JP2973626B2 - レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法Info
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- JP2973626B2 JP2973626B2 JP3208302A JP20830291A JP2973626B2 JP 2973626 B2 JP2973626 B2 JP 2973626B2 JP 3208302 A JP3208302 A JP 3208302A JP 20830291 A JP20830291 A JP 20830291A JP 2973626 B2 JP2973626 B2 JP 2973626B2
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- resist
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電離放射線感応性ネガ型
レジストに関わり、特にレジストを構成する新規な架橋
剤に関するものである。
レジストに関わり、特にレジストを構成する新規な架橋
剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置などの高集積化にとも
ない、配線はますます微細化されている。最新64Mbitの
D-RAM の最小線幅は0.3 μｍ程度で, 今後さらに配線は
細くなる傾向にある。それに伴い, レジスト材料もこの
ような微細な配線パターンの解像ができる高解像性のも
のが望まれている。またスループットをあげる意味で高
感度のものが必要とされている。この２つの条件を同時
に満たすものとして，最近化学増幅型レジストが注目を
集めている。化学増幅型レジストとは，組成中に酸発生
剤を含み，発生した酸が触媒的に作用することを利用し
たレジストの総称である。この系統のレジストは電離放
射線の照射によって生じた少量の酸の触媒作用によって
多くのポリマ分子の分解，または架橋などの反応を引き
起こすため，一般に感度が高い。また，酸の拡散距離自
体は極めて小さいため（〜5 nm）解像性も高い。一般に
ネガ型レジストの場合は, アルカリ可溶樹脂, 架橋剤,
酸発生剤の３つの成分を含んでいる。
ない、配線はますます微細化されている。最新64Mbitの
D-RAM の最小線幅は0.3 μｍ程度で, 今後さらに配線は
細くなる傾向にある。それに伴い, レジスト材料もこの
ような微細な配線パターンの解像ができる高解像性のも
のが望まれている。またスループットをあげる意味で高
感度のものが必要とされている。この２つの条件を同時
に満たすものとして，最近化学増幅型レジストが注目を
集めている。化学増幅型レジストとは，組成中に酸発生
剤を含み，発生した酸が触媒的に作用することを利用し
たレジストの総称である。この系統のレジストは電離放
射線の照射によって生じた少量の酸の触媒作用によって
多くのポリマ分子の分解，または架橋などの反応を引き
起こすため，一般に感度が高い。また，酸の拡散距離自
体は極めて小さいため（〜5 nm）解像性も高い。一般に
ネガ型レジストの場合は, アルカリ可溶樹脂, 架橋剤,
酸発生剤の３つの成分を含んでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかるネガ型レジスト
の解像性は，架橋剤の性能によって大きく左右される。
現在架橋剤として特に多く使用されているものは メチル化
メチロールメラミン のモノマ−（単量体）であるが，これは電子
線露光（加速電圧20ｋV)で0.3 μm 程度の解像性しか有
していない。また, その他の架橋剤として2,6-ビス(ヒ
ドロキシメチル)-p-クレゾ−ル, ジフェニルシランジオ
−ルなどが発表されているが, どれも性能の点では メチル
化メチロールメラミン のモノマ−にさらに劣っている。そのため
もっと高性能な架橋剤の開発が望まれていた。
の解像性は，架橋剤の性能によって大きく左右される。
現在架橋剤として特に多く使用されているものは メチル化
メチロールメラミン のモノマ−（単量体）であるが，これは電子
線露光（加速電圧20ｋV)で0.3 μm 程度の解像性しか有
していない。また, その他の架橋剤として2,6-ビス(ヒ
ドロキシメチル)-p-クレゾ−ル, ジフェニルシランジオ
