JP2829054B2 - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
- Publication number
- JP2829054B2 JP2829054B2 JP1250455A JP25045589A JP2829054B2 JP 2829054 B2 JP2829054 B2 JP 2829054B2 JP 1250455 A JP1250455 A JP 1250455A JP 25045589 A JP25045589 A JP 25045589A JP 2829054 B2 JP2829054 B2 JP 2829054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist composition
- light
- group
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、微細なレジストパターン形成に有用なレジ
スト組成物に関する。
スト組成物に関する。
（従来の技術） LSI等の半導体装置の製造を始めとする微細なパター
ン形成プロセスにおいては、レジストが広く用いられて
いる。特に、電子機器の多機能化、高度化に対応した高
密度化を図るためにレジストパターンの微細化と共に露
光に用いる光の短波長化や電離放射線を用いたパターン
形成が提案されている。このようなパターン形成に適す
るレジスト組成物としては、いくつかのジアゾ系レジス
ト組成物（特開昭56−1933号）が提案されている。
ン形成プロセスにおいては、レジストが広く用いられて
いる。特に、電子機器の多機能化、高度化に対応した高
密度化を図るためにレジストパターンの微細化と共に露
光に用いる光の短波長化や電離放射線を用いたパターン
形成が提案されている。このようなパターン形成に適す
るレジスト組成物としては、いくつかのジアゾ系レジス
ト組成物（特開昭56−1933号）が提案されている。
しかしながら、前記レジスト組成物を塗布、乾燥して
形成されたレジスト膜を露光した場合、その光吸収が大
きく、膜が厚くなるとレジスト膜の底面まで前記放射線
が到達し難くなり断面形状（パターン精度）が悪化す
る。その結果、ドライエッチング工程でのマスクとして
耐えるレジストパターンを形成できない問題があった。
形成されたレジスト膜を露光した場合、その光吸収が大
きく、膜が厚くなるとレジスト膜の底面まで前記放射線
が到達し難くなり断面形状（パターン精度）が悪化す
る。その結果、ドライエッチング工程でのマスクとして
耐えるレジストパターンを形成できない問題があった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされた
もので、膜厚が厚く、かつ断面形状が良好で微細なパタ
ーンを形成に適したレジスト組成物を提供しようとする
ものである。
もので、膜厚が厚く、かつ断面形状が良好で微細なパタ
ーンを形成に適したレジスト組成物を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、有機重合体と下記一般式（Ｉ）または（I
I）で表わされるスルフォキサイド化合物からなる感光
剤を含有することを特徴とするレジスト組成物である。
I）で表わされるスルフォキサイド化合物からなる感光
剤を含有することを特徴とするレジスト組成物である。
ただし、式（Ｉ）、（II）中のR1、R2は同一であって
も異なってもよく、少なくとも置換もしくは非置換の芳
香族基を有する１価の有機基を示す。また、R1、R2は部
分的に結合してＳ原子を含む環状化合物を形成してもよ
く、この場合R1、R2は芳香族基を含まなくてもよい。こ
こで酸素原子の結合状態は、二重（＝）と配位結合
（→）は実質的に等価であり、Ｓ＝Ｏ結合が配位結合性
を有していることからかかる表示が行われれている。
も異なってもよく、少なくとも置換もしくは非置換の芳
香族基を有する１価の有機基を示す。また、R1、R2は部
分的に結合してＳ原子を含む環状化合物を形成してもよ
く、この場合R1、R2は芳香族基を含まなくてもよい。こ
こで酸素原子の結合状態は、二重（＝）と配位結合
（→）は実質的に等価であり、Ｓ＝Ｏ結合が配位結合性
を有していることからかかる表示が行われれている。
上記有機重合体としては、基本的には薄膜形成可能で
放射線の照射によって著しく分解しない高分子化合物で
あればいかなるものでもよい。例えば、放射線架橋型の
ポリアクリレート樹脂及び／またはそれとポリアクリル
酸類との共重合体、ポリスチレン、ハロゲン化ポリスチ
レン、ポリ（ビニルベンジルクロライド）、ポリエステ
ル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニ
ルフェノール樹脂、フェノール系ノボラック樹脂、ポリ
アミド系樹脂等を挙げることができる。中でもアルカリ
現像に適したアルカリ可溶性樹脂が望ましく、特にポリ
ビニルフェノール樹脂やフェノール、クレゾール、キシ
レゾール、ブチルフェノール、ハロゲン化フェノール等
