JPH07120924A - レジスト組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物およびパターン形成方法Info
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- JPH07120924A JPH07120924A JP6149459A JP14945994A JPH07120924A JP H07120924 A JPH07120924 A JP H07120924A JP 6149459 A JP6149459 A JP 6149459A JP 14945994 A JP14945994 A JP 14945994A JP H07120924 A JPH07120924 A JP H07120924A
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- base resin
- molecular weight
- resin
- polyvinylphenol
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像性に優れたレジスト組成物を提供する。
【構成】 基材樹脂、架橋剤および酸発生剤からなる化
学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材樹脂の重
量平均分子量が２０００〜５０００であり、分散度が
１．３以下である組成物。
学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材樹脂の重
量平均分子量が２０００〜５０００であり、分散度が
１．３以下である組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電離放射線感応性ネガ
型レジストに関する。特に、本発明は、基材樹脂、架橋
剤および酸発生剤からなる化学増幅系ネガ型レジスト組
成物に関するものである。
型レジストに関する。特に、本発明は、基材樹脂、架橋
剤および酸発生剤からなる化学増幅系ネガ型レジスト組
成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化が進めら
れ、配線はますます微細化しており、最小線幅はサブハ
ーフミクロン（０．５μｍ以下）にまで達している。例
えば、最新のメモリである６４ＭｂｉｔＤ−ＲＡＭの最
小線幅は０．３μｍ程度であり、今後配線はさらに細く
なる傾向にある。６４Ｍｂｉｔ以降の超微細化への対応
にあたっては、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ光
などの短波長紫外線や電子線が用いられており、これら
の光源に対して感度と解像性に優れたレジストを使用す
る必要がある。
れ、配線はますます微細化しており、最小線幅はサブハ
ーフミクロン（０．５μｍ以下）にまで達している。例
えば、最新のメモリである６４ＭｂｉｔＤ−ＲＡＭの最
小線幅は０．３μｍ程度であり、今後配線はさらに細く
なる傾向にある。６４Ｍｂｉｔ以降の超微細化への対応
にあたっては、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ光
などの短波長紫外線や電子線が用いられており、これら
の光源に対して感度と解像性に優れたレジストを使用す
る必要がある。
【０００３】しかし、ネガ型レジストについていえば、
ＫｒＦエキシマレーザ用としては、既存の材料では感度
と解像性を満足するものは見当たらない。また、電子線
用としてはクロロメチルスチレンからなる材料が知られ
ているが、感度が低く、また現像に有機溶剤を使用する
必要があることから、現像時に膨潤を生じるため、解像
性は低くなる。
ＫｒＦエキシマレーザ用としては、既存の材料では感度
と解像性を満足するものは見当たらない。また、電子線
用としてはクロロメチルスチレンからなる材料が知られ
ているが、感度が低く、また現像に有機溶剤を使用する
必要があることから、現像時に膨潤を生じるため、解像
性は低くなる。
【０００４】また、近年、化学増幅系レジストが提案さ
れている。化学増幅系レジストとは、その組成中に酸発
生剤を含み、発生した酸が触媒的に作用することを利用
したレジストの総称であり、ネガ型レジストの場合は、
一般に、アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤および架橋剤の
３成分を含んでいる。化学増幅系ネガ型レジストは、電
離放射線の放射によって少量の酸を発生させ、さらにベ
ーキング（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｉｎ
ｇ）を行って熱エネルギを供給することにより、多くの
ポリマ分子の架橋反応を引き起こす。従って、従来の非
化学増幅系レジストに比べて、感度が非常に高く、スル
ープットを向上させることができるという利点を有す
る。
れている。化学増幅系レジストとは、その組成中に酸発
生剤を含み、発生した酸が触媒的に作用することを利用
したレジストの総称であり、ネガ型レジストの場合は、
一般に、アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤および架橋剤の
３成分を含んでいる。化学増幅系ネガ型レジストは、電
離放射線の放射によって少量の酸を発生させ、さらにベ
ーキング（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｉｎ
ｇ）を行って熱エネルギを供給することにより、多くの
ポリマ分子の架橋反応を引き起こす。従って、従来の非
化学増幅系レジストに比べて、感度が非常に高く、スル
ープットを向上させることができるという利点を有す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、既存の化学増
幅系ネガ型レジストは、解像性が十分でなく、今後の半
導体装置の高集積化に伴って、さらにパターンの微細化
を図ることは難しいことから、解像性の向上が望まれて
いる。従って、本発明は、新規な基材樹脂を用いること
により、従来の化学増幅系ネガ型レジストに比べて解像
性に優れたレジスト組成物を提供しようとするものであ
る。
幅系ネガ型レジストは、解像性が十分でなく、今後の半
導体装置の高集積化に伴って、さらにパターンの微細化
を図ることは難しいことから、解像性の向上が望まれて
いる。従って、本発明は、新規な基材樹脂を用いること
により、従来の化学増幅系ネガ型レジストに比べて解像
性に優れたレジスト組成物を提供しようとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、基材樹脂、架橋剤および酸発生剤か
らなる化学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材
樹脂の重量平均分子量が２０００〜５０００であり、分
散度が１．３以下であることを特徴とするレジスト組成
物が提供される。
題を解決するため、基材樹脂、架橋剤および酸発生剤か
らなる化学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材
