JPH1069072A - リソグラフィー用下地材 - Google Patents
リソグラフィー用下地材Info
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- JPH1069072A JPH1069072A JP24405096A JP24405096A JPH1069072A JP H1069072 A JPH1069072 A JP H1069072A JP 24405096 A JP24405096 A JP 24405096A JP 24405096 A JP24405096 A JP 24405096A JP H1069072 A JPH1069072 A JP H1069072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- acrylic resin
- bis
- lithography
- alkali
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コンフォーマル性、反射防止効果に優れ、良好
なレジストパターンを形成できるリソグラフィー用下地
材を提供すること。 【解決手段】重量平均分子量５００，０００〜２，００
０，０００のアルカリ不溶性アクリル系樹脂及び高吸光
性物質、さらに必要に応じ、少なくとも２個の架橋形成
官能基をもつトリアジン化合物を含有するリソグラフィ
ー用下地材。
なレジストパターンを形成できるリソグラフィー用下地
材を提供すること。 【解決手段】重量平均分子量５００，０００〜２，００
０，０００のアルカリ不溶性アクリル系樹脂及び高吸光
性物質、さらに必要に応じ、少なくとも２個の架橋形成
官能基をもつトリアジン化合物を含有するリソグラフィ
ー用下地材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なリソグラフィー
用下地材、さらに詳しくは、コンフォーマル性及び基板
からの乱反射や定在波の影響を抑制でき、反射防止効果
に優れ、良好なレジストパターンを形成できるリソグラ
フィー用下地材に関する。
用下地材、さらに詳しくは、コンフォーマル性及び基板
からの乱反射や定在波の影響を抑制でき、反射防止効果
に優れ、良好なレジストパターンを形成できるリソグラ
フィー用下地材に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体デバイスの製造において、ホ
トレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加
工が行われている。前記微細加工はシリコンウエーハの
上にホトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導
体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介し
て紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたレ
ジストパターンを保護膜としてシリコンウエーハをエッ
チング処理する加工法である。ところが、近年、半導体
デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もｉ
線（３６５ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）へと短波長化される傾向にある。これに伴い活性
光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題と
なり、それを解決するリソグラフィー用下地材として、
例えば、特開昭５９−９３４４８号公報にはクルクミ
ン、ピクリシン、クマリンから選ばれる染料、ポリアミ
ン酸重合体を含有する下地材が、特公平３−６７２６１
号公報にはジフェニルアミン誘導体とメラミン誘導体と
を酸触媒の存在下で重合した樹脂と高吸光性物質を含有
する下地材などが提案されている。しかしながら、前記
リソグラフィー用下地材は紫外線吸収剤と樹脂成分との
相容性が十分でなく配合できる紫外線吸収剤の量に限界
がある上に、レジスト層と反射防止層との間にインター
ミキシングが生じ反射防止効果を十分高めることができ
なかった。そこで本出願人は前記欠点のないリソグラフ
ィー用下地材としてグリシジルメタクリレートとメチル
メタクリレートとの共重合体と紫外線吸収剤を含有する
下地材を特開平６−３５２０１号公報に、また少なくと
も２個の架橋形成官能基をもつトリアジン化合物、高吸
光性物質及びアルカリ不溶性アクリル系樹脂を含有する
リソグラフィー用下地材を特開平８−８７１１５号公報
で提案した。前記リソグラフィー用下地材は照射光の基
板からの反射を抑制するとともに、マスクパターンに対
するレジストパターンの忠実度を高めるものであるが、
半導体素子の微細化がハーフミクロン（０．５μｍ）か
らクオーターミクロン（０．２５μｍ）へと進み、さら
には０．２μｍ以下の微細加工プロセスへ進むに伴ない
段差上部の膜厚と段差下部の膜厚差が大きい程、いわゆ
るコンフォーマル性に劣る程ドライエッチング処理後の
レジストパターンの形状に悪影響を与え、良好な微細な
レジストパターンを形成するには十分なものではなくな
ってきている。
トレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加
工が行われている。前記微細加工はシリコンウエーハの
上にホトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導
体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介し
て紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたレ
ジストパターンを保護膜としてシリコンウエーハをエッ
チング処理する加工法である。ところが、近年、半導体
デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もｉ
線（３６５ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）へと短波長化される傾向にある。これに伴い活性
光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題と
なり、それを解決するリソグラフィー用下地材として、
例えば、特開昭５９−９３４４８号公報にはクルクミ
ン、ピクリシン、クマリンから選ばれる染料、ポリアミ
ン酸重合体を含有する下地材が、特公平３−６７２６１
号公報にはジフェニルアミン誘導体とメラミン誘導体と
を酸触媒の存在下で重合した樹脂と高吸光性物質を含有
する下地材などが提案されている。しかしながら、前記
リソグラフィー用下地材は紫外線吸収剤と樹脂成分との
相容性が十分でなく配合できる紫外線吸収剤の量に限界
がある上に、レジスト層と反射防止層との間にインター
ミキシングが生じ反射防止効果を十分高めることができ
なかった。そこで本出願人は前記欠点のないリソグラフ
ィー用下地材としてグリシジルメタクリレートとメチル
メタクリレートとの共重合体と紫外線吸収剤を含有する
