JPH03100021A - ポリシロキサン - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感光性樹脂、表面保護膜、多層配線の絶縁膜
、イオン交換樹脂などの電子材料、機能膜等に適用可能
なポリシロキサンに関する。
、イオン交換樹脂などの電子材料、機能膜等に適用可能
なポリシロキサンに関する。
ポリシロキサンは有機ポリマーに比べて、耐熱性、耐寒
性、光学的性質に優れ、また、広い温度範囲で電気特性
が安淀であるなどの特徴を持つため、機能膜、電子材料
、電気材料、光学材料としての用途が開拓されつつある
。
性、光学的性質に優れ、また、広い温度範囲で電気特性
が安淀であるなどの特徴を持つため、機能膜、電子材料
、電気材料、光学材料としての用途が開拓されつつある
。
しかるに、従来のポリシロキサンは、分子内に適当な官
能基を持っているものは少なく、特に親水性の置換基を
導入したポリシロキサンはほとんどなかった。このため
、ポリシロキサン自体が疎水性であることとあいまって
、親水性が要求される用途にはほとんど使用できなかっ
た。
能基を持っているものは少なく、特に親水性の置換基を
導入したポリシロキサンはほとんどなかった。このため
、ポリシロキサン自体が疎水性であることとあいまって
、親水性が要求される用途にはほとんど使用できなかっ
た。
ポリシロキサンは、上記のように優れた特性を持つため
、これに親水性の官能基が導入されれば、その用途は一
層拡大され、更に、この官能基を応用して新しい機能を
有するポリマーが開発されることも期待されている。
、これに親水性の官能基が導入されれば、その用途は一
層拡大され、更に、この官能基を応用して新しい機能を
有するポリマーが開発されることも期待されている。
本発明の目的は親水性の置換基であるカルボキシル基を
導入したポリシロキサンを提供することにある。
導入したポリシロキサンを提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は一種以上の多官能アルコ
キシシランの加水分解・縮合によって得られるポリシロ
キサンにおいて、該多官能アルコキシシランの一部ある
いは全部がカルボン酸あるいはカルボン酸無水物を有す
るアルコキシシランであることを特徴とするポリシロキ
サンに関する。このポリシロキサンは、特定の多官能の
金属アルコキシドを適当な触媒により加水分解・縮合す
ることによって得られる。また、必要に応じては前記の
方法によって得られたポリマーを適当な溶媒中で適当な
触媒により更に縮合を進め、高重合体を得ることも可能
である。
キシシランの加水分解・縮合によって得られるポリシロ
キサンにおいて、該多官能アルコキシシランの一部ある
いは全部がカルボン酸あるいはカルボン酸無水物を有す
るアルコキシシランであることを特徴とするポリシロキ
サンに関する。このポリシロキサンは、特定の多官能の
金属アルコキシドを適当な触媒により加水分解・縮合す
ることによって得られる。また、必要に応じては前記の
方法によって得られたポリマーを適当な溶媒中で適当な
触媒により更に縮合を進め、高重合体を得ることも可能
である。
本発明において用いられるカルボン酸あるいはカルボン
酸無水物を有する多官能金属アルコキシドは特に限定す
るものではなく、分子中に、カルボン酸又はカルボン酸
無水物を持つ2官能あるいは3官能のアルコキシシラン
である。
酸無水物を有する多官能金属アルコキシドは特に限定す
るものではなく、分子中に、カルボン酸又はカルボン酸
無水物を持つ2官能あるいは3官能のアルコキシシラン
である。
具体的には、4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒド
ロフタル酸無水物、4−トリメトキシシリルテトラヒド
ロフタル酸、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸等が例示される。
ル酸無水物、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒド
ロフタル酸無水物、4−トリメトキシシリルテトラヒド
ロフタル酸、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸等が例示される。
また、本発明にはカルボン酸あるいはカルボン酸無水物
を有する金属アルコキシドと、汎用の金属アルコキシド
あるいは金属塩化物との共重合によって得られるポリシ
ロキサンも含まれる。この種の汎用の金属アルコキシド
は特に限定するものではないが、次のようなものが例示
される。ジメトキシジメチルシラン、ジェトキシジメチ
ルシラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフルオ
ロプロピルシラン、ジェトキシジビニルシラン、ジェト
キシジエチルシラン、3−アミノプロピルジェトキシメ
チルシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピル
ジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシ
ラン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジ
フェニルシラン、ジェトキシジエチルシラン、トリス−
(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン、3.3.3
−)リフルオロプロピルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、3−(N−メチルアミノ)プロピル
トリメトキシシラン、メチルトリス(2アミノエトキシ
)シラン、トリアセトキシビニルシラン、トリエトキシ
ビニルシラン、エチルトリエトキシシラン、2−メルカ
プトエトキシトリエトキシシラン、3−(2−アミノエ
チルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、フェニルト
リメトキシシラン、2−シアノエチルトリエトキシシラ
ン、アリルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン
、ヘキシルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、3−〔N−アリル−N(2−アミ
ノエチル)〕アミノプロピルトリメトキシシラン、3−
(N−アリル−N−グリシジル)アミノプロピルトリメ
トキシシラン、3− (N、N−ジグリシジル)アミノ
プロピルトリメトキシシラン。これらのうち、特に好ま
しいのは、原料の入手しやすさ、反応性、得られた生成
物の特性等の点から、フェニルトリエトキシシラン及び
メチルトリエトキシシランである。また、金属塩化物と
しては、n−ブチルトリクロロシラン、ジメチルジクロ
ロシラン、エチルトリクロロシラン、メチルトリクロロ
シラン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロビニル
シラン、ジフェニルジクロロシラン等が例示される。
を有する金属アルコキシドと、汎用の金属アルコキシド
あるいは金属塩化物との共重合によって得られるポリシ
ロキサンも含まれる。この種の汎用の金属アルコキシド
は特に限定するものではないが、次のようなものが例示
される。ジメトキシジメチルシラン、ジェトキシジメチ
ルシラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフルオ
ロプロピルシラン、ジェトキシジビニルシラン、ジェト
