JPS60138543A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60138543A JPS60138543A JP58244526A JP24452683A JPS60138543A JP S60138543 A JPS60138543 A JP S60138543A JP 58244526 A JP58244526 A JP 58244526A JP 24452683 A JP24452683 A JP 24452683A JP S60138543 A JPS60138543 A JP S60138543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- methylstyrene
- polymer resist
- copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒐子巌（以下、ＥＢと記す）リソグラフィーに
関する。本発明は、さらに詳しく述べると、重合体レジ
ストをＥＢでパターニングしてポジパターンを形成する
方法に関する。
関する。本発明は、さらに詳しく述べると、重合体レジ
ストをＥＢでパターニングしてポジパターンを形成する
方法に関する。
技術の背景
牛導体装置の製造において、サブミクロンのオーダーの
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＥ
Ｂクリソラフィーが多用されていることは周知の通シで
ある。ＥＢクリソラフィーにおいて、耐プラズマ性及び
感度の両方にすぐれたポジ／Ｊ？ターンを形成すること
が望まれている。
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＥ
Ｂクリソラフィーが多用されていることは周知の通シで
ある。ＥＢクリソラフィーにおいて、耐プラズマ性及び
感度の両方にすぐれたポジ／Ｊ？ターンを形成すること
が望まれている。
従来、耐プラズマ性を具えだポジパターンを１種類の重
合体、すなわ゛ち、単独皇合体（ホモポリマー）から得
ることは困難であった。したがって、現在、熱架橋分解
型の重合体レジスト、例えばφ−ＭＡＣ（ＥＣＬ）がこ
の目的に広く用いられている。
合体、すなわ゛ち、単独皇合体（ホモポリマー）から得
ることは困難であった。したがって、現在、熱架橋分解
型の重合体レジスト、例えばφ−ＭＡＣ（ＥＣＬ）がこ
の目的に広く用いられている。
それというのも、熱架橋分解型のレジストは、感度と耐
プラズマ性を分離して、ポリマーの設ｄ１°をすること
が、可能であるからである。
プラズマ性を分離して、ポリマーの設ｄ１°をすること
が、可能であるからである。
耐プラズマ性にすぐれているのでその１つの妬標とされ
ているレジストＩ／ｃポリスチレンかあるというものの
、このレジストはネガ型レジスト材料でおる。ところが
、最近になって、α−メチルスチレンはポジ型レジスト
材料として有用であシがつポリスチレンとはは同等の耐
プラズマ性を奏するということが見い出された。但し、
この重合体は、それ単独（ホモポリマー）では２〜３Ｘ
１０−’Ｃ／ｃｍ” 以下の非常に悪い感度（Ｄｏ）
Ｌか示し得す、実用化に不適当である。さらに、この重
合体に例えばアクリル酸、メタクリル酸などの単量体金
共慮合させた場合、その感度をおよそ１桁のオーダーで
向上させることができるというものの、今度は特に耐プ
ラズマ性の低下を甘受しなければならない。なぜなら、
α−メチルスチレンを上述のように共重合体の形で使用
する場合、約１桁のオーダーの感度上昇を得るために重
合体鎖中に蝦低３０ｉＬ量チの単瀘体成１分を導入しな
ければならず、当然のことながらベースとしてのα−メ
チルスチレンの物性、特に耐プラズマ性に悪い影響がで
てくるのを避けること−ができないからである。
ているレジストＩ／ｃポリスチレンかあるというものの
、このレジストはネガ型レジスト材料でおる。ところが
、最近になって、α−メチルスチレンはポジ型レジスト
材料として有用であシがつポリスチレンとはは同等の耐
プラズマ性を奏するということが見い出された。但し、
この重合体は、それ単独（ホモポリマー）では２〜３Ｘ
１０−’Ｃ／ｃｍ” 以下の非常に悪い感度（Ｄｏ）