樹脂の重量平均分子量が２０００〜５０００であり、分
散度が１．３以下であることを特徴とするレジスト組成
物が提供される。
【０００７】レジストの解像性は、レジストを構成する
基材樹脂の、アルカリ現像液に対する溶解速度に影響を
受け、その溶解速度は樹脂の分子量に依存している。分
子量分布を狭くした樹脂をレジストに用い、解像性を改
善する例としては、特開平４−１９５１３９、特開昭６
２−６９２６０などに開示された方法が知られている
が、単に基材樹脂の分散度を狭くしただけでは解像性の
向上は不十分である。
基材樹脂の、アルカリ現像液に対する溶解速度に影響を
受け、その溶解速度は樹脂の分子量に依存している。分
子量分布を狭くした樹脂をレジストに用い、解像性を改
善する例としては、特開平４−１９５１３９、特開昭６
２−６９２６０などに開示された方法が知られている
が、単に基材樹脂の分散度を狭くしただけでは解像性の
向上は不十分である。
【０００８】我々は、この基材樹脂の分子量分布と溶解
度の関係について鋭意研究を重ねた結果、重量平均分子
量が２０００〜５０００であり、分散度が 1.3以下であ
る１成分の樹脂を、レジストを構成する基材樹脂として
用いた時に、驚くべきことに解像性が著しく向上するこ
とを見出したのである。この解像性の向上は、分子量の
異なる成分を数種類混合することによっても達成され
る。すなわち、重量平均分子量が１５００〜２００００
であり、分散度が１．３以下である樹脂の２種以上４種
以下からなる混合物であり、各樹脂成分間の重量平均分
子量の差が５００以上であり、最大量の樹脂成分に対す
る最小量の樹脂成分の割合が１重量％以上であるもの
を、レジストを構成する基材樹脂として用いることによ
っても、同様の効果が得られるのである。
度の関係について鋭意研究を重ねた結果、重量平均分子
量が２０００〜５０００であり、分散度が 1.3以下であ
る１成分の樹脂を、レジストを構成する基材樹脂として
用いた時に、驚くべきことに解像性が著しく向上するこ
とを見出したのである。この解像性の向上は、分子量の
異なる成分を数種類混合することによっても達成され
る。すなわち、重量平均分子量が１５００〜２００００
であり、分散度が１．３以下である樹脂の２種以上４種
以下からなる混合物であり、各樹脂成分間の重量平均分
子量の差が５００以上であり、最大量の樹脂成分に対す
る最小量の樹脂成分の割合が１重量％以上であるもの
を、レジストを構成する基材樹脂として用いることによ
っても、同様の効果が得られるのである。
【０００９】分散度が１．３より大きい樹脂をレジスト
を構成する基材樹脂として用いた場合は、溶解速度の変
化が連続的となり、解像性向上の効果が発現しない。ま
た、ただ１種類の成分を基材樹脂として用いる場合は、
分散度の狭さとともに分子量の大きさの範囲を制限する
ことが重要となる。すなわち、高解像性を得るために
は、重量平均分子量は２０００〜５０００であることが
重要である。この分子量範囲にある樹脂では、レジスト
未露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度が適度に大
きくなり、例えばライン幅よりスペース幅が狭いぬきパ
ターンにおいて、その解像性に対する効果が極めて大き
くなる。かかる樹脂の特に好ましい例として、分子量お
よび分散度が上記の範囲に制御されたポリビニルフェノ
ールを挙げることができる。ポリビニルフェノールは、
その分子量および分散度を所望に制御することができる
ので、有利である。
を構成する基材樹脂として用いた場合は、溶解速度の変
化が連続的となり、解像性向上の効果が発現しない。ま
た、ただ１種類の成分を基材樹脂として用いる場合は、
分散度の狭さとともに分子量の大きさの範囲を制限する
ことが重要となる。すなわち、高解像性を得るために
は、重量平均分子量は２０００〜５０００であることが
重要である。この分子量範囲にある樹脂では、レジスト
未露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度が適度に大
きくなり、例えばライン幅よりスペース幅が狭いぬきパ
ターンにおいて、その解像性に対する効果が極めて大き
くなる。かかる樹脂の特に好ましい例として、分子量お
よび分散度が上記の範囲に制御されたポリビニルフェノ
ールを挙げることができる。ポリビニルフェノールは、
その分子量および分散度を所望に制御することができる
ので、有利である。
【００１０】また、レジストを構成する基材樹脂を２種
以上混合して用いる場合に、各樹脂成分間の重量平均分
子量の差が５００より小さい場合および５種類以上の樹
脂成分を含む場合には、溶解速度の変化は連続的とな
り、解像性向上の効果が発現しない。さらに、樹脂の混
合成分のうち、最大量成分に対する最小量成分の割合が
１％未満である場合は、解像性向上の効果が十分に発現
しない。また、重量平均分子量が１５００未満の低分子
量樹脂を用いた場合は、レジスト膜の表面荒れが生じ、
解像性が低下する。逆に、重量平均分子量が２００００
より大きい高分子量樹脂を用いた場合は、溶解速度が非
常に小さくなり、基材樹脂に対して１重量％添加しただ
けでも、解像性は著しく低下する。
以上混合して用いる場合に、各樹脂成分間の重量平均分
子量の差が５００より小さい場合および５種類以上の樹
脂成分を含む場合には、溶解速度の変化は連続的とな
り、解像性向上の効果が発現しない。さらに、樹脂の混
合成分のうち、最大量成分に対する最小量成分の割合が
１％未満である場合は、解像性向上の効果が十分に発現
しない。また、重量平均分子量が１５００未満の低分子
量樹脂を用いた場合は、レジスト膜の表面荒れが生じ、
解像性が低下する。逆に、重量平均分子量が２００００
より大きい高分子量樹脂を用いた場合は、溶解速度が非
常に小さくなり、基材樹脂に対して１重量％添加しただ
けでも、解像性は著しく低下する。
【００１１】ここで、上記の分子量および分散度はＧＰ
Ｃ（ゲル透過クロマトグラフィー）Ｗａｔｅｒｓ ＬＣ
−３０００を用い、ポリスチレン換算によって決定し
た。検出器としてはＷａｔｅｒｓ ４１０ＲＩディテク
タを用い、カラムとして東ソー製ＴＳＫ−Ｇ１０００Ｈ
ＸＬ、Ｇ２０００ＨＸＬおよびＧ３０００ＨＸＬを用い
た。また、溶離液にはテトラヒドロフラン (ＴＨＦ）を
用い、流量を１．０ｍｌ／分とし、測定試料を０．１％
ＴＨＦ溶液とした。
Ｃ（ゲル透過クロマトグラフィー）Ｗａｔｅｒｓ ＬＣ
−３０００を用い、ポリスチレン換算によって決定し
た。検出器としてはＷａｔｅｒｓ ４１０ＲＩディテク
タを用い、カラムとして東ソー製ＴＳＫ−Ｇ１０００Ｈ
ＸＬ、Ｇ２０００ＨＸＬおよびＧ３０００ＨＸＬを用い
た。また、溶離液にはテトラヒドロフラン (ＴＨＦ）を
用い、流量を１．０ｍｌ／分とし、測定試料を０．１％
ＴＨＦ溶液とした。
【００１２】なお、本発明においては、例えば、基材樹
脂として、重量平均分子量が２０００〜６０００であ
り、分散度が１．３以下である成分を必ず１種以上含
み、かつこれらの樹脂成分との重量平均分子量の差が５
００〜１００００である成分を１種または２種含むポリ
ビニルフェノールである混合樹脂を用いるのが有利であ
る。あるいは、重量平均分子量が２０００〜１００００
であり、分散度が１．３以下である成分を必ず１種以上
