JPH03100553A - レジスト材料及び感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はネガパターンを高精度に再現し、かつ酸素プラ
ズマ耐性の高い高エネルギー線用のレジスト材料及び紫
外線に対してポジパターンを高精度に再現しつる感光性
樹脂組成物に関する。

〔従来の技術〕

ノホラック樹脂と感光剤のナフトキノンジアジドから成
るポジ形のフォトレジストは、高感度、高解像度、アル
カリ可溶性等の特徴を持つため、リソグラフィの分野に
おいて最近用いられている。さて、２層しジストＣＢ、
Ｊ、　　リン（Ｂ、Ｊ、Ｌｉｎ）　　ソリッド　ステー
ト　テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ、）　、第２４巻、第７３頁（１９８１））にお
いて、高形状比のパターンは基板上に形成したレジスト
薄膜に高エネルギー線、例えば、酸素プラズマエツチン
グ（０２ＲＩＢ）で異方性エツチングすることによって
得られている。この０２ＲＩＢ耐性はレジスト材料にと
って極めて重要視されるようになっており、０２ＲＩＢ
により酸化物を形成するような材料、般にはケイ素（シ
リコン）を含む材料が０２ＲＩＢ耐性に優れているとさ
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、上記のレジストは、シリコン成分を含んでい
ないため０．ＲＩＢ耐性が悪いという欠点があった。こ
れを解決するため、ポリシロキサン系のレジスト材料が
提案されているが、この種の材料は一般にガラス転移温
度が低く、このため加工時にほこりが付き易い、膜厚制
御が困難、現像時のパターン変形による現像性低下など
のプロセスとの適合性に大きな問題があった。

したがって、本発明の目的は、ガラス転移温度が高く、
また、０．ＲＩＢ耐性に優れ、かつ、アルカリ現像タイ
プのレジスト材料及びそれを含む樹脂組成物を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はレジスト材
料に関する発明であって、カルボン酸あるいはカルボン
酸無水物を有するアルコキシシランの加水分解・縮合に
よって得られるポリシロキサンを含有していることを特
徴とする。

そして、本発明の第２の発明は感光性樹脂組成物に関す
る発明であって、第１の発明のポリシロキサンとオルト
ナフトキノン系化合物を含有していることを特徴とする
。

本発明は、前記の問題点を解決するために、まず、シロ
キサン結合を骨格構造とすることにより　０□ＲＩＢ耐
性を高め、金属アルコキシドを原料とすることによる梯
子型の化学構造をとることによりガラス転移温度を高め
、また、カルボキシル基を導入することによりアルカリ
溶解性を高めたものである。

本発明の第１の発明のレジスト材料を構成するポリシロ
キサンは、一種以上の多官能アルコキシシランの加水分
解・縮合によって得られるポリシロキサンであって、該
多官能アルコキシシランの一部あるいは全部がカルボン
酸あるいはカルボン酸無水物を有するアルコキシシラン
であることを特徴とするポリシロキサンである。

このポリシロキサンは一般には次のような方法によって
合成される。まず、特定のアルコキシシランをエタノー
ルなどのアルコールに溶解し、これに水と塩酸などの触
媒を加える。この触媒は場合によっては除いてもよい。

この反応は常温で進行するが、必要に応じて加熱しても
よい。

所定時間経過後、反応溶液を水中で投入し、沈殿した生
成物をろ別した後乾燥する。この段階での生成物を実用
に供しても良いし、また、更に高重合体を所望する場合
には、生成物を適当な溶媒中、アルカリ触媒などにより
更に反応を進めれば良い。あるいは、バルク状で更に加
熱して縮合を進める方法も有効である。

また、本発明の金属アルコキシドの加水分解・縮合によ
って得られたポリシロキサンは、般に末端にシラノール
基を有するため、これが縮合を起こし経時的に特性を変
化しつる可能性がある。これを避けるためには、シリル
化剤によりシラノール基を他の非反応性の置換基に置換
することが好ましい。

本発明において用いられるカルボン酸あるいはカルボン
酸無水物を有する多官能金属アルコキシドは特に限定す
るものではなく、分子中に、カルボン酸あるいはカルボ
ン酸無水物を持つ２官能あるいは３官能のアルコキシシ
ランである。

具体的には、４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、４−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、４−トリイソプロポキシシリルテトラヒド
ロフタル酸無水物、４−トリメトキシシリルテトラヒド
ロフタル酸、４−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸、４−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸等が例示される。