−ルなどが発表されているが, どれも性能の点では メチル
化メチロールメラミン のモノマ−にさらに劣っている。そのため
もっと高性能な架橋剤の開発が望まれていた。
【０００４】本発明は、新規な架橋剤を用いることによ
り、従来のネガ型レジストに比し解像性に優れたネガ型
レジストの提供とこれを用いて微細で耐エッチング性に
すぐれたネガ型レジストパタ−ンを形成する方法を提供
することをその目的とする。
り、従来のネガ型レジストに比し解像性に優れたネガ型
レジストの提供とこれを用いて微細で耐エッチング性に
すぐれたネガ型レジストパタ−ンを形成する方法を提供
することをその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト組成物
は、アルカリ可溶性樹脂と、酸発生剤と、一般式
は、アルカリ可溶性樹脂と、酸発生剤と、一般式
【０００６】
【化２】
【０００７】（Ｒは炭素数１〜10のアルキル基，ｎは１
〜20までの整数)で示されるメチル化メチロ−ルメラミ
ンのオリゴマからなり、該オリゴマがｎ＝１の２量体か
らｎ＝20の21量体までの何れかを分取したものからなる
架橋剤とを含むことを特徴とする。
〜20までの整数)で示されるメチル化メチロ−ルメラミ
ンのオリゴマからなり、該オリゴマがｎ＝１の２量体か
らｎ＝20の21量体までの何れかを分取したものからなる
架橋剤とを含むことを特徴とする。
【０００８】また、このレジストのアルカリ可溶性樹脂
が、フェノールノボラック，クレゾールノボラック，フ
ェノール−クレゾールノボラック，ポリヒドロキシスチ
レン，ポリカルボキシスチレン，ヒドロキシスチレンと
炭素−炭素二重結合を含むモノマとの共重合体，カルボ
キシスチレンと炭素−炭素二重結合を含むモノマとの共
重合体，ヒドロキシスチレンとカルボキシスチレンとの
共重合体，アセチル化されたシルフェニレンシロキサン
ポリマ，アセチル化されたシロキサンポリマ，シラノー
ル基を持つシルフェニレンシロキサンポリマ，シラノー
ル基を持つシロキサンポリマ，カルボキシル基もしくは
酸性水酸基を持つシルフェニレンシロキサンポリマ，カ
ルボキシル基もしくは酸性水酸基を持つシロキサンポリ
マのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする。
が、フェノールノボラック，クレゾールノボラック，フ
ェノール−クレゾールノボラック，ポリヒドロキシスチ
レン，ポリカルボキシスチレン，ヒドロキシスチレンと
炭素−炭素二重結合を含むモノマとの共重合体，カルボ
キシスチレンと炭素−炭素二重結合を含むモノマとの共
重合体，ヒドロキシスチレンとカルボキシスチレンとの
共重合体，アセチル化されたシルフェニレンシロキサン
ポリマ，アセチル化されたシロキサンポリマ，シラノー
ル基を持つシルフェニレンシロキサンポリマ，シラノー
ル基を持つシロキサンポリマ，カルボキシル基もしくは
酸性水酸基を持つシルフェニレンシロキサンポリマ，カ
ルボキシル基もしくは酸性水酸基を持つシロキサンポリ
マのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【０００９】さらに、前記アルカリ可溶性樹脂が、５wt
％以上の珪素原子を含むことを特徴とする。また、レジ
ストを構成する酸発生剤が、ジフェニルヨ−ドニウム
塩，トリフェニルスルフォニウム塩，フェニルジアゾニ
ウム塩，ベンジルトシレ−ト，ニトロベンジルトシレ−
ト，ジニトロベンジルトシレ−ト，ベンジルスルホネ−
ト，ニトロベンジルスルホネ−ト，ジニトロベンジルス
ルホネ−ト，ベンジルカルボネ−ト，ニトロベンジルカ
ルボネ−ト，ジニトロベンジルカルボネ−ト，ハロゲン
化有機物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とす
る。
％以上の珪素原子を含むことを特徴とする。また、レジ
ストを構成する酸発生剤が、ジフェニルヨ−ドニウム
塩，トリフェニルスルフォニウム塩，フェニルジアゾニ
ウム塩，ベンジルトシレ−ト，ニトロベンジルトシレ−
ト，ジニトロベンジルトシレ−ト，ベンジルスルホネ−
ト，ニトロベンジルスルホネ−ト，ジニトロベンジルス
ルホネ−ト，ベンジルカルボネ−ト，ニトロベンジルカ
ルボネ−ト，ジニトロベンジルカルボネ−ト，ハロゲン
化有機物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とす