含むポリビニルフェノールに、フェノールノボラックお
よび／またはクレゾールノボラックの１種または２種と
を混合して用いてもよい。一般に、フェノールノボラッ
クおよび／またはクレゾールノボラックは、５００〜５
００００の重量平均分子量を有する。ポリビニルフェノ
ールとフェノールノボラックおよび／またはクレゾール
ノボラックとの重量比は９０：１０〜３０：７０、特に
８０：２０〜５０：５０であるのが好ましく、これによ
りアルカリ現像液の濃度にかかわらず高い解像性が得ら
れる。また、安価なノボラックを混合することにより、
分散度の狭いポリビニルフェノールの使用割合を減少さ
せることができるため、コストの低減が可能である。フ
ェノールノボラックおよび／またはクレゾールノボラッ
クの割合が１０％未満であると、膜質が低下し、解像度
が不十分となることがある。また、フェノールノボラッ
クおよび／またはクレゾールノボラックの割合が７０％
より大きくなると、前記に特定した如き分散度と分子量
を有するポリビニルフェノールを用いても、解像性向上
の効果が得られないことがある。
脂として、重量平均分子量が２０００〜６０００であ
り、分散度が１．３以下である成分を必ず１種以上含
み、かつこれらの樹脂成分との重量平均分子量の差が５
００〜１００００である成分を１種または２種含むポリ
ビニルフェノールである混合樹脂を用いるのが有利であ
る。あるいは、重量平均分子量が２０００〜１００００
であり、分散度が１．３以下である成分を必ず１種以上
含むポリビニルフェノールに、フェノールノボラックお
よび／またはクレゾールノボラックの１種または２種と
を混合して用いてもよい。一般に、フェノールノボラッ
クおよび／またはクレゾールノボラックは、５００〜５
００００の重量平均分子量を有する。ポリビニルフェノ
ールとフェノールノボラックおよび／またはクレゾール
ノボラックとの重量比は９０：１０〜３０：７０、特に
８０：２０〜５０：５０であるのが好ましく、これによ
りアルカリ現像液の濃度にかかわらず高い解像性が得ら
れる。また、安価なノボラックを混合することにより、
分散度の狭いポリビニルフェノールの使用割合を減少さ
せることができるため、コストの低減が可能である。フ
ェノールノボラックおよび／またはクレゾールノボラッ
クの割合が１０％未満であると、膜質が低下し、解像度
が不十分となることがある。また、フェノールノボラッ
クおよび／またはクレゾールノボラックの割合が７０％
より大きくなると、前記に特定した如き分散度と分子量
を有するポリビニルフェノールを用いても、解像性向上
の効果が得られないことがある。
【００１３】本発明において、酸発生剤としては、特に
限定されないが、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェ
ニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩などのオ
ニウム塩、ベンジルトシレート、ニトロベンジルトシレ
ート、ジニトロベンジルトシレート、ベンジルスルホネ
ート、ニトロベンジルスルホネート、ジニトロベンジル
スルホネートなどのスルホン酸エステル、ベンジルカル
ボネート、ニトロベンジルカルボネート、ジニトロベン
ジルカルボネートなどの炭酸エステル、およびジブロモ
ビスフェノールＡ、トリスジブロモプロピルイソシアヌ
レートなどのハロゲン化有機化合物を好ましく用いるこ
とができる。
限定されないが、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェ
ニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩などのオ
ニウム塩、ベンジルトシレート、ニトロベンジルトシレ
ート、ジニトロベンジルトシレート、ベンジルスルホネ
ート、ニトロベンジルスルホネート、ジニトロベンジル
スルホネートなどのスルホン酸エステル、ベンジルカル
ボネート、ニトロベンジルカルボネート、ジニトロベン
ジルカルボネートなどの炭酸エステル、およびジブロモ
ビスフェノールＡ、トリスジブロモプロピルイソシアヌ
レートなどのハロゲン化有機化合物を好ましく用いるこ
とができる。
【００１４】また、架橋剤としては、特に限定されない
が、アルキル化メチロールメラミンやそのオリゴマ、ま
たはビスヒドロキシメチルフェノールなどを好ましく用
いることができる。さらに、露光光源としては、可視
光、ＵＶ光、エキシマレーザ光、Ｘ線、電子線などを用
いることができる。
が、アルキル化メチロールメラミンやそのオリゴマ、ま
たはビスヒドロキシメチルフェノールなどを好ましく用
いることができる。さらに、露光光源としては、可視
光、ＵＶ光、エキシマレーザ光、Ｘ線、電子線などを用
いることができる。
【００１５】本発明の組成物において、構成成分の組成
比は、重量基準で、樹脂成分１００部に対して酸発生剤
が０．５〜２０部であり、架橋剤が１〜４０部であるの
が好ましい。酸発生剤および架橋剤がこれより少ないと
感度が不十分となり、また多いと成膜性および解像性が
低下する。本発明のレジスト組成物を用いてパターンを
形成するに際しては、常法により、基板上にレジスト組
成物層を形成し、これに電離放射線を照射して加熱した
後、アルカリ水溶液で現像する。これによりネガ型レジ
ストパターンを形成することができる。
比は、重量基準で、樹脂成分１００部に対して酸発生剤
が０．５〜２０部であり、架橋剤が１〜４０部であるの
が好ましい。酸発生剤および架橋剤がこれより少ないと
感度が不十分となり、また多いと成膜性および解像性が
低下する。本発明のレジスト組成物を用いてパターンを
形成するに際しては、常法により、基板上にレジスト組
成物層を形成し、これに電離放射線を照射して加熱した
後、アルカリ水溶液で現像する。これによりネガ型レジ
ストパターンを形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下に、実施例により、本発明をさらに説明
する。例中に示す分子量は、重量平均分子量である。 実施例１ 基材樹脂として、分子量が２６００であり、分散度が
１．１０のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
する。例中に示す分子量は、重量平均分子量である。 実施例１ 基材樹脂として、分子量が２６００であり、分散度が
１．１０のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
【００１７】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（ヘキサメトキシメチルメラミン) 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル) 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークし、これを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線で露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に１分間浸漬して現像を行
