KR910005884B1 - 패턴형성용 레지스트물질 및 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

패턴형성용 레지스트물질 및 레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

패턴형성용 레지스트물질 및 레지스트 패턴의 형성방법
제1a∼1e 도는 본 발명에 의한 패턴 형성방법의 공정순서를 보이는 횡단면도.
제2도는 중합체물질로서 PVA를 함유하는 레지스트물질내의 광-산(photo-acid)생성원인 2-(N-페닐아미노)페닐디아조늄 설페이트의 농도와 레지스트물질의 감도와의 상관 그라프.
본 발명은 레지스트(resist)기술에 관한 것으로 특히 노출광으로서 원자외선(UV)을 사용하여 네가티브 레지스트 패턴(negative resist pattern)을 형성하기에 적합한 패턴형성 레지스트물질에 관한 것이다. 레지스트 패턴은 통상적으로 대규모 집적회로(LSI), 초대규모 집적회로(VLSI) 및 버블 메모리장치와 같은 반도체장치 제조과정중 기판 또는 기초재 즉, 반도체물질상에 형성된다. 본 발명은 또한 상기 레지스트물질을 사용하여 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.
LSI, VLSI 및 기타 반도체장치의 제조시에 소망되는 초미세 제작을 성취하기 위해 고무형 레지스트, 광분해성 중합체 레지스트와 노보락(novolac) 수지레지스트와 같은 다수의 패턴형성 레지스트물질을 널리 사용해왔을 뿐만 아니라 자외선(UV), 전자빔, X-선 이온빔과 같은 여러 가지 노출광을 널리 사용해 왔다.
최근에 통상의 적외선 대신 원적외선을 사용했다. 왜냐하면, 원UV선은 통상의 UV선보다 짧은 약 200∼300mm의 파장을 갖고 있고, 또한 최종 레지스트 패턴들의 미세도를 더욱 크게할 수 있는 조건을 만족시키기 때문이다. 본 분야에 숙련된 자에 의해 원적외선 레지스트들에 대한 여러가지 꾸준한 연구 프로젝트들과 개발이 수행되어 왔음은 널리 알려져 있다. 이와 관련하여, 적당한 원적외선 레지스트로서는 UV 레지스트로서 잘 알려져 있고, 또한 변형없이 사용될 수 있는 광분해성 중합체수지계 또는 노보락 레지스트를 사용하는 것이 제안되어 왔다. 그러나, 이들 원UV 레지스트는 여러 가지 단점들 즉, 광분해성 중합체수지들은 원UV에 대해 불량한 감도를 갖고 있으며, 또한 산소 프라즈마식각과 같은 건식식간에 대한 저항성을 갖고 있으며, 또한 노보락 레지스트는 그내에 내포된 벤젠링의 지나치게 높은 광흡수로 인해 불만족스러운 패턴해상도를 나타내는 등의 단점들을 갖고 있다.
이들 레지스트들 이외에도 폴리비닐 알콜과 같은 가교성 중합체가 디아조늄염과 같은 가교제와 조합되어 있는 가교 레지스트들을 사용함이 제안된 바 있다. 그러나, 이 레지스트들은 최종 레지스트 패턴들이 부풀어 오름으로 인해 불만족스러운 패턴 해상도를 갖는다. 레지스트 패턴들이 부풀어 오르는 이유는 다음과 같다.
가교제로서 다음 일반식의 수용성 폴리비닐알콜(PVA)과
Figure kpo00002
식중
Figure kpo00003
은 중합도.
다음 일반식의 디아조늄염.
Figure kpo00004
을 레지스트물질로서 사용하고, 또한 레지스트물질을 원UV선에 선택적으로 노출할 때, 노출영역내의 PVA는 그의 가교반응 결과로서 비수용성이 된다. 그렇게 형성된 비수용성 레지스트 패턴은 다음과 같은 일반식으로 나타낸다.
Figure kpo00005
식중
Figure kpo00006
은 위에서 정의된 바와 같음. 그러나, 이 가교반응은 PVA내의 수산기의 작은 부분에서 발생한다.
왜냐하면 가교의 농도가 낮기 때문이다. 그 결과로서, PVA내의 수산기의 대부분은 변경되지 않고 그대로 남아 있기 때문에 중합체는 가교반응후 조차 친수성으로 그대로 있게 된다. 그러므로, 현상 도중 물이 중합체 속으로 확산되어 부풀게 된다.