をアルデヒド化合物で縮合したノボラック樹脂が最も好
適である。かかるフェノール樹脂は、分子量が3000〜20
000までのものが適しており、耐熱性の観点から少なく
とも軟化点が100℃以上のものが望ましい。また、短波
長の紫外線を露光光源に用いる場合には前記フェノール
樹脂単独で形成された厚さ１μｍの薄膜で前記露光波長
における透過率が少なくとも25％以上であるものを用い
ることがの望ましい。
放射線の照射によって著しく分解しない高分子化合物で
あればいかなるものでもよい。例えば、放射線架橋型の
ポリアクリレート樹脂及び／またはそれとポリアクリル
酸類との共重合体、ポリスチレン、ハロゲン化ポリスチ
レン、ポリ（ビニルベンジルクロライド）、ポリエステ
ル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニ
ルフェノール樹脂、フェノール系ノボラック樹脂、ポリ
アミド系樹脂等を挙げることができる。中でもアルカリ
現像に適したアルカリ可溶性樹脂が望ましく、特にポリ
ビニルフェノール樹脂やフェノール、クレゾール、キシ
レゾール、ブチルフェノール、ハロゲン化フェノール等
をアルデヒド化合物で縮合したノボラック樹脂が最も好
適である。かかるフェノール樹脂は、分子量が3000〜20
000までのものが適しており、耐熱性の観点から少なく
とも軟化点が100℃以上のものが望ましい。また、短波
長の紫外線を露光光源に用いる場合には前記フェノール
樹脂単独で形成された厚さ１μｍの薄膜で前記露光波長
における透過率が少なくとも25％以上であるものを用い
ることがの望ましい。
上記一般式（Ｉ）、（II）で表わされるスルフォキサ
イド化合物からなる感光剤は、紫外線等の光や電子線、
Ｘ線等の電離放射線に感応するものである。一般式
（Ｉ）、（II）に導入されるR1、R2としては、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基及
びシクロアルキル基、又はこれらのうちの幾つかの水素
原子がハロゲン置換されたハロゲン化アルキル基、シク
ロハロゲン化アルキル基、フェニル基、アルキル或いは
ハロゲンアルキル置換されれたフェニル基、ハロゲン化
フェニル基、ヒドロキシ置換されたフェニル基、アミノ
置換されたフェニルル基、ベンジル基、ハロゲン、ヒド
ロキシ基、ニトロ基又はアミノ基で置換されたベンジル
基等を挙げることができる。また、前記R1、R2は部分的
に結合し、Ｓ原子を含む環状化合物を形成してもかまわ
ず、具体的には下記第１表に示す構造式の環状化合物を
挙げることができる。このようなスルフオキシド化合物
からなる感光剤のレジスト組成物中の含有率は、基本的
には多ければ多い程、解像性が上昇するが、逆に感度及
び塗布性、成膜性が悪化するため組成物の固形分全体の
0.5〜50％、より好ましくは５〜30％の範囲にすること
が望ましい。
イド化合物からなる感光剤は、紫外線等の光や電子線、
Ｘ線等の電離放射線に感応するものである。一般式
（Ｉ）、（II）に導入されるR1、R2としては、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基及
びシクロアルキル基、又はこれらのうちの幾つかの水素
原子がハロゲン置換されたハロゲン化アルキル基、シク
ロハロゲン化アルキル基、フェニル基、アルキル或いは
ハロゲンアルキル置換されれたフェニル基、ハロゲン化
フェニル基、ヒドロキシ置換されたフェニル基、アミノ
置換されたフェニルル基、ベンジル基、ハロゲン、ヒド
ロキシ基、ニトロ基又はアミノ基で置換されたベンジル
基等を挙げることができる。また、前記R1、R2は部分的
に結合し、Ｓ原子を含む環状化合物を形成してもかまわ
ず、具体的には下記第１表に示す構造式の環状化合物を
挙げることができる。このようなスルフオキシド化合物
からなる感光剤のレジスト組成物中の含有率は、基本的
には多ければ多い程、解像性が上昇するが、逆に感度及
び塗布性、成膜性が悪化するため組成物の固形分全体の
0.5〜50％、より好ましくは５〜30％の範囲にすること
が望ましい。
上記一般式（Ｉ）、（II）で表わされるスルフォキサ
イド化合物は、−Ｓ−を構造中に有するサルファイド化
合物の酸化によって合成される。酸化の手法としては、
一般によく知られている過酸化水素を用いた酸化の他
に、例えば新実験化学講座（14）、「丸善」p.416に記
載されているようにＮ−ハロカルボン酸アミドを用いた
酸化が好適である。
イド化合物は、−Ｓ−を構造中に有するサルファイド化
合物の酸化によって合成される。酸化の手法としては、
一般によく知られている過酸化水素を用いた酸化の他
に、例えば新実験化学講座（14）、「丸善」p.416に記
載されているようにＮ−ハロカルボン酸アミドを用いた
酸化が好適である。
本発明に係わるレジスト組成物は、前記有機重合体及
び前記感光剤を単独又は複数種を溶剤に溶解することに
より調製される。かかる溶剤としては、例えばエチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ系溶剤、
エチルセルロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセ
テートなどのセロソルブアセテート系溶剤、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸
ブチルなどのエステル系溶剤等が好適である。但し、こ
れらの溶剤中にはキシレン、トルエン、ジメチルフォル
ムアマイド、Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン等が微
量含有されたり、界面活性剤が微量含有されたりしても
よい。
び前記感光剤を単独又は複数種を溶剤に溶解することに
より調製される。かかる溶剤としては、例えばエチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ系溶剤、
エチルセルロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセ
テートなどのセロソルブアセテート系溶剤、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸
ブチルなどのエステル系溶剤等が好適である。但し、こ
れらの溶剤中にはキシレン、トルエン、ジメチルフォル
ムアマイド、Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン等が微
量含有されたり、界面活性剤が微量含有されたりしても
よい。
本発明に係わるレジスト組成物は、前記有機重合体、
感光剤及び溶剤の他に、必要に応じてベンゾフェノン、
ビフェニル、トリフェニル、フルオレン、ベンズアルデ
ヒド、キサントン等の増感剤、貯蔵安定性を図るための
熱重合防止剤、基板からのハレーションを防止するため
のハレーション防止剤、基板との密着性を向上するため
の密着性促進剤、又は塗膜を改質するための別のポリマ
ー（例えばプロピレンオキシド−エチレンオキシド共重
合体、シリコーンラバー）等を配合してもよい。
感光剤及び溶剤の他に、必要に応じてベンゾフェノン、
ビフェニル、トリフェニル、フルオレン、ベンズアルデ
ヒド、キサントン等の増感剤、貯蔵安定性を図るための
熱重合防止剤、基板からのハレーションを防止するため
のハレーション防止剤、基板との密着性を向上するため
の密着性促進剤、又は塗膜を改質するための別のポリマ
ー（例えばプロピレンオキシド−エチレンオキシド共重
合体、シリコーンラバー）等を配合してもよい。
次に、本発明のレジスト組成物によるパターン形成工
程を説明する。
程を説明する。
まず、基板上に前記有機重合体、感光剤を溶剤で溶解
したレジスト組成物を回転塗布やディッピング法により
塗布した後、150℃以下、好ましくは70〜120℃の温度範
囲で乾燥してレジスト膜を形成する。ここに用いる基板
としては、例えばシリコンの単結晶ウェハ、表面に絶縁
膜が導電膜等の各種の被膜が被覆された同ウェハ、ブラ
ンクマスク、又はGaAs、InPなどの化合物半導体ウェハ
等を挙げることができる。
したレジスト組成物を回転塗布やディッピング法により
塗布した後、150℃以下、好ましくは70〜120℃の温度範
囲で乾燥してレジスト膜を形成する。ここに用いる基板
としては、例えばシリコンの単結晶ウェハ、表面に絶縁
膜が導電膜等の各種の被膜が被覆された同ウェハ、ブラ
ンクマスク、又はGaAs、InPなどの化合物半導体ウェハ
等を挙げることができる。
次いで、前記レジスト膜を露光する。この露光光源が
光の場合には、高低圧水銀ランプを光源とする紫外線、
エキシマレーザ光（KrF、ArF）等の波長が300nm以下の
ものが用いられる。また、露光光源が電離放射線の場合
には、電子線、Ｘ線、真空紫外線等が用いられる。この
ような光、電離放射線は、単色光或いは複数波長の光が
混在したもの、いずれでもよいが、通常、単色光は入射
光と反射光の干渉による定在波を生じ、解像性を低下さ
せる傾向がある。かかる定在波の低減を図るるためには
露光後にベーク処理を施すことが望ましい。
光の場合には、高低圧水銀ランプを光源とする紫外線、
エキシマレーザ光（KrF、ArF）等の波長が300nm以下の
ものが用いられる。また、露光光源が電離放射線の場合
には、電子線、Ｘ線、真空紫外線等が用いられる。この
ような光、電離放射線は、単色光或いは複数波長の光が
混在したもの、いずれでもよいが、通常、単色光は入射
光と反射光の干渉による定在波を生じ、解像性を低下さ
せる傾向がある。かかる定在波の低減を図るるためには
露光後にベーク処理を施すことが望ましい。
次いで、露光後のレジスト膜を所定の現像液を用いて
現像処理して所望のレジストパターンを形成する。前記
現像液は、例えばレジスト組成物中に配合する有機重合
体がフェノール系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂である
場合、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液
やコリン水溶液等が用いられる。