Ｌか示し得す、実用化に不適当である。さらに、この重
合体に例えばアクリル酸、メタクリル酸などの単量体金
共慮合させた場合、その感度をおよそ１桁のオーダーで
向上させることができるというものの、今度は特に耐プ
ラズマ性の低下を甘受しなければならない。なぜなら、
α−メチルスチレンを上述のように共重合体の形で使用
する場合、約１桁のオーダーの感度上昇を得るために重
合体鎖中に蝦低３０ｉＬ量チの単瀘体成１分を導入しな
ければならず、当然のことながらベースとしてのα−メ
チルスチレンの物性、特に耐プラズマ性に悪い影響がで
てくるのを避けること−ができないからである。
発明の目的
本発明の目的は、重合体レジストをＥＢで・臂ターニン
グしてポジパターンを形成する方法であって、耐プラズ
マ性の低下を伴なわないで高められた感度を保証し得る
ような改良されたパターン形成方法を提供することにろ
る。
グしてポジパターンを形成する方法であって、耐プラズ
マ性の低下を伴なわないで高められた感度を保証し得る
ような改良されたパターン形成方法を提供することにろ
る。
発明の構成
本発明者は、このたび、α−メチルスチレンとメチルコ
ハク酸の共重合体を重合体レジストとして使用した場合
に上目己目的を達成し得るということを見い出した。本
発明において使用し得るα−メチルスチレン／メチルコ
ハク敵共重合体は、次のような一般式によシ表わすこと
ができる：ここで、メチレンコハク酸は、約２５モルチ
以下、特に約１０ぞルーの導入率で所期の目的を達成す
ることができる。実際、約１０モルチのメチレンコハク
［−導入した場合、α−メチルスチレン／アクリル眩共
貞合などとはぼ同等の約１、５ Ｘ １０−” Ｃ７ｃ
ｍ２ の感度を得ることができ、また、α−メチルスチ
レン単独の場合とほぼ同等の耐プラズマ性を得ることが
できる（メチレンコハク酸の導入率が低いのでα−メチ
ルスチレンの物性に慾影響が出ない）。
ハク酸の共重合体を重合体レジストとして使用した場合
に上目己目的を達成し得るということを見い出した。本
発明において使用し得るα−メチルスチレン／メチルコ
ハク敵共重合体は、次のような一般式によシ表わすこと
ができる：ここで、メチレンコハク酸は、約２５モルチ
以下、特に約１０ぞルーの導入率で所期の目的を達成す
ることができる。実際、約１０モルチのメチレンコハク
［−導入した場合、α−メチルスチレン／アクリル眩共
貞合などとはぼ同等の約１、５ Ｘ １０−” Ｃ７ｃ
ｍ２ の感度を得ることができ、また、α−メチルスチ
レン単独の場合とほぼ同等の耐プラズマ性を得ることが
できる（メチレンコハク酸の導入率が低いのでα−メチ
ルスチレンの物性に慾影響が出ない）。
本発明者は、さらに、上記したα−メチルスチレン／メ
チレンコハク戚共重合体を熱架橋分解型車合体レジスト
としても使用し得、その場合にこのレジストヲ架橋剤と
してのカルボニル基含有又はカルデキンル基台有七ノー
又はビスアジド化合物と組み合わせることによシ見かけ
の感度を著しく、最嶋約７． ＯＸ １０−６Ｃ／ｃｒ
ｎ” まで増大させ得るということを見い出した。
チレンコハク戚共重合体を熱架橋分解型車合体レジスト
としても使用し得、その場合にこのレジストヲ架橋剤と
してのカルボニル基含有又はカルデキンル基台有七ノー
又はビスアジド化合物と組み合わせることによシ見かけ
の感度を著しく、最嶋約７． ＯＸ １０−６Ｃ／ｃｒ
ｎ” まで増大させ得るということを見い出した。
有用なアジド化合物の一例として、次式によシ表わされ
る４、４′〜ジアジドカルコンを１’ることができる： す 上記したアジド化合物は、通常、約５〜３０ｉ量チ、特
に約２０重嵐チの濃度で有利に使用することができる。
る４、４′〜ジアジドカルコンを１’ることができる： す 上記したアジド化合物は、通常、約５〜３０ｉ量チ、特
に約２０重嵐チの濃度で有利に使用することができる。
本発明による・９ターン形成方法は常法に従って実施す
ることができる： 最初に、重合体レジストを適当な溶剤に溶解して夏合体
−浴剤餅液、例えばＭＣＡ（メチルセロソｋ ｆ ７
セテート）溶液を得る。次いで、このレジストｓ液をエ
ツチングしようとしている適当な基板に浸漬法やスピン
コード法などのような塗布法によって塗布する。塗布の