った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークし、これを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線で露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に１分間浸漬して現像を行
った。
【００１８】ここで、塗布時のレジスト膜厚に対する各
露光量における現像後残存膜厚をプロットしたところ、
図１に示す感度曲線Ａを得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0 〕で示されるコントラスト値は、４．８であ
った。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％とな
るときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、４．９μＣ／cm2 であることがわかった。
露光量における現像後残存膜厚をプロットしたところ、
図１に示す感度曲線Ａを得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0 〕で示されるコントラスト値は、４．８であ
った。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％とな
るときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、４．９μＣ／cm2 であることがわかった。
【００１９】また、解像性については、露光量６．８μ
Ｃ／cm2 の条件で３．０μｍライン＆１．２μｍスペー
スのパターンおよび０．６μｍライン＆スペースのパタ
ーンを同時に解像し得ることが認められた。
Ｃ／cm2 の条件で３．０μｍライン＆１．２μｍスペー
スのパターンおよび０．６μｍライン＆スペースのパタ
ーンを同時に解像し得ることが認められた。
【００２０】実施例２ 基材樹脂として、分子量が２６００であり、分散度が
１．１０のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（ヘキサメトキシメチルメラミン) 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル） 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線で露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
１．１０のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（ヘキサメトキシメチルメラミン) 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル） 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線で露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
【００２１】ここで、塗布時のレジスト膜厚に対する各
露光量における現像後残存膜厚をプロットしたところ、
図１に示す感度曲線Ｂを得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0 〕で示されるコントラスト値は、４．２であ
った。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％とな
るときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、３．０μＣ／cm2 であることがわかった。
露光量における現像後残存膜厚をプロットしたところ、
図１に示す感度曲線Ｂを得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0 〕で示されるコントラスト値は、４．２であ
った。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％とな
るときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、３．０μＣ／cm2 であることがわかった。
【００２２】また、解像性については、露光量４．８μ
Ｃ／cm2 の条件で３．０μｍライン＆１．２μｍスペー
スのパターンおよび０．５μｍライン＆スペースのパタ
ーンを同時に解像し得ることが認められた。
Ｃ／cm2 の条件で３．０μｍライン＆１．２μｍスペー
スのパターンおよび０．５μｍライン＆スペースのパタ
ーンを同時に解像し得ることが認められた。
【００２３】実施例３ 基材樹脂として、分子量が３６００であり、分散度が
１．０７のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン) 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン) 8.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．２μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１００℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
１．０７のポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン) 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン) 8.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．２μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１００℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
【００２４】そして、電子線感度を測定したところ、
７．４μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
については、露光量８．０μＣ／cm2 の条件で０．８μ
ｍライン＆０．５μｍスペースのパターンおよび０．４
μｍライン＆スペースのパターンを解像し得ることが認
められた。
７．４μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
については、露光量８．０μＣ／cm2 の条件で０．８μ
ｍライン＆０．５μｍスペースのパターンおよび０．４
μｍライン＆スペースのパターンを解像し得ることが認
められた。
【００２５】比較例１（市販の樹脂をそのまま用いた場
合） 基材樹脂として、分子量が４６００であり、分散度が
１．４９である、丸善石油化学製ポリビニルフェノール
を用い、実施例３と同様にしてレジストを調製し、解像
性の評価を行った。その結果、３μｍライン＆１．５μ
ｍスペース以下のパターンおよび１．２μｍライン＆ス
ペース以下のパターンを解像することができないことが
わかった。
