1〜4のアルキル基を表す。
Lacは、一般式(A2)〜(A7)のいずれかで表される構造を表す。
得ることが出来る。得られたエポキシドを酸性条件で処理することでヒドロキシラクトンへと導き、生じた水酸基に重合性基をつけることで効率良くモノマーを得ることが出来る。モノマー化は、任意のエステル化反応を用いてよい。
Scheme2におけるラクトン化は、一般的なラクトン化反応を用いてよい。例えばハロラ
クトン化反応を挙げることが出来、好ましくはヨードラクトン化反応を挙げることが出来る。得られたヨードラクトンのヨウ素原子を、重合性基を含む置換基へと置換することで、モノマーへと導くことが出来る。
Xbは、水素原子又はメチル基を表す。
R2aは、水酸基又はシアノ基で置換された有機基を表す。
R2aの水酸基又はシアノ基で置換された有機基としては、少なくとも1個の水酸基又はシアノ基で置換されたアルキル基、少なくとも1個の水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素基を挙げることができ、少なくとも1個の水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素基が好ましい。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で残りが水素原子であり、更に好ましくはR2c〜R4cの内の2つが、水酸基で残りが水素原子である。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
R2c〜R4cは、一般式(VIIa)に於けるR2c〜R4cと同義である。
Z2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又
は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す
。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。
これを有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を初めとした、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてアルカリ可溶性基を導入したポリマー鎖の末端の繰り返し単位のいずれも好ましく、連結基は、単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Rxaは、水素原子または有機基(好ましくは酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基)を表す。
てもよく、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。
R50〜R55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。
Rxは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rxのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Faは、単結合、直鎖または分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合である。
Fbは、単環または多環の環状炭化水素基を表す。
Fcは、単結合、直鎖または分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合又はメチレン基である。
F1は、一般式(F1)で表される基を表す。
p1は、1〜3を表す。
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
クリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
(1) 上記一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの(側鎖型)。好ましくは(pI)〜(pV)の構造を有する(メタ)アクリレートによる繰り返し単位を有するもの。
(2) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位を有するもの(主鎖型)。但し
、(2)においては、例えば、更に以下のものが挙げられる。
(3) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体構造及
び(メタ)アクリレート構造を有するもの(ハイブリッド型)。
量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましくは20〜50モル%である。
下が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以下である。
本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート、繰り返し単位のすべてがアクリレート、メタクリレート/アクリレート混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。より好ましくは一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位20〜50モル%、上記ラクトン構造を含有する繰り返し単位20〜50モル%、上記極性基で置換さ
れた脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位5〜30モル%含有する3元共重合ポリマー、または更にその他の繰り返し単位を0〜20モル%含む4元共重合ポリマーである。
特に好ましい樹脂としては、下記一般式(ARA-1)〜(ARA-5)で表される酸分解性基を有する繰り返し単位20〜50モル%、下記一般式(ARL-1)〜(ARL-6)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位20〜50モル%、下記一般式(ARH-1)〜(ARH-3)で表される極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位5〜30モル%含有する3元共重合ポリマー、または更にカルボキシル基、あるいは一般式(F1)で表される構造を有する繰り返し単位、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を5〜20モル%含む4元共重合ポリマーである。
(式中、Rxy1は水素原子またはメチル基、Rxa1、Rxb1はメチル基またはエチル基を表す。)
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。
分散度(分子量分布)は、通常1〜5であり、好ましくは1.2〜3.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
樹脂中に含まれるメタル成分の含有量を低減する方法としては、例えば、(A)成分の樹脂を溶剤に溶解させて溶液とし、イオン交換フィルターにより濾過する方法を挙げることができる。
また、本発明において、(A)成分の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明のポジ型レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
り酸を発生する化合物も使用することができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。
X-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオ
ン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン、BF4-、PF6-、SbF6-などが挙げられ、好ましくは炭素原子を有する有機アニオンである。
Rc1は、有機基を表す。
Rc1における有機基として、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは置換して
いてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−などの連結基で連結された基を挙げることができる。
Rd1は、水素原子又はアルキル基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5は、各々独立に、有機基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5の有機基としては、Rc1における好ましい有機基と同じものを挙げることができ、好ましくは、炭素数1〜4のパーフロロアルキル基である。
Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。
Rc3とRc4が結合して形成される基としてはアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基である。
Rc1及びRc3〜Rc5の有機基として、好ましくは1位がフッ素原子またはフロロア
ルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。また、Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し、好ましい。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1
〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
R201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基は、炭素数1〜12の直鎖又は分岐状アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、より好ましくは、直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、更により好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
ル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基がより好ましい。
R201〜R203としての直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基としては、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を
含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるX-の非求核性アニオンと
同様のものである。
R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
R1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐状アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基がより好ましい。
直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基は、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。
R204〜R207のアルキル基は、直鎖、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R204〜R207のシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
R204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
X-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるX-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R206は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
R207a及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電
子吸引性基を表す。R207aとして好ましくは、アリール基である。R208として好ましく
は、電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
酸発生剤の含量は、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜8質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、下記一般式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表されるフッ素原子を有する繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して不溶である樹脂(「(C)成分の樹脂」ともいう)を含有する。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、フルオロアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R4〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基又はフルオロアルコキシ基を表す。ただし、R4〜R7の内の少なくとも1つは、フッ素原子を表す。R4とR5又はR6とR7は、結合して環を形成してもよい。
R8は、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、脂環構造を表す。
kは、0〜3の整数を表す。
ラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液に対する溶解速度は0.1nm/s以下であること
が好ましい。
上述のアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ化アルコール基、スルホン酸基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基などが挙げられる。
ルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基等を挙げることができる。
R1は、水素原子であることが好ましい。
R2のフルオロアルキル基としては、例えば、上記炭素数1〜5の直鎖状又は分岐状ア
ルキル基にフッ素原子が少なくとも1つ置換した基を挙げることができ、パーフルオロアルキル基が好ましい。
R2は、トリフルオロメチル基であることが好ましい。
R3の1価の有機基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、シ
クロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、フルオロアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、フルオロシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜15)、フルオロアリール基(好ましくは炭素数6〜15)、アシル基(好ましくは炭素数2〜15)及びアルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)よりなる群から選ばれる単独、或いはこれらの2つ以上の基を直接若しくは2価の連結基を介して結合させた基を挙げることができる。
Lの2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基及びウレア基よりなる群から選択される単独、あるいはこれらの2つ以上の基の組み合わせを挙げることができる。
一般式(1−2)に於ける、R4〜R7のアルキル基、フルオロアルキル基としては、一般式(1−1)に於ける、R1のアルキル基、フルオロアルキル基と同様のものを挙げる
ことができる。
