JP2010102061A - レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010102061A
JP2010102061A JP2008272782A JP2008272782A JP2010102061A JP 2010102061 A JP2010102061 A JP 2010102061A JP 2008272782 A JP2008272782 A JP 2008272782A JP 2008272782 A JP2008272782 A JP 2008272782A JP 2010102061 A JP2010102061 A JP 2010102061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
poly
lactone
acid
lactoneoxystyrene
fluoroacrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008272782A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Endo
政孝 遠藤
Masaru Sasako
勝 笹子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008272782A priority Critical patent/JP2010102061A/ja
Priority to PCT/JP2009/003267 priority patent/WO2010047018A1/ja
Publication of JP2010102061A publication Critical patent/JP2010102061A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Abstract

【課題】露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと、酸不安定基を含む第２のポリマーと、光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜１０２を形成する。その後、レジスト膜１０２に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜に対して現像を行って、レジスト膜からレジストパターンを形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造プロセス等において用いられるレジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法に関する。
半導体集積回路の大集積化及び半導体素子のダウンサイジングに伴って、リソグラフィ技術の開発の加速が望まれている。現在のところ、露光光としては、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ又はＡｒＦエキシマレーザ等を用いる光リソグラフィによりパターン形成が行われている。近年、波長がさらに短い極紫外線の使用が検討されている。極紫外線は波長が１３．５ｎｍであり、従来の光リソグラフィと比べて１０分の１以下と短波長化しているため、解像性の大幅な向上が期待できる。
以下、露光光に極紫外線を用いる従来の光リソグラフィによるパターン形成方法について図３（ａ）〜図３（ｄ）を参照しながら説明する。
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
ポリ（ヒドロキシスチレン(50mol%)−ｔ−ブチルアクリレート(50mol%)）（酸不安定基を含むポリマー：ベースポリマー）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（光酸発生剤）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．０５ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）・・・・・・・・・・・・・・・０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）・・・・・・・・２０ｇ
次に、図３（ａ）に示すように、基板１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布する。続いて、塗布されたレジスト材料をホットプレートにより９０℃の温度下で６０秒間加熱することにより、膜厚が７０ｎｍのレジスト膜２を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、開口数（ＮＡ）が０．２５で波長が１３．５ｎｍの極紫外線（ＥＵＶ）よりなる露光光を反射型マスクを介して選択的にレジスト膜２に照射してパターン露光を行う。このとき、露光時の真空度は、１３３．３×１０−６Ｐａという高真空度とする。
次に、図３（ｃ）に示すように、パターン露光が行われたレジスト膜２に対して、ホットプレートにより１０５℃の温度下で６０秒間加熱する。
次に、加熱されたレジスト膜２に対して、濃度が２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液により現像を行うと、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜２の未露光部よりなり、５０ｎｍのライン幅を有するレジストパターン２ａを得る。
H.Ito et al., Proc. SPIE, vol.6923, 692318 (2008)
ところが、極紫外線を露光光に用いる光リソグラフィは、高真空下（例えば１３３．３×１０−５Ｐａ以下）で行われるため、レジスト膜から溶媒成分が抜けて乾いた状態となる。このため、後の現像工程において、現像液の露光部への浸透が十分ではなくなり、特に露光により発生した酸の濃度が低いマスクのエッジ部において、現像残りによる不良パターンが生じる。
このように、形状が不良なレジストパターン２ａを用いて被処理膜に対してエッチングを行うと、被処理膜から得られるパターンの形状も不良になってしまうため、半導体装置の製造プロセスにおける生産性及び歩留まりが低下してしまうという問題が発生する。
前記従来の問題に鑑み、本発明は、露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得られるようにすることを目的とする。
本願発明者らは、極紫外線を露光光に用いる光リソグラフィに対して種々の検討を行った結果、レジスト材料にアルカリ現像液との親和性に優れた成分を添加することにより、現像液の露光部へのスムーズな浸透が可能となることを見出した。
具体的には、アルカリ現像液との親和性に優れた成分は、親水性ユニットを有し且つ現像液に溶解しない成分であることが求められる。
このような成分として、ラクトンを含み且つ酸不安定基を含まないポリマーが挙げられる。ラクトンはアルカリ溶液と相互作用するものの、溶解速度には影響を与えないことが知られている（例えば、上記の非特許文献１を参照。）。
ラクトンを含むポリマーは、酸不安定基の存在下では未露光部への漏れ光の影響によってアルカリ現像液に溶解しやすくなる。このため、ラクトンを含むポリマーには酸不安定基を含まないことが求められる。
なお、レジスト材料にラクトンの単体化合物を添加する構成では、レジスト膜中でのラクトンの分散がポリマーと比べて不規則であるため、アルカリ現像液との親和性という効果が小さいため好ましくない。
本発明は、前記の知見に基づいてなされ、極紫外線を露光光とする光リソグラフィに用いるレジスト材料に、アルカリ現像液との親和性に優れ且つ酸不安定基を含まないポリマーを添加することにより、高コントラストの微細パターンを得るものであって、具体的には以下の方法によって実現される。
本発明に係るレジスト材料は、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと、酸不安定基を含む第２のポリマーと、光酸発生剤とを含むことを特徴とする。
本発明のレジスト材料により形成されたレジスト膜には、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーにより、高真空下のパターン露光の後の現像工程において、現像液が露光部へスムーズに浸透する。このため、現像残りが解消されるので、現像コントラストが高い微細パターンを得ることができる。