合） 基材樹脂として、分子量が４６００であり、分散度が
１．４９である、丸善石油化学製ポリビニルフェノール
を用い、実施例３と同様にしてレジストを調製し、解像
性の評価を行った。その結果、３μｍライン＆１．５μ
ｍスペース以下のパターンおよび１．２μｍライン＆ス
ペース以下のパターンを解像することができないことが
わかった。
【００２６】比較例２（分散度が狭く、高分子量の樹脂
を単独で用いた場合） 基材樹脂として、分子量が６９００であり、分散度が
１．１５のポリビニルフェノールを用い、実施例３と同
様にしてレジストを調製し、解像性の評価を行った。そ
の結果、３μｍライン＆１．２μｍスペース以下のパタ
ーンおよび１．０μｍライン＆スペース以下のパターン
を解像することができないことがわかった。
を単独で用いた場合） 基材樹脂として、分子量が６９００であり、分散度が
１．１５のポリビニルフェノールを用い、実施例３と同
様にしてレジストを調製し、解像性の評価を行った。そ
の結果、３μｍライン＆１．２μｍスペース以下のパタ
ーンおよび１．０μｍライン＆スペース以下のパターン
を解像することができないことがわかった。
【００２７】実施例４ 基材樹脂として、分子量が２３００であり、分散度１．
１７であるポリビニルフェノールと、分子量が９５００
であり、分散度１．１７であるポリビニルフェノールと
を９：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
１７であるポリビニルフェノールと、分子量が９５００
であり、分散度１．１７であるポリビニルフェノールと
を９：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
【００２８】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン） 8.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．２μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で１分
間ベークしたものを露光用の試料として用いた。この試
料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベークし、こ
れを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液を用いてスピン現像を
行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で１分
間ベークしたものを露光用の試料として用いた。この試
料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベークし、こ
れを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液を用いてスピン現像を
行った。
【００２９】そして、電子線感度を測定したところ、１
２．０μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量７．０μＣ／cm2 の条件で０．６μｍラ
イン＆スペースのパターンを解像することが認められ
た。
２．０μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量７．０μＣ／cm2 の条件で０．６μｍラ
イン＆スペースのパターンを解像することが認められ
た。
【００３０】実施例５ 基材樹脂として、分子量が２３００であり、分散度１．
２６であるポリビニルフェノールと、分子量が３３００
であり、分散度１．２６であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
２６であるポリビニルフェノールと、分子量が３３００
であり、分散度１．２６であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
【００３１】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン） 18.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に０．４μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して
現像を行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して
現像を行った。
【００３２】そして、電子線感度を測定したところ、
９．２μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１４．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆０．３μｍスペースパターンおよび０．１５μ
ｍライン＆スペースのパターン、露光量１２．０μＣ／
cm2 の条件で０．８μｍライン＆０．２μｍスペースの
パターンおよび０．１７５μｍライン＆スペースのパタ
ーンを解像することが認められた。
９．２μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１４．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆０．３μｍスペースパターンおよび０．１５μ
ｍライン＆スペースのパターン、露光量１２．０μＣ／
cm2 の条件で０．８μｍライン＆０．２μｍスペースの
パターンおよび０．１７５μｍライン＆スペースのパタ
ーンを解像することが認められた。
【００３３】実施例６ 基材樹脂として、分子量が４５００であり、分散度１．
０６であるポリビニルフェノールと、分子量が５０００
であり、分散度１．０６であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
０６であるポリビニルフェノールと、分子量が５０００
であり、分散度１．０６であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
【００３４】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン） 18.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に０．４μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．６％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して
現像を行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．６％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して
現像を行った。
【００３５】そして、電子線感度を測定したところ、
９．９μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１７．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆０．３μｍスペースのパターンおよび０．２μ
