JP2002322132A - 新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物 - Google Patents
新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物Info
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Abstract
エッチング性に優れる感放射線レジストの基材樹脂成分
として有用な重合体を与えることができる低コストの不
飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト
組成物を提供する 【解決手段】 一般式 【化1】 (式中のR1は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基
又はフッ化低級アルキル基、R2はフッ素原子又はフッ
化低級アルキル基、R3は非芳香族多環式炭化水素基、
R4は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基又はフッ
化低級アルキル基である)で表わされる不飽和カルボン
酸エステル、及び(a)一般式(I)で表わされる不飽
和カルボン酸エステルの重合体又は共重合体、(b)感
放射線性酸発生剤、及び(c)有機溶剤を含有してなる
ホトレジスト組成物とする。
Description
下の放射線、例えばArFエキシマレーザー光、F2レ
ーザー光、VUV(真空紫外線)、EUV(極紫外線)
などに対して、優れた透明性を有する感放射線レジスト
を製造するためのモノマーとして有用な新規な不飽和カ
ルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物
に関するものである。
まり、すでにデザインルール0.20μmのLSIが量
産されており、また、デザインルール0.15μmのL
SIの生産計画も急ピッチで進められている。さらに、
このような半導体リソグラフィー技術においては、レジ
ストとして化学増幅型のポジ型又はネガ型レジストを採
用することにより、あるいはこれらと有機又は無機の反
射防止膜とを組み合わせることにより、さらにはハーフ
トーンマスクやレベンソンマスクなどの露光用マスクの
工夫や輪帯照明、スキャン方式、レンズの高NA(N
A;レンズの開口数)化などの露光装置の工夫により、
デザインルール0.13μm付近まで実用化されようと
している。
は次次世代のリソグラフィープロセスとしては、ArF
エキシマレーザー光(193nm)、F2レーザー光
(157nm)、Ar2レーザー光(126nm)のよ
うな真空紫外線(VUV)や極紫外線(EUV;13n
m)のような200nm以下の放射線を光源に用いるリ
ソグラフィープロセスが有力である。
ーに好適なレジストの設計においては、これまでのKr
Fレジストと同様に、まずレジストパターンの解像性や
耐ドライエッチング性を決定する大きなファクターであ
る基材樹脂の透明性を上げ、かつ耐ドライエッチング性
が優れた構造とすることが必要である。
鎖に多環式炭化水素基をもつ樹脂が研究され、これまで
アクリル酸エステルのα炭素原子にトリフルオロ基を導
入した含フッ素メタクリル酸エステルモノマーを用いた
含フッ素重合体や(特開昭61−190511号公報、
特開昭64−43512号公報、特開平3−26195
2号公報、特開平4−42229号公報、特開平4−5
2648号公報)、α‐トリフルオロメチル‐1‐アダ
マンチルアクリレートの単独重合体又は共重合体が提案
されている(特開平9−43848号公報)。
リフルオロ基を有するアクリル酸エステルは、これを重
合させて所望の感放射線性レジスト用重合体を製造する
場合、ラジカル重合では反応せず、n‐ブチルリチウム
やピリジンを触媒として用いるアニオン重合によっての
み反応するため、重合方法の選択の余地が少ない上に、
得られる重合体は、いずれもアクリル酸エステル単位を
主鎖に有し、側鎖に多環式炭化水素基をもつ樹脂である
ため、200nm以下の短波長に対する透明性が不十分
になるという欠点がある。
者らは、先に一般式
mは0又は1である)で表わされる多環式不飽和炭化水
素誘導体を提案した(特願2000−148976)。
合体は、ノルボルネン環を主鎖に有する重合体であるた
め、アクリル系重合体のような側鎖に耐ドライエッチン
グ性向上基を有する重合体に比べ、耐ドライエッチング
性は高いという長所はあるが、この化合物自体はシクロ
ペンタジエンやジシクロペンタジエンからディールスア
ルダー反応を用いる煩雑な方法により製造しなければな
らないため、コスト高になるのを免れない。したがっ
て、このような重合体に代えて、アクリル系重合体のよ
うに入手しやすいモノマーからラジカル重合により簡単
に製造しうる重合体が求められている。
事情のもとで、容易に重合可能で、かつ透明性及び耐ド
ライエッチング性に優れる感放射線レジストの基材樹脂
成分として有用な重合体を与えることができる低コスト
の不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジ
スト組成物を提供することを目的としてなされたもので
ある。
0nm以下の放射線に対する透明性が優れ、かつ耐ドラ
イエッチング性の良好な感放射線レジストとして有用
な、ノルボルネン環を主鎖に有する重合体に代わるべき
アクリル系重合体を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、アクリル酸又はα位置が置換されたアクリル酸と、
α位置が非芳香族多環式炭化水素基及びフッ素化低級ア
ルキル基で置換された低級アルコールとのエステルは、
製造コストが低く、しかも透明性及び耐ドライエッチン
グ性に優れた感放射線レジストの基材樹脂として好適な
重合体を与えることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
又はフッ化低級アルキル基、R2はフッ素原子又はフッ
化低級アルキル基、R3は非芳香族多環式炭化水素基、
R4は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基又はフッ
化低級アルキル基である)で表わされる不飽和カルボン
酸エステル、及び(a)一般式(I)で表わされる不飽
和カルボン酸エステルの重合体又は共重合体、(b)感
放射線性酸発生剤、及び(c)有機溶剤を含有してなる
ホトレジスト組成物を提供するものである。
される不飽和カルボン酸エステルは、文献未載の新規な
化合物であって、それを重合すれば、波長200nm以
下の放射線に対する透明性が優れ、かつ耐ドライエッチ
ング性の良好な感放射線レジストの基材樹脂が得られ
る。なお、このような不飽和カルボン酸エステルをモノ
マーに用いた重合体の透明性が向上することは、分子軌
道法による計算において、理論上確認されている。
ッ素原子、低級アルキル基又はフッ化低級アルキル基で
あるが、低級アルキル基としては、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基などを挙げることができる。フッ化
低級アルキル基としては、上記低級アルキル基の完全又
は部分フッ化物、例えばトリフルオロメチル基などを挙
げることができる。そして、アクリル酸、メタクリル酸
が安価で、かつ容易に入手可能で、モノマーとしてポリ
マー化する際、ラジカル重合、アニオン重合、リビング
アニオン重合など多種多様の重合法を用いることがで
き、より安価で簡単な方法で製造可能となることから、
R1としては、特に水素原子又はメチル基が好ましい。
また、R1について、これをフッ素原子やトリフルオロ
メチル基にすると、波長200nm以下の放射線、特に
F2レーザーに対する透明性がより向上するので、所望
ならばこれらの基を導入してもよい。ただし、この場合
にはアニオン重合以外の方法ではポリマー化できないと
いう問題が生じる。
ルキル基であるが、この基は、電子吸引性であり、この
ような基を有することにより一般式(I)で表わされる
モノマーを用いて得られたポリマーは、200nm以下
の放射線、特にF2レーザーに対する透明性が向上す
る。フッ化低級アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基のような低級アルキル基の水素原子の一
部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
フッ素原子が多いほど電子吸引性が大きく、透明性が向
上することから、水素原子の全部がフッ素置換された低
級アルキル基が好ましい。特に好ましいものは、トリフ
ルオロメチル基である。
あり、耐ドライエッチング性を向上させる役割を果す。
このような目的の非芳香族多環式炭化水素基は、これま
でArFレジストにおいて多数知られているので、それ
らの中から任意に選択して用いることができる。具体的
には、ノルボルニル基やアダマンチル基のようなビシク
ロアルカンやトリシクロアルカンから水素原子を除いた
基が挙げられる。特に、アダマンチル基が容易にかつ安
価に入手できるので好ましい。一方、R4は水素原子、
フッ素原子、低級アルキル基又はフッ化低級アルキル基
であり、低級アルキル基又はフッ化低級アルキル基の例
としては、R1と同様な基が挙げられる。
ボン酸エステルの中で、特に好ましいのは、一般式
合物である。
ち、R4が水素原子又は低級アルキル基の場合、例えば
一般式(Ia)の化合物は、一般式 R3−CO−R5 (II) (式中のR3は前記と同じ意味をもち、R5は水素原子又
は低級アルキル基である)で表わされる非芳香族多環式
炭化水素基をもつケトン又はアルデヒド化合物を出発原
料として用い、これを例えば公知方法[「ジャーナル・
オブ・アメリカン・ケミカルソサエティ(J.Am.C
hem.Soc.)」,第111巻,第393〜395
ページ(1989)及び「ジャーナル・オブ・オーガニ
ック・ケミストリー(J.Org.Chem.)」,第
64巻,第2873〜2876ページ(1999)参
照]により、以下の反応式に従って、先ず、フッ素イオ
ンを生成可能な触媒、例えばフッ化セシウム、tert