現像処理して所望のレジストパターンを形成する。前記
現像液は、例えばレジスト組成物中に配合する有機重合
体がフェノール系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂である
場合、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液
やコリン水溶液等が用いられる。
（作用） 本発明に用いる一般式（Ｉ）、（II）で表わされる感
光剤中に導入された−SO−（スルフォキシド）は、波長
300nm以下の光や電子線などの電離放射線に対して活性
で、それら光、電離放射線の照射により分解して感光剤
と共に配合される有機重合体内部で溶剤抑制効果を発現
する、いわゆるネガ型として作用する。しかも、前記感
光剤が配合されたレジスト組成物は強力な吸光度増加
（着色）を招くことがない。従って、かかるレジスト組
成物を塗布、乾燥して得られたレジスト膜に波長300nm
以下の光や電子線などの電離放射線を照射（露光）する
と、照射領域が感光剤の分解による溶剤抑制状態となる
と共に、その優れた透過性により膜厚が１μｍ程度でも
レジスト底面まで光、電離放射線を到達できる。その結
果、露光後の現像処理により高精度かつ断面形状が良好
なネガ型レジストパターンを形成でき、ひいてはドライ
エッチング工程でのマスクとして十分に使用に耐え、基
板等の下地を精度よくエッチングできる等の効果を奏す
る。
光剤中に導入された−SO−（スルフォキシド）は、波長
300nm以下の光や電子線などの電離放射線に対して活性
で、それら光、電離放射線の照射により分解して感光剤
と共に配合される有機重合体内部で溶剤抑制効果を発現
する、いわゆるネガ型として作用する。しかも、前記感
光剤が配合されたレジスト組成物は強力な吸光度増加
（着色）を招くことがない。従って、かかるレジスト組
成物を塗布、乾燥して得られたレジスト膜に波長300nm
以下の光や電子線などの電離放射線を照射（露光）する
と、照射領域が感光剤の分解による溶剤抑制状態となる
と共に、その優れた透過性により膜厚が１μｍ程度でも
レジスト底面まで光、電離放射線を到達できる。その結
果、露光後の現像処理により高精度かつ断面形状が良好
なネガ型レジストパターンを形成でき、ひいてはドライ
エッチング工程でのマスクとして十分に使用に耐え、基
板等の下地を精度よくエッチングできる等の効果を奏す
る。
（実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１ まず、ｐ−クレゾール、メタクレゾールをフォルムア
ルデヒドデ縮合したノボラック樹脂に、市販（アルドリ
ッチ）のジフェニルスルフォキサイド［感光剤Ａ］を10
wt％配合し、固形分の2.5倍重量のエチルセロソルルブ
アセテートで溶解した後、濾過してレジスト組成物を調
製した。つづいて、このレジスト組成物をシリコンウェ
ハ上に塗布して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した後、
該レジスト膜に電子線を加速電圧20kVの条件で照射して
感度を調べた。その結果、Ｄ0.5（残膜率が0.5となる露
光量）で10μC/cm2のネガ型レジストとしての感度が得
られた。
ルデヒドデ縮合したノボラック樹脂に、市販（アルドリ
ッチ）のジフェニルスルフォキサイド［感光剤Ａ］を10
wt％配合し、固形分の2.5倍重量のエチルセロソルルブ
アセテートで溶解した後、濾過してレジスト組成物を調
製した。つづいて、このレジスト組成物をシリコンウェ
ハ上に塗布して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した後、
該レジスト膜に電子線を加速電圧20kVの条件で照射して
感度を調べた。その結果、Ｄ0.5（残膜率が0.5となる露
光量）で10μC/cm2のネガ型レジストとしての感度が得
られた。
このようなことから、前記レジスト膜に0.2μｍのビ
ーム径を有する電子線を20μC/cm2の条件で走査してラ
インアンドスペースのパターンを描画した後、2.38％の
濃度のTMAH水溶液で４分間現像処理した。その結果、0.
3μｍのラインアンドスペースのパターンまで解像でき
た。
ーム径を有する電子線を20μC/cm2の条件で走査してラ
インアンドスペースのパターンを描画した後、2.38％の
濃度のTMAH水溶液で４分間現像処理した。その結果、0.
3μｍのラインアンドスペースのパターンまで解像でき
た。
実施例２〜６ 下記第２表に示す有機重合体、感光剤からなり、固形
分の2.5倍重量のエチルセロソルルブアセテートで溶解
して調製した５種のレジスト組成物を用いて、実施例１
と同様、Ｄ0.5でのレジスト感度、及び同第２表に示す
露光、現像条件で形成されたレジストパターンの解像性
を調べた。その結果を同第２表に併記した。なお、第２
表には前記実施例１の結果についても併記した。
分の2.5倍重量のエチルセロソルルブアセテートで溶解
して調製した５種のレジスト組成物を用いて、実施例１
と同様、Ｄ0.5でのレジスト感度、及び同第２表に示す