る。
【００１０】本発明のパタ−ン形成方法は、基板上に上
記の本発明のレジストのいずれかからなるレジスト組成
物層を形成する工程と、該レジスト組成物層に電離放射
線を照射する工程と、しかる後、アルカリ水溶液で現像
してネガ型レジストパタ−ンを形成する工程とを有する
ことを特徴とする。
記の本発明のレジストのいずれかからなるレジスト組成
物層を形成する工程と、該レジスト組成物層に電離放射
線を照射する工程と、しかる後、アルカリ水溶液で現像
してネガ型レジストパタ−ンを形成する工程とを有する
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】発明者らは, アルカリ可溶性樹脂と酸発生剤に
各種のアルキル化 メチロールメラミンのオリゴマを添加したレジスト
組成物を形成し、その特性を調べた結果, 従来用いられ
ていた メチル化メチロールメラミン のモノマ−を含むレジストに比
べて高い性能をもつものをいくつか見出し, かかる新知
見にもとずいて本発明にいたったものである。
各種のアルキル化 メチロールメラミンのオリゴマを添加したレジスト
組成物を形成し、その特性を調べた結果, 従来用いられ
ていた メチル化メチロールメラミン のモノマ−を含むレジストに比
べて高い性能をもつものをいくつか見出し, かかる新知
見にもとずいて本発明にいたったものである。
【００１２】アルキル化 メチロールメラミンの重合度２〜20のオリゴ
マは架橋剤として高性能であり, これを添加することに
より、高い解像性を有する化学増幅系レジストが得られ
る。その中でも メチル化メチロールメラミン の二量体を含むものは
特に性能が高く，電子線露光（加速電圧20ｋV)によって
0.16μm ラインアンドスペ‐スを矩形に解像することが
できることを実験的に確認している。この解像性は次世
代, 次々世代のULSIの製造にも充分対応可能である。ま
た加速電圧を上げればさらに解像性は増す。
マは架橋剤として高性能であり, これを添加することに
より、高い解像性を有する化学増幅系レジストが得られ
る。その中でも メチル化メチロールメラミン の二量体を含むものは
特に性能が高く，電子線露光（加速電圧20ｋV)によって
0.16μm ラインアンドスペ‐スを矩形に解像することが
できることを実験的に確認している。この解像性は次世
代, 次々世代のULSIの製造にも充分対応可能である。ま
た加速電圧を上げればさらに解像性は増す。
【００１３】上記の架橋剤と組み合わせるアルカリ可溶
性樹脂としては，一般の有機樹脂，含シリコン樹脂のど
ちらでも使用可能である。かかるアルカリ可溶性の有機
樹脂としてはフェノールノボラック，クレゾールノボラ
ック，フェノール−クレゾールノボラック共重合体，ポ
リヒドロキシスチレン，ポリカルボキシスチレン，ヒド
ロキシスチレンとカルボキシスチレンとの共重合体など
がある。また，ヒドロキシスチレンと炭素−炭素二重結
合を含むモノマとの共重合体，カルボキシスチレンと炭
素−炭素二重結合を含むモノマとの共重合体なども使用
できる。
性樹脂としては，一般の有機樹脂，含シリコン樹脂のど
ちらでも使用可能である。かかるアルカリ可溶性の有機
樹脂としてはフェノールノボラック，クレゾールノボラ
ック，フェノール−クレゾールノボラック共重合体，ポ
リヒドロキシスチレン，ポリカルボキシスチレン，ヒド
ロキシスチレンとカルボキシスチレンとの共重合体など
がある。また，ヒドロキシスチレンと炭素−炭素二重結
合を含むモノマとの共重合体，カルボキシスチレンと炭
素−炭素二重結合を含むモノマとの共重合体なども使用
できる。
【００１４】含シリコン樹脂としてはアセチル化された
シルフェニレンシロキサンポリマ，アセチル化されたシ
ロキサンポリマ，シラノール基を持つシルフェニレンシ
ロキサンポリマ，シラノール基を持つシロキサンポリ
マ，カルボキシル基もしくは酸性水酸基を持つシルフェ
ニレンシロキサンポリマ，カルボキシル基もしくは酸性
水酸基を持つシロキサンポリマなどがある。含シリコン
樹脂を使用すれば，多層レジストプロセスの上層レジス
トとして使用可能である。
シルフェニレンシロキサンポリマ，アセチル化されたシ
ロキサンポリマ，シラノール基を持つシルフェニレンシ
ロキサンポリマ，シラノール基を持つシロキサンポリ
マ，カルボキシル基もしくは酸性水酸基を持つシルフェ