下地材を特開平６−３５２０１号公報に、また少なくと
も２個の架橋形成官能基をもつトリアジン化合物、高吸
光性物質及びアルカリ不溶性アクリル系樹脂を含有する
リソグラフィー用下地材を特開平８−８７１１５号公報
で提案した。前記リソグラフィー用下地材は照射光の基
板からの反射を抑制するとともに、マスクパターンに対
するレジストパターンの忠実度を高めるものであるが、
半導体素子の微細化がハーフミクロン（０．５μｍ）か
らクオーターミクロン（０．２５μｍ）へと進み、さら
には０．２μｍ以下の微細加工プロセスへ進むに伴ない
段差上部の膜厚と段差下部の膜厚差が大きい程、いわゆ
るコンフォーマル性に劣る程ドライエッチング処理後の
レジストパターンの形状に悪影響を与え、良好な微細な
レジストパターンを形成するには十分なものではなくな
ってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み本
発明者等は鋭意研究を重ねた結果、下地材塗布膜の段差
基板の段差上部の膜厚と段差下部の膜厚との差を少なく
する、いわゆるコンフォーマル性を高めることが上記ク
オーターミクロン以下の微細なレジストパターンを形成
する上で好ましいことがわかり、このコンフォーマル性
を高めるには、アルカリ不溶性アクリル系樹脂の重合度
を５００，０００以上とすることがよいことを見出し、
本発明を完成したものである。
発明者等は鋭意研究を重ねた結果、下地材塗布膜の段差
基板の段差上部の膜厚と段差下部の膜厚との差を少なく
する、いわゆるコンフォーマル性を高めることが上記ク
オーターミクロン以下の微細なレジストパターンを形成
する上で好ましいことがわかり、このコンフォーマル性
を高めるには、アルカリ不溶性アクリル系樹脂の重合度
を５００，０００以上とすることがよいことを見出し、
本発明を完成したものである。
【０００４】すなわち、本発明は、コンフォーマル性及
び反射防止効果に優れ、良好なレジストパターンを形成
できるリソグラフィー用下地材を提供することを目的と
する。
び反射防止効果に優れ、良好なレジストパターンを形成
できるリソグラフィー用下地材を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、重量平均分子量５００，０００〜２，０００，０
００のアルカリ不溶性アクリル系樹脂及び高吸光性物
質、さらに必要に応じ、少なくとも２個の架橋形成官能
基をもつトリアジン化合物を含有するリソグラフィー用
下地材に係る。
明は、重量平均分子量５００，０００〜２，０００，０
００のアルカリ不溶性アクリル系樹脂及び高吸光性物
質、さらに必要に応じ、少なくとも２個の架橋形成官能
基をもつトリアジン化合物を含有するリソグラフィー用
下地材に係る。
【０００６】本発明におけるアルカリ不溶性アクリル系
樹脂は、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリ
レートなどのグリシジル（メタ）アクリレート、（メ
タ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、
（メタ）アクリル酸プロピルなどの（メタ）アクリル酸
アルキルなどのモノマーを重合して得られた重合体であ
って、その重量平均分子量が５００，０００〜２，００
０，０００、好ましくは８００，０００〜１，３００，
０００のポリグリシジル（メタ）アクリレート、ポリメ
チル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリ
レート、グリシジル（メタ）アクリレートとアルキル
（メタ）アクリレートとの共重合体などである。中でも
グリシジル（メタ）アクリレートとメチルメタクリレー
トとの重量比が２：８〜８：２、好ましくは３：７〜
７：３の共重合体を含有する下地材はレジスト層とのイ
ンターミキシングがなく、しかも上層レジストに対し下
地材の膜減りの度合いを表わス選択比が高くて好適であ
る。前記アルカリ不溶性アクリル系樹脂の重量平均分子
量が５００，０００未満ではコンフォーマル性の向上が
みられず、また重量平均分子量が２，０００，０００を
超えると下地材の溶剤に対する溶解性が悪くなり、均一
な塗膜の形成が困難となり、反射防止効果が劣る。
樹脂は、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリ
レートなどのグリシジル（メタ）アクリレート、（メ
タ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、
（メタ）アクリル酸プロピルなどの（メタ）アクリル酸
アルキルなどのモノマーを重合して得られた重合体であ
って、その重量平均分子量が５００，０００〜２，００
０，０００、好ましくは８００，０００〜１，３００，
０００のポリグリシジル（メタ）アクリレート、ポリメ
チル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリ
レート、グリシジル（メタ）アクリレートとアルキル
（メタ）アクリレートとの共重合体などである。中でも
グリシジル（メタ）アクリレートとメチルメタクリレー
トとの重量比が２：８〜８：２、好ましくは３：７〜
７：３の共重合体を含有する下地材はレジスト層とのイ
ンターミキシングがなく、しかも上層レジストに対し下
地材の膜減りの度合いを表わス選択比が高くて好適であ
る。前記アルカリ不溶性アクリル系樹脂の重量平均分子
量が５００，０００未満ではコンフォーマル性の向上が
みられず、また重量平均分子量が２，０００，０００を
超えると下地材の溶剤に対する溶解性が悪くなり、均一
な塗膜の形成が困難となり、反射防止効果が劣る。
【０００７】上記アルカリ不溶性アクリル系樹脂は、例
えば次の方法で製造される。すなわち、上記例示のモノ
マーをその合計重量に対して１〜５重量倍の有機溶剤、
例えばメチルエチルケトン、アセトンなどのケトン類、
ベンゼン、トルエン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化
水素、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化
水素などに溶解し、それにアゾビスイソブチロニトリ
ル、アゾビスバレロニトリル、ベンゾイルパーオキシ
ド、ラウリルパーオキシドなどの重合開始剤をモノマー
の合計重量に対して０．０１〜０．５重量％の割合で添
加し、窒素雰囲気中で反応温度５０〜８０℃で３〜１２
時間攪拌しながら反応させ、得られた重合体をメタノー
ル、エタノールなどのアルコール中に加えて析出させ、
それを減圧乾燥する方法などが挙げられる。
えば次の方法で製造される。すなわち、上記例示のモノ
マーをその合計重量に対して１〜５重量倍の有機溶剤、
例えばメチルエチルケトン、アセトンなどのケトン類、
ベンゼン、トルエン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化
水素、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化
水素などに溶解し、それにアゾビスイソブチロニトリ
ル、アゾビスバレロニトリル、ベンゾイルパーオキシ
