JPS63121043A - シリコ−ンレジスト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明はシリコーンレジスト材料に関し、ざらに詳しく
は半導体素子の集積回路を製造する際に、微細なレジス
トパターンを形成することが−できるシリコーンレジス
ト材料に関する。

（従来の技術） 従来より、半導体素子・集積回路等の電子部品の製作に
はホトリソグラフィによる微細加工技術が広く用いられ
ている。このホトリソグラフィの技術は、微細加工を施
したいウェア上に適宜のレジスト材を塗布したあと、紫
外線・電子ビーム等を照射して所望のレジストパターン
を形成するレジストプロセスと、前記レジストパターン
を用いてその下地膜であるウェハを加工するエッチング
ブＯセスと、から成っている。

このホトリソグラフィにおいて、製品の精度は、前記レ
ジストパターンの精度、基板への接着性、あるいはエツ
チングに対する耐性等で決ってくる。

したがって、従来からすぐれたレジストパターンを形成
すべく種々の露光技術、レジスト材料が提案されている
。

しかしながら、前記ホトリソグラフィ技術は近年、大変
多様な態樺で使用されることとなっている。このため、
一方において、簡易かつ迅速処・理の可能なレジスト材
料が要望されているのである。

他方、高精度のレジストパターンの形成を可能とするレ
ジスト材料としても種々の感光性組成物が知られている
。しかし、電子機器の多機能化・高度化に伴い高密度化
・高集積化を図るべく一層のパターンの微細化が強く要
請されている。

ところが、ウェハ等の上に一層のレジスト層を形成する
だけの従来の単層レジスト法では、前記微細化の障害と
なる種々の問題点が存在する。即ち、集積回路の横方向
の寸法の縮小に比べてその縦方向の寸法はあまり縮小さ
れていかないために、レジストパターンの幅に対する高
さの比は大きくならざるを得なかった。このため、複雑
な段差構造を有するウェハ上でレジストパターンの寸法
変化を押さえていくことは、パターンの微細化が進むに
つれてより困難になってきた。

更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に伴
ない問題が生じてきている。例えば、光による露光では
、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度に
大きな影響を与えるよう、になる。また、電子ビーム露
光においては、電子の後方錯乱によって生じる近接効果
により、微細なレジストパターンの＾さと幅の比を大き
くすることができなくなった。

これらの多くの問題は多層レジストシステムを用いるこ
とにより解消されることが見出された。

多層レジストシステムについては、ソリッドステート・
テクノロジー、　７４（１９８１）　　［５ｏｌｉｄＳ
ｔａｔｅ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　、　７４（１９８
１）　］に概説が掲載されているが、この他にもこのシ
ステムに関する多くの研究が発表されている。これらの
多層レジストシステムのうち現在、一般的に多く試みら
れている方法は、三層構造のレジストシステムであるが
、これは、基板の段差の平坦化及び基板からの反射防止
の役割りを有する最下層と、最下層をエツチングするた
めのマスクとして機能する中間層と、感光層としての最
上層と、からなっている。しかしながら、この３層レジ
ストシステムは、単層レジスト法と比べ、ｍｓなパター
ンニングが行なえるという長所を有している反面、バタ
ー、ン形成までの工程数が増えてしまうという欠点があ
った。

（発明が解決しようとしている問題点）したがって前記
した如く、第一に、近年簡易かつ迅速処理の可能な多様
なレジスト材料が要望されていた。

第二に、高精度のレジストパターン形成を可能とするレ
ジスト材料としては、シリコーンレジスト材料が知られ
ているが、従来のシリコーンレジスト材料においては、
微細なレジストパターンを得ようとすると、３層構造等
の多層レジストシステムを採用しなければならず、工程
数の増加等の不便が避けられなかった。