R4〜R7のアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基等を挙げることができる。
R4〜R7のフルオロアルコキシ基としては、例えば、上記炭素数1〜5のアルコキシ基にフッ素原子が少なくとも1つ置換した基を挙げることができる。
一般式(1−3)に於ける、R8の有機基としては、一般式(1−1)に於ける、R3の
有機基と同様のものを挙げることができる。
Rfのフッ素原子を有する1価の有機基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換された直鎖若しくは分岐状アルキル基(好ましくは炭素数1〜10)、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)を挙げることができる。
Lの2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基及びウレア基よりなる群から選択される単独、あるいはこれらの2つ以上の基の組み合わせを挙げることができる。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表
す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
lは、0又は1を表す。
R9、R10及びR11の1価の有機基としては、一般式(1−1)に於ける、R3の1価の有機基と同様のものを挙げることができる。
(C)成分の樹脂は、一般式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂中1〜100モル%であることが好ましく、20〜100モル%であることがより好ましく、50〜100モル%であることが特に好ましい。
ただし、上記一般式(1−1)〜(1−3)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位は、アルカリ可溶性基や、酸やアルカリ現像液の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基を含まない。
、より好ましくは、1000〜50,000であり、更により好ましくは、1000〜2
0,000である。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。重合開始剤とともにチオール化合物などの連鎖移動剤を併用してもよい。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは20〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。
反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒(貧溶媒)を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10〜5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。
本発明のポジ型レジスト組成物は、上記の成分を所定の溶剤に溶解して用いる。
(S1)水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤。
(S2)エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤とを混合した混合溶剤。
(S3)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤とを混合した混合溶剤。
(S4)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤とを混合した混合溶剤。
(S5)エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤とを混合した混合溶剤。
これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減でき、また、塗布時の欠陥の発生を抑制することができる。
クロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンがより好ましい。
エステル構造を有する溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、酢酸ブチルなどが挙げられ、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
ラクトン構造を有する溶剤としては、例えば、γ−ブチロラクトンが挙げられる。
カーボネート構造を有する溶剤としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートが挙げられ、好ましくはプロピレンカーボネートである。
エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは40/60〜80/20である。エステル構造を有する溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、70/30〜99/1、好ましくは80/20〜99/1、更に好ましくは90/10〜99/1である。エステル構造を有する溶剤を70質量%以上含有する混合溶剤が経時安定性の点で特に好ましい。
エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80重量%、ラクトン構造を有する溶剤を1〜20重量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60重量%含有することが好ましい。
エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80重量%、カーボネート構造を有する溶剤を1〜20重量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60重量%含有することが好ましい。
とが好ましい。
本発明のポジ型レジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減あるいは、露光によって発生した酸の膜中拡散性を制御するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
〜20のアルキル、炭素数3〜20のシクロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジオクチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)−p−トルイジン等を挙げることができる。
塩基性化合物としてより好ましくはアニリン誘導体であり、特に好ましくは窒素原子または芳香環上に炭素数1〜20のアルキル基または水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキル基で置換されたアニリン誘導体である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、更に、界面活性剤を含有することが好ましく、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。
田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)、PF636(OMNOVA社製)、PF656(OMNOVA社製)、PF6320(OMNOVA社製)、PF6520(OMNOVA社製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有
するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
くは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、溶解阻止化合物を含有することができる。
溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を有するコール酸誘導体の様な、