ド、ラウリルパーオキシドなどの重合開始剤をモノマー
の合計重量に対して０．０１〜０．５重量％の割合で添
加し、窒素雰囲気中で反応温度５０〜８０℃で３〜１２
時間攪拌しながら反応させ、得られた重合体をメタノー
ル、エタノールなどのアルコール中に加えて析出させ、
それを減圧乾燥する方法などが挙げられる。
【０００８】本発明の下地材の成分である高吸光性物質
は、下地材の上に形成されたレジスト層中の感光成分の
感光特性波長域における光に対して高い吸収能を有し、
基板からの反射によって生じる定在波や基板表面の段差
による乱反射を防止できる物質であればよく、下地材又
は反射防止膜の成分として公知の吸光性物質が使用でき
る。具体的にはサリシート系、ベンゾフェノン系、ベン
ゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、アゾ系、ポ
リエン系、アントラキノン系または一般式化１
は、下地材の上に形成されたレジスト層中の感光成分の
感光特性波長域における光に対して高い吸収能を有し、
基板からの反射によって生じる定在波や基板表面の段差
による乱反射を防止できる物質であればよく、下地材又
は反射防止膜の成分として公知の吸光性物質が使用でき
る。具体的にはサリシート系、ベンゾフェノン系、ベン
ゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、アゾ系、ポ
リエン系、アントラキノン系または一般式化１
【０００９】
【化１】 （式中、Ｘは−ＣＯ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ2−、Ｒ1、
Ｒ2は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、そそれらは互いに同
一でもまた異なっていてもよく、ｋ、ｍ、ｐ及びｑは、
それぞれ１〜３の整数で、かつｋ＋ｍ＝５及びｐ＋ｑ＝
５の関係を満たす。Ｒ1が複数の場合、各Ｒ1は同一でも
又異なってもよく、またＲ2が複数の場合、各Ｒ2は同一
でも又異なってもよい。）で表わされる化合物などが挙
げられる。前記一般式化１で表わされる化合物でＸが−
ＣＯ−の具体例としては、２，２’−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフ
ェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノ
ン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベ
ンゾフェノンなどのヒドロキシベンゾフェノン類が挙げ
られ、Ｘが−ＳＯ2−の具体例としては、ビス（２，４
−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジ
ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒド
ロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキ
シフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ンなどのビス（ヒドロキシフェニル）スルホン類が挙げ
られ、Ｘが−ＳＯ−の具体例としては、ビス（２，３−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロ
ロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロ
キシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，
４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホ
キシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチ
ルフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒ
ドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシドなどのビ
ス（ヒドロキシフェニル）スルホキシド類が挙げられ
る。特に、ヒドロキシベンゾフェノン類、中でも２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ビ
ス（ヒドロキシフェニル）スルホン類、中でもビス（４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（ヒドロキシフ
ェニル）スルホキシド類、中でもビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）スルホキシドを含有する下地材はｉ線
（３６５ｎｍ）又はｄｅｅｐＵＶ、特に波長２４８μｍ
のＫｒＦエキシマレーザーに対する透過率が低く、熱架
橋反応性を高くでき、かつインターミキシングを発生さ
せないところから好適である。
Ｒ2は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、そそれらは互いに同
一でもまた異なっていてもよく、ｋ、ｍ、ｐ及びｑは、
それぞれ１〜３の整数で、かつｋ＋ｍ＝５及びｐ＋ｑ＝
５の関係を満たす。Ｒ1が複数の場合、各Ｒ1は同一でも
又異なってもよく、またＲ2が複数の場合、各Ｒ2は同一
でも又異なってもよい。）で表わされる化合物などが挙
げられる。前記一般式化１で表わされる化合物でＸが−
ＣＯ−の具体例としては、２，２’−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフ
ェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノ
ン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベ
ンゾフェノンなどのヒドロキシベンゾフェノン類が挙げ
られ、Ｘが−ＳＯ2−の具体例としては、ビス（２，４
−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジ
ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒド
ロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキ
シフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ンなどのビス（ヒドロキシフェニル）スルホン類が挙げ
られ、Ｘが−ＳＯ−の具体例としては、ビス（２，３−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−
ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロ
ロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロ
キシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，