キシジエチルシラン、3−アミノプロピルジェトキシメ
チルシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピル
ジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシ
ラン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジ
フェニルシラン、ジェトキシジエチルシラン、トリス−
(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン、3.3.3
−)リフルオロプロピルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、3−(N−メチルアミノ)プロピル
トリメトキシシラン、メチルトリス(2アミノエトキシ
)シラン、トリアセトキシビニルシラン、トリエトキシ
ビニルシラン、エチルトリエトキシシラン、2−メルカ
プトエトキシトリエトキシシラン、3−(2−アミノエ
チルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、フェニルト
リメトキシシラン、2−シアノエチルトリエトキシシラ
ン、アリルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン
、ヘキシルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、3−〔N−アリル−N(2−アミ
ノエチル)〕アミノプロピルトリメトキシシラン、3−
(N−アリル−N−グリシジル)アミノプロピルトリメ
トキシシラン、3− (N、N−ジグリシジル)アミノ
プロピルトリメトキシシラン。これらのうち、特に好ま
しいのは、原料の入手しやすさ、反応性、得られた生成
物の特性等の点から、フェニルトリエトキシシラン及び
メチルトリエトキシシランである。また、金属塩化物と
しては、n−ブチルトリクロロシラン、ジメチルジクロ
ロシラン、エチルトリクロロシラン、メチルトリクロロ
シラン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロビニル
シラン、ジフェニルジクロロシラン等が例示される。
本発明において用いられる触媒は特に限定するものでは
なく、酸触媒及びアルカリ触媒が用いられる。このよう
な酸触媒としては、塩酸、フッ化水素酸、硝酸、硫酸等
が例示される。また、アルカリ触媒としては、アンモニ
ア、苛性ソーダ、苛性カリ等が例示される。
なく、酸触媒及びアルカリ触媒が用いられる。このよう
な酸触媒としては、塩酸、フッ化水素酸、硝酸、硫酸等
が例示される。また、アルカリ触媒としては、アンモニ
ア、苛性ソーダ、苛性カリ等が例示される。
本発明のポリシロキサンは一般的には次のような方法に
よって合成される。まず、特定のアルコキシシランをエ
タノールなどのアルコールに溶解し、これに水と塩酸な
どの触媒を加える。
よって合成される。まず、特定のアルコキシシランをエ
タノールなどのアルコールに溶解し、これに水と塩酸な
どの触媒を加える。
この触媒は場合によっては除いてもよい。この反応は常
温で進行するが、必要に応じて加熱してもよい。所定時
間経過後、反応溶液を水中に投入し、沈殿した生成物を
ろ別した後乾燥する。
温で進行するが、必要に応じて加熱してもよい。所定時
間経過後、反応溶液を水中に投入し、沈殿した生成物を
ろ別した後乾燥する。
この段階での生成物を実用に供しても良いし、また、更
に高重合体を所望する場合には、生成物を適当な溶媒に
溶解し、これにアルカリ触媒を加えて反応すればよい。
に高重合体を所望する場合には、生成物を適当な溶媒に
溶解し、これにアルカリ触媒を加えて反応すればよい。
あるいは、更に加熱して縮合を進めても良い。
また、本発明の金属アルコキシドの加水分解・縮合によ
って得られたポリシロキサンは、般に末端にシラノール
基を有するため、これが綜合を起こし経時的に特性が変
化しうる可能性がある。これを避けるためには、シリル
化剤によりシラノール基を他の非反応性の置換基に置換
することが好ましい。
って得られたポリシロキサンは、般に末端にシラノール
基を有するため、これが綜合を起こし経時的に特性が変
化しうる可能性がある。これを避けるためには、シリル
化剤によりシラノール基を他の非反応性の置換基に置換
することが好ましい。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物2
7.2g (0,1モル)をエタノールに溶解し、かく
はんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で14
4時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入し、生
成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生成物は
テトラヒドロフラン(THF)、エタノール、エチレン
グリコールモノエチルエーテル(エチルセロソルブ)、
メチルイソブチルケトン(MIBK) 、アセトン等の
溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な
膜が得られた。第1図は生成物フィルムの赤外スペクト
ルを波数(cm’−’、横軸)と透過率(%、縦軸)と
の関係で示した図である。1700〜1750cm−’
付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が
認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
7.2g (0,1モル)をエタノールに溶解し、かく
はんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で14
4時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入し、生
成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生成物は
テトラヒドロフラン(THF)、エタノール、エチレン
グリコールモノエチルエーテル(エチルセロソルブ)、
メチルイソブチルケトン(MIBK) 、アセトン等の
溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な
膜が得られた。第1図は生成物フィルムの赤外スペクト
ルを波数(cm’−’、横軸)と透過率(%、縦軸)と
の関係で示した図である。1700〜1750cm−’
付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が
認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
実施例2
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸1 無水
物3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og (0,05モル)をエタノールに
溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した
。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中
に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得