酸分解性基を有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
溶解阻止化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。
溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型レジスト組成物の固形分に対し、好ましくは1〜30質量%であり、より好ましくは2〜20質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、酸分解性樹脂に対して2〜50質量%であり、さらに好ましくは5〜30質量%である。現像残渣抑制、現像時パターン変形防止の点で50質量%以下が好ましい。
このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開平2−28531号、米国特許第4916210号、欧州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としては、コール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
ポジ型レジスト組成物中に含まれる金属不純物の含有量を低減する方法としては、例えば、ポジ型レジスト樹脂を溶剤に溶解させて溶液とし、イオン交換フィルターにより濾過する方法を挙げることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物の製造方法として、例えば、(A)成分の樹脂を含む溶液をイオン交換フィルターにより濾過する工程、次いで溶液に光酸発生剤及び必要に応じて有機塩基性化合物、界面活性剤等を加えて混合液を調製する工程、次いで混合液を不溶コロイド除去フィルターにより濾過する工程を含むポジ型レジスト組成物の製造方法を挙げることができる。
有機高分子一般の金属不純物の低減法としては、分液洗浄、酸性イオン交換樹脂又はキレート樹脂での処理等が知られているが、酸を用いた処理をする場合、酸分解性化合物を含有するレジスト組成物に於いては、一般に、金属不純物を効率的に処理するとともに処理中での安定性を保持することが困難であり、好ましくない。
露光量は適宜設定できるが、通常1〜100mJ/cm2である。露光後、好ましくはスピンまたは/かつベークを行い、現像、リンスを行い、パターンを得る。
挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)、電子ビームが好ましい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
現像時間は30〜90秒が好ましい。
(a) 被加工基板上に有機材料からなる下層レジスト層を形成する。
(b) 下層レジスト層上に中間層及び放射線照射で架橋もしくは分解する有機材料からなる上層レジスト層を順次積層する。
(c) 該上層レジスト層に所定のパターンを形成後、中間層、下層及び基板を順次エッチングする。
中間層としては、一般にオルガノポリシロキサン(シリコーン樹脂)あるいはSiO2塗布液(SOG)が用いられる。下層レジストとしては、適当な有機高分子膜が用いられるが、各種公知のフォトレジストを使用してもよい。たとえば、フジフイルムアーチ社製FHシリーズ、FHiシリーズ或いは住友化学社製PFIシリーズの各シリーズを例示することができる。
下層レジスト層の膜厚は、0.1〜4.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜2.0μmであり、特に好ましくは0.25〜1.5μmである。0.1μm以上とすることは、反射防止や耐ドライエッチング性の観点で好ましく、4.0μm以下と
することはアスペクト比や、形成した微細パターンのパターン倒れの観点で好ましい。
下記構造式で表されるmonomer-1、monomer-2、monomer-3を50/20/30の割合(モル比)
で仕込み、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)/PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)=7/3(質量比)に溶解し、固形分濃度15質量%の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V−601を1mol%加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100℃に加熱したPGMEA(プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)/PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)=7/3(質量比)の混合溶液50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、ヘキサン/酢酸エチル=9/1の混合溶媒5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂(15)を回収した。
NMRから求めたポリマー組成比(モル比)は、50/20/30であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、8300、分散度は、1.8であった。
α-トリフルオロメタクリル酸メチルとノルボルネンを50/50の割合(モル比)で
仕込み、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、固形分濃度22質量%の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬工業(株)製重合開始剤V−601を5mol%加え、これを窒素雰囲気下、2時間かけて80℃に加熱したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート50mLに滴下した。滴下終了後、2時間撹拌し、反応液を得た。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、10倍量のヘキサン/酢酸エチル=90/10の混合溶媒に晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂(C−1
−1)を回収した。
13CNMRから求めた樹脂(C−1−1)の組成比(モル比)は、50/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は13200、分散度は2.2であった。
1Lオートクレーブ中に2−ヘキサフルオロプロパニル−(5−ノルボルネン)−2−カルボキシレート57.6g(0.20モル)の1,1,2−トリクロロ−トリフルオロエチレン150ml溶液を入れ、窒素雰囲気下200psiに加圧した。更にテトラフルオロエチレン20g(0.20モル)を注入し、撹拌下、50℃に加熱した。この反応液にジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート1.2gの1,1,2−トリクロロ−トリフルオロエチレン15ml溶液を20分かけて注入し、更に20時間撹拌を続けた。反応終了後、反応液をメタノール2L中に激しく撹拌しながら投入し、白色粉体状の樹脂(C−9)を析出させた。
得られた樹脂(C−9)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定による重量平均分子量は15000、分散度は2.7であった。また、1H−NMR、13C−NMRおよび19F−NMRから求めたポリマー組成比は50/50であった。
<レジスト調製>
下記表3〜6に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度7質量%の溶液を調製し、これを0.1mのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果を表3〜6に示した。尚、表3〜6における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。
(露光条件(1))