なお、本発明において、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーの、酸不安定基を含む第２のポリマーに対する添加の割合は、５ｗｔ％以上且つ４０ｗｔ％以下程度でよい。第１のポリマーの僅少の添加は、アルカリ現像液との親和性の効果が小さくなり、逆に、第１のポリマーの過度の添加は、酸不安定基を含む第２のポリマーの露光部における本来の溶解性を阻害するおそれがあるためである。本発明においては、より好ましくは１０ｗｔ％以上且つ３０ｗｔ％程度である。
本発明のレジスト材料において、第１のポリマーにおけるラクトンには、α-ラクトン、β-ラクトン、γ-ラクトン又はδ-ラクトンを用いることができる。
本発明のレジスト材料において、第２のポリマーにおける酸不安定基には、ｔ−ブチル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基、１−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基を用いることができる。
本発明に係るパターン形成方法は、基板の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと酸不安定基を含む第２のポリマーと光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程と、パターン露光が行われたレジスト膜に対して現像を行って、レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
本発明のパターン形成方法によると、基板の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと酸不安定基を含む第２のポリマーと光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜を形成するため、レジスト材料に含まれる、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーにより、高真空下のパターン露光の後に行われる現像工程において、現像液が露光部へスムーズに浸透する。このため、現像残りが解消されるので、現像コントラストが高い微細パターンを得ることができる。
本発明のパターン形成方法において、極紫外線の波長は１３．５ｎｍである。
本発明に係るレジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法によると、露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得ることができる。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法について図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照しながら説明する。
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
ポリ（ヒドロキシスチレン(50mol%)−ｔ−ブチルアクリレート(50mol%)）（酸不安定基を含むポリマー：ベースポリマー）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ｇ
ポリ（γ−ブチロラクトンメタクリレート）（酸不安定基を含まず且つラクトンを含むポリマー）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．５ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（光酸発生剤）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．０５ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）・・・・・・・・・・・・・・・０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）・・・・・・・・２０ｇ
次に、図１（ａ）に示すように、基板１０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布する。続いて、塗布されたレジスト材料をホットプレートにより９０℃の温度下で６０秒間加熱することにより、膜厚が７０ｎｍのレジスト膜１０２を形成する。
次に、図１（ｂ）に示すように、開口数（ＮＡ）が０．２５で波長が１３．５ｎｍの極紫外線（ＥＵＶ）よりなる露光光を反射型マスクを介して選択的にレジスト膜１０２に照射してパターン露光を行う。このとき、露光時の真空度は、約１３３．３×１０−６Ｐａという高真空度とする。
次に、図１（ｃ）に示すように、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して、ホットプレートにより１０５℃の温度下で６０秒間加熱する。
次に、加熱されたレジスト膜１０２に対して、濃度が２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液により現像を行うと、図１（ｄ）に示すように、レジスト膜１０２の未露光部よりなり、５０ｎｍのライン幅を有する形状が良好なレジストパターン１０２ａを得る。
第１の実施形態によると、レジスト膜１０２を構成するレジスト材料のベースポリマーである酸不安定基を含むポリマーに、酸不安定基を含まず且つラクトンを含むポリマーであるポリ（γ−ブチロラクトンメタクリレート）を添加している。このため、図１（ｂ）に示す高真空下でのパターン露光の後の、図１（ｄ）に示す現像工程において、現像液がレジスト膜１０２の露光部にスムーズに且つ十分に浸透する。このため、レジスト膜１０２の現像残りが解消されるので、現像コントラストが高い微細パターン１０２ａを得ることができる。
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法について図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照しながら説明する。
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
ポリ（ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレン(40mol%)−ヒドロキシスチレン(60mol%)）（酸不安定基を含むポリマー：ベースポリマー）・・・・・・・・・・・・・２ｇ
ポリ（δ-ペンチロラクトンオキシスチレン（60mol%）−ヒドロキシスチレン（40mol%））（酸不安定基を含まず且つラクトンを含むポリマー）・・・・・・・・・・０．４ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（光酸発生剤）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．０５ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）・・・・・・・・・・・・・・・０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）・・・・・・・・２０ｇ
次に、図２（ａ）に示すように、基板２０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布する。続いて、塗布されたレジスト材料をホットプレートにより９０℃の温度下で６０秒間加熱することにより、膜厚が７０ｎｍのレジスト膜１０２を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、開口数（ＮＡ）が０．２５で波長が１３．５ｎｍの極紫外線（ＥＵＶ）よりなる露光光を反射型マスクを介して選択的にレジスト膜２０２に照射してパターン露光を行う。このとき、露光時の真空度は、約１３３．３×１０−６Ｐａという高真空度とする。
次に、図２（ｃ）に示すように、パターン露光が行われたレジスト膜２０２に対して、ホットプレートにより１０５℃の温度下で６０秒間加熱する。
次に、加熱されたレジスト膜２０２に対して、濃度が２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液により現像を行うと、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２０２の未露光部よりなり、５０ｎｍのライン幅を有する形状が良好なレジストパターン２０２ａを得る。