ニレンシロキサンポリマ，カルボキシル基もしくは酸性
水酸基を持つシロキサンポリマなどがある。含シリコン
樹脂を使用すれば，多層レジストプロセスの上層レジス
トとして使用可能である。
【００１５】上記のノボラック樹脂や含シリコン樹脂
は、ドライエッチングにたいする耐性が高いので、本発
明のレジスト組成物を使うと耐エッチング性に優れたレ
ジストパタ−ンを形成することができる。
は、ドライエッチングにたいする耐性が高いので、本発
明のレジスト組成物を使うと耐エッチング性に優れたレ
ジストパタ−ンを形成することができる。
【００１６】酸発生剤も，一般に知られているものが使
用できる。例を挙げれば，ジフェニルヨ−ドニウム塩，
トリフェニルスルフォニウム塩，フェニルジアゾニウム
塩などのいわゆるオニウム塩，ベンジルトシレ−ト，ニ
トロベンジルトシレ−ト，ジニトロベンジルトシレ−ト
などのトシル化物，ベンジルスルホネ−ト，ニトロベン
ジルスルホネ−ト，ジニトロベンジルスルホネ−トなど
のスルホニル化物, ベンジルカルボネ−ト，ニトロベン
ジルカルボネ−ト，ジニトロベンジルカルボネ−トなど
のカルボキシル化物，2,4,6-トリス(トリクロロメチル)-s-トリアジ
ン, トリス(2,3-ジブロモプロピル)イソシアヌレートなどのハロゲ
ン化有機物などがある。
用できる。例を挙げれば，ジフェニルヨ−ドニウム塩，
トリフェニルスルフォニウム塩，フェニルジアゾニウム
塩などのいわゆるオニウム塩，ベンジルトシレ−ト，ニ
トロベンジルトシレ−ト，ジニトロベンジルトシレ−ト
などのトシル化物，ベンジルスルホネ−ト，ニトロベン
ジルスルホネ−ト，ジニトロベンジルスルホネ−トなど
のスルホニル化物, ベンジルカルボネ−ト，ニトロベン
ジルカルボネ−ト，ジニトロベンジルカルボネ−トなど
のカルボキシル化物，2,4,6-トリス(トリクロロメチル)-s-トリアジ
ン, トリス(2,3-ジブロモプロピル)イソシアヌレートなどのハロゲ
ン化有機物などがある。
【００１７】本発明のパタ−ン形成方法では、この様
に、耐エッチング性に優れたアルカリ可溶性樹脂と酸発
生剤と解像特性に優れた架橋剤とを含むレジスト組成物
を用いるので、微細で耐エッチング性に優れたネガ型レ
ジストパタ−ンを再現性よく形成することができる。
に、耐エッチング性に優れたアルカリ可溶性樹脂と酸発
生剤と解像特性に優れた架橋剤とを含むレジスト組成物
を用いるので、微細で耐エッチング性に優れたネガ型レ
ジストパタ−ンを再現性よく形成することができる。
【００１８】
〔実施例１〕三和ケミカル（株）の メチル化メチロールメラミン 樹
脂 MW-30（塗料用ベヒクル）を，クロロホルムを溶媒とした高
速液体クロマトグラフィによって２〜５量体に分取し
た。
脂 MW-30（塗料用ベヒクル）を，クロロホルムを溶媒とした高
速液体クロマトグラフィによって２〜５量体に分取し
た。
【００１９】上記の方法で得られた２〜５量体0.25g に
対してトリス(2,3-ジブロモプロピル)イソシアヌレート(酸発生剤)
0.06g, ポリパラヒドロキシスチレン (Mw=5 ×103,Mw/M
n=2.0)1gをシクロヘキサノン9gに溶解し,0.2 μm のメンブラン
フィルタで濾過することによって作製したレジスト溶液
をシリコンウェハ上に膜厚0.4 μm になるように塗布し
たものを露光用の試料とした。露光後はすぐにホットプ
レート上で105 ℃2 分間ベークしたのち0.2Nのアルカリ
現像液で10分間浸漬現像を行った。電子線露光（加速電
圧20ｋV)を行った。その結果, となった。
対してトリス(2,3-ジブロモプロピル)イソシアヌレート(酸発生剤)
0.06g, ポリパラヒドロキシスチレン (Mw=5 ×103,Mw/M
n=2.0)1gをシクロヘキサノン9gに溶解し,0.2 μm のメンブラン
フィルタで濾過することによって作製したレジスト溶液
をシリコンウェハ上に膜厚0.4 μm になるように塗布し
たものを露光用の試料とした。露光後はすぐにホットプ
レート上で105 ℃2 分間ベークしたのち0.2Nのアルカリ
現像液で10分間浸漬現像を行った。電子線露光（加速電
圧20ｋV)を行った。その結果, となった。
【００２０】上記の露光試料のうち２量体を使用したレ
ジストに軟Ｘ線（波長4.4 Å) を照射し，同様にして感
度と解像性を調べた。その結果, 感度は約45 mJ/cm2 で