본 발명의 목적은 원UV 노출과 미세한 네가티브 레지스트 패턴 형성에 특히 적합한 고감도, 건식식각에 대한 저항성 및 양호한 해상도를 갖는 신규한 패턴형성 레지스트물질을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 현상과정에서 사용되는 물의 흡수로 인해 패턴들이 부풀어 오르는 문제점이 제거된 레지스트 패턴들의 신규한 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 이들 및 기타 목적들은 다음에 설명되는 본 발명에 의한 패턴형성 레지스트물질과 패턴 형성방법에 의해 달성될 수 있다. 즉, 본 발명에 의하면 분자구조내에 적어도 하나의 수산기를 갖는 수용성 중합체물질과 광-산 생성원(photo-acid generator)으로 레지스트물질을 구성함으로서 광노출하는 동안 상기 중합체물질이 가교 결합되지 않지만 상기 중합체물질과 반응할 때 산이 유리될 수 있으며, 유리된 산을 촉매로 하여 가열할때에 산과 함께 반응하여 반응생성물이 생성되며, 상기 반응 생성물로부터 물을 제거할 때 비수용성 중합체물질이 얻어지며, 상기 중합체물질을 물로 현상할 때 수용성 중합체물질은 제거되고, 비수용성 중합체물질은 남게되어 레지스트 패턴이 제공되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질이 제공된다.
본 발명에 의하여 레지스트물질을 조제하도록 패턴형성을 위해 광노출시킨 결과로서 산이 유리될 수 있는 광-산 생성원자 분자구조내에 적어도 하나의 수산기를 갖는 수용성 중합체물질을 혼합하고, 레지스트층을 형성하도록 기판상에 레지스트물질의 용액을 코팅하고, 중합체물질과 상기 광-산 생성원을 반응시키고 또한 산을 유리시키도록 상기 레지스트층을 패턴조사로 광노출시키고, 상기 레지스트층내의 최종 반응 생성물로부터 물을 제거하도록 촉매로서 산의 존재하에서 노출된 레지스트층을 가열하여 줌으로서 상기 반응생성물을 비수용성화 해주고, 그리고 상기 포토 레지스트층의 노출영역내의 수용성 중합체물질이 제거되어 결국 기판상에 레지스트 패턴들이 형성되도록 상기 레즈스트층을 물로 현상하는 것을 포함하는 레지스트 패턴 형성방법이 제공된다.
본 발명에 의한 레지스트물질을 사용한 레지스트 패턴들은 예를 들어 다음과 같이 형성된다.
제1a도에 나타낸 바와 같이, 반도체기판1 예를 들어 실리콘기판 또는 웨이퍼를 제조 세척하여 깨끗한 표면을 얻는다. 기판1은 도시되지 않았지만, 원할 경우 회로부품 또는 기타 소자들 예를 들어 A1회로등과 같은 회로, SiO2층과 같은 절연층을 갖는다.
기판1의 세정 표면상에 코팅된 레지스트물질은 수용성 수산기 함유 중합체물질을 광-산 생성원 즉, 레지스트물질의 노출 결과로서 산이 사진술에 의해 생성 및 유리될 수 있는 화합물과 혼합함으로서 제조된다.
여기서 다음 일반식의 PVA는 중합체물질로서 사용되며, 또한
Figure kpo00007
식중
Figure kpo00008
은 중합도임. 다음 일반식의 디아노쥼 염은 광-산 생성원으로서 사용된다.
Figure kpo00009
식중, X1은 Cl과 같은 할로겐 원자임.
제1b도에 나타낸 바와 같은 레지스트물질의 조제후, 기판1상에 그 레지스트물질을 코팅하여 레지스트층2를 형성한다. 이 중합체물질은 양호한 수용성을 갖고 있기 때문에 일반적으로 레지스트물질의 수용액을 사용하여 스핀코팅과 같은 종래의 코팅법으로 코팅을 행한 다음 건조시킨다.
그 다음 최종 레지스트층2을 제1c도에 나타낸 바와 같은 마스크(도시안됨)를 통해 패턴조사(원UV) hv에 선택적으로 노출시킨다. 원UV의 파장은 통상적으로 사용되는 것, 즉 240-250mm이다. 선택 노출하는 동안 레지스트층 2의 노출영역에서는 다음과 같은 반응이 진행된다.