‐ブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウムなど
の存在下、一般式 R3Si−R2 (IIa) (式中のRは低級アルキル基、R2は前記と同じ意味を
もつ)で表わされるトリアルキル・フルオロアルキルシ
ランを反応させて、一般式
表わされる第三アルコールを製造し、次いでこれを一般
式 H2C=CR1−CO−OH (VI) (式中のR1は前記と同じ意味をもつ)で表わされるア
クリル酸又はα位が低級アルキル基、フッ素原子又はフ
ッ化低級アルキル基で置換されたアクリル酸、例えばメ
タクリル酸の反応性誘導体、例えば酸ハライドと反応さ
せることによって得ることができる。
もち、Xはハロゲン原子である)
ルキル基の場合、すなわち、一般式(Ib)や(Ic)
の化合物の場合、非芳香族多環式炭化水素基をもつグリ
ニャール試薬を出発原料として用い、これを例えば公知
方法[「ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエン
ス・テクノロジー(J.Photopolymer.S
ci.Technol.)」,第13巻,No.4,第
657〜664ページ(2000)参照]により、反応
式 R3−Mg−Br + R2−CO−R6 → R3−CR
2R6−OH (式中のR2及びR3は前記と同じ意味をもち、R6はフ
ッ素原子又はフッ化低級アルキル基である)に従って、
先ず、α位にフッ素原子又はフッ化低級アルキル基と非
芳香族多環式炭化水素基を有する第三アルコールを製造
し、次いで一般式(I)の化合物と同様に、これをアク
リル酸又はα位が低級アルキル基、フッ素原子又はフッ
化低級アルキル基で置換されたアクリル酸、例えば酸ハ
ライドと反応させることによって得ることができる。
エステルは、単独で重合させるか、あるいは他のアクリ
ル系モノマーと共重合させ、これと(b)感放射線性酸
発生剤、所望に応じてアミン類又はカルボン酸やリンの
オキソ酸などの酸類、あるいはこれらの両方、界面活性
剤などを(c)有機溶剤に溶解することにより、ArF
エキシマレーザー光(193nm)、F2レーザー(1
57nm)、Ar2レーザー(126nm)、極端紫外
線(波長13nm)のような波長200nm以下の放射
線に感応するホトレジスト組成物とすることができる。
アクリル系モノマーと共重合させる場合、他のアクリル
系モノマーの例としては、
水酸基やラクトンのような親水性基を有する非芳香族の
単環式又は多環式炭化水素基を有するアクリル系モノマ
ー、及び
キル基である)のような酸解離性の非芳香族の多環式炭
化水素基を有するアクリル系モノマーなどが挙げられ
る。その際の配合比はそれぞれの単位が10ないし40
モル%の範囲で選ばれる。
オンにフッ素化アルキルスルホン酸イオンをもつヨード
ニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩、具体的に
は、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、(4‐メトキシフェニル)フェニルヨードニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ビス(4‐tert−
ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、(4‐メトキシフェニル)ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、(4‐
tert‐ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4‐ter
t‐ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロブタン
スルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ
ブタンスルホネートなどのオニウム塩が挙げられ、なか
でもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとす
るオニウム塩が好ましい。この(b)成分は、不飽和カ
ルボン酸エステルの重合体又は共重合体[(a)成分]
100質量部に対し、1〜30質量部、好ましくは1〜
10質量部の割合で配合される。
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソアミルケトン、2‐ヘプタノンなどのケトン類や、
エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノ
アセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコ
ールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジ
プロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モ
ノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価
アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環
式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシ
プロピオン酸エチルなどのエステル類が挙げられる。こ
の(c)成分は、(a)成分100質量部に対し、70
0〜1500質量部、好ましくは800〜1200質量
部の割合で用いられる。さらに、本発明のホトレジスト
組成物には所望に応じアミン酸や有機カルボン酸類を含
有させることができるが、この場合、それらは(a)成
分100質量部に対し、0.01〜5質量部の割合で用
いられる。
の特有の構造から、酸の作用により分解するため、酸脱
離性溶解抑制基含有モノマーとしても有用である。
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。
ル)とトリフルオロメチルトリメチルシラン(CF3−
TMSi)7.3g(0.05モル)をエチレングリコ
ールジメチルエーテル100mlに溶解し、0℃に保持
しながらCsF0.76g(0.005モル)を加え、
十分撹拌した。その後、室温で24時間反応させたの
ち、10M塩酸を100ml加え、60℃に保持し、1
2時間反応させた。次いでジエチルエーテルにより抽出
後、硫酸ナトリウムを加え、乾燥した。エーテルを留去
後、減圧蒸留することにより白色の固体として1‐トリ
フルオロメチル‐1‐(1‐アダマンチル)エタノール
10g(収率76%)を得た。このもののプロトンNM
R及び赤外吸収スペクトルを以下に示す。 プロトンNMR(溶媒CDCl3) δ=1.3(s,3H,CH3),1.65−2.1
(m,16H) 赤外吸収スペクトル(neat) −OH:3490cm-1,−CF:1166−1045
cm-1
ル‐1‐(1‐アダマンチル)エタノール7.4g
(0.03モル)とトリエチルアミン3.0g(0.0
3モル)をジエチルエーテル50mlに溶解し、氷浴中
で十分撹拌し、これにメタクリル酸クロリド3.1g
(0.03モル)を溶解したジエチルエーテル20ml
溶液を滴下した。さらに0℃で24時間撹拌し反応させ
た。次いで反応溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液3
0mlで3回洗浄後、適当量の硫酸ナトリウムを加え、
乾燥した。エーテルを留去後、減圧蒸留することにより
透明の液体として、式
マンチル)エタノールのメタクリル酸エステル5.0g
(収率53%)を得た。このもののプロトンNMRと赤
外吸収スペクトルを以下に示す。 プロトンNMR(溶媒CDCl3) δ=1.3(s,3H,CH3),1.65−2.1
(m,18H),5.8(s,1H),6.2(s,1
H) 赤外吸収スペクトル(neat) −CO−:1722cm-1,−CF:1167−105
4cm-1
て優れた物性、特にF2レーザーに対する透明性をもつ
重合体のモノマーとして有用な新規化合物が得られる。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (式中のR1は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基
又はフッ化低級アルキル基、R2はフッ素原子又はフッ
化低級アルキル基、R3は非芳香族多環式炭化水素基、
R4は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基又はフッ
化低級アルキル基である)で表わされる不飽和カルボン
酸エステル。 - 【請求項2】 式中のR1が水素原子、R2がフッ化低級
アルキル基、R4が水素原子又は低級アルキル基である
請求項1記載の不飽和カルボン酸エステル。 - 【請求項3】 式中のR1がメチル基、R2がフッ化低級
アルキル基、R4が水素原子又は低級アルキル基である
請求項1記載の不飽和カルボン酸エステル。 - 【請求項4】 式中のR3がアダマンチル基である請求
項1、2又は3記載の不飽和カルボン酸エステル。 - 【請求項5】 式中のR2がトリフルオロメチル基であ
る請求項1ないし4のいずれかに記載の不飽和カルボン
酸エステル。 - 【請求項6】 一般式 【化2】 (式中のR11は水素原子又はメチル基である)で表わさ
れる請求項1ないし5のいずれかに記載の不飽和カルボ
ン酸エステル。 - 【請求項7】 (a)一般式 【化3】 (式中のR1は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基
又はフッ化低級アルキル基、R2はフッ素原子又はフッ
化低級アルキル基、R3は非芳香族多環式炭化水素基、
R4は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基又はフッ
化低級アルキル基である)で表わされる不飽和カルボン
酸エステルの重合体又は共重合体、(b)感放射線性酸
発生剤、及び(c)有機溶剤を含有してなるホトレジス
ト組成物。
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