解像性はＸ線マスクの最小線幅である0.4 μm ライン&
スペースを解像した。
ジストに軟Ｘ線（波長4.4 Å) を照射し，同様にして感
度と解像性を調べた。その結果, 感度は約45 mJ/cm2 で
解像性はＸ線マスクの最小線幅である0.4 μm ライン&
スペースを解像した。
【００２１】上記の露光試料にKrF エキシマレーザを照
射して感度と解像性を調べた。その結果, 感度は約60mJ
/cm2で解像性はフォトマスクの最小線幅である0.3 μm
ライン& スペースを解像した。 〔実施例２〕実施例１と同様にして分取した メチル化メチロー
ルメラミン ２量体0.25g に対してトリス(2,3-ジブロモプロピ
ル）イソシアヌレート(酸発生剤)0.06g, 一般式
射して感度と解像性を調べた。その結果, 感度は約60mJ
/cm2で解像性はフォトマスクの最小線幅である0.3 μm
ライン& スペースを解像した。 〔実施例２〕実施例１と同様にして分取した メチル化メチロー
ルメラミン ２量体0.25g に対してトリス(2,3-ジブロモプロピ
ル）イソシアヌレート(酸発生剤)0.06g, 一般式
【００２２】
【化３】
【００２３】のアセチルフェニル基を持つ直鎖状シロキ
サンポリマ( 多層レジストプロセスに用いられるシリコ
ン含有アルカリ可溶性樹脂の一種, 重量平均分子量 2.1
×104)1gをシクロヘキサノン9gに溶解したレジストを実施例１と
同様に評価した。その結果, 電子線露光においては0.16
μm ｌ/0.32 μm s を解像した。Ｘ線, KrF エキシマ光
に対す解像度は, 実施例１と同じであった。
サンポリマ( 多層レジストプロセスに用いられるシリコ
ン含有アルカリ可溶性樹脂の一種, 重量平均分子量 2.1
×104)1gをシクロヘキサノン9gに溶解したレジストを実施例１と
同様に評価した。その結果, 電子線露光においては0.16
μm ｌ/0.32 μm s を解像した。Ｘ線, KrF エキシマ光
に対す解像度は, 実施例１と同じであった。
【００２４】また, 酸素プラズマ耐性はノボラック樹脂
で下層レジストとして用いられるMP-1300 （シプレィ
社）のおおよそ40倍であった。またMP-1300 2 μm 上に
上記レジストを0.5 μm 塗布してパターニングを行い，
その後酸素プラズマエッチングを行った結果，電子線,
Ｘ線, 紫外線いずれにおいてもアスペクト比の高い線幅
0.3 〜0.4 μm のパターンが得られた。
で下層レジストとして用いられるMP-1300 （シプレィ
社）のおおよそ40倍であった。またMP-1300 2 μm 上に
上記レジストを0.5 μm 塗布してパターニングを行い，
その後酸素プラズマエッチングを行った結果，電子線,
Ｘ線, 紫外線いずれにおいてもアスペクト比の高い線幅
0.3 〜0.4 μm のパターンが得られた。
【００２５】さらに、珪素含有量を変えたレジストにつ
き同様の実験を行ったところ、酸素プラズマ耐性の向上
は、珪素原子の含有量を５重量パ−セント以上にすると
顕著になることが確認された。
き同様の実験を行ったところ、酸素プラズマ耐性の向上
は、珪素原子の含有量を５重量パ−セント以上にすると
顕著になることが確認された。
【００２６】なお、レジストを構成する樹脂と酸発生剤
は、上記実施例のものに限定されるものではなく、一般
にレジストに広く使用されているアルカリ可溶性樹脂お
よび酸発生剤のいずれを用いても同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
は、上記実施例のものに限定されるものではなく、一般
にレジストに広く使用されているアルカリ可溶性樹脂お
よび酸発生剤のいずれを用いても同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、解像性に特に優れたネ
ガ型レジストを得ることができ、これを用いることによ
り、ＵＬＳＩの製造等に必要な微細でかつ耐エッチング
性に優れたレジストパタ−ンを形成することができる。
ガ型レジストを得ることができ、これを用いることによ
り、ＵＬＳＩの製造等に必要な微細でかつ耐エッチング
性に優れたレジストパタ−ンを形成することができる。
