JPS63239440A - エネルギ線感応性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子、磁気バブル素子及び光応用部品
等を製造する際に用すられる感光性及び放射線感応性樹
脂組成物に関する。

〔従来の技術〕

従来％ＬＳＩの加工プロセスにおけるパターン形成には
、紫外線用としてはアルカリ可溶ノボラック樹脂にジア
ゾナフトキノン化合物を添加したものが、また、高エネ
ルギ線用としてはメタクリレ−ト系の高感度ポジ形レジ
ストが、その解像性が高いことを理由に使用されている
〔トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ　）　　ラ、イントロ
ダクション　ツー　マイクロリングラフィ（Ｉｎｔｒｏ
ｄｕｃｔｉｏｎ　ｔ。

Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　）　ＡＣＳシリー
ズ〕。

近年、配線の多層化、三次元アレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパターンを
形成することが望まれ１段差をカバーするだめにレジス
ト膜を厚くする必要が生じてきた。更にイオンドーピン
グのために高速のイ、オンを基板に到達させることなく
捕獲するためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはな
らない８しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなる
に従い、光の場合は定在波のために、また、電子線・の
場合は後方散乱のため解像度の低下が起シ、微細なパタ
ーンを形成することができなかった。

この問題を解決するため・に、レジストを一層ではなく
多層化することにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形
状比パターンを形成する方法が提案されている。すなわ
ち、第１層目に有機高分子材料の厚膜を形成し、その上
の第２層に薄膜のレジスト材料層を形成したのち、第２
層に紫外線並びに高エネルギ線を照射し、現像したのち
、得られるパターンをマスクとして第１層の有機高分子
材料を酸素プラズマエツチング（０２几ＩＥ）テ異方性
エツチングすることによシ、高形状比のパターンを得よ
うとするものである〔リンＣＢ、　Ｊ、　Ｌｉｎ　）、
ソリッドステート　テクノロジー（５ｏｌｉｄ　５ｔａ
ｔｅＴｅｃｈｎｏｌ、　）　　第２μ巻第７３頁（／り
♂／）参照〕。

この場合、第２層のレジスト材料は０２几ＩＥ耐性が高
くなければならないので、Ｓｉ含有ポリマーを用いるこ
とが提案されている。例えば、高エネルギ線用としては
、下記式： で表されるポリマーをレジストとして、使用した例があ
る〔ザンサイエテイ　オブフォトーオプチカルインスト
ルメンテーションエンジニアース（ＳＰＩＥ）第≠乙り
巻、アトパンセスイン　レジスト　テクノロジー（Ａｄ
ｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌ、
）　　第３♂頁（／り♂弘）参照〕。

また、紫外線用ポジ形レジストとしては、ノボラック樹
脂にシリル基を導入したポリマーが報告されている〔伊
東等［第３２回　応用物理学関係連合講演会講演予稿集
コタｐ　−Ｈ−／ｊｃ１５Ｐ♂！ｒ〕参照〕。

〔発明が解参照上うとする問題点〕

しかしながら、これらのポジ形レジストは、Ｓｉ含有率
が低く、また８ｉが側鎖に導入されているため、酸素プ
ラズマに対する耐性が十分でなく、第１層目ゐ有機高分
子材料をエツチングするときのマスクとはならなかった
。

本発明の目的は、高感度であシ、かつ、０．几ＩＢ耐性
の高い、エネルギ線感応性樹脂組成物を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明はエネルギ線感応性樹脂組
成物に関する発明であって、下記一般式： （但しＲは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）及び
カルボキシル基よりなる群から選択した７種の基を示し
、Ｒ′、几′及びＲ′は、同−又は異な広水酸基、アル
キル基及びフェニル基よりなる群から選択した７種の基
を示し少なくとも７つは水酸基を有し、４＋ｍ及びｎは
、０又は正の整数を示す〕で表されるシリコーン樹脂と
、下記一般式ＩＩｌ：０２−Ｚ ＣＨ。

よりなる群から選択した７種の基を示す）で表されるオ
ルトナフトキノン系化合物、下記一般式■：几。

０１１２　０−Ｔ−１＝　（■〕 （Ｃ！Ｈ２）　ｐ （式中、Ｒ４は水素、アルキル基又はフェニル基、Ｙは
水素、アルキル基又はトリアルキルシリル基、数を示す
）で表される繰返し単位を含むポリマー。

及び下記一般式■： （式中馬は水素、アルキル基、フェニル基又はシリコン
を含有するアルキル基を示す）で表される繰返し単位を
含むポリマーよりなる群から選択した７種のものとを包
含することを特徴とする。