Figure kpo00010
상술한 반응도식은 노출단계 도중 HCl과 같은 산 HX1이 발생되지만 전술한 바와 같은 종래의 가교 레지스트에서 발견할 수 있는 가교반응(주 : 그러한 가교반응은 레지스트 패턴을 부풀어 오르게 한다.) 이 발생하지 않음을 알 수 있다. 제1C도에서 레지스트층 2의 노출영역은 PVA와 디아조늄염의 반응생성물12(상기 식을 참조)을 포함하지만 그의 비노출 영역은 반응안된 PVA와 디아조늄염을 포함한다.
선택적인 노출후, 노출된 레지스트를 예를 들어 약 100℃의 온도로 가열한다. 가열하는 동안 레지스트층 2의 노출된 영역에서 다음과 같은 반응이 진행한다.
Figure kpo00011
즉, 노출단계에서 생성된 촉매로서 산 HX1의 존재하에서 수산기의 제거반응이 행해진다. 반응생성물로부터 물이 제거됐기 때문에, 레지스트층2의 노출된 영역내의 생성물 22는 비수용성을 나타낸다.(제1d도 참조). 즉, 노출된 영역은 비수용성이지만 비노출 영역은 수용성으로 있게 한다.
노출된 영역이 비수용성이 된 후, 물로 현상하면 레지스트층으로부터 비노출된 영역은 세척되고 레지스트층은 결국 제1e도에 보인 바와 같이 기판1상에 비수용성 네가티브 레지스트 패턴22가 남게 된다.
본 발명에 의하면 레지스트 패턴의 형성은 사용되는 레지스트물질의 극성을 변동시켜서 수행되기 때문에 레지스트 패턴들을 형성하도록 패턴 노출시에 가교되는 종래의 레지스트물질과는 대조적으로 최종 레지스트 패턴들은 부풀지 않게 되므로 결과적으로 레지스트 패턴이 아주 미세하며, 또한 향상된 해상력을 갖게 된다. 또한, 노출단계에서 생성된 산은 그 다음 반응에서 촉매로서 사용되기 때문에 그의 전구물질 즉, 광-산 생성원은 10중량％이하의 소량으로 사용될 경우 조차 만족스러운 효과를 준다. 또한 소량의 광-산 생성원이 혼합된 레지스트물질은 원UV에 대해 양호한 투명성을 갖고 있기 때문에 종래의 노브락 레지스트에서와 같은 지나치게 높은 광흡수율에 의해 원인이 되는 해상력의 손상이 제거된다.
본 발명에 의한 패턴형성 레지스트물질은 기질 중합체와 광-산 생성원으로서 수용성 중합체물질을 포함한다. 바람직하게는 방향족 링이 없는 중합체물질이 미세한 레지스트 패턴들의 형성을 보장해 주기 때문에 중합체물질은 그의 분자구조내의 벤젠링과 같은 방향족 링을 갖고 있지 않는 것이 좋다. 왜냐하면 방향족링의 특정 흡수특성에 의해 감소되는 해상력에 영향이 없기 때문이다. 또한, 바람직하게는 중합체물질은 그 내에서 수산기가 결합되는 또 다른 탄소원자에 인접한 탄소원자가 가열단계동안 떨어진 수산기와 결합되어 물을 형성하여 중합체물질로부터 제거될 수 있는 적어도 하나의 수소원자를 포함하는 구조를 갖는 것이 좋다.
본 발명에서 사용되는 중합체물질은 넓은 범위의 분자량을 갖고 있지만 일반적으로 적당한 범위의 분자량은 약 1,000 - 100,000이다. 최종 레지스트 패턴에 나쁜 영향을 주지 않는한 그 범위 이상 또는 이하인 분자량의 중합체물질도 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 하이드록실함유 중합체물질은 여기에 기재된 요구조건을 만족시키는 다수의 공지된 하이드록실 중합체들로부터 임의로 선택될 수 있다. 이 중합체물질들로는 예를 들어 PVA, 폴리(1-메틸)비닐 알콜등과 같은 폴리비닐 알콜(PVA) 또는 그의 유도체와, 셀루로오즈 에스테르류(예, 셀루로오즈 아세테이트 및 니트로 셀루로우즈), 셀루로우즈 에테르류(예, 메틸 셀루로오즈 및 에틸 셀루로오즈)등의 셀루로우즈 또는 그의 유도체가 있다. 이 중합체물질들은 단독 또는 조합하여 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이 중합체물질과 함께 사용되는 광-산 생성원은 패턴조사를 위한 노출시 산을 유리시킬수 있는 화합물이지만 이 화합물은 노출단계동안 동시에 사용되는 중합체물질을 가교시키지 않는다. 본 발명을 실시할시에 여기서 기술되는 요구조건을 만족시키기만하면 어떠한 광-산 생성원이라도 사용될 수 있다. 이들 광-산 생성원으로는 예를 들어 오늄염 또는 화합물 또는 그들의 유도체같은 암모늄 화합물, 포스포늄 화합물, 옥소늄 화합물, 설포늄 화합물 및 아이오도늄 화합물(예, P-(N-페닐아미노)-페닐디아조늄 설페이트, 2-(N-페닐 아미노)페닐 디아조늄 설페이트, 디페닐 아이오도늄 트리후루오로메탄 설폰에이트 및 트리페닐설포늄 헥사후루오로아세네이트), 그밖에도 광-산 생성원으로는 다음 일반식으로 나타낸것들과
Figure kpo00012
식중 Ar은 동일 또는 상이한 것으로, 페닐기와 같은 치환 또는 비치환 방향족기를 나타내며, X-는 BF4-SbF6-, PF6-또는 AsF6-임.