完了後、基板をベークしてレジヌト換中に残留せる溶剤
を除去する。べ−りの温度及び時間は適宜選択すること
ができる。
ることができる： 最初に、重合体レジストを適当な溶剤に溶解して夏合体
−浴剤餅液、例えばＭＣＡ（メチルセロソｋ ｆ ７
セテート）溶液を得る。次いで、このレジストｓ液をエ
ツチングしようとしている適当な基板に浸漬法やスピン
コード法などのような塗布法によって塗布する。塗布の
完了後、基板をベークしてレジヌト換中に残留せる溶剤
を除去する。べ−りの温度及び時間は適宜選択すること
ができる。
レジストａ布基板をベークし終えた後、そのレジスト’
ｉＥＢによシバターニングする。ＥＢ露光後、露光域の
レジスト膜を適当な現像液で溶解除去する。本発明では
、使用するメチレンコノ・り酸に２個の゛カルボキシル
基が含まれているので、比較的に弱い現像液、例えばＥ
Ｃ（エチルセルソルブ）。
ｉＥＢによシバターニングする。ＥＢ露光後、露光域の
レジスト膜を適当な現像液で溶解除去する。本発明では
、使用するメチレンコノ・り酸に２個の゛カルボキシル
基が含まれているので、比較的に弱い現像液、例えばＥ
Ｃ（エチルセルソルブ）。
ＭＦ−３１２（シラプレー社製）、ＭＣＡ（メチルセル
ンルブアセテート）などを有利に使用スルことができ、
したがって、・セターンの膨潤などを回避することがで
きる。現像後、適当な溶剤による洗浄を経てポジのレジ
ストパターン奢得ることができる。
ンルブアセテート）などを有利に使用スルことができ、
したがって、・セターンの膨潤などを回避することがで
きる。現像後、適当な溶剤による洗浄を経てポジのレジ
ストパターン奢得ることができる。
実施例
次に、下記の実施例によシ本発明方法を説明する。
例１：
Ｉす（α−メチルスチレンーコーメチレンコハク［）（
ｍ：ｎ中９二１．ＭＷ中７８０００）の２２％ＭＣＡ浴
液を調製した。この溶液をシリコンウェーハー上にスピ
ンコードし、窒素雰囲気中で７５°Ｃで１時間にわたっ
てベークした後、約１．０μｍＯ膜厚を得た。通常のＥ
Ｂ露光装置を使用してＥＢ露光を行ない、しかる後にＥ
Ｃにて１４．２℃で７０秒間にわたって現像した。解像
度０．８μ１０．４μ（ｔ／ｓ）’（（有するポジのレ
ジストパターンが得られた。引き続いて、このパターン
をアルゴンスｚｆツタリングに供して耐プラズマ性に関
して評価した。ベースとして用いたα−メチルスチレン
単独の場合とはぼ同等の耐プラズマ性が認められた。感
度Ｄ は１．５ Ｘ １０−５Ｃ／ ｔ１ｎ２でｈつ、
０ 九〇 例２： 前記例１に記載の手法を繰シ返した。但し、本例の場合
、ポリ（α−メテルステレンーコーメテレンコハク酸）
単独に代えてそれと２０″ｉ量チの４．４′−ジアジド
カルコンの混合物を使用し、そしてベーク条件として１
６０℃及び５０分間を適用した。前記例１の場合と同様
な解像度及び耐プラズマ性、そして７． ＯＸ １０−
６Ｃ７ｃｍ２の感度が得られた。
ｍ：ｎ中９二１．ＭＷ中７８０００）の２２％ＭＣＡ浴
液を調製した。この溶液をシリコンウェーハー上にスピ
ンコードし、窒素雰囲気中で７５°Ｃで１時間にわたっ
てベークした後、約１．０μｍＯ膜厚を得た。通常のＥ
Ｂ露光装置を使用してＥＢ露光を行ない、しかる後にＥ
Ｃにて１４．２℃で７０秒間にわたって現像した。解像
度０．８μ１０．４μ（ｔ／ｓ）’（（有するポジのレ
ジストパターンが得られた。引き続いて、このパターン
をアルゴンスｚｆツタリングに供して耐プラズマ性に関
して評価した。ベースとして用いたα−メチルスチレン
単独の場合とはぼ同等の耐プラズマ性が認められた。感
度Ｄ は１．５ Ｘ １０−５Ｃ／ ｔ１ｎ２でｈつ、
０ 九〇 例２： 前記例１に記載の手法を繰シ返した。但し、本例の場合
、ポリ（α−メテルステレンーコーメテレンコハク酸）
単独に代えてそれと２０″ｉ量チの４．４′−ジアジド
カルコンの混合物を使用し、そしてベーク条件として１
６０℃及び５０分間を適用した。前記例１の場合と同様
な解像度及び耐プラズマ性、そして７． ＯＸ １０−
６Ｃ７ｃｍ２の感度が得られた。
発明の効果
本発明によれば、ＥＢリングラフイーによるΔ？シバタ
ーンの形成時、α−メチルスチレンに由来する尚められ
た耐プラズマ性を損なうことなく良好な感度を得ること
ができ、そして特に重合体レジストを熱架橋分解型のそ