４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホ
キシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチ
ルフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒ
ドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシドなどのビ
ス（ヒドロキシフェニル）スルホキシド類が挙げられ
る。特に、ヒドロキシベンゾフェノン類、中でも２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ビ
ス（ヒドロキシフェニル）スルホン類、中でもビス（４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（ヒドロキシフ
ェニル）スルホキシド類、中でもビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）スルホキシドを含有する下地材はｉ線
（３６５ｎｍ）又はｄｅｅｐＵＶ、特に波長２４８μｍ
のＫｒＦエキシマレーザーに対する透過率が低く、熱架
橋反応性を高くでき、かつインターミキシングを発生さ
せないところから好適である。
【００１０】また、本発明の下地材の成分である必要に
応じて加えられる少なくとも２個の架橋形成官能基をも
つトリアジン化合物としては、加熱によって自己同志、
或は併用される成分のいずれか又は両者との間で架橋を
形成できる官能基を少なくとも２個有する一般式化２
応じて加えられる少なくとも２個の架橋形成官能基をも
つトリアジン化合物としては、加熱によって自己同志、
或は併用される成分のいずれか又は両者との間で架橋を
形成できる官能基を少なくとも２個有する一般式化２
【００１１】
【化２】 （式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基又は−ＮＲ3Ｒ4基であり、Ｒ3、Ｒ4基は互いに
同一でもまた異なってもよく、それぞれ水素原子、メチ
ロール基、アルコキシメチル基を示し、分子中の４〜６
個のＲ3、Ｒ4の中の少なくとも２個がメチロール基又は
アルコキシメチル基である。）で表わされる置換メラミ
ン又は置換グアナミンを挙げることができる。前記官能
基としてはメチロール基又はアルコキシメチル基を挙げ
ることができ、トリアジン環１個当りメチロール基又は
アルコキシメチル基は平均３以上６未満の範囲で含有さ
れる。前記トリアジン化合物は二量体、三量体でもよ
く、メラミン又はグアナミンを沸騰水中でホルマリンと
反応させてメチロール化するか、またはこれにさらに低
級アルコールを反応させてアルコキシル化する方法で製
造できる。これらの化合物の中、メトキシメチル基が平
均３．７個置換したメラミン及びメトキシメチル基が平
均５．８個置換したメラミンはそれぞれ市販品ＭX−７
５０及びＭW−３０（三和ケミカル社製）として入手で
きる。
リール基又は−ＮＲ3Ｒ4基であり、Ｒ3、Ｒ4基は互いに
同一でもまた異なってもよく、それぞれ水素原子、メチ
ロール基、アルコキシメチル基を示し、分子中の４〜６
個のＲ3、Ｒ4の中の少なくとも２個がメチロール基又は
アルコキシメチル基である。）で表わされる置換メラミ
ン又は置換グアナミンを挙げることができる。前記官能
基としてはメチロール基又はアルコキシメチル基を挙げ
ることができ、トリアジン環１個当りメチロール基又は
アルコキシメチル基は平均３以上６未満の範囲で含有さ
れる。前記トリアジン化合物は二量体、三量体でもよ
く、メラミン又はグアナミンを沸騰水中でホルマリンと
反応させてメチロール化するか、またはこれにさらに低
級アルコールを反応させてアルコキシル化する方法で製
造できる。これらの化合物の中、メトキシメチル基が平
均３．７個置換したメラミン及びメトキシメチル基が平
均５．８個置換したメラミンはそれぞれ市販品ＭX−７
５０及びＭW−３０（三和ケミカル社製）として入手で
きる。
【００１２】本発明における各成分の配合割合は、アル
カリ不溶性アクリル系樹脂１００重量部に対し、高吸光
性物質１０〜４０重量部、好ましくは２０〜３０重量部
であり、前記範囲を下回ると反射防止効果が不十分とな
るし、また上回るとインターミキシングが生じたり、均
一な溶液が得られないため、好ましくない。
カリ不溶性アクリル系樹脂１００重量部に対し、高吸光
性物質１０〜４０重量部、好ましくは２０〜３０重量部
であり、前記範囲を下回ると反射防止効果が不十分とな
るし、また上回るとインターミキシングが生じたり、均
一な溶液が得られないため、好ましくない。
【００１３】また、必要に応じ少なくとも２個の架橋形
成官能基をもつトリアジン化合物を配合する場合は、こ
れと高吸光性物質の合計量１００重量部に対して、アル
カリ不溶性アクリル系樹脂を１〜１００重量部、好まし
くは５〜２０重量部がよい。配合量が前記範囲を上回る
と均一な溶液が得られない上、反射防止効果が不十分と
なるため、好ましくない。
成官能基をもつトリアジン化合物を配合する場合は、こ
れと高吸光性物質の合計量１００重量部に対して、アル
カリ不溶性アクリル系樹脂を１〜１００重量部、好まし
くは５〜２０重量部がよい。配合量が前記範囲を上回る
と均一な溶液が得られない上、反射防止効果が不十分と
なるため、好ましくない。
【００１４】本発明の下地材の使用に当っては溶剤に溶
解するのがよく、該溶剤としては、具体的にアセトン、
メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、メチルアミルケトン、メチルイソアミルケトン、
１，１，１−トリメチルアセトンなどのケトン類、エチ
レングリコール、エチレングリコールモノアセテート、
ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセ
テート、プロピレングリコール、プロピレングリコール
モノアセテート又はこれらのモノメチルエーテル、モノ
エチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエ
ーテル、モノフェニルエーテルなどの多価アルコール類
及びその誘導体、ジオキサンのような環状エーテル類、
乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピ
ルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロ
ピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルなど
のエステル類を挙げることができる。前記溶剤は単独で
もまた２種以上を混合して用いてもよい。
解するのがよく、該溶剤としては、具体的にアセトン、
メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、メチルアミルケトン、メチルイソアミルケトン、
１，１，１−トリメチルアセトンなどのケトン類、エチ
レングリコール、エチレングリコールモノアセテート、
ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセ
テート、プロピレングリコール、プロピレングリコール
モノアセテート又はこれらのモノメチルエーテル、モノ
エチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエ
ーテル、モノフェニルエーテルなどの多価アルコール類
及びその誘導体、ジオキサンのような環状エーテル類、
乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピ
ルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロ
ピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルなど
のエステル類を挙げることができる。前記溶剤は単独で
もまた２種以上を混合して用いてもよい。
【００１５】本発明のリソグラフィー用下地材は上記成
分に加えてさらに必要に応じて相容性のある添加剤を添
加することができる。例えばトリアジン化合物の架橋反
応促進剤である酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ｏ−ヒド
ロキシ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、２，６−
ジヒドロキシ安息香酸、ＳＡＸ（三井東圧化学社製）な
どの有機酸を下地材の固形分に対して５重量％未満の範
囲で添加することができる。また、塗布性の向上やスト
リエーション防止のための界面活性剤、具体的にはサー
フロンＳＣ−１０３、ＳＲ−１００（旭硝子社製）ＥＦ
−３５１（東北肥料社製）、フロラードＦｃ−４３１、
フロラードＦｃ−１３５、フロラードＦｃ−９８、フロ
ラードＦｃ−４３０、フロラードＦｃ−１７６（住友３
Ｍ社製）などのフッ素系界面活性剤などが挙げられる。
前記添加剤の添加量は、下地材固形分に対して２０００
ｐｐｍ未満が好ましい。
分に加えてさらに必要に応じて相容性のある添加剤を添
加することができる。例えばトリアジン化合物の架橋反
応促進剤である酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ｏ−ヒド
ロキシ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、２，６−
ジヒドロキシ安息香酸、ＳＡＸ（三井東圧化学社製）な
どの有機酸を下地材の固形分に対して５重量％未満の範
囲で添加することができる。また、塗布性の向上やスト
リエーション防止のための界面活性剤、具体的にはサー
フロンＳＣ−１０３、ＳＲ−１００（旭硝子社製）ＥＦ
−３５１（東北肥料社製）、フロラードＦｃ−４３１、
フロラードＦｃ−１３５、フロラードＦｃ−９８、フロ
ラードＦｃ−４３０、フロラードＦｃ−１７６（住友３
Ｍ社製）などのフッ素系界面活性剤などが挙げられる。
前記添加剤の添加量は、下地材固形分に対して２０００
ｐｐｍ未満が好ましい。
【００１６】本発明のリソグラフィー用下地材は、ネガ
型、ポジ型を問わず、どのようなレジストでも利用する
ことができる。そのようなレジストとしては、（ｉ）ナ
フトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有する
ポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により酸を発生する化合
物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増
大する基を有する化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有
するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を発生す
る化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解
性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する
ポジ型レジスト、（ｉｖ）露光により酸を発生する化合
物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レ
ジスト等が挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。
型、ポジ型を問わず、どのようなレジストでも利用する
ことができる。そのようなレジストとしては、（ｉ）ナ
フトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有する
ポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により酸を発生する化合
物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増
大する基を有する化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有
するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を発生す
る化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解
性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する
ポジ型レジスト、（ｉｖ）露光により酸を発生する化合
物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レ
ジスト等が挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。
【００１７】本発明のリソグラフィー用下地材の好適な
使用方法の１例について説明すると、まず例えば基板上
に本発明の下地材を上記した有機溶剤に溶解して調製し
た下地材溶液をスピンナーなどにより回転塗布したの
ち、１００〜３００℃の温度でベークし、０．０５〜
０．５μｍの膜厚の下地材層を形成する。前記温度で本
発明の下地材に架橋反応が起こりアルカリ溶液に対して
不溶となり、上層レジスト層とのインターミキシング層
を形成しにくくなる。下地材層を形成したのち、その上
にレジスト層をスピンナーなどにより回転塗布し、乾燥
してレジスト層を設ける。次いで、紫外線を発光する光
源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、アーク灯、キセノ
ンランプ又はエキシマレーザーステッパーなどを用い所
用のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子
線を操作しながら照射する。次いで現像液、たとえば１
〜１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液のようなアルカリ水溶液に浸漬するとポジ型であ
れば露光部分が、ネガ型であれば未露光部分が選択的に
溶解除去されてマスクパターンに忠実なレジストパター
ンが形成される。
使用方法の１例について説明すると、まず例えば基板上