よって、この発明の一般的な目的は、近年の種々の使用
態様に対応した多様なレジスト材料を提供することであ
る。

この発明の具体的な第一の目的は、簡易かつ迅速処理の
可能なシリコーンレジスト材料を提供することである。

またこの発明の具体的第二の目的は、多層し、シストシ
ステムを用いることなく、高精度のレジストパターンを
、最小工程数で形成できる感光性シリコーンレジスト材
料を提供することである。

［発明の構成１ （問題点を解決するための手段及び作用）本発明の第一
のシリコーンレジスト材料は、式 （式中、置換Ｉ　ＲＩは、炭素原子数１〜１０のアルキ
ル基又は炭素原子数６〜１４　の置換もしくは非置換ア
リール基を表し、置換ＩＲ２〜Ｒ６は、そのうらの少く
とも１つの基がカルボキシル基もしくはフェノール系水
酸基またはこれを含有する基であり、かつこれ以外の基
は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲノア
ルキル基、−シアノアルキル ル 基、アルコキシアルキル基、アシルオキシ基、アリル基
又は炭素原子数６〜１４の置換もしくは非置換アリール
基を表わし、置換基Ｒｙ　、Ｒｅはビニル基．アリル基
，γーメタクリロキシ７０ビル基，γ−グリシドキシプ
ロビル基．炭素原子数１〜１０のアルキル基、アリール
基もしくは置換アリール基又はシロキシ基もしくは置換
シロキシ基を表わす。）で示される構造を必須構造とし
て含むポリシロキサンから成る。

前記レジスト材料は、紫外線・Ｘ線・ガンマ線・電子ビ
ーム等の高エネルギービームを照射エネルギー源とする
レジスト形成において効果的に使用することができ、特
にシリコンウェハの表面によく密着し、化学的に安定で
あるため、簡易かつ迅速にレジストパターンを形成する
ことを可能とする。

次に、本発明の第二のシリコーンレジスト材料は、前記
ポリシロキサンと感光剤とから成る。−この第二のシリ
コーンレジスト材料は、後述する如く二層レジストシス
テムの上ｍｓとして使用される。すなわち、ウェハ等の
上に設けた適宜の下層レジスト膜上に、前記シリコーン
レジスト材料を塗布し、このシリコーンレジスト材料を
、マスクプレートを介して紫外線等で露光した後、適宜
の現像液でアルカリ現像する。そして、この現像により
所定パターンを有したシリコーンレジスト材料を前記下
層レジスト膜のマスクとして使用し、該マスク上から酸
素ガスプラズマ等を照射して、前記下層レジスト膜をエ
ツチングし、最終的なレジストパターンを形成する。

従って、第二のシリコーンレジスト材料に含有される前
記ポリシロキサンは、アルカリ現像が可能であり、且つ
、酸素ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エツチング）に
対する耐性が優れたものでなければならない。

これに対して、前記本発明のポリシロキサンは、式（Ｉ
）中にカルボキシル基又はフェノール系水ｊｌｔ基を含
むためアルカリ可溶性を有する。

また、該ポリシロキサンは、式（Ｉ）及び式（ｎ）の主
鎖中に、シロキサン結合を含むため、酸素ガスプラズマ
に対して優れた耐性を有する。

すなわち、該ポリシロキサンは、酸素ＲＩＥの照射を受
けると、迅速に二酸化ケイ素（Ｓｉ　０２　）を形成し
て下層レジスト膜上に堆積し、飛散が防止されるのであ
る。

ここで、前記本発明のポリシロキサンの耐酸素ＲＩＥ性
について更に詳しく説明すると、一般に、ケイ素（Ｓｔ
　）を含むレジスト材料として式 ％式％） で表わされるものが知られている。このようなものも酸
素ガスプラズマにさらされると二酸化ケ・イ素を形成す
るので、酸素ＲＩＥに対する耐性を有する。しかしなが
ら、式（ＩＩＩ＞、　　（ＩＶ）で表わされるレジスト
材料では、ケイ素が、側鎖中に含まれているため、より
小さな耐酸素ＲＩＥ性しか呈さない。