た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、
MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であっ
た。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生
成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確l忍され
た。
物3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og (0,05モル)をエタノールに
溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した
。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中
に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得
た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、
MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であっ
た。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生
成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確l忍され
た。
実施例3
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MIB
K、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。こ
れらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物フ
ィルムの赤外スペクトルには170 C1〜1750c
m−’付近にC=O(カルボン酸)の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MIB
K、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。こ
れらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物フ
ィルムの赤外スペクトルには170 C1〜1750c
m−’付近にC=O(カルボン酸)の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
実施例4
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。更に反応溶液をシャーレに移し、窒素雰囲気中90℃
で24時間、120℃で48時間加熱した。
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。更に反応溶液をシャーレに移し、窒素雰囲気中90℃
で24時間、120℃で48時間加熱した。
44物1tTHF、エタノール、エチルセロソルブ、M
IBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750c
n+−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。
IBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750c
n+−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。
実施例5
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物8
.16 g (0,03モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン16.8g (0,07モル)をエタノールに
溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した
。常温で144時間反応させた後、溶媒等を除去して生
成物を単離した。
.16 g (0,03モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン16.8g (0,07モル)をエタノールに
溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した
。常温で144時間反応させた後、溶媒等を除去して生
成物を単離した。
次に生成物をMIBKを溶媒とし、また触媒に苛性カリ
を用いて窒素気流中で12時間還流した。再沈、中和に
より生成物を精製し白色のポリマーを得た。生成物はT
HF、エタノール、エチルセロソルブ、MIBK、アセ
トン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。これらの溶
液からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの
赤外スペクトルには1700〜1750cm−’付近に
C=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認めら
れ、カルボキシル基の導入が確認された。
を用いて窒素気流中で12時間還流した。再沈、中和に
より生成物を精製し白色のポリマーを得た。生成物はT
HF、エタノール、エチルセロソルブ、MIBK、アセ
トン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。これらの溶
液からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの
赤外スペクトルには1700〜1750cm−’付近に
C=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認めら
れ、カルボキシル基の導入が確認された。
実施例6
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物をMIBKに溶解し、これにトリメチルシリル
ジメチルアミンを溶解したTHF溶液を加え24時間反
応させた。反応溶液をn−へキサンに投入しシリル化し
たポリシロキサンを得た。
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物をMIBKに溶解し、これにトリメチルシリル
ジメチルアミンを溶解したTHF溶液を加え24時間反
応させた。反応溶液をn−へキサンに投入しシリル化し
たポリシロキサンを得た。
生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MI
BK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
BK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物
フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=○(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。
フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=○(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。
実施例7
