JP4740653B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)
……………………………………………………………………………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図9(a)に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
n−ブチルアルコール(溶媒)…………………………………………………………20g
次に、図9(c)に示すように、成膜されたバリア膜3をホットプレートにより120℃の温度下で90秒間加熱する。
M. Switkes and M. Rothschild, "Immersion lithography at 157 nm", J. Vac. Sci. Technol., Vol.B19, p.2353 (2001) B. W. Smith, A. Bourov, Y. Fan, L. Zavyalova, N. Lafferty, F. Cropanese, "Approaching the numerical aperture of water - Immersion lithography at 193nm", Proc. SPIE, Vol.5377, p.273 (2004)
本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について図1(a)〜図1(d)、図2(a)及び図2(b)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)…………………………………………………………………………………………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図1(a)に示すように、基板101の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜102を形成する。
n−ブチルアルコール(溶媒)…………………………………………………………20g
次に、図1(c)に示すように、成膜されたバリア膜103をホットプレートにより120℃の温度下で90秒間加熱して、バリア膜103の緻密性を向上させる。
以下、本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法について図3(a)〜図3(d)及び図4(a)〜図4(c)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)…………………………………………………………………………………………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図3(a)に示すように、基板201の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜202を形成する。
n−ブチルアルコール(溶媒)…………………………………………………………20g
次に、図3(c)に示すように、成膜されたバリア膜203をホットプレートにより110℃の温度下で60秒間加熱して、バリア膜203の緻密性を向上させる。
以下、本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法について図5(a)〜図5(d)、図6(a)及び図6(b)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)…………………………………………………………………………………………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図5(a)に示すように、基板301の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜302を形成する。
n−ブチルアルコール(溶媒)…………………………………………………………20g
次に、図5(c)に示すように、成膜されたバリア膜303をホットプレートにより120℃の温度下で60秒間加熱して、バリア膜303の緻密性を向上させる。
以下、本発明の第4の実施形態に係るパターン形成方法について図7(a)〜図7(d)及び図8(a)〜図8(c)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)…………………………………………………………………………………………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図7(a)に示すように、基板401の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜402を形成する。
n−ブチルアルコール(溶媒)…………………………………………………………20g
次に、図7(c)に示すように、成膜されたバリア膜403をホットプレートにより110℃の温度下で90秒間加熱して、バリア膜403の緻密性を向上させる。
102 レジスト膜
102a レジストパターン
103 バリア膜
104 液体
105 露光光
106 投影レンズ
201 基板
202 レジスト膜
202a レジストパターン
203 バリア膜
204 液体
205 露光光
206 投影レンズ
301 基板
302 レジスト膜
302a レジストパターン
303 バリア膜
304 液体
305 露光光
306 投影レンズ
401 基板
402 レジスト膜
402a レジストパターン
403 バリア膜
404 液体
405 露光光
406 投影レンズ
Claims (10)
- 基板の上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水酸基の少なくとも一部をアセタール基で置換したポリマーを含み、且つ光酸発生剤を含まないバリア膜形成材料を用いてバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜の上に液体を配した状態で、前記バリア膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なって、前記バリア膜を除去すると共に前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記アセタール基は、エトキシエチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシメチル基、アダマンチルオキシエチル基又はアダマンチルオキシメチル基であり、
前記バリア膜の膜厚は、0.03μm〜0.07μm(但し、0.03μmは除く。)であることを特徴とするパターン形成方法。 - 基板の上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水酸基の少なくとも一部をアセタール基で置換したポリマーを含むバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜の上に液体を配した状態で、前記バリア膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
前記バリア膜を除去する工程と、
前記バリア膜を除去した後、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記アセタール基は、エトキシエチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシメチル基、アダマンチルオキシエチル基又はアダマンチルオキシメチル基であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記水酸基に対する前記アセタール基を置換する割合は、50%よりも高いことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記ポリマーは、ポリビニールアルコール、ポリアクリル酸又はポリビニールヘキサフルオロイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記バリア膜を形成する工程と、前記パターン露光を行なう工程との間に、成膜された前記バリア膜に対して加熱処理を行なう工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は水又は酸性溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記酸性溶液は、硫酸セシウム水溶液又はリン酸水溶液であることを特徴とする請求項8に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFエキシマレーザ光、Xe2レーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2レーザ光、KrArレーザ光又はAr2レーザ光であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は、パドル法により前記バリア膜の上に配されることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
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