この違いは次の如く理解される。すなわち、堆積物であ
る二酸化ケイ素は、一般に、酸素原子（０）を介してケ
イ素原子（Ｓｉ）が三次元網状構造を形成したものであ
るが、本発明のポリシロキサンでは、（−８ｉ　０−３
ｉ　Ｏ−）の鎖がはじめから形成されている。したがっ
て、照射される酸素ガスプラズマから酸素原子（０）を
受けとることによって容易に前記二酸化ケイ素（Ｓｉ　
０２　）の三次元網状構造を形成することができる。

これに対して、式（ＩＩＩ）、　　（ｒＶ）で表わされ
る物質では、前記二酸化ケイ素の三次元構造を形成する
際、まず、ケイ素原子（Ｓｉ　）を主鎖から切り離して
（−５ｉ　０−８ｉ　Ｏ−）の鎖を形成し、しかる後、
酸素原子を受けとらなければならず、前記本発明のポリ
シロキサンに比べて該二酸化−ケイ素を形成しにくい。

従って、前記本発明のシリコーンレジスト材料は、他の
シリコーンレジスト材料に比較してはるかに優れた酸素
ＲＩＥ耐性を有する。

さて、前記ポリシロキサンの式（Ｉ）中に於て、前記カ
ルボキシル基・フェノール性水酸基以外のＲ＋−Ｒａの
基は、前記アルカリ現像性・酸素ＲＩＥ耐性を害さない
ものならのようなものでもよいが、特に置換基Ｒ１とし
ては、炭素原子数１〜１ｏのアルキル基又は炭素原子数
６〜１４の置換もしくは非置換アリール基が挙げられ、
置換基Ｒ２〜Ｒａのうち、前記カルボキシル ェノール系水′ｍ基以外の基としては、水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、ハロゲノアルキル基、シアノア
ルキル ルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、
アルコキシアルキル基、アシルオキシ基、アリル基又は
炭素原子数６〜１４の置換もしくは非置換アリール基が
挙げられる。

また、前記炭素数１〜１０のアルキル基とし・では、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基．ｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−ノニルｉ　、ｎ　−デカニル基などがあげら
れ、置換アリール基としては、例えば、フェニル基、０
−ヒドロキシフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、
Ｏ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナ
フチル基、ｐ−りＯロフェニル基などがあげられる。

さらに式（Ｉ）で示される構造単位の具体例としては、 を挙げることができる。

一方、本発明の第二のシリコーンレジスト材料は、前記
の如く、パターン形成のための感光剤を含有し、この感
光剤によりレジストパターンを形成するようにしている
。従って、該感光剤と混合される前記ポリシロキサンは
、単にアルカリ可溶であるだけでも、十分である。しか
しながら１．該アルカリ可溶性がパラメータ調節できれ
ば、更に高精度のレジストパターン形成が可能となり、
望ましい。そこで、前記ポリシロキサンに於ては、式（
ＩＩ）中に、アルカリ可溶性を調整する基を含有するよ
うにしている。すなわち、前記ポリシロキサンは、アジ
ド化合物と混合され露光された部分が酸化あるいは架橋
しアルカリに溶解しにくくなるものである。

なお、前記ポリシロキサンの式（πンにおいて、置換基
Ｒ７・Ｒ８としては、ビニル基、アリル基。

γ−メタクリロキシプロピル基、γ−クリシトキシプロ
ビル基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、アリール基
もしくは置換アリール基又はシロキシ基もしくは置換シ
ロキシ基を挙げることができる。

式中、炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基
・エチル基・ｎ−プロピル基など、前記式（Ｉ）に含ま
れるものと同じものをあげることができ、置換アリール
基としては上記したものに加えて、０−メトキシフェニ
ル基、ｐ−メトキシフェニル基、９−アントラニル基な
どをあげるこ、とができる。