に本発明の下地材を上記した有機溶剤に溶解して調製し
た下地材溶液をスピンナーなどにより回転塗布したの
ち、１００〜３００℃の温度でベークし、０．０５〜
０．５μｍの膜厚の下地材層を形成する。前記温度で本
発明の下地材に架橋反応が起こりアルカリ溶液に対して
不溶となり、上層レジスト層とのインターミキシング層
を形成しにくくなる。下地材層を形成したのち、その上
にレジスト層をスピンナーなどにより回転塗布し、乾燥
してレジスト層を設ける。次いで、紫外線を発光する光
源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、アーク灯、キセノ
ンランプ又はエキシマレーザーステッパーなどを用い所
用のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子
線を操作しながら照射する。次いで現像液、たとえば１
〜１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液のようなアルカリ水溶液に浸漬するとポジ型であ
れば露光部分が、ネガ型であれば未露光部分が選択的に
溶解除去されてマスクパターンに忠実なレジストパター
ンが形成される。
【００１８】上記下地層をレジストパターンをマスクと
して、塩素ガスなどを用いたドライエッチング法により
パターン化する。前記処理において選択比を高くするた
め上層レジスト層をシリル化してもよい。前記シリル化
処理の例として、上層レジストをパターニングしたの
ち、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリ
シラザン、他の多官能性シラザン類などのシリル化剤の
蒸気に、３０〜１００℃の範囲の温度で１〜６０分間パ
ターニングしたレジスト層を曝すことによって行うこと
ができるが、これらに限定されるものではない。
して、塩素ガスなどを用いたドライエッチング法により
パターン化する。前記処理において選択比を高くするた
め上層レジスト層をシリル化してもよい。前記シリル化
処理の例として、上層レジストをパターニングしたの
ち、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリ
シラザン、他の多官能性シラザン類などのシリル化剤の
蒸気に、３０〜１００℃の範囲の温度で１〜６０分間パ
ターニングしたレジスト層を曝すことによって行うこと
ができるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
【００２０】製造例１（重量平均分子量１３０万のアク
リル系樹脂の製造） グリシジルメタクリレート１００ｇとメチルメタクリレ
ート１００ｇとをメチルエチルケトン２００ｇに溶解
し、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニトリル０．０２ｇ
を加えて窒素ガス雰囲気中でかく拌しながら、６０℃で
約７時間反応させた。反応終了後、反応物をメタノール
１リットル中に注下して、重合体を析出させ、得られた
重合体を室温下で減圧乾燥した。重合体の収量は１００
ｇであり、重量平均分子量は１３０万であった。
リル系樹脂の製造） グリシジルメタクリレート１００ｇとメチルメタクリレ
ート１００ｇとをメチルエチルケトン２００ｇに溶解
し、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニトリル０．０２ｇ
を加えて窒素ガス雰囲気中でかく拌しながら、６０℃で
約７時間反応させた。反応終了後、反応物をメタノール
１リットル中に注下して、重合体を析出させ、得られた
重合体を室温下で減圧乾燥した。重合体の収量は１００
ｇであり、重量平均分子量は１３０万であった。
【００２１】製造例２（重量平均分子量５７万のアクリ
ル系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．０４ｇとした以外は製造例１と同様にして重合
体を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分
子量は５７万であった。
ル系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．０４ｇとした以外は製造例１と同様にして重合
体を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分
子量は５７万であった。
【００２２】製造例３（重量平均分子量１７万のアクリ
ル系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．０８ｇとした以外は製造例１と同様にして重合
体を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分
子量は１７万であった。
ル系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．０８ｇとした以外は製造例１と同様にして重合
体を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分
子量は１７万であった。
【００２３】製造例４（重量平均分子量８万のアクリル
系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．２ｇとした以外は製造例１と同様にして重合体
を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分子
量は８万であった。
系樹脂の製造） 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−アゾビスイソブチロニト
リル０．２ｇとした以外は製造例１と同様にして重合体
を得た。重合体の収量は１００ｇであり、重量平均分子
量は８万であった。
【００２４】製造例５ 製造例１で得た重合体１０ｇとメラミン環１個当たりメ
トキシメチロール基が平均３．７個置換されているＭX
−７５０（三和ケミカル社製）５０ｇ、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルホン５０ｇ及びフッ素系の界面活
性剤であるＦC−４３０（住友３Ｍ社製）５００ｐｐｍ
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
１０００ｇに溶解し、孔径が０．２μｍのメンブランフ
ィルターを用いてろ過して下地材の溶液を得た。
トキシメチロール基が平均３．７個置換されているＭX
−７５０（三和ケミカル社製）５０ｇ、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルホン５０ｇ及びフッ素系の界面活
性剤であるＦC−４３０（住友３Ｍ社製）５００ｐｐｍ
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
１０００ｇに溶解し、孔径が０．２μｍのメンブランフ
ィルターを用いてろ過して下地材の溶液を得た。
【００２５】製造例６ 製造例５において、重合体を製造例２で得たものに代え
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
