JP4196822B2 - 水溶性材料及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………18g
次に、図7(a)に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
本発明の第1の実施形態に係る水溶性材料を用いるパターン形成方法について図1(a)〜図1(d)、図2(a)及び図2(b)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………18g
次に、図1(a)に示すように、基板101の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜102を形成する。
ジフェニルヨードニウムトリフレート(酸発生剤)……………………………0.04g
α−シクロデキストリン(包接化合物を形成する化合物)……………………0.07g
水(溶媒)………………………………………………………………………………7.5g
次に、図1(c)に示すように、NAが0.68であるKrFエキシマレーザよりなり、マスク104を透過した露光光105を水溶性膜103を介してレジスト膜102に照射してパターン露光を行なう。
以下、本発明の第2の実施形態に係る水溶性材料を用いるパターン形成方法について図3(a)〜図3(d)及び図4を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………18g
次に、図3(a)に示すように、基板201の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜202を形成する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
β−シクロデキストリン(包接化合物を形成する化合物)……………………0.08g
塩化セチルメチルアンモニウム(界面活性剤)……………………………0.0002g
水(溶媒)………………………………………………………………………………7.5g
次に、図3(c)に示すように、NAが0.68であるKrFエキシマレーザよりなり、マスク204を透過した露光光205を水溶性膜203を介してレジスト膜202に照射してパターン露光を行なう。
以下、本発明の第3の実施形態に係る化学増幅型レジストを用いるパターン形成方法について図6を参照しながら説明する。
α−シクロデキストリン(包接化合物を形成する化合物)……………………0.25g
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)…………………………0.2g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………18g
次に、図6(a)に示すように、基板301の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜302を形成する。
102 レジスト膜
102a レジストパターン
103 水溶性膜
104 マスク
105 露光光
201 基板
202 レジスト膜
202a レジストパターン
203 水溶性膜
204 マスク
205 露光光
301 基板
302 レジスト膜
302a レジストパターン
304 マスク
305 露光光
Claims (16)
- 化学増幅型のレジスト膜の上に成膜する水溶性膜を形成するための水溶性材料であって、
水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含み、
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とする水溶性材料。 - 前記環状オリゴ糖はシクロデキストリンであることを特徴とする請求項1に記載の水溶性材料。
- 前記シクロデキストリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン又はδ−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項2に記載の水溶性材料。
- 前記水溶性ポリマーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン、ポリスチレンスルフォン酸、ポリアクリル酸又はプルランであることを特徴とする請求項1に記載の水溶性材料。
- 界面活性剤を含むことを特徴とする請求項1に記載の水溶性材料。
- 前記界面活性剤は、陽イオン系界面活性剤又は非イオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項5に記載の水溶性材料。
- 前記陽イオン系界面活性剤は、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム又は塩化ベンザルコニウムであり、前記非イオン系界面活性剤は、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェニルポリオキシエチレンエーテル、ラウリルポリオキシエチレンエーテル、セチルポリオキシエチレンエーテル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンラノリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリコールモノ脂肪酸エステル、脂肪酸モノエタノールアミド、脂肪酸ジエタノールアミド又は脂肪酸トリエタノールアミドであることを特徴とする請求項6に記載の水溶性材料。
- 基板上に化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む水溶性材料よりなる水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
前記水溶性膜を除去した後、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上に化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む水溶性材料よりなる水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なって、前記水溶性膜を除去することにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記環状オリゴ糖はシクロデキストリンであることを特徴とする請求項8又は9に記載のパターン形成方法。
- 前記シクロデキストリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン又はδ−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記水溶性ポリマーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン、ポリスチレンスルフォン酸、ポリアクリル酸又はプルランであることを特徴とする請求項8又は9に記載のパターン形成方法。
- 前記水溶性材料は界面活性剤を含むことを特徴とする請求項8又は9に記載のパターン形成方法。
- 前記界面活性剤は、陽イオン系界面活性剤又は非イオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項13に記載のパターン形成方法。
- 前記陽イオン系界面活性剤は、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム又は塩化ベンザルコニウムであり、前記非イオン系界面活性剤は、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェニルポリオキシエチレンエーテル、ラウリルポリオキシエチレンエーテル、セチルポリオキシエチレンエーテル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンラノリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリコールモノ脂肪酸エステル、脂肪酸モノエタノールアミド、脂肪酸ジエタノールアミド又は脂肪酸トリエタノールアミドであることを特徴とする請求項14に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2 レーザ光、ArKrレーザ光、Ar2 レーザ光、1nm以上且つ30nm以下の波長帯の極紫外線又は電子線であることを特徴とする請求項8又は9に記載のパターン形成方法。
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