さらに、式（Ｉ［）で示される構造単位の具体例として
は、 ＣＨ＝ＣＩ−！ｚ　　　　　　　ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２
ＣＨ：ＣＨｚＣ）（２−ＣＨ＝ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ＣＨ
ｚ−ＣＨ−ｃＨｚ等をあげることが出来る。

つぎに、前記感光剤としては、従来のシリコーンレジス
ト材料において用いられたアジド化合物が挙げられ、特
に、４．４′−ジアジドカルコン。

２．６−ビス（アジドベンザル）シクロヘキサノン、２
．６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチレンシ
クロヘキサノン、１，３−ビス（４′−アジドベンザル
）−２−プロパノン、１．３−ビス（４−−アジドシン
ナミリデン）−２−プロパノン、４．４′−ジアジドス
チルベン、４．４′−ジアジドビフェニル、４．４−ジ
アジドジフェニルスルフィド、３．３−一ジアジドジフ
ェニルスルフィド、４．４′−ジアジドジフェニルスル
ホン、３．３＝−ジアジドジフェニルスルホン、４．４
′−ジアジドスチルベンが挙げられる。

また、特開昭５０−７０１０５号公報、同５０−４０６
２６号公報、同４９−８２１４＠公報、同４Ｂ−９４４
２０＠公報、同４８−９４４１９号公報に記載された化
合物も挙げられる。さらにまた、ナフトキノンジアジド
基やベンゾキノンジアジド基を含む化合物も挙げられる
。この化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン
酸クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリド
とヒドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を
弱アルカリの存在下で縮合することにより得られる。こ
こで低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３．４−　トリヒドロキシベンゾフェノン
、没食子酸アルキルエステル、カテキン、ケルセチン、
キナリザリン、プルプリン等があげられ、高分子化合物
の例としては、フェノールホルムアルデヒドノボラック
樹脂、クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂、ポ
リヒドロキシスチレン等があげられる。これらの中では
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルあるいはアリ
ールアジド化合物が好ましい。これらは単独で又は混合
系で用いられる。

前記第二のシリコーンレジスト材料にあって０、塗膜改
質等のため含有されるアルカリ可溶性樹脂としては、ア
ルカリ可溶性である樹脂であればとくに限定されるもの
ではなく、例えば、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、ポリ
−ロービニルフェノール、ポリ−ｍ−インプロペニルフ
ェノール、ポリ−ｐ−インプロペニルフェノール、ａｔ
、ｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｐ−ビニルフェノー
ルとメタクリル酸メチルとの共重合体、ｐ−インプロペ
ニルフェノールと無水マレイン酸との共重合体、ポリ−
ｐ−ビニルフェノールの部分ベンゾイル化物、ポリ−ｐ
−ビニルフェノールの部分Ｏ−メチル化物、ポリメタル
クリル酸、ポリアクリル酸などをあげることができ、と
くに、フェノール性水酸基を有するものが好ましい。

また、このアルカリ可溶性樹脂の配合口は上記のポリシ
ロキサン樹脂１００重量部に対し、５〜１００重量部程
度とするのが好ましい。

本発明の第二のシリコーンレジスト材料は、上記した各
成分を、例えば、溶剤に溶解させるなどの常用の方法を
用いて容易に得ることができる。。

なお、本発明の組成物には、必要に応じて、増感剤、染
料、界面活性剤、塗膜の改質のため他のポリマーたとえ
ば、エポキシ樹脂、ポリメチルリタクリレート樹脂、ブ
Ｏピレンオキシドーエチレンオキシド共重合体、ポリス
チレン、シリコーンラダーポリマー等が配合されてもよ
い。

次に、前記本発明の第二のシリコーンレジスト材料を用
いて、ウェハ等にパターン形成するプロセスについて説
明する。

まず、本発明の組成物を溶剤に♂かして塗布するのであ
るが、かかる溶剤としては格別限定されす、例えば、ト
ルエン、キシレン、０−ジクＯＯベンゼン、クロロホル
ム、エタノール、イソプロピルアルコール、シクロペン
タノン、シクロヘキサノン、酢酸セロソルブ、メチルエ
チルケトンが挙げられる。