ｍライン＆スペースのパターンを解像することが認めら
れた。
９．９μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１７．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆０．３μｍスペースのパターンおよび０．２μ
ｍライン＆スペースのパターンを解像することが認めら
れた。
【００３６】実施例７ 基材樹脂として、分子量が３２００であり、分散度１．
１５であるポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル) 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
１５であるポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル) 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬して
現像を行った。
【００３７】そして、電子線感度を測定したところ、
３．４μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量４．０μＣ／cm2 の条件で１．１μｍラ
イン＆０．７μｍスペースのパターン、露光量４．８μ
Ｃ／cm2 の条件で０．５μｍライン＆スペースのパター
ンを解像することが認められた。
３．４μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量４．０μＣ／cm2 の条件で１．１μｍラ
イン＆０．７μｍスペースのパターン、露光量４．８μ
Ｃ／cm2 の条件で０．５μｍライン＆スペースのパター
ンを解像することが認められた。
【００３８】実施例８ 基材樹脂として、分子量が３８００であり、分散度１．
２８であるポリビニルフェノールと、分子量が５３００
であり、分散度１．２７であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
２８であるポリビニルフェノールと、分子量が５３００
であり、分散度１．２７であるポリビニルフェノールと
を１：１の重量比で混合したものを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。
【００３９】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン) 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．６μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１５秒間浸漬
して現像を行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１５秒間浸漬
して現像を行った。
【００４０】そして、電子線感度を測定したところ、１
４．０μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１４．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆スペースのパターンを解像することが認められ
た。
４．０μＣ／cm2 であることがわかった。また、解像性
として、露光量１４．０μＣ／cm2 の条件で０．８μｍ
ライン＆スペースのパターンを解像することが認められ
た。
【００４１】実施例９ 基材樹脂として、分子量が３６００であり、分散度１．
０７であるポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン） 18.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に０．４μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料に紫外線を照射し、直ちに１１０℃で２分間ベー
クし、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬し
て現像を行った。
０７であるポリビニルフェノールを用い、次の量の酸発
生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍのメン
ブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製した。 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（メチル化メチロールメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（シクロヘキサノン） 18.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に０．４μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料に紫外線を照射し、直ちに１１０℃で２分間ベー
クし、これを１．５％のＴＭＡＨ水溶液に２分間浸漬し
て現像を行った。
【００４２】そして、感度を測定したところ、１２．０
mJ／cm2 であることがわかった。また、解像性として、
露光量１４．０mJ／cm2 の条件で０．３５μｍライン＆
スペースのパターンを解像することが認められた。
mJ／cm2 であることがわかった。また、解像性として、
露光量１４．０mJ／cm2 の条件で０．３５μｍライン＆
スペースのパターンを解像することが認められた。
【００４３】実施例１０ 基材樹脂として、分子量が２６００であり、分散度１．
１０であるポリビニルフェノールと、分子量が２５００
であり、分散度８．８２であるクレゾールノボラックと
を６５：３５の重量比で混合したものを用い、次の量の
酸発生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍの
メンブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
１０であるポリビニルフェノールと、分子量が２５００
であり、分散度８．８２であるクレゾールノボラックと
を６５：３５の重量比で混合したものを用い、次の量の
酸発生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍの
メンブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
【００４４】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（ヘキサメトキシメチルメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル） 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬し