【００２６】製造例７ 製造例５において、重合体を製造例３で得たものに代え
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
【００２７】製造例８ 製造例５において、重合体を製造例４で得たものに代え
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例５と同様にして下地材の溶液を得た。
【００２８】製造例９ 製造例１で得た重合体１０ｇと２，２’，４，４’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン３ｇ及びフッ素系の界面
活性剤であるＦC−４３０（住友３Ｍ社製）５００ｐｐ
ｍをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト１００ｇに溶解し、孔径が０．２μｍのメンブランフ
ィルターを用いてろ過して下地材の溶液を得た。
トラヒドロキシベンゾフェノン３ｇ及びフッ素系の界面
活性剤であるＦC−４３０（住友３Ｍ社製）５００ｐｐ
ｍをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト１００ｇに溶解し、孔径が０．２μｍのメンブランフ
ィルターを用いてろ過して下地材の溶液を得た。
【００２９】製造例１０ 製造例９において、重合体を製造例２で得たものに代え
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
【００３０】製造例１１ 製造例９において、重合体を製造例３で得たものに代え
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
【００３１】製造例１２ 製造例９において、重合体を製造例４で得たものに代え
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
た以外は、製造例９と同様にして下地材の溶液を得た。
【００３２】
実施例１、２及び比較例１、２ 製造例５〜８で得た各下地材の溶液を０．２μｍの段差
を有するシリコンウェーハ上にスピンナーにより塗布
し、膜厚０．２μｍの下地材層を形成した。次いで９０
℃で９０秒間乾燥させ、１８０℃で９０秒間加熱するこ
とにより、下地材被膜を形成した。前記下地材被膜の段
差上部膜厚と段差下部膜厚の差を測定しコンフォーマル
性を調べ、その結果を表１に示す。
を有するシリコンウェーハ上にスピンナーにより塗布
し、膜厚０．２μｍの下地材層を形成した。次いで９０
℃で９０秒間乾燥させ、１８０℃で９０秒間加熱するこ
とにより、下地材被膜を形成した。前記下地材被膜の段
差上部膜厚と段差下部膜厚の差を測定しコンフォーマル
性を調べ、その結果を表１に示す。
【００３３】続いて、下地材被膜上に酸発生剤とヒドロ
キシスチレン系樹脂からなる化学増幅型ポジ型レジスト
であるＴＤＵＲ−Ｐ００７（東京応化工業社製）をスピ
ンナーにより塗布して、９０℃で９０秒間乾燥し、膜厚
０．７μｍのレジスト層を形成した。前記レジスト層を
ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用いてマス
クパターンを介して露光し、次いで露光後加熱処理（Ｐ
ＥＢ）を１１０℃で９０秒間行い、２．３８重量％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて現像
し、レジストパターンを形成した。次にプラズマエッチ
ング装置ＴＵＥ−１１０２（東京応化工業社製）を用い
て、塩素ガスをエッチャントとして、３０ｍＴｏｒｒ、
出力１５０Ｗ、温度２０℃でドライエッチングを行っ
た。得られたレジストパターンの形状を調べた結果を表
１に示す。
キシスチレン系樹脂からなる化学増幅型ポジ型レジスト
であるＴＤＵＲ−Ｐ００７（東京応化工業社製）をスピ
ンナーにより塗布して、９０℃で９０秒間乾燥し、膜厚
０．７μｍのレジスト層を形成した。前記レジスト層を
ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用いてマス
クパターンを介して露光し、次いで露光後加熱処理（Ｐ
ＥＢ）を１１０℃で９０秒間行い、２．３８重量％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて現像
し、レジストパターンを形成した。次にプラズマエッチ
ング装置ＴＵＥ−１１０２（東京応化工業社製）を用い
て、塩素ガスをエッチャントとして、３０ｍＴｏｒｒ、
出力１５０Ｗ、温度２０℃でドライエッチングを行っ
た。得られたレジストパターンの形状を調べた結果を表
１に示す。
【００３４】なお、表中のＡは矩形上のシャープなパタ
ーンを意味し、Ｂはトップ部が丸みを帯びたパターンを
意味する。
ーンを意味し、Ｂはトップ部が丸みを帯びたパターンを
意味する。
【００３５】
【表１】
【００３６】実施例３、４及び比較例３、４ 製造例９〜１２で得た各下地材の溶液を０．２μｍの段
差を有するシリコンウェーハ上にスピンナーにより塗布
し、膜厚０．２μｍの下地材層を形成した。次いで９０
℃で９０秒間乾燥させ、１８０℃で９０秒間加熱するこ
とにより、下地材被膜を形成した。前記下地材被膜の段
差上部膜厚と段差下部膜厚の差を測定しコンフォーマル
性を調べ、その結果を表１に示す。
差を有するシリコンウェーハ上にスピンナーにより塗布
し、膜厚０．２μｍの下地材層を形成した。次いで９０
℃で９０秒間乾燥させ、１８０℃で９０秒間加熱するこ
とにより、下地材被膜を形成した。前記下地材被膜の段
差上部膜厚と段差下部膜厚の差を測定しコンフォーマル
性を調べ、その結果を表１に示す。
【００３７】続いて、下地材被膜上に酸発生剤とアルカ
リ可溶性樹脂と架橋剤からなる化学増幅型ネガ型レジス
トであるＴＨＭＲ−ｉＮ２００（東京応化工業社製）を
スピンナーにより塗布して、１１０℃で９０秒間乾燥
し、膜厚０．７μｍのレジスト層を形成した。前記レジ
スト層をＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用
いてマスクパターンを介して露光し、次いで露光後加熱
処理（ＰＥＢ）を１００℃で９０秒間行い、２．３８重
量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
て現像し、レジストパターンを形成した。次にプラズマ
エッチング装置ＴＵＥ−１１０２（東京応化工業社製）
を用いて、塩素ガスをエッチャントとして、３０ｍＴｏ
ｒｒ、出力１５０Ｗ、温度２０℃でドライエッチングを
行った。得られたレジストパターンの形状を調べた結果
を表１に示す。
リ可溶性樹脂と架橋剤からなる化学増幅型ネガ型レジス
トであるＴＨＭＲ−ｉＮ２００（東京応化工業社製）を
スピンナーにより塗布して、１１０℃で９０秒間乾燥
し、膜厚０．７μｍのレジスト層を形成した。前記レジ
スト層をＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用
いてマスクパターンを介して露光し、次いで露光後加熱
処理（ＰＥＢ）を１００℃で９０秒間行い、２．３８重
量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