また、塗布方法も常法に従い行われるが、好ましくはス
ピンコード法が採用される。

上記樹脂を塗布した後、乾燥するが、その乾燥条件は、
下層用樹脂の場合、通常５０〜２５０−”Ｃ好ましくは
８０〜２２０℃で、通常０．５〜１２０分間、好ましく
は１〜９０分間であり、上層膜である前記シリコーンレ
ジスト材料の場合、通常５０〜２００℃、好ましくは８
０〜１２０℃で、通常０．５〜１２０分間、好ましくは
１〜６０分間である。その際、前記上層膜においては、
ポリシロキサン高分子の間に、アジド化合物により架橋
が行われ、塗膜強度が補強される。

次いで、上ｉｉｇである本発明のシリコーンレジスト材
料を所定のパターンマスクを通し露光するが、露光は常
法に従い、可視；赤外・紫外光線又は電子線等のエネル
ギー線を照射することにより行われる。

、しかる後、溶剤で現像する。現像時間は通常０゜５〜
１０分間であり、溶剤としてはアルカリ水溶液、アセト
ン等の適宜の溶剤が使用される。これは、前記したよう
にシリコーンレジスト材料の中のポリシロキサンが、ア
ルカリ可溶性を有するためである。

続いて、通常５０〜２ｏＯ℃で０．５〜１２−０分間乾
燥する。

こうして、上層レジストパターンが形成される。

この上層レジストパターンは下層膜のレジストのための
マスクとして使用される。

すなわち、前記マスクが形成されると、このマスクの上
から酸素ガスプラズマが照射され、酸素ＲＩＥが行われ
る。その際、前記の如（ポリシロキサン中に含まれるケ
イ素原子（Ｓｉ）及び酸素原子（０）によって二酸化ケ
イ素が迅速に形成されるから、該マスクである上層膜は
高い耐酸素ＲＩＥを呈し、該マスクに覆われない下層膜
部分のみがエツチングされ、所定のパターンフロファイ
ルが得られる。

なお、前記酸素ガスプラズマエツチングは、１Ｘ１０’
　〜ｌＸ１０−’Ｔｏｒｒ　１０．０１〜１０ｗ／Ｃｌ
１２で１〜１２０分間程度実行するのが適当である。

なお又、前記エツチングの際、適宜の溶媒を用いること
もできる。

以上のようにして形成されたパターンをマス、りにして
基板のエツチングを行なう。エツチングは、ウェットエ
ツチング、ドライエツチングなどで行なわれるが、３μ
ｌ以下の微細なパターンを形成する場合は、ドライエツ
チングが好ましい。

上記の基板上に残存する未露光部は、エツチング後にＪ
−１００（ナガセ化成社製）等の剥離剤、酸素ガスプラ
ズマなどによって、上記物質上から除去される。

（実施例） 実施例１ ＨＣ−ＣＨ３ で示される構造単位を有するポリシロキサン（分子１５
．０００＞１５重量部を１−７セトキシー２−エトキシ
エタン８５重量部に溶解してシリ、コーンレジスト材料
を１１％した。

つぎに、シリコンウェハー上に、ノボラック系市販レジ
スト０ＦＰＲ−８００（東京応化製）をスピナーで塗布
し、２２０℃で１時間乾燥させて下層を形成した。下層
の厚さは２．０μ厘であった。ついで、その上に上記に
より得られたシリコーンレジスト溶液をスピナーで塗布
し、ホットプレート上で９０℃において２分間乾燥させ
、厚さ０．５μｍのシリコーンレジスト膜を作成した。

シカルノチ、電子線（２０ｋｖ、５０μＣ）で０゜２μ
ｍ幅パターンを露光し、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキシドの２．５％水溶液で６０秒間現像すること
によりレジストパターンを形成した。その後酸素ガスプ
ラズマ（２Ｘ１０°２Ｔｏｒｒ　、　０．０６ｗ、　／
ｃａ＋２　）を使用し、３０分間エツチングを行なった
ところ、ＪＩＩｏ、２μ信の良好なパターンが形成され
た。