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、表7〜8に示すPB温度で、60秒間ベークを行い、250nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75、o/i=0.85/0.55)を用いてパターン露光した。その後、表7〜8に示すPEB温度で、90秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で表7〜8に示す時間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
本条件は、純水を用いた液浸露光法によりレジストパターンを形成するものである。
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、表7〜8に示すPB温度で、60秒間ベークを行い、250nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナー(NA0.75)を用い、パターン露光した。液浸液としては、超純水を使用した。その後、表7〜8に示すPEB温度で、80秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で表7〜8に示す時間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
得られたパターンのプロファイルを、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)にて観察して評価した。また、パターンプロファイルの(a)パターントップ部、(b)パターン中腹部、(c)パターン-基板界面の3点におけるパターン断面の線幅を測定し、(a)〜(c)の線幅差が5%未満のものを「矩形」、(a)の線幅が(b)よりも5%以上小さく、かつ(b)の線幅が(c)よりも5%以上小さいものを「順テーパー」、(a)の線幅が(b)よりも5%以上大きく、かつ(b)の線幅が(c)よりも5%以上大きいものを「逆テーパー」、(a)と(b)の線幅差が5%未満であり、かつ(b)の線幅が(c)よりも5%以上大きいものを「フッティング」、(b)と(c)の線幅差が5%未満であり、かつ(a)の線幅が(b)よりも5%以上大きいものを「T−Top」とそれぞれ定義した。
〔水追随性〕
シリコンウエハー上に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、115℃で、60秒間ベークを行い、200nmのレジスト膜を形成した。次に、図1に示すように、得られたポジ型レジスト溶液塗布済ウェハー1の中心部に蒸留水15mlをピペットで垂らした。その蒸留水パドル上へ凧糸2付きの10cm角石英板3を乗せてウェハー1と石英板3のすき間全面を蒸留水4で満たす状態にした。
次に、ウェハー1を固定した状態で石英板3に付いた凧糸2を速度20cm/秒で回転
するモーター5の回転部に巻きつけ、0.5秒間モーター5のスイッチを入れて石英板3を移動させた。石英板3の移動後、石英板3の下に残った蒸留水の量を次のような基準で判断し、水追随性の指標とした。
図2中、(a)〜(d)は、石英板移動後、石英板3を上から観察した様々なパターンを模式的に示したものであり、斜線部6は石英板3の下に残った蒸留水の領域を、空白部7は石英板3の移動に蒸留水が追従できず空気が入ってしまった領域である。
(a)に示すように石英板移動後も基板全面に水が残っているものを水追随性◎、(b)に示すように空気の入る面積が全基板面積に対して1割程度に留まるものを水追随性○、(c)に示すように空気の入る面積が全基板面積に対して2割以上5割未満のものを水追随性△、(d)に示すように空気の入る面積が全基板面積に対して5割以上のものを水追随性×とした。
酸発生剤は先に例示したものに対応する。
N−2:N,N−ジヘキシルアニリン
N−3:2,6−ジイソプロピルアニリン
N−4:トリ−n−オクチルアミン
N−5:N,N−ジヒドロキシエチルアニリン
N−6:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
N−7:トリエタノールアミン
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
W−5:PF656(OMNOVA社製、フッ素系)
W−6:PF6320(OMNOVA社製、フッ素系)
W−7:PF6520(OMNOVA社製、フッ素系)
SL−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
SL−3:乳酸エチル
SL−4:プロピレングリコールモノメチルエーテル
SL−5:γ−ブチロラクトン
SL−6:プロピレンカーボネート
2 凧糸
3 石英板
4 蒸留水
5 モーター
6 石英板の下に蒸留水が残った領域
7 石英板の下に空気が入った領域
Claims (14)
- (A)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(C)下記一般式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表されるフッ素原子を有する繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して不溶である樹脂及び
(D)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物であって、(A)成分の樹脂がラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、フルオロアルキル基を表す。
R3は、水素原子又は1価の有機基を表す。
R4〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基又はフルオロアルコキシ基を表す。ただし、R4〜R7の内の少なくとも1つは、フッ素原子を表す。R4とR5又はR6とR7は、結合して環を形成してもよい。
R8は、水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する1価の有機基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、脂環構造を表す。
kは、0〜3の整数を表す。 - (A)成分の樹脂が有するラクトン基を有する繰り返し単位が、ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位(A1)であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
- 更に、(E)塩基性化合物を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 更に、(F)界面活性剤を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- (C)成分の樹脂の添加量が、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜5質量%であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- (B)成分の化合物が、トリフェニルスルホニウムカチオン構造を有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- (D)成分の溶剤として、2種類以上の溶剤を含有し、且つ、1種類の溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1〜11のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により形成されたことを特徴とするレジスト膜。
- 請求項12に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 液浸液を介してレジスト膜に露光することを特徴とする請求項13に記載のパターン形成方法。
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