本発明に当ってはポリシロキサン構造を採用して０２Ｒ
ＩＥ耐性を高め、更に側鎖にフェニル基を多数導入して
Ｔｇ　ｋ高めたシリコーンポリマーを用いることによシ
上記問題点を解決するようにした。

前記Ｉ及びＩＩで示されるシロキサンポリマーは主鎖が
シロキサン構造をもつため０２几ＩＥ耐性が高く、また
フェニル基が側鎖に多く存在するためＴｇが室温以上で
あシ粘着でなく、平滑な膜が形成可能でレジストとして
使用可能である。

シル基等の親水基が導入されているため、あるいはシラ
ノール基があるためアルカリ水溶液に可溶である。

このため上記オル・トナフトキノン系化合物（兜を１、
ＩＩで表されるシロキサンポリマーに添加した組成物は
、感光性樹脂組成物であシ、紫外線（ＵＶ）照射によシ
照射部分のオルトナフトキノン系化合物が相応するイン
デンカルボン酸となってアルカリ可溶となシ、アルカリ
現像で除去されるためポジ形レジスト特性を示す。

すなわち、この感光性樹脂組成物において、オルトナフ
トキノン系化合物は溶解防止剤としての役割を果たす。

オルトナフトキノン系化合物の添加量は、通常！〜ｔｉ
ｔｏ重量優の範囲とされる。５重量％未満ではポリマー
化合物のアルカリ現像液に対する溶解を抑制することが
できず、アルカリ現像ができなくなシ、また４ＬＯ重量
％を超えるとレジスト材料としてのＳｉ含有率が低下し
、酸素プラズマ耐性が減少して不都合を来す。

本発明における他方の樹脂組成物は、放射線感応性樹脂
組成物であって、前記−取入Ｉ又はＩＩで表されるシリ
コーン樹脂と、前記一般式ＩＶ又はＶで表される繰返し
単位を含むポリマーとを包含する。

前述したように、一般式■あるいはＩＩで表されるポリ
マーはアルカリ可溶である。そこで、これらのポリマー
に一般式■又はＶで表されるポリマーを加えたレジスト
材料はアルカリ水溶液に不溶であるが、放射線すなわち
高エネルギ線照射により一収式■又はＶのポリマーが分
解しアルカリ水溶液に可溶になるためポジ形レジストと
なる。

すなわち、ここで一般式■あるいはＶを含むポリマーは
、アル・カリに対するシロキサンポリマー〇溶解禁止剤
としての役割を果たす。この一般式■又は■を含むポリ
マーの量が少ないと溶解禁止剤としての役割を果たすこ
とができない。また多いと酸素プラズマ耐性が低下する
問題がある。

コ（７）りめ一般式Ｉ、Ｉｆのシロキサンポリマーに対
し、一般式■又はＶを含むポリマーの添加量は７〜５０
重量％が好ましい。

本発明の一般式■で表されるシロキサンポリマーの製造
法としては、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、オ
クタフェニルシクロテトラシロキサンなど環状フェニル
シロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸
化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル化
物で開環雪合させ、得られたポリジフェニルシロキサン
を変性する方法が考えられる。

また、環状フェニルシロキサン単独ではなく、テトラメ
チルテトラフェニルシクロテトラシロキサンやオクタメ
チルシクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよい
。

本発明の一般式ＩＩで表されるフェニルシルセスキオキ
サンポリマーの製造法として はラン化合物を加水分解することによシ容易に得らレル
フエニルシルセスキオキサンポリマ−を変性する方法が
考えられる。

また、一般式■で表される単位を含むポリマーとしては
、一般式■のＴが ■ −８−のものは、相当するオレフィンとＳＯ７との口 共重合によシ得られるものである。重合は、低温でｔ−
ブチルハイドロパーオキシドあるいは光照射により行わ
れる。オレフィンとしてはビニル基を持つものはすべて
使用可能であるが、例えばプロピレン、ブテン−／、ペ
ンテン−／、ヘキセン−／、オクテン−／９２−メチル
ペンテン−／。

ブテンーコ、ヘキセンーコ、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、トリメチルシリルプロピレン、トリメチルシリ
ルブテン、トリメチルシリルエテンなどが挙げられる。

また、Ｔが−０−Ｃ−Ｏ−のものは、エポキシ化合物と
ＣＯ７の共重合により得られるものである。重合は、−
３−０−夕０°Ｃの範囲でエポキシ化合物と００２をジ
オキサンに溶解し、ジエチル亜鉛／水系を触媒として行
われる。エポキシ化合物としては、エポキシ基、グリシ
ジル基などのエポキシ構造をもつものがすべて使用可能
であるが、例えばグリシシリルメタクリレート、エチレ
ンオキシド。