実施例２ 実施例１のシリコーンレジストに於て、ポリシロキサン
１５重量部に対して、アジド化合物、とじて３，３′−
ジアジドジフェニルスルボンを５重量部添加したことを
除いては上記実施例１と同様にした。その結果、線幅０
．２μｌの良好なパターンが１０μＣの感度で得られた
。

実施例３ で示されるポリシロキサン（分子１７．０００）８０重
冊部と、３，３′−ジアジドジフェニルスルホン２０重
置部を１−アセトキシ−２−エトキシエタン５００１１
部と混合してシリコーンレジスト溶液を調製し、実ＩＭ
例１と同様に塗布し、膜を作成した。

而して、０．４μ−の線幅のパターンを石英基板上にク
ロムで描いたマスクを、前記得られた膜上にｌｆｆ１！
させ、高圧水銀ランプ（（２５０ｗ　）−を光源として
、露光を行ない、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キシド２．０％水溶液で９０秒間現象を行ない、その後
実施例１と同様に０２ガスプラズマで処理したところ、
０．４μｍの線幅のパターンが得られた。

実施例４ 次式： で示される構造単位を有するポリシロキサン（分子量４
．０００）１５重量部を１−７セトキシ一２エトキシエ
タン８５重母部に溶解してシリコーンレジスト材料を調
製した。実施例１と同、様に塗布、乾燥、露光を行ない
、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシサイドの２
．３％の水溶液で６０！り間現像しその後実施例１と同
様に０２ガスプラズマで処理したところ、線幅０．２μ
ｍの良好なパターンが１００μＣの感度で得られた。

実施例５ 実施例４のシリコーンレジストに於て、ポリシロキサン
１５重量部に対して、アジド化合物として３．３−一ジ
アジドジフェニルスルホンを５重量部添加したことを除
いては、上記実施例４と同様にした。その結果、線幅０
．２μＩの良好なパターンが２０μＣの感度で得られた
。

実施例６ 実施例４のシリコーンレジストに於て、ポリシロキサン
１５重量部に対して、感光剤として２．３，４．４＝　
　−テトラヒドロキシベンゾフェノン−トリ（１，２−
ナフトキノン２−ジアジド−５−スルホン酸）エステル
を４重量部添加しシリコーンレジスト材料を調製した。

実施例１と同様に塗布し、膜を作成した。

ついで、縮小投影露光装置（光源の波長ｇ線。

レンズの開口数ＮＡ−０，４２）を用い、露光を行ない
、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド２．３８
％水溶液で９０秒間現像を行ない、その後実ｇ＆例１と
同様にｏ２ガスＲＩＥ（Ｒｅ−ａＣｔｉＶｅ　　Ｉ　Ｏ
ｎ　　Ｅ　ｔＣｈｉｎ□反応性イオンエツチング）を行
なったところ、０．５μｍの線幅のパターンが得られた
。

実施例７ 次式 で示される構造単位を有するポリシロキサン（分子量５
．０００）１５重量部を１−７セトキシー２−エトキシ
エタン８５重量部に溶解してシリコーンレジスト材料を
調製した。実施例１と同様に塗布、乾燥、露光を行ない
、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの２．
３８％水溶液で６０秒間現像しその後実施例１と同様に
０２ガスプラズマで処理したところ、線幅０．２μｍの
良好なパターンが４μＣの感度で得られた。

実施例８ 実施例７のシリコーンレジストに於て、ポリシロキサン
１５重量部に対して、感光剤として、３．３−ジアジド
ジフェニルスルホン５重量部添加したシリコーンレジス
ト材料を調製した。実施例１と同様に塗布、乾燥、露光
を行ない、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドの２．３８％水溶液で４５秒間現像し、その後実施例
１と同様に０２ガスプラズマで処理したところ、線幅０
゜２μｍの良好なパターンが５μＣの感度で得られた。