このように、第２の実施形態によると、レジスト膜２０２を構成するレジスト材料のベースポリマーである酸不安定基を含むポリマーに、酸不安定基を含まず且つラクトンを含むポリマーであるポリ（δ-ペンチロラクトンオキシスチレン（60mol%）−ヒドロキシスチレン（40mol%））を添加している。このため、図２（ｂ）に示す高真空下でのパターン露光の後の、図２（ｄ）に示す現像工程において、現像液がレジスト膜２０２の露光部にスムーズに且つ十分に浸透する。このため、レジスト膜２０２の現像残りが解消されるので、現像コントラストが高い微細パターン２０２ａを得ることができる。
なお、第１及び第２の実施形態においては、酸不安定基を含まず且つラクトンを含むポリマーに、それぞれポリ（γ−ブチロラクトンメタクリレート）及びポリ（δ-ペンチロラクトンオキシスチレン（60mol%）−ヒドロキシスチレン（40mol%））を用いたが、これに代えて、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンアクリレート）、ポリ（α-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（α-ラクトン）α−フルオロアクリレート）、ポリ（（α-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンアクリレート）、ポリ（β-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、又はポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）を用いることができる。
また、第１及び第２の実施形態において、ベースポリマーにおける酸不安定基は、それぞれｔ−ブチル基及びｔ−ブチルオキシカルボニル基に限られず、１−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基を用いることができる。
また、第１及び第２の実施形態において、ベースポリマーは、それぞれ、ヒドロキシスチレンに代えて、アクリル酸、メタクリル酸又はノルボルネンメチルヘキサフルオロイソプロピルアルコールを、ポリマーを構成する繰り返し単位として用いることができる。
また、各実施形態におけるレジスト材料を構成する光酸発生剤は、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸に限られず、トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸又はジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸を用いることができる。
また、各実施形態におけるレジスト材料のクエンチャー及び溶媒はいずれも一例であって、微細パターンが形成可能なレジスト材料であれば、他の組成のレジスト材料を使用できることはいうまでもない。
本発明に係るレジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法は、露光光に極紫外線を用いるパターン形成において現像コントラストが高い微細パターンを得ることができ、半導体装置の製造プロセス等において用いられるレジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法等に有用である。
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は従来の極紫外光を用いたパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
符号の説明
１０１ 基板
１０２ レジスト膜
１０２ａ レジストパターン
２０１ 基板
２０２ レジスト膜
２０２ａ レジストパターン

Claims (13)

  1. 酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと、
    酸不安定基を含む第２のポリマーと、
    光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト材料。
  2. 前記第１のポリマーにおける前記ラクトンは、α-ラクトン、β-ラクトン、γ-ラクトン又はδ-ラクトンであることを特徴とする請求項１に記載のレジスト材料。
  3. 前記第１のポリマーは、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンアクリレート）、ポリ（α-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（α-ラクトン）α−フルオロアクリレート）、ポリ（（α-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンアクリレート）、ポリ（β-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンメタクリレート）、ポリ（γ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、又はポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト材料。
  4. 前記第２のポリマーにおける前記酸不安定基は、ｔ−ブチル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基、１−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト材料。
  5. 前記第２のポリマーは、ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸又はノルボルネンメチルヘキサフルオロイソプロピルアルコールを繰り返し単位として有していることを特徴とする請求項１又は４に記載のレジスト材料。
  6. 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸又はジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト材料。
  7. 基板の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと、酸不安定基を含む第２のポリマーと、光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程と、
    パターン露光が行われた前記レジスト膜に対して現像を行って、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
  8. 前記第１のポリマーにおける前記ラクトンは、α-ラクトン、β-ラクトン、γ-ラクトン又はδ-ラクトンであることを特徴とする請求項７に記載のパターン形成方法。
  9. 前記第１のポリマーは、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（α-ラクトンアクリレート）、ポリ（α-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート）、ポリ（α-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（α-ラクトン）α−フルオロアクリレート）、ポリ（（α-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（α-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（β-ラクトンアクリレート）、ポリ（β-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート）、ポリ（β-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（β-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（β-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート）、ポリ（γ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンメタクリレート）、ポリ（γ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（γ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（γ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンオキシスチレン−ヒドロキシスチレン）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート）、ポリ（δ-ラクトンアクリレート−アクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート）、ポリ（δ-ラクトンメタクリレート−メタクリル酸）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート）、ポリ（（δ-ラクトン）α-フルオロアクリレート−α-フルオロアクリル酸）、ポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン）、又はポリ（δ-ラクトンオキシカルボニルメチルノルボルネン−ヒドロキシカルボニルメチルノルボルネン）であることを特徴とする請求項７に記載のパターン形成方法。
  10. 前記第２のポリマーにおける前記酸不安定基は、ｔ−ブチル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基、１−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
  11. 前記第２のポリマーは、ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸又はノルボルネンメチルヘキサフルオロイソプロピルアルコールを繰り返し単位として有していることを特徴とする請求項７又は１０に記載のパターン形成方法。
  12. 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸又はジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸であることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
  13. 前記極紫外線の波長は、１３．５ｎｍであることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
JP2008272782A 2008-10-23 2008-10-23 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 Pending JP2010102061A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008272782A JP2010102061A (ja) 2008-10-23 2008-10-23 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
PCT/JP2009/003267 WO2010047018A1 (ja) 2008-10-23 2009-07-13 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008272782A JP2010102061A (ja) 2008-10-23 2008-10-23 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010102061A true JP2010102061A (ja) 2010-05-06

Family

ID=42119076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008272782A Pending JP2010102061A (ja) 2008-10-23 2008-10-23 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2010102061A (ja)
WO (1) WO2010047018A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2390722A1 (en) * 2010-05-31 2011-11-30 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
JP2015147926A (ja) * 2014-01-10 2015-08-20 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3853168B2 (ja) * 2001-03-28 2006-12-06 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP3886358B2 (ja) * 2001-10-31 2007-02-28 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4796792B2 (ja) * 2005-06-28 2011-10-19 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2390722A1 (en) * 2010-05-31 2011-11-30 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
US9188864B2 (en) 2010-05-31 2015-11-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
US9482948B2 (en) 2010-05-31 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
JP2015147926A (ja) * 2014-01-10 2015-08-20 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010047018A1 (ja) 2010-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5115752B2 (ja) パターン形成方法
JP3009320B2 (ja) 分解性樹脂および感光性樹脂組成物
JP5453233B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、パターン形成方法
JP4826841B2 (ja) パターン形成方法
JP2008286924A (ja) 化学増幅型レジスト材料、トップコート膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法
JP4907977B2 (ja) イマージョンリソグラフィー用ポリマー及びこれを含むフォトレジスト組成物
JP2009164441A (ja) パターン形成方法
US20030082486A1 (en) Pattern formation method
JP4362424B2 (ja) レジスト材料及びパターン形成方法
JP2010231146A (ja) 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
WO2010047018A1 (ja) レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
US20080081287A1 (en) Chemically amplified resist material and pattern formation method using the same
US6764811B2 (en) Pattern formation method
WO2011004528A1 (ja) パターン形成方法
JP2004012511A (ja) パターン形成方法
JP2010145480A (ja) レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
WO2010097857A1 (ja) レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP3986911B2 (ja) パターン形成材料及びパターン形成方法
JP4594174B2 (ja) バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法
WO2010113370A1 (ja) 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP2000089464A (ja) パターン形成方法
JP3901645B2 (ja) パターン形成方法
JP3696185B2 (ja) 露光装置及びパターン形成方法
JP3734756B2 (ja) パターン形成方法
JP4386848B2 (ja) パターン形成方法