て現像し、レジストパターンを形成した。次にプラズマ
エッチング装置ＴＵＥ−１１０２（東京応化工業社製）
を用いて、塩素ガスをエッチャントとして、３０ｍＴｏ
ｒｒ、出力１５０Ｗ、温度２０℃でドライエッチングを
行った。得られたレジストパターンの形状を調べた結果
を表１に示す。
【００３８】なお、表中のＡは矩形上のシャープなパタ
ーンを意味し、Ｂはトップ部が丸みを帯びたパターンを
意味する。
ーンを意味し、Ｂはトップ部が丸みを帯びたパターンを
意味する。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【発明の効果】本発明のリソグラフィー用下地材は、高
いコンフォーマル性と優れた反射防止効果を有し、レジ
ストパターン、特に０．２５μｍ以下のレジストパター
ンを良好に形成でき、微細加工用下地材として好適であ
る。
いコンフォーマル性と優れた反射防止効果を有し、レジ
ストパターン、特に０．２５μｍ以下のレジストパター
ンを良好に形成でき、微細加工用下地材として好適であ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 佐藤 充 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】重量平均分子量５００，０００〜２，００
０，０００のアルカリ不溶性アクリル系樹脂及び高吸光
性物質を含有するリソグラフィー用下地材。 - 【請求項２】さらに、少なくとも２個の架橋形成官能基
をもつトリアジン化合物を含有する請求項１記載のリソ
グラフィー用下地材。 - 【請求項３】アルカリ不溶性アクリル系樹脂がグリシジ
ルメタクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体
である請求項１又は２記載のリソグラフィー用下地材。 - 【請求項４】少なくとも２個の架橋形成官能基をもつト
リアジン化合物がヒドロキシル基又は／及びアルコキシ
基を有するメラミン又はグアナミンである請求項２又は
３記載のリソグラフィー用下地材。 - 【請求項５】高吸光性物質がヒドロキシベンゾフェノン
類、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン類、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシド類から選ばれる少なく
とも１種である請求項１乃至４のいずれかに記載のリソ
グラフィー用下地材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24405096A JPH1069072A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | リソグラフィー用下地材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24405096A JPH1069072A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | リソグラフィー用下地材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069072A true JPH1069072A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=17112988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24405096A Pending JPH1069072A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | リソグラフィー用下地材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1069072A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163778B2 (en) | 2003-03-24 | 2007-01-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Anti-reflection film material and a substrate having an anti-reflection film and a method for forming a pattern |
| US7202013B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-04-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same |
| US7214743B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower layer film material and method for forming a pattern |
| US7303785B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same |
| US7417104B2 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Porous film-forming composition, patterning process, and porous sacrificial film |
| US7427464B2 (en) | 2004-06-22 | 2008-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and undercoat-forming material |
| US7476485B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-01-13 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Resist lower layer film material and method for forming a pattern |
| JP2010217306A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Jsr Corp | パターン形成方法及び平坦化膜形成用組成物 |
| KR20160104577A (ko) | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 비회전식 도포용 조성물 및 수지 조성물 막 형성 방법 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP24405096A patent/JPH1069072A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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