また、本発明にはカルボン酸あるいはカルボン酸無水物
を有する金属アルコキシドと、汎用の金属アルコキシド
あるいは金属塩化物との共重合によって得られるポリシ
ロキサンも含まれる。この種の汎用の金属アルコキシド
は特に限定するものではないが、次のようなものが例示
される。ジメトキシジメチルシラン、ジェトキシジメチ
ルシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオ
ロプロピルシラン、ジェトキシジビニルシラン、ジェト
キシジエチルシラン、３−アミノプロピルジェトキシメ
チルシラン、３（２−アミノエチルアミノ）プロピルジ
メトキシメチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラ
ン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジフ
ェニルシラン、ジェトキシジフェニルシラン、トリス−
（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン、３．３．３
−）リフルオロプロピルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、３−（Ｎ−メチル゛ｒミノ）プロピ
ルトリメトキシシラン、メチルトリス−（２−アミノエ
トキシ）シラン、トリアセトキシビニルシラン、トリエ
トキシビニルシラン、エチルトリエトキシシラン、２−
メルカプトエトキシトリエトキシシラン、３−　（２−
アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエト
キシシラン、アリルトリエトキシシラン、３−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキ
シシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピ
ルトリメキトジシラン、メチルトリプロポキシシラン、
フェニルトリエトキシシラン、３−（：Ｎ−アリル−（
２−アミノエチル）〕アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−（Ｎ−アリル−Ｎ−グリシジル）アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、３−（Ｎ、Ｎ−ジグリシジル）
アミノプロピルトリメトキシシラン。これらのうち、特
に好ましいのは、原料の入手しやすさ、反応性、得られ
た生成物の特性等の点から、フェニル）　ＩＪエトキシ
シラン及びメチルトリエトキシシランである。また、金
属塩化物としては、ｎ−ブチルトリクロロシラン、ジメ
チルジクロロシラン、エチルトリクロロシラン、メチル
トリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリク
ロロビニルシラン、ジフェニルジクロロシラン等が例示
される。

本発明において用いられる触媒は特に限定するものでは
なく、酸触媒及びアルカリ触媒が用いられる。このよう
な酸触媒としては、塩酸、フッ化水素酸、硝酸、硫酸等
が例示される。また、アルカリ触媒としては、アンモニ
ア、苛性ソーダ、苛性カリ等が例示される。

第１の発明のポリシロキサンから成るレジスト材料は適
当な感光剤との組合せで様々な用途に応用できる。本発
明の第２の発明はこのような組合せの一つであり、第１
の発明のポリシロキサンとオルトナフトキノン系の感光
剤とから成る感光性樹脂組成物に関するものである。前
記のレジスト材料はアルカリ可溶性であるため、オルト
ナフトキノン系化合物を加えることにより、ポジ型の感
光性樹脂組成物として利用できる。すなわち、本発明の
感光性樹脂は紫外線（ＵＶ）照射により、照射部分のオ
ルトナフトキノン系化合物が相応するインデンカルボン
酸となり、照射部はアルカリ現像で除去されるためポジ
型レジスト特性を示す。

また、高エネルギー線によりパターン露光した後、紫外
線を全面照射した後露光するイメージリバーサル法では
、ネガ型のパターンが形成できる。

Ｃ（７）Ｍ光性樹脂組成物においてオルトナフトキノン
系化合物は、アルカリ液に対するレジストの溶解防止剤
としての役割を果す。オルトナフトキノン系化合物の添
加量は、通常５〜４０重量％の範囲であり、５％未満で
はポリマー化合物のアルカリ現像液に対する溶解を抑制
することが困難であり、アルカリ現像ができなくなり、
また４０％を越えるとレジスト材料としてのシリコン含
有率が低下し、酸素プラズマ耐性が低下する。一般には
２０％程度が好ましい添加量である。

本発明におけるオルトナフトキノン系の感光剤とは特に
限定するものではないが、化合物中にナフトキノンジア
ジド（１）を含む感光剤をいう。一般には、多価フェノ
ールの水酸基にナフトキノンジアジドをスルホン酸エス
テルの形で結合させたものである。

次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いて、パターンを
形成する方法の１例を述べる。まず、シリコンなどの基
板上に有機高分子材料の膜を形成し、その上に本発明の
感光性樹脂組成物を塗布して２層構造とする。次いで熱
処理した後、光照射して照射部分のみを現像溶媒に可溶
性とし、次いで現像により照射部の感光性樹脂組成物を
除去する。次に、非照射部の感光性樹脂組成物をマスク
とし、酸素ガスを用いるドライエツチングによって、下
層の有機高分子膜をエツチング除去することにより、パ
ターンを形成する。上記の有機高分子材料としては、酸
素プラズマによりエツチングされるものであればその種
類を問わないが、パターン形成後、これをマスクとして
基板をドライエツチングする際、耐性が必要とされるた
め、芳香族含有ポリマーが望ましい。