4−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタル酸無
水物35.6g (0,1モル)をイソプロピルアルコ
ールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添
加した。常温で240時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。
水物35.6g (0,1モル)をイソプロピルアルコ
ールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添
加した。常温で240時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。
生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MI
BK、アセトン等の溶媒に可溶であった。これらの溶液
からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤
外スペクトルには1700〜1750cm−’付近にC
=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ
、カルボキシル基の導入が確認された。
BK、アセトン等の溶媒に可溶であった。これらの溶液
からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤
外スペクトルには1700〜1750cm−’付近にC
=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ
、カルボキシル基の導入が確認された。
実施例8
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,04モル)、及びジメチルジェト
キシシラン1.48g (0,01モル)をエタノール
に溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加し
た。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水
中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを
得た。
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,04モル)、及びジメチルジェト
キシシラン1.48g (0,01モル)をエタノール
に溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加し
た。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水
中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを
得た。
生を物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MI
BK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
BK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成物
フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750cm
−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸
収が誌められ、カルボキシル基の導入が確8忍された。
フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750cm
−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸
収が誌められ、カルボキシル基の導入が確8忍された。
実施例9
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別乾燥し白色のポリマーを得た
。更にこれを窒素雰囲気中300℃で1時間加熱し生成
物を得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確言
忍された。
3.6g (0,05モル)及びメチルトリエトキシシ
ラン8.9g (0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別乾燥し白色のポリマーを得た
。更にこれを窒素雰囲気中300℃で1時間加熱し生成
物を得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確言
忍された。
実施例10
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン8.9g (0,04モル)、及びビニルトリエ
トキシシラン1.90 g (0,01モル)をエタノ
ールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添
加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入がm認
された。
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン8.9g (0,04モル)、及びビニルトリエ
トキシシラン1.90 g (0,01モル)をエタノ
ールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添
加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入がm認
された。
実施例11
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン8,9g (0,04モル)、及び3−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン2.21g(0,01モル)
をエタノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水
溶液を添加した。常温で144時間反応させた後、反応
溶液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色
のポリマーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチ
ルセロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶
媒に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜
が得られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには17
00〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の
伸縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導
入が確認された。
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン8,9g (0,04モル)、及び3−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン2.21g(0,01モル)
をエタノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水
溶液を添加した。常温で144時間反応させた後、反応
溶液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色
のポリマーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチ
ルセロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶
媒に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜
が得られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには17
00〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の
伸縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導
入が確認された。
実施例12
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
3.6g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン12.Og (0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
しかる後アンモニア水を添加し反応溶液のp)lを10
に調節した。60℃で144時間反応させた後、反応溶
液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色の
ポリマーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチル
セロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒
に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が
得られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには170
0〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸
縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入
が確言忍された。
に調節した。60℃で144時間反応させた後、反応溶
液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色の
ポリマーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチル
セロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒
に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が
得られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには170
0〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸
縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入
が確言忍された。
応用例1
実施例2で得たカルボキシル基含有ポリシロキサンをM
IBKに溶解し、これにナフトキノンジアジドをポリマ
ーの20重重量添加した。
IBKに溶解し、これにナフトキノンジアジドをポリマ
ーの20重重量添加した。
これをシリコンウェハに塗布し厚さ約1.2μmの膜を
形成した。該シリコンウェハを窒素雰囲気中100℃で
20分プリベークした後、ホトアライナを用いて光照射
を行った。照射後ウニハラ3.5%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド中にいれ現像を行った。この時膜厚
がOになる照射量は80 mJ/ cm’であり、高感
度であることが確認された。また、石英マスクを通して
パターン転写したところ、 0.5μmライン/スペー
スが容易に解像できた。また、02RIB反応性イオン
エツチングを行ったところ、エツチング速度は4 nm
/分であり、高い耐性を持つことが判った。
形成した。該シリコンウェハを窒素雰囲気中100℃で
20分プリベークした後、ホトアライナを用いて光照射
を行った。照射後ウニハラ3.5%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド中にいれ現像を行った。この時膜厚
がOになる照射量は80 mJ/ cm’であり、高感
度であることが確認された。また、石英マスクを通して
パターン転写したところ、 0.5μmライン/スペー
スが容易に解像できた。また、02RIB反応性イオン
エツチングを行ったところ、エツチング速度は4 nm
/分であり、高い耐性を持つことが判った。
応用例2
実施例6で得たカルボキシル基含有ポリシロキサンをM
IBKに溶解し、これにノボラック系のナフトキノンジ
アジドを添加した。この溶液をシリコンウェハに塗布し
、厚さ1.4μmの膜を形成した。該シリコンウェハを
窒素雰囲気中100℃で20分プリベークしたのち、ホ
トアライナを用いて光照射を行った。照射後ウニハラ3
.5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド中にいれ
現像を行った。この時膜厚が0になる照射量は60 m
J/ cm”であり、高感度であることが確認された。
IBKに溶解し、これにノボラック系のナフトキノンジ
アジドを添加した。この溶液をシリコンウェハに塗布し
、厚さ1.4μmの膜を形成した。該シリコンウェハを
窒素雰囲気中100℃で20分プリベークしたのち、ホ
トアライナを用いて光照射を行った。照射後ウニハラ3
.5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド中にいれ
現像を行った。この時膜厚が0になる照射量は60 m
J/ cm”であり、高感度であることが確認された。
また、石英マスクを通してパターン転写したところ、0
.5μmライン/スペースが容易に解像できた。また、
O,R18反応性イオンエツチングを行ったところ、エ
ツチング速度は5 nm/分であり、高い耐性を持つこ
とが判った。
.5μmライン/スペースが容易に解像できた。また、
O,R18反応性イオンエツチングを行ったところ、エ
ツチング速度は5 nm/分であり、高い耐性を持つこ
とが判った。
応用例3
実施例3で得られたカルボキシル基を有するポリシロキ
サンを乾燥した後、IN水酸化ナトリウム水溶液中で1
時間煮沸し、カルボン酸をカルボン酸ナトリウムに変え
て、このイオン交換能を調べたところ、4.1 meq
/ gであり、イオン交換膜、イオン交換樹脂として十
分な特性を有していることが判った。
サンを乾燥した後、IN水酸化ナトリウム水溶液中で1
時間煮沸し、カルボン酸をカルボン酸ナトリウムに変え
て、このイオン交換能を調べたところ、4.1 meq
/ gであり、イオン交換膜、イオン交換樹脂として十
分な特性を有していることが判った。
応用例4
実施例9で得たポリマーの熱重量分析を行った。結果を
第2図に示す。すなわち第2図は実施例9で得た生成物
の窒素雰囲気中での熱重量曲線を温度(℃、横軸)と重