다음 일반식으로 나타낸 것들
Figure kpo00013
식중 X-는 위에 정의된 바와 같음이 있다.
본 발명을 실시할시에 사용되는 광-산 생성원의 양은 비수용성 중합체물질이 얻어질 수 있는 양이다. 본 발명자는 발명에서 중합체물질과 광-산 생성원의 총중량을 기준으로 약 2∼10중량％의 비교적 소량의 광-산 생성원을 사용하면 요망하는 효과를 거둘 수 있음을 밝혀냈다.
레지스트 패턴의 형성은 제1a∼1e도를 참조하여 설명했지만 그에 국한되지 않고, 본 발명의 정신과 범위내에서 전술한 패턴형성 방법에 대해 여러 수정 변경을 할 수 있음을 밝혀둔다.
본 발명 방법의 노출단계에서, 패턴조사는 약 200∼300nm의 파장을 원UV조사 패턴으로 하는 것이 좋다. 원UV조사는 Xe-Hg(크제논-머큐리 증기)램프 및 엑시머레이저(248nm의 파장)와 같은 광조사원으로부터 발생될 수 있다. 원UV 이외에도 패턴방법과 결과에 나쁜 영향이 없는 한 전자빔, X-선 및 이온빔과 같은 기타 조사원을 사용할 수도 있다.
본 발명의 레지스트물질과 패턴 형성방법은 우수한 특성을 갖는 네가티브 레지스트 패턴을 형성하도록 광범위하게 사용될 수 있으며, 그 결과로 얻은 레지스트 패턴은 LSI와 VLSI와 같은 반도체장치 제조에 유리하게 사용될 수 있으며, 또한 원할 경우, 광 인쇄판이나 기타 제품의 제조시에 사용될 수도 있다.
이하 실시예와 비교예를 참조하여 본 발명을 좀 더 상세히 설명한다.
[실시예 1]
27,000의 분자량을 갖는 폴리비닐 알콜(PVA)을 혼합물의 총중량을 기준으로 광-산 생성원인 5중량％의 P-(N-페닐아미노)페닐 디아조늄 설페이트 및 물과 혼합했다. 그렇게 얻은 레지스트 수성용액을 실리콘 웨이퍼상에 스핀 코팅한 다음 60분동안 60℃로 건조시킨 결과 1.0μm의 두께를 갖는 레지스트층을 얻었다.
Xe-Hg 램프로부터 원적외선의 파장을 냉각 반사경에 의해 330nm이하로 조정한 후, 레지스트층을 약 15초동안 원적외선 조사패턴(4mW/㎠)으로 노출시켰다. 노출된 레지스트층을 열판상에서 45분 동안 100℃로 가열하여 노출영역을 난수용화하고, 가열을 완료한 후 레지스트층을 물로 현상하여 비노출 영역을 세정해 줌으로서 1.0μm 1 ＆ s(라인 및 공간)의 해상도를 갖는 미세한 네가티브 레지스트 패턴들을 얻었다. 감도는 90ml이었다. 그 레지스트 패턴들은 산소 프라즈마 식각에 대해 양호한 저항성을 갖고 있음이 밝혀졌다.
[실시예 2]
광-산 생성원을 동일 양의 디페닐 아이오도늄 트리후루오로 메탄 설포네이트로 교체한 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 0.8μm 1 ＆ s의 해상도와 120mJ의 감도를 갖는 미세한 네가티브 레지스트 패턴이 얻어졌다. 최종 레지스트 패턴은 산소 프라즈마 식각에 의해 양호한 저항성을 갖고 있음이 밝혀졌다.
[실시예 3]
광-산 생성원을 동일 양의 트리페닐 설포늄 헥사후루오로 아세네이트로 교체한 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 0.8μm 1 ＆ s의 해상도와 100mJ의 감도를 갖는 미세한 네가티브 레지스트 패턴이 얻어졌다. 최종 레지스트 패턴은 산소 프라즈마 식각에 의해 양호한 저항성을 갖고 있음이 밝혀졌다
[실시예 4]
PVA를 10,000의 분자량을 갖는 메틸 셀루로우즈(MC)로 바꾸고 또한 광-산 생성원을 동일 양의 2-(N-페닐 아미노)페닐 디아조늄 설페이트로 바꾼 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 1.5μm 1 ＆ s의 해상도와 90mJ의 감도를 갖는 미세한 네가티브 레지스트 패턴들이 얻어졌다. 최종 레지스트 패턴은 산소 프라즈마 식각에 대해 양호한 저항성을 갖고 있음이 밝혀졌다
[실시예 5]
PVA를 20,000의 분자량을 갖는 폴리(1-메틸)비닐알콜로 바꾸고 또한 광-산 생성원을 동일 양의 2-(N-페닐 아미노)페닐 디아조늄 설페이트로 바꾼 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 1.0μm 1 ＆ s의 해상도와 900mJ의 감도를 갖는 미세 네가티브 레지스트 패턴들이 얻어졌다. 최종 레지스트 패턴은 산소 프라즈마 식각에 대해 양호한 저항성을 갖고 있음이 밝혀졌다.
[실시예 6]
본 실시예는 최종 레지스트 패턴의 감도에 대한 부가된 광-산 생성원의 농도의 효과를 확인하기 위한 것이다.
광-산 생성원을 상이한 양의 2-(N-페닐 아미노)페닐 디아조늄 설페이트로 교체한 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 부가된 광-산 생성원의 양을 2중량％∼16중량％로 변화시켰다. 제2도의 결과는 모든 레지스트 샘플들이 85-110mJ의 양호한 감도를 갖고 있음을 나타내지만 광-산 생성원의 양은 2중량％ 이상이 되어야만 함이 밝혀졌다. 왜냐하면 수중에서 노출된 영역의 레지스트가 난수용성으로 해주기 위해 광-산 생성원의 양이 불충분하면 노출된 영역에서 레지스트 보유율이 낮아지는 원인이 되기 때문이다. 마찬가지로 광-산 생성원의 양은 10중량％ 이하가 되야만 한다. 왜냐하면 패턴조사를 위한 노출시 그때에 발생된 질소(N2)가스의 혼입 결과 노출영역의 레지스트내에 기포가 발생하기 때문이다.
[실시예 7]
레지스트물질을 구입가능 노브락 수지계 레지스트 즉, OFPR-800(Tokyo OKakogyo KK의 제품)으로 교체하고, 액시머 레이저를 노출광원으로 사용한 것을 제외하고 실시예1의 절차를 반복했다. 그 결과 2.0μm 1 ＆ s 이상의 해상도를 갖는 네가티브 레지스트 패턴들을 얻었다.
해상도를 개선하기 위해 상기 절차의 공정조건을 변경시켰지만 불충분한 광흡수율로 인해 최종 레지스트 패턴들은 허용될 수 없을 정도의 부등변 사변형 횡단면을 나타냈다.

Claims (24)

  1. 분자구조내에 적어도 하나의 수산기를 갖는 수용성 중합체물질과 광-산 생성원으로 레지스트물질을 구성함으로서 그에 의해 광노출하는 동안 상기 중합체물질이 가교결합되지 않지만 상기 중합체물질과 반응할 산이 유리되고, 촉매로 유리된 산 존재하에 가열하여 생성된 반응생성물로부터 물을 제거하면 비수용성 중합체물질이 얻어지며, 상기 중합체물질을 물로 현상할 때 수용성 중합체물질은 제거되고 비수용성 중합체물질은 남게되어 레지스트 패턴이 제공되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  2. 제1항에서, 상기 중합체물질은 그의 분자구조내에 방향족 링을 갖고 있지 않는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  3. 제1 또는 2항에서, 상기 수산기가 상기 중합체물질내에 결합된 다른 탄소원자에 인접한 탄소원자는 상기 중합체물질로부터 결국 제거되는 물을 형성하도록 상기 분리된 수산기와 조합될 수 있는 적어도 하나의 수소원자를 포함하는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  4. 제1항에서, 상기 중합체물질은 폴리비닐 알콜 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  5. 제1항에서, 상기 중합체물질은 셀룰로우즈 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  6. 제1항에서, 상기 광-산 생성원은 오늄 화합물 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  7. 제1항에서, 상기 광-산 생성원은 다음 일반식으로 타나내는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
    Figure kpo00014
    식중 Ar은 동일 또는 상이한 것으로 치환 또는 비치환 방향족기를 타나내며, X-는 BF4-, SbF6-, PF6- 또는 AsF6-임.
  8. 제1항에서, 상기 광-산 생성원은 다음 일반식으로 나타내는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
    Figure kpo00015
    식중 X-는 BF4-, SbF6-, PF6- 또는 AsF6-임.
  9. 제1항에서, 상기 광-산 생성원은 상기 중합체물질과 상기 광-산 생성원의 총중량을 기준으로 2∼10중량％의 양이 사용되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  10. 제1항에서, 상기 노출광은 200∼300nm의 파장을 갖는 원자외선인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 물질.
  11. 반도체장치의 제조시에 네가티브 레지스트 패턴을 형성하기 위해 사용되는 것이 특징인 제1항에 의한 레지스트물질.
  12. 레지스트물질을 제조하도록 패턴 형성을 위해 광노출시킨 결과로서 산이 유리될 수 있는 광-산 생성원과, 분자구조내에 적어도 하나의 수산기를 갖는 수용성 중합체물질을 혼합하고, 레지스트물층을 형성하도록 기판상에 레지스트물질의 용액을 코팅하고, 중합체물질과 상기 광-산 생성원을 반응시키고, 또한 산을 유리시키도록 상기 레지스트층을 패턴조사로 광노출시키고, 상기 레지스트층내의 최종 반응생성물로부터 물을 제거하도록 촉매로서 산의 존재하에서 노출된 레지스트층을 가열하여줌으로서 상기 반응생성물을 비수용성화 해주고, 그리고 상기 포토 레지스트층의 노출영역내의 수용성 중합체물질이 제거되어 결국 기판상에 레지스트 패턴들이 형성되도록 상기 레지스트층을 물로 현상하는 것을 포함하는 레지스트 패턴 형성방법.
  13. 제12항에서, 상기 중합체물질은 분사 구조내에 방향족 링을 갖지 않는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  14. 제12 또는 13항에서, 상기 수산기가 상기 중합체물질에 결합되어 있는 다른 탄소원자에 인접한 탄소원자가 상기 중합물질로부터 결국 제거되는 물이 형성되도록 상기 분리된 수산기와 조합될 수 있는 적어도 하나의 수소원자를 포함하는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴 형성방법.
  15. 제12항에서, 상기 중합체물질은 폴리비닐알콜 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴 형성방법.
  16. 제12항에서, 상기 중합체물질은 셀룰로우즈 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴 형성방법.
  17. 제12항에서, 상기 광-산 생성원은 오늄화합물 또는 그의 유도체인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴 형성방법.
  18. 제12항에서, 상기 광-산 생성원은 다음 일반식으로 나타낸 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴 형성방법.
    Figure kpo00016
    식중 Ar은 동일 또는 상이한 것으로 치환 또는 비치환 방향족기이며, X-는 BF4-, SbF6-, PF6- 또는 AsF6-임.
  19. 제12항에서, 상기 광-산 생성원은 다음 일반식으로 나타내는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트 패턴형성방법.
    Figure kpo00017
    X-는 BF4-, SbF6-, PF6- 또는 AsF6-임.
  20. 제12항에서, 상기 광-산 생성원은 상기 중합체물질과 상기 광-산 생성원의 총중량을 기준으로 2∼10중량％의 양이 사용되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  21. 제12항에서, 상기 노출단계에서 사용된 상기 패턴조사는 200∼300nm의 파장을 갖는 원자외선인 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  22. 제21항에서, 상기 원자외선은 Xe-Hg(크세놀-수은 증기)램프로부터 발생되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  23. 제21항에서, 상기 원자외선은 엑시머 레이저로부터 발생되는 것이 특징인 패턴형성용 레지스트물질.
  24. 반도체장치의 제조시에 네가티브 레지스트 패턴의 형성에 사용되는 것이 특징인 제12항에 의한 방법.
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