以下、本発明におけるポリシロキサンの合成例を示すが
、これらに限定されるものではない。

合成例１ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物２
７．２ｇ（０，１モル）をエタノールに溶解し、か（は
んしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で１４４
時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入し、生成
した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生成物はテ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）　　エタノール、エチレン
グリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、
メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）　、アセトン等の
溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な
膜が得られた。第１図は生成物フィルムの赤外スペクト
ルを波数（Ｃ「８、横軸）と透過率（％、縦軸）との関
係で示した図であるｏ　　１７００〜１７５０ｃｍ−’
付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づく吸収が
認められ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例２ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物２
７．２ｇ（０，１モル）をエタノールに溶解し、かくは
んしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で１時間
反応させた後、６０℃で７２時間反応させた。反応溶液
を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポ
リマーを得た。生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセ
ロソルブ、ＭｒＢＫ、アセトン等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１７５０ｃ
ｍ−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入がｍ認された。

合成例３ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン１２．０ｇ（０，０５モル）をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
ＪｉｌはＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩ
ＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。

これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物
フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１７５０ｃｍ
−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づく吸
収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例４ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン１２．Ｏｇ（０，０５モル）をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。更
に反応溶液をシャーレに移し、窒素雰囲気中９０℃で２
４時間、１２０℃で４８時間加熱した。

生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩ
ＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。

これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物
フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１７５０ｃｍ
−’付近にＣ−〇（カルボン酸）の伸縮振動に基づく吸
収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例５ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸！水物８
．１６　ｇ　（０，０３モル）及びフェニルトリエトキ
シシラン１６．８ｇ（０，０７モル）をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。

常温で１４４時間反応させた後、溶媒等を除去して生成
物を単離した。

次に生成物をＭＩＢＫを溶媒とし、また触媒に苛性カリ
を用いて窒素気流中で１２時間還流した。再沈、中和に
より生成物を精製し白色のポリマーを得た。生成物はＴ
ＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩＢＫ、アセ
トン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。これらの溶
液からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの
赤外スペクトルには１７００〜１７５０ｃｍ−’付近に
Ｃ＝Ｏ（カルボン酸）の伸縮振動に基づく吸収が認めら
れ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例６ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン１２．Ｏｇ（０，０５モル）をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
成物をＭＩＢＫに溶解し、これにトリメチルシリルジメ
チルアミンを溶解したＴＨＦ溶液を加え２４時間反応さ
せた。反応溶液をｎ−へキサンに投入しシリル化したポ
リシロキサンを得た。

生ｔＬ物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、Ｍ
ＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルにはｉ　７００〜１７５０
ｃｍ−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。

合成例７ ４−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタル酸無
水物３５．６ｇ（０，１モル）をイソプロピルアルコー
ルに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加
した。常温で２４０時間反応させた後、反応溶液を蒸留
水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマー
を得た。

生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩ
ＢＫ、アセトン等の溶媒に可溶であった。これらの溶液
からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤
外スペクトルには１、７００〜１７５０ｃｍ−’付近に
Ｃ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づく吸収がＳ忍ぬ
られ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例８ ４−トリメトキシ−シリルテトラヒドロフタル酸！水物
１３．６　ｇ　（０，０５モル）及びフェニルトリエト
キシシラン９．６０　ｇ　（０，０４モル）及びジフェ
ニルジェトキシシラン２．７２ｇ（０，０１モル）をエ
タノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液
を添加した。常温で１４４時間反応させた後、反応溶液
を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別゛し白色の
ポリマーを得た。生成物はＴＨＦ、エタノール、エチル
セロソルブ、ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒
に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が
得られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには１７０
０〜１７５０ｃｍ−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸
縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入
が確認された。

合成例９ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン１２．Ｏｇ　（０，０５モル）をエタノールに溶解
し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常
温で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投
入し、生成した沈殿物をろ別乾煙し白色のポリマーを得
た。

更にこれを窒素雰囲気中３００℃で１時間加熱し生成物
を得た。生成物はＴ　ＨＦ、エタノール、エチルセロソ
ルブ、ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１
７５０ｃｍ−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が？ｉ
１！Ｊされた。第２図は本実施例の生成物の窒素中での
熱重量曲線を温度（℃、横軸）と重量変化（％、縦軸）
との関係で示した図である。

約４００℃まで重量減少が認められず、熱安定性に優れ
ていることが判る。

合成例１０ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン８．９ｇ　（０，０４モル）及びＩ：″３ルトリエ
トキシシラン１．９０ｇ　（０，０１モル）をエタノー
ルに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加
した。常温で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留
水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマー
を得た。

生成物１ｔＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、Ｍ
ＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１７５０ｃ
ｍ−’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。

合成例１１ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン８．９ｇ　（０，０４モル）、及び３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン２．２１ｇ　（０，０１モル）
をエタノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水
溶液を添加した。

常温で１４４時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色ノホリマーを得た
。生成物はＴ　ＨＦ　、エタノール、エチルセロソルブ
、ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であ
った。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。