て現像を行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１１０℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬し
て現像を行った。
【００４５】ここで、塗布時のレジスト膜厚に対する各
電子線露光量における現像後の残存膜厚をプロットし
て、図２に示す感度曲線を得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0]で示されるコントラスト値は、３．８であっ
た。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％となる
ときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、３．４μＣ／cm2 であることがわかった。
電子線露光量における現像後の残存膜厚をプロットし
て、図２に示す感度曲線を得た。また、１／Ｌｏｇ〔Ｄ
1.0 ／Ｄ0]で示されるコントラスト値は、３．８であっ
た。さらに、現像後残存膜厚が初期膜厚の９０％となる
ときの露光量を感度として電子線感度を測定したとこ
ろ、３．４μＣ／cm2 であることがわかった。
【００４６】また、解像性として、露光量４．８μＣ／
cm2 の条件で、３．０μｍライン＆１．２μｍスペース
のパターンおよび０．５μｍライン＆スペースのパター
ンを同時に解像できることが認められた。
cm2 の条件で、３．０μｍライン＆１．２μｍスペース
のパターンおよび０．５μｍライン＆スペースのパター
ンを同時に解像できることが認められた。
【００４７】実施例１１ 基材樹脂として、分子量が２６００であり、分散度１．
１０であるポリビニルフェノールと、分子量が２５００
であり、分散度８．８２であるクレゾールノボラックと
を７０：３０の重量比で混合したものを用い、次の量の
酸発生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍの
メンブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
１０であるポリビニルフェノールと、分子量が２５００
であり、分散度８．８２であるクレゾールノボラックと
を７０：３０の重量比で混合したものを用い、次の量の
酸発生剤と架橋剤とともに溶剤に溶解し、０．２μｍの
メンブランフィルタで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
【００４８】 基材樹脂 2.0 ｇ 酸発生剤〔トリス（2,3-ジブロモプロピル）イソシアヌレート〕 0.1 ｇ 架橋剤（ヘキサメトキシメチルメラミン） 0.4 ｇ 溶剤（乳酸エチル） 6.0 ｇ このレジストをシリコンウェハ上に１．５μｍの膜厚に
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１００℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬し
て現像を行った。
なるように塗布し、ホットプレート上で１１０℃で４．
５分間ベークしたものを露光用の試料として用いた。こ
の試料を電子線露光後直ちに１００℃で２分間ベーク
し、これを２．３８％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬し
て現像を行った。
【００４９】この例では、感度曲線は図３のようにな
り、コントラスト値は４．３であり、電子線感度は１
１．５μＣ／cm2 であった。また、解像性として、露光
量１２．０μＣ／cm2 の条件で、３．０μｍライン＆
１．１μｍスペースのパターンおよび０．５μｍライン
＆スペースのパターンを同時に解像できることが認めら
れた。
り、コントラスト値は４．３であり、電子線感度は１
１．５μＣ／cm2 であった。また、解像性として、露光
量１２．０μＣ／cm2 の条件で、３．０μｍライン＆
１．１μｍスペースのパターンおよび０．５μｍライン
＆スペースのパターンを同時に解像できることが認めら
れた。
【００５０】比較例３（ノボラックを単独で用いた場
合） 基材樹脂として、分子量が２５００であり、分散度８．
８２であるクレゾールノボラックのみを用いた以外は実
施例１と同様にしてレジストを調製し、解像性の評価を
行った。その結果、感度曲線は図４のようになり、コン
トラスト値は２．１であり、電子線感度は２．６μＣ／
cm2 であった。
合） 基材樹脂として、分子量が２５００であり、分散度８．
８２であるクレゾールノボラックのみを用いた以外は実
施例１と同様にしてレジストを調製し、解像性の評価を
行った。その結果、感度曲線は図４のようになり、コン
トラスト値は２．１であり、電子線感度は２．６μＣ／
cm2 であった。
【００５１】また、解像性として、３．０μｍライン＆
１．５μｍスペース以下のパターンを解像できないこと
が認められた。
１．５μｍスペース以下のパターンを解像できないこと
が認められた。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、要求されるパターンに
応じた高解像性を有する化学増幅系ネガ型レジストを提
供することができる。
応じた高解像性を有する化学増幅系ネガ型レジストを提
供することができる。
【図１】実施例で得られたレジストの電子線感度曲線を
示す図。
示す図。
【図２】他の実施例で得られたレジストの電子線感度曲
線を示す図。
線を示す図。
【図３】他の実施例で得られたレジストの電子線感度曲
線を示す図。
線を示す図。
【図４】比較例で得られたレジストの電子線感度曲線を
示す図。
示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/028 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 並木 崇久 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 野崎 耕司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 倉光 庸子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 基材樹脂、架橋剤および酸発生剤からな
る化学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材樹脂
の重量平均分子量が２０００〜５０００であり、分散度
が１．３以下であることを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項２】 基材樹脂がアルカリ可溶性である請求項
１記載のレジスト組成物。 - 【請求項３】 基材樹脂がポリビニルフェノールから選
ばれる請求項１または２記載のレジスト組成物。 - 【請求項４】 基材樹脂、架橋剤および酸発生剤からな
る化学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材樹脂
が、２種以上４種以下のポリビニルフェノールの混合物
であり、重量平均分子量が１５００〜２００００であ
り、分散度が１．３以下であり、各樹脂成分間の重量平
均分子量の差が５００以上であり、最大量の樹脂成分に