フロントページの続き (72)発明者 福田 麻奈美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−23355（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−146044（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−97948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−164045（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−224420（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−170544（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂と、酸発生剤と、一
般式 【化１】 （Ｒは炭素数１〜10のアルキル基，ｎは１〜20までの整
数)で示されるメチル化メチロ−ルメラミンのオリゴマ
を分取し、該オリゴマのｎ＝１の２量体からｎ＝20の21
量体までの何れか含む架橋剤とを含むことを特徴とする
レジスト組成物。 - 【請求項２】 前記アルカリ可溶性樹脂が、フェノール
ノボラック，クレゾールノボラック，フェノール−クレ
ゾールノボラック，ポリヒドロキシスチレン，ポリカル
ボキシスチレン，ヒドロキシスチレンと炭素−炭素二重
結合を含むモノマとの共重合体，カルボキシスチレンと
炭素−炭素二重結合を含むモノマとの共重合体，ヒドロ
キシスチレンとカルボキシスチレンとの共重合体，アセ
チル化されたシルフェニレンシロキサンポリマ，アセチ
ル化されたシロキサンポリマ，シラノール基を持つシル
フェニレンシロキサンポリマ，シラノール基を持つシロ
キサンポリマ，カルボキシル基もしくは酸性水酸基を持
つシルフェニレンシロキサンポリマ，カルボキシル基も
しくは酸性水酸基を持つシロキサンポリマのうちの少な
くとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト組成物。 - 【請求項３】 前記アルカリ可溶性樹脂が、５wt％以上
の珪素原子を含むことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト組成物。 - 【請求項４】 前記酸発生剤が、ジフェニルヨ−ドニウ
ム塩，トリフェニルスルフォニウム塩，フェニルジアゾ
ニウム塩，ベンジルトシレ−ト，ニトロベンジルトシレ
−ト，ジニトロベンジルトシレ−ト，ベンジルスルホネ
−ト，ニトロベンジルスルホネ−ト，ジニトロベンジル
スルホネ−ト，ベンジルカルボネ−ト，ニトロベンジル
カルボネ−ト，ジニトロベンジルカルボネ−ト，ハロゲ
ン化有機物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載のレジスト組成
物。 - 【請求項５】 基板上に、請求項１ないし４のいずれか
に記載のレジスト組成物層を形成する工程と、該レジス
ト組成物に電離放射線を照射する工程と、しかる後、ア
ルカリ水溶液で現像してネガ型レジストパタ−ンを形成
する工程とを有することを特徴とするパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208302A JP2973626B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208302A JP2973626B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545879A JPH0545879A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2973626B2 true JP2973626B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=16554003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3208302A Expired - Lifetime JP2973626B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973626B2 (ja) |
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