生成物フィルムの赤外スペクトルには１７００〜１７５
０ｃｎｒ’付近にＣ＝０（カルボン酸）の伸縮振動に基
づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認され
た。

合成例１２ ４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物１
３．６ｇ（０，０５モル）及びフェニルトリエトキシシ
ラン１２．０ｇ　（０，０５モル）をエタノールに溶解
し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。し
かる後アンモニア水を添加し反応溶液のｐ）Ｉを１０に
調節した。６０℃で１４４時間反応させた後、反応溶液
を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポ
リマーを得た。生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセ
ロソルブ、ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に
可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得
られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには１７００
〜１７５０ｃｍ−’付近にＣ−Ｏ＜カルボン酸）の伸縮
振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が
確認された。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが
、本発明は以下の例に限定されるものではない。

実施例１ 合成例１〜１２で得たレジスト材料のエチルセロソルブ
溶液をスピンコード法により約０．３μｍの厚さでシリ
コンウェハに塗布し、８０℃で２０分プリベークした。

ブリベータ後、高エネルギー線（電子線、Ｘ線、遠紫外
線）を照射した。照射後、マイクロポジット２４０１　
　（シブレイ社製）と水の比が１／１の現像液でそれぞ
れ現像し、照射部の残膜が初期膜厚の５０％となる照射
量を感度として求めた。また、解像性はライン＆スペー
スパターンで解像しうる最小パターン寸法を測定した。

感度と最小パターン寸法を表１に示す。

実施例２ 合成例１〜１２で得たレジスト材料にノボラック系のナ
フトキノン化合物を２０重量％添加した感光性樹脂組成
物を約１．２μｍの厚さでシリコンウェハに塗布し、８
０℃で２０分間プリベークした。ブリベータ後マスクア
ライナ−（キャノン社製）を用いて紫外線照射した。照
射後、実施例１と同じ現像液で現像し、照射部の残膜が
０となる照射量を感度として求めた。

表２に感度と解像性を示す。解像性はライン＆スペース
パターンを形成して評価し、いずれの材料も０．５μｍ
幅のパターンが形成できた。

実施例３ シリコンウェハにＡＺ−１３５０レジスト（ヘキスト社
製）を３μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し不溶化させた。この△Ｚレジストの上に実施例２で用
いたレジスト材料を実施例２と同様な操作で約１．２μ
ｍの厚さに塗布し、８０℃で２０分間プリベークした。

ブリベータ後、０．５μｍのライン＆スペースのパター
ンを持つクロムマスクを通して紫外線を照射し、実施例
２と同一組成の現像液で現像を行ったところ、マスクの
パターンがレジスト材料に転写された。その後、平行平
板型スパッタエツチング装置で酸素ガスをエツチングガ
スとして、またレジストパターンをマスクとしてＡＺレ
ジストをエツチングした。ＲＦパワー０．２Ｗ／ｃｍ２
０□ガス圧２０　ミＩＪ　）−ルの条件で１５分エツチ
ングすることにより、レジストパターンに覆われていな
い部分のＡＺレジストは完全に消滅した。

また、実施例２で用いたいずれのレジスト材料でも０．
５μｍライン＆スペースパターンが約２μｍの厚さで形
成できた。

実施例４ 実施例２で用いた感光性樹脂組成物は電子線、Ｘ線、紫
外線を用いたイメージリバーサル法によってもパターン
が形成できることが確認された。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明のレジスト材料はアルカリ
可溶性のポリシロキサンであり、高エネルギー線照射に
より架橋を生じるため、アルカリ現像可能な非膨潤型ネ
ガ型レジストになる。また、シリコンを含有するため酸
素プラズマ耐性が高く、したがって、２層レジストの上
層レジストとして使用できる。他方、上記レジストにオ
ルトナフトキノン系化合物を添加した感光性樹脂組成物
は紫外線に対し高感度のポジ型レジストとなる。

いずれもアルカリ現像が可能であり、また、２層レジス
トに使用できるため、０．５μｍ以下の微細パターンが
高アスペクト比で形成できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は合成例１において合成した生成物の赤外スペク
トルを示す図、第２図は合成例９で得た生成物の窒素雰
囲気中での熱重量曲線を示す図である。 重　ｔ　毬Ｅ　イヒ　（＝／、）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、カルボン酸あるいはカルボン酸無水物を有するアル
   コキシシランの加水分解・縮合によって得られるポリシ
   ロキサンを含有していることを特徴とするレジスト材料
   。 ２、カルボン酸あるいはカルボン酸無水物を有するアル
   コキシシランの加水分解・縮合によって得られるポリシ
   ロキサンとオルトナフトキノン系化合物を含有している
   ことを特徴とする感光性樹脂組成物。