実施例９ 次式 で示される構造単位を有するポリシロキサン（分子量５
．０００）１０重量部とｍ−クレゾール：ｐ−クレゾー
ル：２，５−キシレノール−４５：　２５：３０の組成
からなるノボラック樹脂（分子量４．０００）５重量部
を１−アセトキシ−２−エトキシエタン８５重量部に溶
解しシリコーンレジスト材料をｒｌＪ製した。実施例１
と同様に塗布、乾燥、露光を行ない、コリンの５％水溶
液で６０秒間現象し、その後実施例１と同様に０２ガス
プラズマで処理したところ線幅０．２μｍの一良好なパ
ターンが１ｏＯμＣの感度で得られた。

実施例１０ 実施例９のシリコーンレジストに於て、ポリシロキサン
とノボラック樹脂１５重量部に対して、感光剤として、
１−シアノ−１−（４−アジドフェニル）−４−フリル
−１，３−ブタジェンを５重−」部添加しシリコーンレ
ジスト材料を調製した。実施例１と同様に塗布し、膜を
作成した。ついで縮少投影露光袋＠（光源の波長ｇ線、
レンズの開口数ＮＡ＝０．４２）を用い、露光を行ない
コリン５％水溶液で６０秒間現像を行ないその後実施例
１と同様に０２ガスプラズマ処理を行なったところ、０
．５μｍの線幅のパターンが形成出来た。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明の第一のシリコ
ーンレジスト材料は、紫外線・Ｘ線・ガンマ線・電子１
１等の照射エネルギーで照射する場合に簡易かつ迅速な
処理で、パターン形成することを可能とする。

また本発明の第二のシリコーンレジスト材料は、アルカ
リ現像でき、且つ優れた耐酸素ＲＩＥ性を有するため極
微細のレジストパターンを最小限の工程数で形成するこ
とができる。更にこの場合において前記シリコーンレジ
スト材料はポリシロキサン結合を介して主鎖中にケイ素
及び酸素原子を含むので、ａｍ中にケイ素原子を含むシ
リコ−、ンレジスト材料に比して、耐酸素ＲＩＥ性がは
るかに高く、該プラズマエツチングの際の選択比が大き
く、−層鮮明かつ微細なレジストパターン形成を可能と
する。

また以上により、本発明の第１．２のレジスト材料は、
何れも半導体素子の集積回路の製造工程など幅広い用途
に有効に適用し得る。

代Ｆ臥でｒＦ±三　好保

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）式 （ I ）▲数式、化学式、表等があります▼及び（II）
   ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、置換基Ｒ＿１は、炭素原子数１〜１０のアルキ
   ル基又は炭素原子数６〜１４の置換もしくは非置換アリ
   ール基を表し、置換基Ｒ＿２〜Ｒ＿６は、そのうちの少
   くとも１つの基がカルボキシル基もしくはフェノール系
   水酸基またはこれを含有する基であり、かつこれ以外の
   基は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲノ
   アルキル基、シアノアルキル基、カルボキシル基、アル
   キルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキ
   シ基、アルコキシアルキル基、アシルオキシ基、アリル
   基又は炭素原子数６〜１４の置換もしくは非置換アリー
   ル基を表わし、置換基Ｒ＿７、Ｒ＿８はビニル基、アリ
   ル基、γ−メタクリロキシプロピル基、γ−グリシドキ
   シプロピル基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、アリ
   ール基もしくは置換アリール基又はシロキシ基もしくは
   置換シロキシ基を表わす。）で示される構造を必須構造
   として含むポリシロキサンから成るシリコーンレジスト
   材料。
2. （２）感光剤を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載のシリコーンレジスト材料。
3. （３）感光剤がアジド化合物であることを特徴とする特
   許請求の範囲第２項に記載のシリコーンレジスト材料。