量変化(%、縦軸)の関係で示した図である。図に示し
たようにこのポリマーは高い耐熱性を持っていることが
判る。実際に、ウェハ、チップにこれらのポリマーを塗
布し、乾燥することにより、膜を形成した。この膜は高
い耐熱性を有する保護膜として使用することができた。
第2図に示す。すなわち第2図は実施例9で得た生成物
の窒素雰囲気中での熱重量曲線を温度(℃、横軸)と重
量変化(%、縦軸)の関係で示した図である。図に示し
たようにこのポリマーは高い耐熱性を持っていることが
判る。実際に、ウェハ、チップにこれらのポリマーを塗
布し、乾燥することにより、膜を形成した。この膜は高
い耐熱性を有する保護膜として使用することができた。
応用例5
実施例1で得たポリマーの分光特性を測定した。結果を
第3図に示す。すなわち第3図は実施例1で得た生成物
の分光スペクトルを波長(nm、横軸)と透過率(%、
縦軸)の関係で示した図である。広い波長範囲で透明で
あることから、光導波路などの各種の光学材料として用
いられる特性を有していることが判る。
第3図に示す。すなわち第3図は実施例1で得た生成物
の分光スペクトルを波長(nm、横軸)と透過率(%、
縦軸)の関係で示した図である。広い波長範囲で透明で
あることから、光導波路などの各種の光学材料として用
いられる特性を有していることが判る。
以上説明したように、本発明のカルボキシル基を有する
ポリシロキサンは、熱的性質、光学的性質に優れ、また
、親水性のカルボキシル基を持っているため、各種の光
学材料、電子材料、電気材料などの分野で用いられる可
能性があると共に、カルボキシル基を応用して種々の誘
導体の合成が可能であり、幅広い用途に応用できる利点
がある。
ポリシロキサンは、熱的性質、光学的性質に優れ、また
、親水性のカルボキシル基を持っているため、各種の光
学材料、電子材料、電気材料などの分野で用いられる可
能性があると共に、カルボキシル基を応用して種々の誘
導体の合成が可能であり、幅広い用途に応用できる利点
がある。
第1図は実施例1において合成した生成物の赤外スペク
トルを示す図、第2図は実施例9で得た生成物の窒素雰
囲気中で熱重量曲線を示す図、第3図は実施例1で得た
生成物の分光スペクトルを示す図である。
トルを示す図、第2図は実施例9で得た生成物の窒素雰
囲気中で熱重量曲線を示す図、第3図は実施例1で得た
生成物の分光スペクトルを示す図である。
Claims (1)
- 1.一種以上の多官能アルコキシシランの加水分解・縮
合によって得られるポリシロキサンにおいて、該多官能
アルコキシシランの一部あるいは全部がカルボン酸ある
いはカルボン酸無水物を有するアルコキシシランである
ことを特徴とするポリシロキサン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236910A JPH03100021A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ポリシロキサン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236910A JPH03100021A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ポリシロキサン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03100021A true JPH03100021A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17007569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1236910A Pending JPH03100021A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ポリシロキサン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03100021A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003321544A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Chisso Corp | 感熱応答性シラン化合物およびその製造方法ならびにこれを含む感熱応答性材料 |
JP2009019093A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポリオルガノシロキサン |
US7556913B2 (en) * | 2001-04-19 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal or metal compound pattern and forming method of pattern, and electron emitting device, electron source, and image-forming apparatus using the pattern |
JP2017020000A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1236910A patent/JPH03100021A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7556913B2 (en) * | 2001-04-19 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal or metal compound pattern and forming method of pattern, and electron emitting device, electron source, and image-forming apparatus using the pattern |
US7964336B2 (en) | 2001-04-19 | 2011-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal or metal compound pattern and forming method of pattern, and electron emitting device, electron source, and image-forming apparatus using the pattern |
JP2003321544A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Chisso Corp | 感熱応答性シラン化合物およびその製造方法ならびにこれを含む感熱応答性材料 |
JP2009019093A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポリオルガノシロキサン |
JP2017020000A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
US10031420B2 (en) | 2015-06-15 | 2018-07-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Wet-strippable silicon-containing antireflectant |
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