露光、現像条件で形成されたレジストパターンの解像性
を調べた。その結果を同第２表に併記した。なお、第２
表には前記実施例１の結果についても併記した。
実施例７ 実施例１と同様な組成のシリコンウェハ上に塗布して
厚さ１μｍのレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に
0.248μｍのエキシマレーザ光を照射して感度を調べ
た。その結果、Ｄ0.5（残膜率が0.5となる露光量）で10
0mJ/cm2のネガ型レジストとしの感度が得られた。
厚さ１μｍのレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に
0.248μｍのエキシマレーザ光を照射して感度を調べ
た。その結果、Ｄ0.5（残膜率が0.5となる露光量）で10
0mJ/cm2のネガ型レジストとしの感度が得られた。
このようなことから、前記レジスト膜に0.248μｍの
エキシマレーザ光を選択的に照射してラインアンドスペ
ースのパターン露光を行った後、2.38％の濃度のTMAH水
溶液で４分間現像処理した。その結果、0.3μｍのライ
ンアンドスペースのパターンまで解像できた。
エキシマレーザ光を選択的に照射してラインアンドスペ
ースのパターン露光を行った後、2.38％の濃度のTMAH水
溶液で４分間現像処理した。その結果、0.3μｍのライ
ンアンドスペースのパターンまで解像できた。
実施例８〜12 下記第２表に示す有機重合体、感光剤からなり、固形
分の2.5倍重量のエチルセロソルルブアセテートで溶解
して調製した５種のレジスト組成物を用いて、実施例７
と同様、Ｄ0.5でのレジスト感度、及び同第２表に示す
露光、現像条件で形成されたレジストパターンの解像性
を調べた。その結果を同第２表に併記した。なお、第２
表には前記実施例７の結果についても併記した。
分の2.5倍重量のエチルセロソルルブアセテートで溶解
して調製した５種のレジスト組成物を用いて、実施例７
と同様、Ｄ0.5でのレジスト感度、及び同第２表に示す
露光、現像条件で形成されたレジストパターンの解像性
を調べた。その結果を同第２表に併記した。なお、第２
表には前記実施例７の結果についても併記した。
上記第２表から明らかなように本発明のレジスト組成
物は、電子線及びエキシマレーザ光に対して良好な感度
を有すると共に、高い解像性で微細なネガ型レジストパ
ターンを形成できることがわかる。
物は、電子線及びエキシマレーザ光に対して良好な感度
を有すると共に、高い解像性で微細なネガ型レジストパ
ターンを形成できることがわかる。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明のレジスト組成物によれば
膜厚が厚く、かつ断面形状が良好で微細かつ高精度のネ
ガ型レジストパターンを形状、ひいてはドライエッチン
グ工程でのマスクとして十分に使用に耐え、基板等の下
地を精度よくエッチングできる等の効果を奏する。
膜厚が厚く、かつ断面形状が良好で微細かつ高精度のネ
ガ型レジストパターンを形状、ひいてはドライエッチン
グ工程でのマスクとして十分に使用に耐え、基板等の下
地を精度よくエッチングできる等の効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−9424（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−155018（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/038 G03F 7/028 C08K 5/41 C08K 5/45
Claims (2)
- 【請求項１】有機重合体と下記一般式（Ｉ）または（I
I）で表わされるスルフォキサイド化合物からなる感光
剤を含有することを特徴とするレジスト組成物。 ただし、式（Ｉ）、（II）中のR1、R2は同一であっても
異なってもよく、少なくとも置換もしくは非置換の芳香
族基を有する１価の有機基を示す。また、R1、R2は部分
的に結合してＳ原子を含む環状化合物を形成してもよ
く、この場合R1、R2は芳香族基を含まなくてもよい。 - 【請求項２】前記有機重合体は、アルカリ可溶性樹脂で
あることを特徴とする請求項１記載のレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250455A JP2829054B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250455A JP2829054B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113448A JPH03113448A (ja) | 1991-05-14 |