トリメチル（エポキシエチル）シラン、トリメチル（エ
ポキシプロビル）シランなどが用いられる。

一般式■で云される単位を含むポリエーテルは、アルデ
ヒドをカチオン重合させることにより得られるものであ
る。重合は、トルエンにアルデヒドを溶かし、天井温度
以下の低温に冷却したのち、コバルｌ−（ｎ）アセチル
アセトナト溶液や第３アミン、カチオン触媒を触媒とし
て行われる。アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド。

イソブチルアルデヒド、ヘキサナール、３−トリメチル
シリルプロパナール、≠−トリメチルブタナール等が挙
げられる。また、熱安定性を増すため、末端水酸基をア
セチル化したものも使用可能である。

次に、一般式Ｉ及びＩＩで表されるシロキサンポリマー
の製造例を例示する。

製造例／ かきまぜ機、温度計１滴下漏斗をつけた３００ｍｔのフ
ラスコに無水塩化アルミニウム／り２゜塩化アセチルｊ
ｒ　Ｏｒｎｔをとりかくはんする。次に分子量？２０の
ポリフェニルシルセスキオキサン（ガラスレジンＧ几り
！０、オーエンスーイリノイ社製）！ｒ２を塩化アセチ
ルタｏｍｔに溶かした溶液を徐々に滴下する。温度を２
夕”Ｃに保ち反応を進める。反応の進行と共に塩化水素
が発生する。

３時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ
。よくかきまぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が酸
性であることを確かめてから沈殿したポリマーを戸別す
る。希塩酸−水でよく洗い、最後に真空乾燥器で乾燥す
る。得られたポリマーの分子量はＰ♂θであった。赤外
線吸収スペクトルでは／１．７０ｏｒｔｂ　　にカルボ
ニル基の吸収がＮＭＲでδ−２，≠にメチル基の吸収が
みられ、アセチル化されたことが確認できた。この時の
アセチル化率はＮＭＲから６０チであった。

製造例コ かきまぜ機、温度計１滴下漏斗をつけた３００ｍ１のフ
ラスコに塩化第二スズ２！ｍｌ、無水酢酸ｊ　Ｏｍｔを
とりかくはんする。次にジフェニルシランジオール乙グ
を無水酢酸ｚ　ｏ　ｍｔに溶かした溶液を徐々に滴下す
る。以下製造例／と同様な方法でアセチル化ポリシロキ
サンを得た。

得られたポリマーの分子量は１ｓｏｏであり、アセチル
化率は≠２チであった。

製造例３ 製造例／で得たアセチルポリフェニルシルセスキオキサ
ン乙りを７０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液／　０
０　ｍｌに加え、７２時間還流する。

得られた透明な液に塩酸を加えることにより酸性にする
と沈殿が生じる。戸別して黄白色固体を得た。赤外線吸
収スペクトルにおいて、／１，７０ａｔｂ−”のカルボ
ニル基の吸収が消滅し／７００（至）−１にカルボキシ
ル基の吸収がみられ、カルボキシル化されたことが認め
られた。収率７０％。

製造例弘 製造例２で得られたアセチル化ポリジフェニルシロキサ
ン乙２を１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１００
ｍ１に加え、７２時間還流する。以下、製造例３と同様
にしてカルボキシル化を行った。収率口〕。

製造例３及び製造例弘で得られたカルボキシル化物はア
ルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶、他の
有機溶媒に不溶であった。

製造例！ 製造例／で得たアセチルポリフェニルシルセスキオキサ
ンよ１をテトラヒドロフラン／　００　ｍＡに溶かし、
これに３７のＬ　ｉ　ＡｔＨｉを加え、３時間還流を行
った。反応終了後タチの塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ
黄白色固体を得た。収率！タチ。

生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみらしｆｃ／
１．７０ｏｍ−１のカルボニルの吸収が消え、３１００
〜３１ＡＯＯＯｆｎ−’　　付近にＯＨ基に起因する吸
収が見られ、還元されたことが確認できた。

製造例乙 製造例λで得たアセチル化ポリジフェニルシロキサン！
グをテトラヒドロフラン／　００　ｍｌに溶かし、これ
に３２のＬ　ｉ　ＡｔＨ４を加え還流を行った。

反応終了後、！チの塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ黄白
色固体を得た。収率乙乙チ。

製造例！及び製造例乙で得られたポリマーはアルカリ性
水溶液、メタノール等アルコールに可溶であった。

製造例７ 製造例／においてポリフェニルシルセスキオキサンの代
シに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフェニ
ルシロキサン（分子量３ｏｏｏ）を用いて、同じ方法で
アセチル化ポリジフェニルシロキサンを得た。