れとして使用する場合には篤くべきことに見かけの感度
を著しぐ増大させることができる。本発明によれば、さ
らに、共重合体の形成に使用するメチレンコノ・り酸型
量体に２個のカルビキシ基が含まれるので、現像が簡単
である、・９ターンの抜けがよい、弱い現像液を使用で
きる、／母ターンの１ｍ潤がない、等の付加的な利点も
得ることができる。
ーンの形成時、α−メチルスチレンに由来する尚められ
た耐プラズマ性を損なうことなく良好な感度を得ること
ができ、そして特に重合体レジストを熱架橋分解型のそ
れとして使用する場合には篤くべきことに見かけの感度
を著しぐ増大させることができる。本発明によれば、さ
らに、共重合体の形成に使用するメチレンコノ・り酸型
量体に２個のカルビキシ基が含まれるので、現像が簡単
である、・９ターンの抜けがよい、弱い現像液を使用で
きる、／母ターンの１ｍ潤がない、等の付加的な利点も
得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ１重合体レジストの・！ターニングヲ通シてポジ・９
ターンを形成する方法でおって、前記レジストとしてα
−メチルスチレンとメチレンコハク酸の共重合体を使用
することを特徴とする・！ターン形成方法。 ２、熱架橋分解型重合体レジストのパターニングを通じ
てポジパターンを形成する方法であって、前ｄ己しンス
トとしてα−メチルスチレンとメチレンコハク酸の共重
合体を使用しかつこれに架橋剤としてのカルボニル基含
有又はカルホキフル基台を特徴とするパターン形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244526A JPS60138543A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244526A JPS60138543A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138543A true JPS60138543A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17119995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58244526A Pending JPS60138543A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460941A2 (en) * | 1990-06-08 | 1991-12-11 | Fujitsu Limited | Resist composition and process for forming resist pattern thereby |
| JP2008049199A (ja) * | 2007-11-12 | 2008-03-06 | Olympus Corp | 流体供給体 |
| JP2008167954A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Biomaster Inc | シリンジ |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58244526A patent/JPS60138543A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460941A2 (en) * | 1990-06-08 | 1991-12-11 | Fujitsu Limited | Resist composition and process for forming resist pattern thereby |
| JP2008167954A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Biomaster Inc | シリンジ |
| JP2008049199A (ja) * | 2007-11-12 | 2008-03-06 | Olympus Corp | 流体供給体 |
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