対する最小量の樹脂成分の割合が１重量％以上であるこ
とを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項５】 基材樹脂が、重量平均分子量が２０００
〜６０００であり、分散度が１．３以下である成分を必
ず１種以上含み、かつ、これらの樹脂成分との重量平均
分子量の差が５００〜１００００である成分を１種また
は２種含む、ポリビニルフェノールである請求項４記載
のレジスト組成物。 - 【請求項６】 基材樹脂、架橋剤および酸発生剤からな
る化学増幅系ネガ型レジスト組成物であって、基材樹脂
が、重量平均分子量が２０００〜１００００であり、分
散度が１．３以下であるポリビニルフェノールと、フェ
ノールノボラックおよび／またはクレゾールノボラック
との混合物であることを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項７】 フェノールノボラックおよび／またはク
レゾールノボラックの重量平均分子量が５００〜５００
０である請求項６記載のレジスト組成物。 - 【請求項８】 ポリビニルフェノールとフェノールノボ
ラックおよび／またはクレゾールノボラックとの重量比
が９０：１０〜３０：７０である請求項６または７記載
のレジスト組成物。 - 【請求項９】 架橋剤がアルキル化メチロールメラミン
もしくはそのオリゴマーおよびビスヒドロキシメチルフ
ェノールから選ばれ、酸発生剤がジフェニルヨードニウ
ム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニ
ウム塩、ベンジルトシレート、ニトロベンジルトシレー
ト、ジニトロベンジルトシレート、ベンジルスルホネー
ト、ニトロベンジルスルホネート、ジニトロベンジルス
ルホネート、ベンジルカルボネート、ニトロベンジルカ
ルボネート、ジニトロベンジルカルボネート、ジブロモ
ビスフェノールＡおよびトリスジブロモプロピルイソシ
アヌレートから選ばれる請求項１〜８のいずれかに記載
のレジスト組成物。 - 【請求項１０】 基板上に請求項１〜９に規定したレジ
スト組成物の層を形成し、これに電離放射線を照射して
加熱した後、アルカリ水溶液で現像してネガ型レジスト
パターンを形成することを特徴とするパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6149459A JPH07120924A (ja) | 1993-08-31 | 1994-06-30 | レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-215930 | 1993-08-31 | ||
| JP21593093 | 1993-08-31 | ||
| JP6149459A JPH07120924A (ja) | 1993-08-31 | 1994-06-30 | レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120924A true JPH07120924A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=26479341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6149459A Pending JPH07120924A (ja) | 1993-08-31 | 1994-06-30 | レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120924A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0844061A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| US5700625A (en) * | 1995-04-19 | 1997-12-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative-working photoresist composition |
| JPH1165118A (ja) * | 1997-08-15 | 1999-03-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
| US6511781B2 (en) | 1997-10-24 | 2003-01-28 | Nec Corporation | Chemically amplified resist |
| US7323284B2 (en) | 2001-06-18 | 2008-01-29 | Jsr Corporation | Negative type radiation sensitive resin composition |
| JP2009111434A (ja) * | 2009-02-19 | 2009-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト材およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP6149459A patent/JPH07120924A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0844061A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| US5700625A (en) * | 1995-04-19 | 1997-12-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative-working photoresist composition |
| JPH1165118A (ja) * | 1997-08-15 | 1999-03-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
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| US7323284B2 (en) | 2001-06-18 | 2008-01-29 | Jsr Corporation | Negative type radiation sensitive resin composition |
| JP2009111434A (ja) * | 2009-02-19 | 2009-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト材およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP4656242B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2011-03-23 | 三菱電機株式会社 | レジスト材およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
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