製造例♂ 製造例／において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によシプロピオニル化ポリフェニ
ルシルセスキオキサンを得た。

製造例り 製造例７において塩化アセチルの代シに塩化プロピオニ
ルを用いて同じ方法によりグロピオニル化ポリジフェニ
ルシロキサンを得た。

製造例ＩＯ 製造例／において反応温度２ｊ℃の代りに反応温度を夕
°Ｃとして同じ条件でアルカリ可溶性シロキサンポリマ
を得た。

ＮＭＲでアセチル基のピークが観察されずにシラノール
基のピークだけが観察された。この条件ではフェニル基
のアセチル化よジフェニル基の脱離によるシラノール基
の生成が優先すると思われる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが１
本発明はこれら実施例に限定されない。

実施例／ 製造例／〜りで得られたレジスト材料にで表されるナフ
トキノン化合物を２０重量％添加した感光性樹脂組成物
を約０．２μｍ厚さでシリコンウェハに塗布し、♂Ｏ″
Ｃで２０分間プリベークした。プリベーク後オーク社の
ジェットライトを用いて紫外線照射した。照射後、マイ
クロボジッ）　２４ｔＯ／　（シブレイ社裂）と水の比
が／／／の現像液でそれぞれ現像し、照射部の残膜がＯ
となるところの照射量を感度とした。表／に感度を示す
。

表　　　／ 解像性はラインースペースパターンを形成して評価し、
いずれの材料もＯ４ｊμｍ幅のパターンが形成できた。

実施例２ Ｈ造例／によるフェニルシロキサンポリマーを用い、前
記一般式ＩＩＩで示されるオルトナフトキノン系化合物
において、基Ｚが、下記構造：（１）　　−０Ｈ１（２
）　　−０Ｃ１，（８）　　−ＯＦ’。

ＵＨ。

Ｃ，）Ｉ。

のものを２０重量％添加し、実施例／と同様の方法で紫
外線に対する感度（照射量）を測定した。

その結果を表２に示した。

それぞれ、Ｏ８！μｍラインースペースを解像する。

実施例３ シリコンウェハＫＡＺ−７３３０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００°Ｃで３０分間加
熱し不溶化させた。このＡＺレジストの上に実施例／で
用いたレジスト材料を実施例コと同様の操作で約０．２
μｍの厚さに塗布し、ＩＯ”Ｃ７７７分間プリベークし
た。プリベータ後、０．夕μｍのラインースペースのパ
ターンをもつクロムマスクを通して紫外線照射し、実施
例／と同一組成の現像液で現像を行ったところマスクの
パターンが上層のレジスト材料に形成された。その後平
行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガスをエッチャ
ントガスとしてレジストパターンヲＡＺレジストをエツ
チングした。

ｒＬＦパワー０．２　Ｗ／（至）２．０．ガス圧２Ｑミ
リトルの条件で／Ｊ−分間エツチングすることによりレ
ジストハターンに覆われていない部分のＡＺレジストは
完全に消失した。実施例／で用いたいずれルシスト材料
でもｏ、　！ｒμｍラインースペースノパターンが約２
μｍの厚さで形成できた。

実施例≠ 製造例／〜りで得られたポリマー１０グにポリブテンス
ルホンを／グ加えたレジスト材料のエチルセルソルブ溶
液をスピンコード法により約０．２μｍ厚さでＳｉウェ
ハに塗布し、２０℃で、２０分間プリベークした。プリ
ベーク後、高エネルギ線（［子線、Ｘ線、遠紫外線）を
照射した。

照射後、マイクロポジット２≠Ｏ／（シブレイ社製）と
水の比が／／／の現像液でそれぞれ現像し、照射部の残
膜がＯとなるところの照射量を感度とした。

解像性はラインースペースパターンで解像しうる最小パ
ターン寸法を測定した。

感度と解像性を表３に示す。

実施例！〜り 製造例／で得られたポリマー１０グにポリメチルペンテ
ンスルホン（実施例り、ポリトリメチルシリルビニルス
ルホン（実ｍ例４）、エチレンオキシドとＣＯ□の反応
によシ得られるポリカーボネート（実施例７）、アセト
アルデヒドを重合させたポリエーテル（実施例♂）、Ｊ
−）リメチルシリルプロパナールを重合させたポリエー
テル（実施例り）をいずれも／７加え、これを実施例≠
と同様の方法で電子線に対する感度と酸素プラズマ耐性
（０，ＲＩＥ　）を測定した。結果を表≠に示す。

表　　弘 ＊　０２ガスプラズマによる 実施例／θ〜／４ 製造例１０で得られたポリマー１０グにポリメチルペン
テンスルホン（実施例１０）、ポリトリメチルシリルビ
ニルスルホン（実施例／／）、エチレンオキシＰとＣＯ
ｔの反応により得られるボリカーボ＄−ト（実ｍ例／２
）、アセトアルデヒドを重合させたポリエーテル（実施
例／３）、３−トリメチルシリルプロパナールを重合さ
せたポリエーテル（実施例／弘）をいずれも／７加え、
これを実施例≠と同様の方法で電子線に対する感度と酸
素プラズマ耐性（Ｏｔ几ＩＥ）を測定した。結果を表！
に示す。

表　　！ ０２　ガスプラズマによる 実施例／！ ／リコンウエハＫＡＺ−／３１０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、コｏｏ″Ｃで３０分間加
熱し不溶化させた。このＡＺレジストの上に実施例弘で
用いたレジスト材料を実癩例／と同様の操作で約０．２
μｍの厚さに塗布し、♂０°Ｃで２０分間プリベークし
た。プリベーク後、電子線をパターン状に照射した。

そして、実施例≠と同一組成の現像液で現像を行ったと
ころパターンがＡＺレジスト材料上に形成された。その
後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガスをエ
ッチャントガスとしてレジストパターンをマスクとして
ＡＺレジストをエツチングした。

凡Ｆパワー０．．２　Ｗ７ｍ２．　Ｏ，ガス圧２０ミリ
トルの条件で／夕分間エツチングすることによりレジス
トパターンに覆われていない部分のＡＺレジストは完全
に消失した。

実施例夕〜りで用いたいずれのレジスト材料でモ０．６
μｍラインースペースのパターンが約２μｍの厚さで形
成できた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の感光性及び放射線感応性
樹脂組成物は、アルカリ可溶性シロキザンボリマーとＪ
溶解禁止剤として光用はオルトナフトキノン類、また放
射線用はポリスルホン、ポリカーボネートあるいはポリ
エーテルからなるものを用いるので、光あるいは放射線
用に対して高感度のポジ形１／シストとなる。またシリ
コンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く、したがっ
て２層レジストの上層レジストとして使用できる。

２層レジストは下層にＯＦ、などを用いるドライエツチ
ングに対する耐性が高く、厚い有機ポリマ一層を有する
ため、著しく高い形状比を有するパターンを段差基板上
に形成できる。このため本発明によれば従来のポジ形レ
ジスト材料では達成できなかった、高感度で高形状比、
しかもＣＦ、など全周いるドライエツチング耐性の高い
パターンを形成できるという顕著な効果がある。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式 I 又はII： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 〔式中Ｘは同一又は異なり、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼基、▲数式、化学式、表等があります▼基（但
   しＲは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）及びカル
   ボキシル基よりなる群から選択した１種の基を示し、Ｒ
   ′、Ｒ″及びＲ″は、同一又は異なり、水酸基、アルキ
   ル基及びフェニル基よりなる群から選択した１種の基を
   示し少なくとも１つは水酸基を有し、ｌ、ｍ及びｎは、
   ０又は正の整数を示す〕で表されるシリコーン樹脂と、
   下記一般式III： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 （式中Ｚは−ＯＨ、−ＯＣｌ、−ＯＦ、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、及び ▲数式、化学式、表等があります▼ よりなる群から選択した１種の基を示す）で表されるオ
   ルトナフトキノン系化合物、下記一般式IV： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔IV〕 （式中、Ｒ＿４は水素、アルキル基又はフェニル基、Ｙ
   は水素、アルキル基又はトリアルキルシリル基、Ｔは▲
   数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、
   表等があります▼基、ｐは０又は正の整数を示す）で表
   される繰返し単位を含むポリマー、及び下記一般式Ｖ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔Ｖ〕 （式中Ｒ＿５は水素、アルキル基、フェニル基又はシリ
   コンを含有するアルキル基を示す）で表される繰返し単
   位を含むポリマーよりなる群から選択した１種のものと
   を包含することを特徴とするエネルギ線感応性樹脂組成
   物。
2. （２）該一般式 I 又はIIで表されるシリコーン樹脂と
   、該一般式IIIで表されるオルトナフトキノン系化合物
   とを包含する特許請求の範囲第１項記載の感光性樹脂組
   成物。
3. （３）該一般式 I 又はIIで表されるシリコーン樹脂と
   、該一般式IV又はＶで表される繰返し単位を含むポリマ
   ーとを包含する特許請求の範囲第１項記載の放射線感応
   性樹脂組成物。