| JP2829054B2 true JP2829054B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17208133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250455A Expired - Fee Related JP2829054B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829054B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529424A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Toyobo Co Ltd | Photosensitive compositions |
| US4250053A (en) * | 1979-05-21 | 1981-02-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sensitized aromatic iodonium or aromatic sulfonium salt photoinitiator systems |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1250455A patent/JP2829054B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03113448A (ja) | 1991-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3497519B1 (en) | Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist | |
| JP2505033B2 (ja) | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法 | |
| JP2005508527A (ja) | 添加剤を含む深紫外線用フォトレジスト組成物 | |
| KR910004724B1 (ko) | 폴리실란 및 감광성 조성물 | |
| KR950002873B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| US4259430A (en) | Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process | |
| KR100191858B1 (ko) | 레지스트 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 | |
| JPH0210350A (ja) | ポジ型フォトレジスト | |
| TW591335B (en) | Negative-acting aqueous photoresist composition | |
| JP2973626B2 (ja) | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2023502762A (ja) | 化学増幅型フォトレジスト | |
| JPS6180246A (ja) | ポジレジスト材料 | |
| JPH07134412A (ja) | ネガ型放射線感応性レジスト組成物 | |
| JP2829054B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| KR910005031B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| JPH02248953A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH1195418A (ja) | フォトレジスト膜及びパターン形成方法 | |
| JP2000330284A (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| US5334481A (en) | Positive diazo quinone photoresist compositions containing antihalation compound | |
| JP3249194B2 (ja) | 感光性レジスト組成物 | |
| EP0135900A2 (en) | Aqueous developable negative resist compositions | |
| JPH0545883A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP3290793B2 (ja) | 感光性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| JPS60147736A (ja) | フエノ−ル系樹脂含有感光性組成物の剥離液 | |
| US6177229B1 (en) | Photosensitive composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |