JP5708071B2 - レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5708071B2 JP5708071B2 JP2011054410A JP2011054410A JP5708071B2 JP 5708071 B2 JP5708071 B2 JP 5708071B2 JP 2011054410 A JP2011054410 A JP 2011054410A JP 2011054410 A JP2011054410 A JP 2011054410A JP 5708071 B2 JP5708071 B2 JP 5708071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- improving material
- semiconductor device
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 claims description 25
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 108010020346 Polyglutamic Acid Proteins 0.000 claims description 5
- 229920002643 polyglutamic acid Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 5
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- -1 polyvinylamine Polymers 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- FLDSMVTWEZKONL-AWEZNQCLSA-N 5,5-dimethyl-N-[(3S)-5-methyl-4-oxo-2,3-dihydro-1,5-benzoxazepin-3-yl]-1,4,7,8-tetrahydrooxepino[4,5-c]pyrazole-3-carboxamide Chemical compound CC1(CC2=C(NN=C2C(=O)N[C@@H]2C(N(C3=C(OC2)C=CC=C3)C)=O)CCO1)C FLDSMVTWEZKONL-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229960001950 benzethonium chloride Drugs 0.000 description 2
- UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M benzethonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1OCCOCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960001927 cetylpyridinium chloride Drugs 0.000 description 2
- YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M cetylpyridinium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 2
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N salicyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1O CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N (9Z)-octadecen-1-ol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-nonylphenoxy)ethanol Chemical class CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OCCO IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003504 2-oxazolinyl group Chemical group O1C(=NCC1)* 0.000 description 1
- JYCQQPHGFMYQCF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-Octylphenol monoethoxylate Chemical class CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(OCCO)C=C1 JYCQQPHGFMYQCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- DHOCGIHFPKXZJB-UHFFFAOYSA-N [Cl+].N[H] Chemical compound [Cl+].N[H] DHOCGIHFPKXZJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- LFETXMWECUPHJA-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrate Chemical compound O.NC LFETXMWECUPHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N oleyl alcohol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCO XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 235000020138 yakult Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
こうした半導体装置における微細パターンの形成は、露光装置における光源の短波長化、及びレジスト材料の改良によって実現してきた。現在では、深紫外線である波長193nmのArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザ光を光源に、水を介して露光を行う液浸露光法が行われており、レジスト材料についても、アクリル樹脂をベースとした様々なArF対応レジスト材料が開発されている。更には、次世代の露光技術として、波長13.5nmの軟X線を光源とするEUV(極端紫外線)露光法が検討されており、パターンサイズは30nm以下と、より一層の微細化が今後も進行していくことは明らかである。
また、別の解決方法として、現像処理後のレジストパターンに対し、カルボキシル基などを含む酸性の低分子化合物を添加した有機系の塗布材料を塗布し、これを剥離処理することでレジストパターンを細らせると同時に、前記LWR、及びLERを改善する方法が開示されている(特許文献2参照)。
しかし、これら提案の技術は、LWR、LER数値をさらに増大させる、即ちレジストパターンの不均一さやがたつきを増大させる可能性があるという問題がある。
開示のレジストパターン改善化材料は、下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有する。
開示のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように開示のレジストパターン改善化材料を塗布する工程と、塗布後に加熱を行う工程と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う工程とを含む。
開示の半導体装置の製造方法は、被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように開示のレジストパターン改善化材料を塗布する処理と、塗布後に加熱を行う処理と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う処理とによりレジストパターンを改善するレジストパターン形成工程と、該改善したレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。
開示の半導体装置は、開示の半導体装置の製造方法により製造される。
開示のレジストパターンの形成方法によれば、レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、LWRが改善されたレジストパターンを得ることができる。また、既存の露光装置の光源における露光限界を超えた微細レジストパターンを形成することができる。
開示の半導体装置の製造方法によれば、既存の露光装置の光源における露光限界を超えた微細レジストパターンであり、かつLWRが改善されたレジストパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を製造することができる。
開示の半導体装置によれば、微細な配線パターンを有する高精度な半導体装置を得ることができる。
本発明のレジストパターン改善化材料は、下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、水溶性樹脂、界面活性剤などのその他の成分を含有する。
本発明において、レジストパターン改善化とは、レジストパターンの不均一さ(LWR)を改善することを意味する。
前記レジストパターン改善化材料に用いる塩化ベンザルコニウムは、下記一般式(1)で表される。
前記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムは、通常、nが8〜18の範囲の混合物として市販されている。
前記水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、純水(脱イオン水)が好ましい。
前記水の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜決定することができるが、塗布性の点で、前記レジストパターン改善化材料100質量部に対して、80質量部以上が好ましく、90質量部以上がより好ましい。
前記水溶性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリグルタミン酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、セルロース、タンニン、及びこれらを一部に含む樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、安定性の点で、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリグルタミン酸、及びこれらを一部に含む樹脂が好ましい。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ナトリウム塩、カリウム塩等の金属イオンを含有しない点で、非イオン性界面活性剤が好ましい。
前記非イオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、エチレンジアミン系界面活性剤などが挙げられる。前記非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第1級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート系化合物、オクチルフェノールエトキシレート系化合物、ラウリルアルコールエトキシレート系化合物、オレイルアルコールエトキシレート系化合物、脂肪酸エステル系化合物、アミド系化合物、天然アルコール系化合物、エチレンジアミン系化合物、第2級アルコールエトキシレート系化合物などが挙げられる。
前記界面活性剤の含有量としては、特に制限はなく、前記塩化ベンザルコニウム、前記水溶性樹脂の種類や含有量などに応じて適宜選択することができるが、前記水100質量部に対して、2質量部以下が好ましい。前記界面活性剤の含有量が、2質量部を超えると、塗布時に析出したり、パターン上で欠陥となる可能性が高くなる。
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機溶剤、公知の各種添加剤(例えば、アミン系、アミド系、アンモニウム塩素などに代表される各種相間移動触媒)などが挙げられる。
前記その他の成分の含有量としては、特に制限はなく、前記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウム、前記水溶性樹脂の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
前記有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルコール系有機溶剤、鎖状エステル系有機溶剤、環状エステル系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、鎖状エーテル系有機溶剤、環状エーテル系有機溶剤などが挙げられる。
前記アルコール系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどが挙げられる。
前記鎖状エステル系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、乳酸エチルなどが挙げられる。
前記環状エステル系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン系有機溶剤などが挙げられる。
前記ケトン系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセトン、シクロヘキサノン、ヘプタノンなどが挙げられる。
前記鎖状エーテル系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。
前記環状エーテル系有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。
これらの有機溶剤は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、レジストパターンの凹凸の低減を効果的に行うことができる点で、80℃〜200℃の沸点を有する有機溶剤が好ましい。
前記有機溶剤を含有することにより、前記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウム、及び前記水溶性樹脂の前記レジストパターン改善化材料に対する溶解性を向上させたり、前記レジストパターン改善化材料の防腐効果が得られる。
前記レジストパターン改善化材料は、基材上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面に塗布して使用することができる。
前記レジストパターン改善化材料を前記レジストパターン上に塗布すると、該レジストパターンと相互作用(ミキシング)し、その後の水を含むリンス溶液により最表層がならされた結果、前記レジストパターン側壁の凹凸が緩和され、LWRが改善されたレジストパターンが形成される。
前記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムは、通常、nが8〜18である複数の炭素数のアルキル基を持つ分子の混合物からなるため、前記レジストパターンを形成している前記レジスト材料の性状に幅広くマッチングしやすく、該レジストパターンに浸透しやすく、レジストパターン側壁の凹凸を低減する効果を有する。
前記レジストパターン側壁の凹凸の低減量、及び前記レジストパターン幅の均一度、更には、厚肉化量は、前記レジストパターン改善化材料における前記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムの含有量、並びに、前記レジストパターン改善化材料の粘度、塗布厚み、ベーク温度、ベーク時間などを適宜調節することにより、所望の範囲に制御することができる。
前記レジストパターン(前記レジストパターン改善化材料が塗布されるレジストパターン)の材料(レジスト材料)としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、g線、i線、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザ、電子線等でパターニング可能なg線レジスト、i線レジスト、KrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、電子線レジスト、EUVレジストなどが好適に挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。これらの中でも、KrFレジスト、ArFレジスト、アクリル系樹脂を含んでなるレジスト、EUVレジストなどが好ましく、より微細なパターニング、スループットの向上などの観点からは、解像限界の延伸が急務とされているArFレジスト、EUVレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかがより好ましい。
図1Aに示すように、被加工面(基材)5上にレジスト材料を付与し、露光、及び現像を行うことによりパターン化されたレジストパターン3を得た後、レジストパターン3の表面にレジストパターン改善化材料1を付与(塗布)し、塗膜を形成する。この後、ベーク(加温及び乾燥)を行う。すると、レジストパターン3とレジストパターン改善化材料1との界面において、レジストパターン改善化材料1のレジストパターン3へのミキシング(含浸)が起こり、図1Bに示すように、内層レジストパターン10b(レジストパターン3)とレジストパターン改善化材料1との界面において前記ミキシング(含浸)した部分が反応して表層(ミキシング層)10aが形成される。これは、レジストパターン改善化材料中に含まれる塩化ベンザルコニウムの界面活性効果によるレジストパターン3への浸透と、極性基による反応に寄るものであり、その結果、内層レジストパターン10b(レジストパターン3)の大きさに左右されず(依存せず)安定にかつ均一に内層レジストパターン10b(レジストパターン3)の側壁の凹凸が低減される。
なお、前記リンス処理は、純水を用いてもよいし、汎用のアルカリ現像液などのアルカリ水溶液によるリンス処理であってもよい。また、必要に応じて界面活性剤を純水やアルカリ現像液などのアルカリ水溶液に含有させたものを用いてもよい。
前記レジストパターン改善化材料は、レジストパターン側壁の凹凸を低減し、露光装置やレジスト材料における平滑さの限界を超えて前記レジストラインパターンをより平滑に高精度に形成するのに好適に使用することができる。また、前記レジストパターン改善化材料は、本発明の半導体装置の製造方法などに特に好適に使用することができる。
本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターン改善化材料を塗布する工程と、加熱(ベーク)を行う工程と、リンスを行う工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、前露光工程などのその他の工程を含む。
前記塗布する工程としては、被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン改善化材料を塗布する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記レジストパターン改善化材料としては、本発明の前記レジストパターン改善化材料が使用される。
前記レジストパターンは、被加工面(基材)上に形成する。該被加工面(基材)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、該レジストパターンが半導体装置に形成される場合には、該被加工面(基材)としては、半導体基材表面が挙げられる。前記半導体基材としては、シリコンウエハ等の基板、各種酸化膜などが好ましい。
前記現像の後には、前記レジストパターン改善化材料を塗布する前にリンスを行ってもよく、行わなくてもよい。前記リンスにおけるリンス液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、純水を含有していてもよく、アルカリ現像液を含有していてもよい。更に、これらに界面活性剤を含んで用いることも可能であるが、プロセスの容易さの点で、前記リンス液は、純水であることが好ましい。
該スピンコート法の場合、回転数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、100rpm〜10,000rpmが好ましく、500rpm〜5,000rpmがより好ましい。塗布時間としては、1秒間〜10分間が好ましく、1秒間〜90秒間がより好ましい。
前記塗布の際の塗布厚みとしては、通常、5nm〜1,000nm程度であり、10nm〜100nm程度が好ましい。
前記加熱(ベーク)を行う工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジストパターンを軟化させない加熱条件が好ましい。
前記加熱条件、及び方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、40℃〜150℃が挙げられる。前記加熱の回数は、1回であってもよいし、2回以上であってもよい。2回以上の場合は、各回におけるベークの温度は、一定であってもよいし、異なっていてもよく、前記一定である場合、40℃〜150℃が好ましく、60℃〜120℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒間〜5分間が好ましく、30秒間〜100秒間がより好ましい。
前記加熱を行うことで、前記レジストパターンと前記レジストパターン改善化材料との界面において該レジストパターン改善化材料の該レジストパターンへのミキシング(含浸)を効率よく生じさせることができる。
前記リンスを行う工程としては、リンス液でリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記リンスを行う工程により、前記レジストパターン改善化材料と、前記レジストパターンと相互作用(ミキシング)及び反応していない部分乃至相互作用(ミキシング)が弱い部分(水溶性の高い部分)を溶解除去し(リンス処理)、側壁の凹凸を低減したレジストパターンを得ることができる。
前記リンス液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、純水を含有していてもよく、アルカリ現像液を含有していてもよい。更に、これらに界面活性剤を含んで用いることも可能であるが、プロセスの容易さの点で、前記リンス液は、純水であることが好ましい。
前記非イオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、シリコーン化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。なお、イオン性界面活性剤であっても、非金属塩系のものであれば使用することは可能である。
前記含有量が、0.001質量%未満であると、前記界面活性剤による効果が少なく、1質量%を超えると、現像液の溶解力が大きくなり過ぎるため前記レジストパターンが溶解し、側壁の凹凸がより大きくなったり、泡の発生による残渣や欠陥が発生しやすくなることがある。
また、前記アルカリ現像液に、必要に応じて前記界面活性剤を添加してもよい。この場合、前記界面活性剤の前記アルカリ現像液における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.001質量%〜1質量%が好ましく、0.05質量%〜0.5質量%がより好ましい。
前記その他の工程としては、例えば、前露光工程などが挙げられる。
−前露光工程−
前記前露光工程は、前記レジストパターン改善化材料の塗布の前に、前記レジストパターンの全面に対して紫外線光及び電離放射線のいずれかを照射する工程である。
レジストパターンが疎な領域(レジストパターンの間隔が長い領域)とレジストパターンが密な領域(レジストパターンの間隔が短い領域)とを有する、パターン間隔が異なるレジストパターンや、種々のサイズが混在したレジストパターンでは、パターン毎に露光時の光強度分布が異なるため、前記レジストパターンの現像では表面化しない程度のわずかな表面状態の差(かぶり露光量の差)が、前記レジストパターンへの前記レジストパターン改善化材料の浸透性の差として影響し、その結果、前記レジストパターン改善化材料と前記レジストパターンとが相互作用して形成されるミキシング層の形成し易さに影響することがある。そこで、前記レジストパターン改善化材料を塗布する前に前記レジストパターンの全面に対して、紫外線光又は電離放射線を照射すると、前記レジストパターンの表面状態を均一化することができ、前記パターンの疎密差や大きさなどに依存することなく、前記レジストパターンへの前記レジストパターン改善化材料の浸透を均一化でき、より効果的に前記レジストパターンの側壁の凹凸を低減し、レジストパターン幅の均一さを向上することができる。
前記照射量が、0.1%未満であると、前記レジストパターンの表面状態の均一化効果が生じにくいことがあり、20%を超えると、必要充分以上に前記レジストパターンに光反応が生じてしまい、前記レジストパターンの上部の形状劣化やパターンの部分消失が生じやすくなることがある。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
本発明の半導体装置は、本発明の前記半導体装置の製造方法により製造される。
前記レジストパターン形成工程は、被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン改善化材料を塗布する処理と、塗布後に加熱を行う処理と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う処理とによりレジストパターンを改善する工程である。該レジストパターン形成工程により、パターン側壁の凹凸が低減し、レジストパターン幅の均一さが向上したレジストパターンが前記被加工面上に形成される。
前記被加工面としては、例えば、半導体装置における各種部材の表面層などが挙げられるが、シリコンウエハ等の基板乃至その表面、各種酸化膜、金属膜、半導体膜が好ましい。
前記パターニング工程は、前記レジストパターン形成工程により形成した前記レジストパターンをマスクとして(マスクパターン等として用いて)エッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、ドライエッチングが好ましい。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の半導体装置の製造方法によると、例えば、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、HDDヘッド、SAWフィルタを初めとする各種半導体装置、磁気ディスク装置などを効率的に製造することができる。
本発明の半導体装置としては、例えば、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、HDDヘッド、SAWフィルタを初めとする各種半導体装置、磁気ディスク装置などが挙げられる。
<ベーク有り実験>
−レジストパターン改善化材料の調製−
表1に示す組成を有するレジストパターン改善化材料A〜N及び比較材料a〜eを調製した。
なお、表1において、「A」〜「N」及び「a」〜「e」は、前記レジストパターン改善化材料A〜N及び比較材料a〜eに対応している。表1中のカッコ内の数値の単位は、「質量(g)」を表す。
レジストパターン改善化材料A〜Nにおける「塩化ベンザルコニウム」は、和光純薬工業のものを用いた。該塩化ベンザルコニウムは、前記一般式(1)においてn=8〜18であり、主としてn=12、及び15からなる。
また、表1における「樹脂」は、水溶性樹脂を意味し、「PVA」は、ポリビニルアルコール(PVA−205C、クラレ社製)を表し、「PVPd」は、ポリビニルピロリドン(K=30、関東化学社製)を表し、「PGA」は、ポリグルタミン酸(分子量約150万、非架橋タイプ、ヤクルト薬品工業社製)を表す。また、「その他」の欄における、「IPA」は、イソプロピルアルコールを表し、「2HBA」は、2−ヒドロキシベンジルアルコールを表し、「TN−80」は、非イオン性界面活性剤(第1級アルコールエトキシレート系界面活性剤、ADEKA社製)を表す。
塩化ベンゼトニウム、及び塩化セチルピリジニウムは、下記構造式で表される。
以上により調製した材料(レジストパターン改善化材料及び比較材料)を、脂環族系ArFレジスト(東京応化工業社製)より形成した幅96nm(ピッチ180nm)、LWR6.6nmのライン&スペースのパターン(形成条件は次のとおりである。ArF露光装置(キヤノン社製)で露光後、露光装置に接続されたトラック装置(東京エレクトロン社製)で露光後ベークを行い、続けて2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を用いて20秒間現像し、更に純水でリンスを行った。)上(表2における未処理に相当)に、スピンコート法により、初めに850rpm/5sの条件で、次に2,000rpm/40sの条件で塗布し、110℃/60sの条件でベークを行った後、純水で前記材料を60秒間リンス処理し、相互作用(ミキシング)しなかった未反応部を除去し、レジストパターン改善化材料A〜N及び比較材料a〜eにより微細パターンを形成した。
なお、ライン幅は、測長SEMを用いて観察した観察領域の6点のライン幅の平均値である。また、LWRは、長さ750nmの領域を25点測長し、線幅のばらつきの標準偏差(σ)を3倍することで求めた。また、未処理時のLWR値に対する処理後のLWR値の改善量の割合を以下の式により求め、それを「LWR改善値(%)」と定義した。
LWR改善値(%)=
〔(未処理時のLWR値−処理後のLWR値)/(未処理のLWR値)〕×100
実施例1で調製したレジストパターン改善化材料Bを用い、前記ベーク有り実験と同様に脂環族系ArFレジスト(東京応化社製)より形成した幅96nm、LWR6.6nmのラインパターン上(表2における未処理に相当)に、スピンコート法により、初めに850rpm/5sの条件で、次に2,000rpm/40sの条件で塗布した。続いて、ベークを行わずに純水でレジストパターン改善化材料を60秒間リンスし、相互作用(ミキシング)しなかった未反応部を除去し、微細パターンを形成した。
得られた前記レジストパターンを前記ベーク有り実験と同様に評価した結果を表3に示す。
レジストパターンの現像までを前記ベーク有り実験と同じ材料、装置、及び条件で行った。具体的には、脂環族系ArFレジスト(東京応化製)を用い、ArF露光装置(キヤノン社製)で露光後、露光装置に接続されたトラック装置(東京エレクトロン社製)で露光後ベークを行い、続けて2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を用いて20秒間現像した。ここまでの条件は、前記ベーク有り実験のレジストパターン形成の条件と同じである。
この後、2種類の処理方法でLWRの低減を比較した。即ち、通常、現像後に行う水リンスに替え、レジストパターン改善化材料Bを用いて処理後、ベーク無しでそのまま純水でリンスを行った場合(処理方法X)と、レジストパターン改善化材料Bを用いて処理後、いったん110℃で60秒間ベークを行い、続いて純水でリンスを行った場合(処理方法Y)とを比較した。結果を表4に示す。
−半導体装置の作製−
図2Aに示すように、シリコン基板11上に層間絶縁膜12を形成し、図2Bに示すように、層間絶縁膜12上にスパッタリング法によりチタン膜13を形成した。次に、図2Cに示すように、ArF液浸露光によりレジストパターンを形成し、次いで本発明のレジストパターン改善化材料Bを塗布後、ベークを行い、純水によるリンス工程を経てLWR値が低減した平滑なレジストパターン14を形成し、これをマスクとして用い、反応性イオンエッチングによりチタン膜13をパターニングして開口部15aを形成した。引き続き、反応性イオンエッチングによりレジストパターン14を除去するととともに、図2Dに示すように、チタン膜13をマスクにして層間絶縁膜12に開口部15bを形成した。
本発明の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、HDDヘッド、SAWフィルタを初めとする各種半導体装置、磁気ディスク装置などの製造に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、HDDヘッド、SAWフィルタを初めとする各種半導体装置、磁気ディスク装置などに適している。
(付記1)下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有することを特徴とするレジストパターン改善化材料。
(付記2)更に、水溶性樹脂を含有する付記1に記載のレジストパターン改善化材料。
(付記3)水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリグルタミン酸、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくとも一種である付記2に記載のレジストパターン改善化材料。
(付記4)水溶性樹脂の含有量が、水100質量部に対して、0.001質量部〜10質量部である付記2から3のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料。
(付記5)更に、界面活性剤を含有する付記1から4のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料。
(付記6)水溶液である付記1から5のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料。
(付記7)被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように付記1から6のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料を塗布する工程と、塗布後に加熱を行う工程と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
(付記8)被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように付記1から6のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料を塗布する処理と、塗布後に加熱を行う処理と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う処理とによりレジストパターンを改善するレジストパターン形成工程と、該改善したレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9)エッチングが、ドライエッチングである付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)被加工面が、誘電率2.7以下の層間絶縁材料である付記8から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)付記8から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
3 レジストパターン
5 被加工面(基材)
10 レジストパターン
10a 表層
10b 内層レジストパターン
11 シリコン基板
12 層間絶縁膜
13 チタン膜
14 レジストパターン
15a 開口部
15b 開口部
16 TiN膜
16a TiN膜
17 Cu膜
17a 配線
18 層間絶縁膜
19 Cuプラグ
20a 配線
21a 配線
Claims (6)
- 下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有することを特徴とするレジストパターン改善化材料。
- 更に、水溶性樹脂を含有する請求項1に記載のレジストパターン改善化材料。
- 水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリグルタミン酸、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくとも一種である請求項2に記載のレジストパターン改善化材料。
- 更に、界面活性剤を含有する請求項1から3のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料。
- 被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように請求項1から4のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料を塗布する工程と、塗布後に加熱を行う工程と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 被加工面上に付与されたレジスト材料に対する露光、及び現像によりパターン化されたレジストパターンの表面を覆うように請求項1から4のいずれかに記載のレジストパターン改善化材料を塗布する処理と、塗布後に加熱を行う処理と、加熱後に水を含むリンス液でリンスを行う処理とによりレジストパターンを改善するレジストパターン形成工程と、該改善したレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054410A JP5708071B2 (ja) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
TW101101086A TWI550366B (zh) | 2011-03-11 | 2012-01-11 | 光阻圖案改良材料、形成光阻圖案之方法、製造半導體裝置之方法及半導體裝置 |
US13/358,892 US8748077B2 (en) | 2011-03-11 | 2012-01-26 | Resist pattern improving material, method for forming resist pattern, method for producing semiconductor device, and semiconductor device |
KR1020120008560A KR101385367B1 (ko) | 2011-03-11 | 2012-01-27 | 레지스트 패턴 개선화 재료, 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
CN201210020305.XA CN102681338B (zh) | 2011-03-11 | 2012-01-29 | 抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054410A JP5708071B2 (ja) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012189879A JP2012189879A (ja) | 2012-10-04 |
JP5708071B2 true JP5708071B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46794784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011054410A Active JP5708071B2 (ja) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748077B2 (ja) |
JP (1) | JP5708071B2 (ja) |
KR (1) | KR101385367B1 (ja) |
CN (1) | CN102681338B (ja) |
TW (1) | TWI550366B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6106990B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2017-04-05 | 富士通株式会社 | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
KR20150123269A (ko) * | 2013-02-25 | 2015-11-03 | 더 유니버서티 어브 퀸슬랜드 | 리소그래피로 생성된 구조물 |
KR101730839B1 (ko) * | 2016-05-04 | 2017-04-28 | 영창케미칼 주식회사 | 네가톤 포토레지스트를 이용한 패터닝 공정에서 lwr 개선 방법과 조성물 |
US10319687B1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Honeywell International Inc. | Soluble sensor node and method of manufacture |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5913238A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | Toppan Printing Co Ltd | 金属系画像形成材料用処理液 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH03237082A (ja) | 1990-02-15 | 1991-10-22 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 粒状腐植酸燐酸肥料 |
JP3175126B2 (ja) | 1992-01-21 | 2001-06-11 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH09260265A (ja) | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Sony Corp | レジストパターンの形成方法 |
JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
TW372337B (en) | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
JP3189773B2 (ja) | 1998-01-09 | 2001-07-16 | 三菱電機株式会社 | レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
JP3924910B2 (ja) | 1998-03-31 | 2007-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000058506A (ja) | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2000267268A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パターン形成材料 |
JP4294154B2 (ja) | 1999-04-14 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 微細パターン形成材料を用いた半導体装置の製造方法 |
US7129199B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
JP2000347414A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン微細化用塗膜形成剤及びそれを用いた微細パターン形成方法 |
JP3950584B2 (ja) | 1999-06-29 | 2007-08-01 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物 |
JP2001033984A (ja) | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
JP2001228616A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002006512A (ja) | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002006491A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
JP2002006498A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅レジスト材料における特性予測方法 |
JP4273283B2 (ja) | 2000-07-07 | 2009-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2002049161A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Clariant (Japan) Kk | 被覆層現像用界面活性剤水溶液 |
JP3633595B2 (ja) | 2001-08-10 | 2005-03-30 | 富士通株式会社 | レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4237430B2 (ja) | 2001-09-13 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物 |
US7189783B2 (en) * | 2001-11-27 | 2007-03-13 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
JP3901997B2 (ja) | 2001-11-27 | 2007-04-04 | 富士通株式会社 | レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP3858730B2 (ja) | 2002-03-05 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法 |
JP2004053723A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
US20040029047A1 (en) | 2002-08-07 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp. | Micropattern forming material, micropattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
JP2004086203A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 微細パターン形成材料および電子デバイスの製造方法 |
JP4074160B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-04-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及びレジストパターンの形成方法 |
JP3850781B2 (ja) | 2002-09-30 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP4235466B2 (ja) | 2003-02-24 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法 |
US7605089B2 (en) * | 2003-05-19 | 2009-10-20 | Nxp B.V. | Method of manufacturing an electronic device |
JP4218476B2 (ja) | 2003-09-12 | 2009-02-04 | 沖電気工業株式会社 | レジストパターン形成方法とデバイス製造方法 |
JP2005183438A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP4196822B2 (ja) | 2003-12-22 | 2008-12-17 | パナソニック株式会社 | 水溶性材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20050158672A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
JP2005181814A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2005208365A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2005268312A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト除去方法及びそれを用いて製造した半導体装置 |
JP2005294354A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2006080277A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
JP2006128543A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Nec Electronics Corp | 電子デバイスの製造方法 |
US20060188805A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same |
JP4676325B2 (ja) | 2005-02-18 | 2011-04-27 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP4679193B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4566862B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP4767829B2 (ja) | 2006-01-11 | 2011-09-07 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
WO2007080726A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4531726B2 (ja) | 2006-06-22 | 2010-08-25 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細化されたレジストパターンの形成方法 |
JP5845556B2 (ja) | 2008-07-24 | 2016-01-20 | Jsr株式会社 | レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法 |
-
2011
- 2011-03-11 JP JP2011054410A patent/JP5708071B2/ja active Active
-
2012
- 2012-01-11 TW TW101101086A patent/TWI550366B/zh active
- 2012-01-26 US US13/358,892 patent/US8748077B2/en active Active
- 2012-01-27 KR KR1020120008560A patent/KR101385367B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-29 CN CN201210020305.XA patent/CN102681338B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8748077B2 (en) | 2014-06-10 |
KR101385367B1 (ko) | 2014-04-14 |
CN102681338A (zh) | 2012-09-19 |
TW201237568A (en) | 2012-09-16 |
TWI550366B (zh) | 2016-09-21 |
KR20120103439A (ko) | 2012-09-19 |
US20120228747A1 (en) | 2012-09-13 |
JP2012189879A (ja) | 2012-10-04 |
CN102681338B (zh) | 2014-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6106990B2 (ja) | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4657899B2 (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
KR101873727B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
KR100845486B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2008046395A (ja) | レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
KR20080008241A (ko) | 미세패턴의 형성방법 | |
WO2005103832A1 (ja) | レジストパターン形成方法及び複合リンス液 | |
JP5708071B2 (ja) | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5659873B2 (ja) | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5659872B2 (ja) | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2024079733A (ja) | 50nm以下のライン間寸法を有するパターン化材料を処理したときのパターン倒壊を回避するための溶媒混合物を含む組成物を使用する方法 | |
WO2010073390A1 (ja) | パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、並びにレジストパターンの被覆層の形成材料 | |
JP2011099903A (ja) | レジストパターン厚肉化材料、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
JP6328630B2 (ja) | フォトレジスト現像用組成物、組成物の使用方法並びに集積回路装置、光学装置、マイクロマシン及び機械精密装置の製造方法 | |
JP2023502837A (ja) | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
JP2013092797A (ja) | パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708071 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |