JP2001066767A - レジスト組成物およびその使用 - Google Patents
レジスト組成物およびその使用Info
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- JP2001066767A JP2001066767A JP2000209547A JP2000209547A JP2001066767A JP 2001066767 A JP2001066767 A JP 2001066767A JP 2000209547 A JP2000209547 A JP 2000209547A JP 2000209547 A JP2000209547 A JP 2000209547A JP 2001066767 A JP2001066767 A JP 2001066767A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 レジスト組成物の反応性イオン・エッチング
耐性を改善する。 【解決手段】 少なくとも１種の有機金属化合物を放射
感応性ポリマーに添加することによって、放射感応性レ
ジスト組成物の反応性イオン・エッチング耐性が強化さ
れる。レジスト組成物をパターン形成し、これをマスク
として使用して、その下にある層にパターンを形成する
ことができる。
耐性を改善する。 【解決手段】 少なくとも１種の有機金属化合物を放射
感応性ポリマーに添加することによって、放射感応性レ
ジスト組成物の反応性イオン・エッチング耐性が強化さ
れる。レジスト組成物をパターン形成し、これをマスク
として使用して、その下にある層にパターンを形成する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ、特に反
応性イオン・エッチングで使用されるＣｌ2／Ｏ2プラズ
マに対する耐性が強化された放射感応性レジスト組成物
に関する。本発明は、前記組成物ならびに前記組成物の
リソグラフィでの使用に関する。例えば、本発明の材料
は、光、電子ビーム、Ｘ線およびイオンビーム・リソグ
ラフィ・ツールでのデバイスおよびマスク製造に使用す
るのに適している。
応性イオン・エッチングで使用されるＣｌ2／Ｏ2プラズ
マに対する耐性が強化された放射感応性レジスト組成物
に関する。本発明は、前記組成物ならびに前記組成物の
リソグラフィでの使用に関する。例えば、本発明の材料
は、光、電子ビーム、Ｘ線およびイオンビーム・リソグ
ラフィ・ツールでのデバイスおよびマスク製造に使用す
るのに適している。
【０００２】
【従来の技術】パターン形成されたデバイス、特に超小
型電子デバイスの製造において、完成品を構成するさま
ざまな層をエッチングするプロセスは、最も重要な段階
の一つである。エッチング・プロセスで広く使用されて
いる１つの方法は、エッチングする表面を適当なマスク
で覆うものである。
型電子デバイスの製造において、完成品を構成するさま
ざまな層をエッチングするプロセスは、最も重要な段階
の一つである。エッチング・プロセスで広く使用されて
いる１つの方法は、エッチングする表面を適当なマスク
で覆うものである。
【０００３】マスクは一般に、エッチングから保護する
基板の領域の上にレジスト材料のパターンをイメージ通
りに形成することによって製作される。レジストは通
常、有機ポリマー材料から成る。パターンは、リソグラ
フィ技法によってレジスト材料にイメージ通りに露光す
ることによって形成される。使用される照射は普通、Ｘ
線、紫外線または電子ビーム放射である。
基板の領域の上にレジスト材料のパターンをイメージ通
りに形成することによって製作される。レジストは通
常、有機ポリマー材料から成る。パターンは、リソグラ
フィ技法によってレジスト材料にイメージ通りに露光す
ることによって形成される。使用される照射は普通、Ｘ
線、紫外線または電子ビーム放射である。
【０００４】放射感応性材料または組成物は、ポジ型
（放射によって可溶性となる）か、またはネガ型（放射
によって不溶性となる、または架橋を形成する）のどち
らかである。ポジ型感応性組成物は、放射（紫外線光、
Ｘ線または電子ビーム）を露出することによって可溶性
（または現像可能）となり、露光しなかった領域をその
ままに残す選択性現像液を使用して除去することができ
る。ネガ型感応性組成物は、化学線放射を当てると不溶
性となる組成物である。適当な溶液を選択することによ
って、組成物の露光しなかった領域を溶解、除去し、露
光部分をそのままに残すことができる。露光したこのよ
うな材料を現像すると、ネガティブ・トーンのイメージ
が得られる。
（放射によって可溶性となる）か、またはネガ型（放射
によって不溶性となる、または架橋を形成する）のどち
らかである。ポジ型感応性組成物は、放射（紫外線光、
Ｘ線または電子ビーム）を露出することによって可溶性
（または現像可能）となり、露光しなかった領域をその
ままに残す選択性現像液を使用して除去することができ
る。ネガ型感応性組成物は、化学線放射を当てると不溶
性となる組成物である。適当な溶液を選択することによ
って、組成物の露光しなかった領域を溶解、除去し、露
光部分をそのままに残すことができる。露光したこのよ
うな材料を現像すると、ネガティブ・トーンのイメージ
が得られる。
【０００５】バイナリ・マスクの製造は、クロムでコー
ティングしたガラス板などの上に塗布した電子ビーム・
レジストの露光によるパターン画定を含む。次いでこの
イメージを現像し、水溶液ベースのウェット・エッチン
グか、または塩素ベースのプラズマを用いた反応性イオ
ン・エッチングによって、このパターンをクロム中にエ
ッチングする（米国特許第３２３６４１３号参照）。
ティングしたガラス板などの上に塗布した電子ビーム・
レジストの露光によるパターン画定を含む。次いでこの
イメージを現像し、水溶液ベースのウェット・エッチン
グか、または塩素ベースのプラズマを用いた反応性イオ
ン・エッチングによって、このパターンをクロム中にエ
ッチングする（米国特許第３２３６４１３号参照）。
【０００６】寸法縮小技術の出現によって、ｎ倍（ｎ＝
４〜１０Ｘ）のフォトマスクも、直径４００ｎｍ未満に
縮小される。ウェット・エッチングではアンダーカット
すなわち望んでいない拡大が生じるため、反応性イオン
・エッチング（ＲＩＥ）が利用される（Tsai他の米国特
許第３４１２１４９号参照）。ＲＩＥでは、レジスト薄
膜の５０％超が侵食除去されてしまうことがある。電子
ビーム露光に使用されている特定のレジストは、主鎖分
解を受けるポリマーである。主要な例は、米国特許第３
５３５１３７号に記載のポリメタクリル酸メチル（ＰＭ
ＭＡ）、米国特許第３９３５３３２号に記載のポリブテ
ンスルホンなどのポジ型レジストである。ＰＭＭＡ用の
改良されたコントラストをもたらす現像液には、例えば
米国特許第３９３１４３５号に記載の酢酸アミル、米国
特許第４０７８０９８号に記載のメチルイソブチルケト
ンと水の混合物などがある。これらのレジストおよび共
重合体は全て、W. Moreau著「Semiconductor Lithograp
hy」（Plenum Press社刊、１９８９年）の第３章に出て
いる。しかしこれらのレジストは、ＲＩＥエッチングに
対して耐性ではなく、したがってＲＩＥプロセスによっ
てパターンを転写することができない。
４〜１０Ｘ）のフォトマスクも、直径４００ｎｍ未満に
縮小される。ウェット・エッチングではアンダーカット
すなわち望んでいない拡大が生じるため、反応性イオン
・エッチング（ＲＩＥ）が利用される（Tsai他の米国特
許第３４１２１４９号参照）。ＲＩＥでは、レジスト薄
膜の５０％超が侵食除去されてしまうことがある。電子
ビーム露光に使用されている特定のレジストは、主鎖分
解を受けるポリマーである。主要な例は、米国特許第３
５３５１３７号に記載のポリメタクリル酸メチル（ＰＭ
ＭＡ）、米国特許第３９３５３３２号に記載のポリブテ
ンスルホンなどのポジ型レジストである。ＰＭＭＡ用の
改良されたコントラストをもたらす現像液には、例えば
米国特許第３９３１４３５号に記載の酢酸アミル、米国
特許第４０７８０９８号に記載のメチルイソブチルケト
ンと水の混合物などがある。これらのレジストおよび共
重合体は全て、W. Moreau著「Semiconductor Lithograp
hy」（Plenum Press社刊、１９８９年）の第３章に出て
いる。しかしこれらのレジストは、ＲＩＥエッチングに
対して耐性ではなく、したがってＲＩＥプロセスによっ
てパターンを転写することができない。
【０００７】反応性イオン・エッチングに対しては、日
本ゼオン社製のＺＥＰという市販レジスト（米国特許第
３２３６３９７号参照）が使用されている。ＺＥＰは、
α−クロロメタクリル酸エステルとα−メチルスチレン
の共重合体（ＰＣＭＭＳ）から成る。ポリα−クロロメ
タクリル酸エステルの共重合体は、米国特許第４３５９
４８１号、４０１１３５１号および４４５４２２２号に
記載されている。好ましい例が、日本ゼオン社からＺＥ
Ｐ７０００電子ビーム・レジストとして市販されている
ポリ（α−クロロアクリル酸エステル−α−メチルスチ
レン）共重合体を対象とする米国特許第４２５９４０７
号に記載されているものである。米国特許第４２５９４
０７号は、３−ペンタノンに別のケトンを混合したもの
などのケトン現像液を論じている。米国特許第４４５４
２２２号では、α−クロロアクリル酸トリフルオロメチ
ル−メタクリル酸共重合体に対して、スプレー現像モー
ドで、ＭＩＢＫ（４−メチル−２−ブタノン）およびイ
ソプロパノールを含む現像液、または２−ブタノンとの
混合物が提案されている。米国特許第４４１４３１３号
には、ポリ（α−クロロアクリル酸エステル−メタクリ
ル酸）共重合体に対してジメチルアセトアミドとトルエ
ンの混合物を現像液として使用することが記載されてい
る。米国特許第４３５９４８１号、４０１１３５１号、
４４５４２２２号、４２５９４０７号、および４４１４
３１３号の開示は、参照によって本明細書に組み込まれ
る。
本ゼオン社製のＺＥＰという市販レジスト（米国特許第
３２３６３９７号参照）が使用されている。ＺＥＰは、
α−クロロメタクリル酸エステルとα−メチルスチレン
の共重合体（ＰＣＭＭＳ）から成る。ポリα−クロロメ
タクリル酸エステルの共重合体は、米国特許第４３５９
４８１号、４０１１３５１号および４４５４２２２号に
記載されている。好ましい例が、日本ゼオン社からＺＥ
Ｐ７０００電子ビーム・レジストとして市販されている
ポリ（α−クロロアクリル酸エステル−α−メチルスチ
レン）共重合体を対象とする米国特許第４２５９４０７
号に記載されているものである。米国特許第４２５９４
０７号は、３−ペンタノンに別のケトンを混合したもの
などのケトン現像液を論じている。米国特許第４４５４
２２２号では、α−クロロアクリル酸トリフルオロメチ
ル−メタクリル酸共重合体に対して、スプレー現像モー
ドで、ＭＩＢＫ（４−メチル−２−ブタノン）およびイ
ソプロパノールを含む現像液、または２−ブタノンとの
混合物が提案されている。米国特許第４４１４３１３号
には、ポリ（α−クロロアクリル酸エステル−メタクリ
ル酸）共重合体に対してジメチルアセトアミドとトルエ
ンの混合物を現像液として使用することが記載されてい
る。米国特許第４３５９４８１号、４０１１３５１号、
４４５４２２２号、４２５９４０７号、および４４１４
３１３号の開示は、参照によって本明細書に組み込まれ
る。
【０００８】ＺＥＰレジストは、ＺＥＤ３００（メチル
エチルケトン／アニソール、重量比９３／７）、ＺＥＤ
４００（ジグリム／メチルエチルケトン、重量比２０／
８０）、およびＺＥＤ５００（ジエチルケトン／マロン
酸ジエチル、重量比５０／５０）から成ることが好まし
い市販の現像液を使用する。
エチルケトン／アニソール、重量比９３／７）、ＺＥＤ
４００（ジグリム／メチルエチルケトン、重量比２０／
８０）、およびＺＥＤ５００（ジエチルケトン／マロン
酸ジエチル、重量比５０／５０）から成ることが好まし
い市販の現像液を使用する。
【０００９】クロム・マスク製造にＺＥＰ型のレジスト
を使用することに加えて、このレジストならびに半導体
製造で使用される露光ツールおよび現像液モードを用い
て、その他のマスク、基板またはシリコン・ウェーハの
直接露光を、露光し現像することもできる。
を使用することに加えて、このレジストならびに半導体
製造で使用される露光ツールおよび現像液モードを用い
て、その他のマスク、基板またはシリコン・ウェーハの
直接露光を、露光し現像することもできる。
【００１０】レジストを現像し、所望のマスクを形成し
た後に、基板およびマスクを、エッチングする基板を侵
食し、マスクをそのままに残す化学溶液に浸すことがで
きる。これらの湿式化学プロセスでは、エッチングした
表面に明確なエッジを残すことが難しい。これは、薬品
がマスクをアンダーカットし、等方性イメージが形成さ
れるためである。言い換えると、従来の湿式化学プロセ
スでは、現在のプロセス要件に合致する最適な寸法を達
成するのに必要と考えられる解像度は得られない。
た後に、基板およびマスクを、エッチングする基板を侵
食し、マスクをそのままに残す化学溶液に浸すことがで
きる。これらの湿式化学プロセスでは、エッチングした
表面に明確なエッジを残すことが難しい。これは、薬品
がマスクをアンダーカットし、等方性イメージが形成さ
れるためである。言い換えると、従来の湿式化学プロセ
スでは、現在のプロセス要件に合致する最適な寸法を達
成するのに必要と考えられる解像度は得られない。
【００１１】また、このようなウェット・エッチング・
プロセスは、環境および安全性の観点からも望ましくな
い。
プロセスは、環境および安全性の観点からも望ましくな
い。
【００１２】湿式化学現像に関連したこのようなさまざ
まな欠点を考慮して、環境の観点からプロセスを改善
し、エッチングのコストを相対的に低減させる、いわゆ
る「ドライ・プロセス」がさまざまに提案されている。
さらに、これらの「ドライ・プロセス」は、プロセス制
御に優れ、アスペクト比の高いイメージが得られるとい
う潜在的な利点を有する。さらに、３５０ｎｍ未満のフ
ィーチャ・サイズを有するパターンを製作するときに
は、ドライ・エッチング・プロセスが必須である。
まな欠点を考慮して、環境の観点からプロセスを改善
し、エッチングのコストを相対的に低減させる、いわゆ
る「ドライ・プロセス」がさまざまに提案されている。
さらに、これらの「ドライ・プロセス」は、プロセス制
御に優れ、アスペクト比の高いイメージが得られるとい
う潜在的な利点を有する。さらに、３５０ｎｍ未満のフ
ィーチャ・サイズを有するパターンを製作するときに
は、ドライ・エッチング・プロセスが必須である。
【００１３】このような「ドライ・プロセス」は一般
に、容器内に気体を通し、この気体中にプラズマを生じ
させる段階を含む。次いで、この気体中の化学種を使用
して、チェンバまたは容器内に置かれた基板をエッチン
グする。このような「ドライ・プロセス」の代表的な例
は、プラズマ・エッチング、スパッタ・エッチングおよ
び反応性イオン・エッチングである。
に、容器内に気体を通し、この気体中にプラズマを生じ
させる段階を含む。次いで、この気体中の化学種を使用
して、チェンバまたは容器内に置かれた基板をエッチン
グする。このような「ドライ・プロセス」の代表的な例
は、プラズマ・エッチング、スパッタ・エッチングおよ
び反応性イオン・エッチングである。
【００１４】反応性イオン・エッチングでは、明確な、
垂直にエッチングされた側壁が得られる。
垂直にエッチングされた側壁が得られる。
【００１５】超小型電子デバイスおよびマスクを製造す
る際の難問の１つは、良好なリソグラフィ性能を示し、
後段の基板へのパターン転写の際に高いドライ・エッチ
ング耐性を示すレジストを開発することである。ドライ
・エッチング化学種には、反射防止コーティングに対し
て現在使用されているＯ2、マスク製造時のクロム・エ
ッチングに対して現在使用されているＣｌ2／Ｏ2、ポリ
シリコンをエッチングするためのＣｌ2ベースのプラズ
マ、および酸化物をエッチングするためのＣＦ4などの
フルオロカーボン・ベースのプラズマなどがある。これ
らのプラズマは例に過ぎず、本発明の範囲を限定するも
のではない。ｉ線リソグラフィに使用される従来のノボ
ラック／ジアゾナフトキノン・レジストは、現在までの
ところ最も良いドライ・エッチング耐性を示す。ＺＥＰ
は、従来のポリブテンスルホン（ＰＢＳ）・ウェット・
エッチング・プロセスに代えて、当業界が先進のマスク
製作用に採用している電子ビーム・レジストである。Ｚ
ＥＰは、ＰＢＳプロセスを相当に改良するが、Ｃｌ2／
Ｏ2に対するドライ・エッチング耐性は十分とは言えな
い（エッチング速度１．９５ｎｍ／ｓ）。ノボラックは
１．４ｎｍ／ｓである。
る際の難問の１つは、良好なリソグラフィ性能を示し、
後段の基板へのパターン転写の際に高いドライ・エッチ
ング耐性を示すレジストを開発することである。ドライ
・エッチング化学種には、反射防止コーティングに対し
て現在使用されているＯ2、マスク製造時のクロム・エ
ッチングに対して現在使用されているＣｌ2／Ｏ2、ポリ
シリコンをエッチングするためのＣｌ2ベースのプラズ
マ、および酸化物をエッチングするためのＣＦ4などの
フルオロカーボン・ベースのプラズマなどがある。これ
らのプラズマは例に過ぎず、本発明の範囲を限定するも
のではない。ｉ線リソグラフィに使用される従来のノボ
ラック／ジアゾナフトキノン・レジストは、現在までの
ところ最も良いドライ・エッチング耐性を示す。ＺＥＰ
は、従来のポリブテンスルホン（ＰＢＳ）・ウェット・
エッチング・プロセスに代えて、当業界が先進のマスク
製作用に採用している電子ビーム・レジストである。Ｚ
ＥＰは、ＰＢＳプロセスを相当に改良するが、Ｃｌ2／
Ｏ2に対するドライ・エッチング耐性は十分とは言えな
い（エッチング速度１．９５ｎｍ／ｓ）。ノボラックは
１．４ｎｍ／ｓである。
【００１６】マスク製造（バイナリ、減衰位相シフト・
マスク、交番位相シフト・マスク）およびデバイス製造
での使用を目的としたドライ・エッチング耐性が向上し
た放射感応性組成物を開発する必要がある。
マスク、交番位相シフト・マスク）およびデバイス製造
での使用を目的としたドライ・エッチング耐性が向上し
た放射感応性組成物を開発する必要がある。
【００１７】ある種のレジスト材料にＯ2エッチング耐
性を与える目的で、シリコンおよびゲルマニウムが使用
されている。例えば、米国特許第４７６４２４７号、４
９３５０９４号、５７３３７０６号、およびMicroelect
ronic Engineering，３，２７９（１９８５）を参照さ
れたい。しかしこれらは、Ｃｌ2／Ｏ2反応性イオン・エ
ッチングに対するマスクを提案していない。
性を与える目的で、シリコンおよびゲルマニウムが使用
されている。例えば、米国特許第４７６４２４７号、４
９３５０９４号、５７３３７０６号、およびMicroelect
ronic Engineering，３，２７９（１９８５）を参照さ
れたい。しかしこれらは、Ｃｌ2／Ｏ2反応性イオン・エ
ッチングに対するマスクを提案していない。
【００１８】
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、イメージング
照射に対して感応性であり、反応性イオン・エッチング
に対する耐性が強化されたレジスト組成物を提供する。
本発明のフォトレジスト組成物は一般に、Ｃｌ2／Ｏ2プ
ラズマ、Ｏ2、Ｃｌ2、ＣＦ4などのフルオロカーボンを
含むさまざまなプラズマを使用した反応性イオン・エッ
チングに対して強化された耐性を示す。当業者なら理解
しているであろうが、Ｃｌ2／Ｏ2プラズマは、Ｃｌ2お
よびＯ2化学種のプラズマの分解に起因するＣｌおよび
Ｏ原子を含むプラズマを指す。
照射に対して感応性であり、反応性イオン・エッチング
に対する耐性が強化されたレジスト組成物を提供する。
本発明のフォトレジスト組成物は一般に、Ｃｌ2／Ｏ2プ
ラズマ、Ｏ2、Ｃｌ2、ＣＦ4などのフルオロカーボンを
含むさまざまなプラズマを使用した反応性イオン・エッ
チングに対して強化された耐性を示す。当業者なら理解
しているであろうが、Ｃｌ2／Ｏ2プラズマは、Ｃｌ2お
よびＯ2化学種のプラズマの分解に起因するＣｌおよび
Ｏ原子を含むプラズマを指す。
【００２０】具体的には、本発明のレジスト組成物は、
放射感応性ポリマーおよび少なくとも１種の有機金属化
合物を含む。
放射感応性ポリマーおよび少なくとも１種の有機金属化
合物を含む。
【００２１】本発明はさらに、放射感応性のポリマーな
らびにイットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジル
コニウム、ハフニウムおよびこれらの混合物から成るグ
ループから選択された少なくとも１種の金属の少なくと
も１種の有機金属化合物を含むレジスト組成物に関す
る。
らびにイットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジル
コニウム、ハフニウムおよびこれらの混合物から成るグ
ループから選択された少なくとも１種の金属の少なくと
も１種の有機金属化合物を含むレジスト組成物に関す
る。
【００２２】本発明はさらに、レジストのパターンを形
成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の有機金属化合物を含むレジスト組成物の層を基板上
に形成する段階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の有機金属化合物を含むレジスト組成物の層を基板上
に形成する段階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
【００２３】本発明の他の態様は、基板上にパターンを
形成する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の有機金属化合物を含むレジスト組成物の層を、パタ
ーン形成する層の上に形成する段階と、 ｃ）レジスト組成物の層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
形成する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の有機金属化合物を含むレジスト組成物の層を、パタ
ーン形成する層の上に形成する段階と、 ｃ）レジスト組成物の層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
【００２４】本発明の他の態様は、レジストのパターン
を形成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーならびにイットリウ
ム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウムおよびこれらの混合物から成るグループから選択さ
れた少なくとも１種の金属の少なくとも１種の有機金属
化合物を含むレジスト組成物の層を基板上に形成する段
階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
を形成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーならびにイットリウ
ム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウムおよびこれらの混合物から成るグループから選択さ
れた少なくとも１種の金属の少なくとも１種の有機金属
化合物を含むレジスト組成物の層を基板上に形成する段
階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
【００２５】本発明の他の態様は、基板上にパターンを
形成する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーならびにイットリウ
ム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウムおよびこれらの混合物から成るグループから選択さ
れた少なくとも１種の金属の少なくとも１種の有機金属
化合物を含むレジスト組成物の層を、パターン形成する
層の上に形成する段階と、 ｃ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
形成する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーならびにイットリウ
ム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウムおよびこれらの混合物から成るグループから選択さ
れた少なくとも１種の金属の少なくとも１種の有機金属
化合物を含むレジスト組成物の層を、パターン形成する
層の上に形成する段階と、 ｃ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
【００２６】本発明はさらに、パターン形成された層を
その上に有する基板を含む構造であって、パターン形成
された層が、放射感応性レジスト・ポリマーおよび少な
くとも１種の有機金属化合物を含む構造に関する。
その上に有する基板を含む構造であって、パターン形成
された層が、放射感応性レジスト・ポリマーおよび少な
くとも１種の有機金属化合物を含む構造に関する。
【００２７】本発明の他の態様は、パターン形成された
層をその上に有する基板を含む構造であって、パターン
形成された層が、放射感応性レジスト・ポリマーならび
にイットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウムおよびこれらの混合物から成るグルー
プから選択された少なくとも１種の金属の少なくとも１
種の有機金属化合物を含む構造に関する。
層をその上に有する基板を含む構造であって、パターン
形成された層が、放射感応性レジスト・ポリマーならび
にイットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウムおよびこれらの混合物から成るグルー
プから選択された少なくとも１種の金属の少なくとも１
種の有機金属化合物を含む構造に関する。
【００２８】本発明の他の態様は、放射感応性ポリマー
ならびに融溶シリカ、その他の二酸化ケイ素、滑石、雲
母、アルミニウム、チタン、銅、ニッケルなどの金属、
二酸化チタン、クロム、酸化銅、酸化アルミニウム、酸
化ニッケルなどの金属酸化物、および金属窒化物、金属
炭化物などのその他の金属化合物から成るグループから
選択された少なくとも１種の充填材を含み、反応性イオ
ン・エッチングに対する耐性が改善されたレジスト組成
物に関する。
ならびに融溶シリカ、その他の二酸化ケイ素、滑石、雲
母、アルミニウム、チタン、銅、ニッケルなどの金属、
二酸化チタン、クロム、酸化銅、酸化アルミニウム、酸
化ニッケルなどの金属酸化物、および金属窒化物、金属
炭化物などのその他の金属化合物から成るグループから
選択された少なくとも１種の充填材を含み、反応性イオ
ン・エッチングに対する耐性が改善されたレジスト組成
物に関する。
【００２９】本発明はさらに、放射感応性レジストのパ
ターンを形成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の先に開示した充填材を含む放射感応性レジスト組成
物の層を基板上に形成する段階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
ターンを形成する方法に関する。この方法は、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の先に開示した充填材を含む放射感応性レジスト組成
物の層を基板上に形成する段階と、 ｂ）レジスト組成物層をイメージ通りに露光する段階
と、 ｃ）レジストを現像し、これによってパターンを形成す
る段階とを含む。
【００３０】本発明はさらに、基板上にパターンを形成
する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の先に開示した充填材を含む放射感応性レジスト組成
物の層を、パターン形成する層の上に形成する段階と、 ｃ）放射感応性レジスト組成物の層をイメージ通りに露
光する段階と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
する方法に関する。この方法は、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーおよび少なくとも１
種の先に開示した充填材を含む放射感応性レジスト組成
物の層を、パターン形成する層の上に形成する段階と、 ｃ）放射感応性レジスト組成物の層をイメージ通りに露
光する段階と、 ｄ）レジストを現像し、所望のパターンを形成する段階
と、 ｅ）パターン形成する層にレジストをマスクとして反応
性イオン・エッチングを実施し、これによって基板上に
所望のパターンを形成する段階とを含む。
【００３１】本発明の他の態様は、パターン形成された
層をその上に有する基板を含む構造であって、パターン
形成された層が、放射感応性レジスト・ポリマーおよび
少なくとも１種の先に開示した充填材を含む構造に関す
る。
層をその上に有する基板を含む構造であって、パターン
形成された層が、放射感応性レジスト・ポリマーおよび
少なくとも１種の先に開示した充填材を含む構造に関す
る。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明によれば、さまざまな有機
金属化合物を放射感応性組成物に加えると、反応性イオ
ン・エッチング、特にＣｌ2／Ｏ2プラズマ中での反応性
イオン・エッチングに対する組成物の耐性を強化するこ
とができることが分かった。Ｃｌ2／Ｏ2プラズマの苛酷
な環境は、エッチング・プロセスに耐える使用可能なレ
ジスト組成物の選択を厳しく制限する。本発明で使用す
る有機金属化合物は、レジストの耐性を製造プロセスで
使用するのに十分な程度に増大させる。
金属化合物を放射感応性組成物に加えると、反応性イオ
ン・エッチング、特にＣｌ2／Ｏ2プラズマ中での反応性
イオン・エッチングに対する組成物の耐性を強化するこ
とができることが分かった。Ｃｌ2／Ｏ2プラズマの苛酷
な環境は、エッチング・プロセスに耐える使用可能なレ
ジスト組成物の選択を厳しく制限する。本発明で使用す
る有機金属化合物は、レジストの耐性を製造プロセスで
使用するのに十分な程度に増大させる。
【００３３】これらの有機金属化合物は、レジストのリ
ソグラフィ特性に悪い影響を与えることなく、反応性イ
オン・エッチングに対する耐性を強化する。
ソグラフィ特性に悪い影響を与えることなく、反応性イ
オン・エッチングに対する耐性を強化する。
【００３４】本発明に基づいて使用する有機金属化合物
は、イットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコ
ニウムおよびハフニウムの有機金属化合物である。有機
金属化合物の混合物を使用すること、および所望ならば
金属の混合物を含む有機金属化合物を使用することもで
きる。
は、イットリウム、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコ
ニウムおよびハフニウムの有機金属化合物である。有機
金属化合物の混合物を使用すること、および所望ならば
金属の混合物を含む有機金属化合物を使用することもで
きる。
【００３５】本発明で使用する特定の有機金属化合物の
例としては、トリスヘキサフルオロアセチルアセトン酸
イットリウム、トリス（２，２，６，６−テトラメチ
ル）−３，５−ヘプタンジオン酸イットリウム、トリス
（ジフェニルアセチルアセトン酸）イットリウム、１，
２−ジフェロセニルエタン、トリス（２，２，６，６−
テトラメチル）−３，５−ヘプタンジオン酸アルミニウ
ム、乳酸アルミニウム、アルミニウム−８−ヒドロキシ
キノリン、ビス（シクロペンタジエニル）チタンペンタ
スルフィド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ハフニウムジクロライド、アセチルアセトン酸ジル
コニウム、テトラ（２，２，６，６−テトラメチル）−
３，５−ヘプタンジオン酸）ジルコニウム、テトラ
（１，５−ジフェニルペンタン−２，４−ジオン）ジル
コニウム、フェロセンアルデヒド、フェロセンメタノー
ル、フェロセンエタノール、フェロセンカルボン酸、フ
ェロセンジカルボン酸、１，２−ジフェロセンエタン、
１，３−ジフェロセンプロパン、１，４−ジフェロセン
ブタンおよびデカメチルフェロセンなどがある。
例としては、トリスヘキサフルオロアセチルアセトン酸
イットリウム、トリス（２，２，６，６−テトラメチ
ル）−３，５−ヘプタンジオン酸イットリウム、トリス
（ジフェニルアセチルアセトン酸）イットリウム、１，
２−ジフェロセニルエタン、トリス（２，２，６，６−
テトラメチル）−３，５−ヘプタンジオン酸アルミニウ
ム、乳酸アルミニウム、アルミニウム−８−ヒドロキシ
キノリン、ビス（シクロペンタジエニル）チタンペンタ
スルフィド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ハフニウムジクロライド、アセチルアセトン酸ジル
コニウム、テトラ（２，２，６，６−テトラメチル）−
３，５−ヘプタンジオン酸）ジルコニウム、テトラ
（１，５−ジフェニルペンタン−２，４−ジオン）ジル
コニウム、フェロセンアルデヒド、フェロセンメタノー
ル、フェロセンエタノール、フェロセンカルボン酸、フ
ェロセンジカルボン酸、１，２−ジフェロセンエタン、
１，３−ジフェロセンプロパン、１，４−ジフェロセン
ブタンおよびデカメチルフェロセンなどがある。
【００３６】好ましい化合物は、イットリウム、ジルコ
ニウム、チタンおよびハフニウムの有機金属化合物であ
る。鉄およびアルミニウム化合物は低温加熱処理を使用
するときには有効であるが、高温加熱処理を使用すると
きには必ずしも有効ではない。例えば、この点を示す図
１を参照されたい。
ニウム、チタンおよびハフニウムの有機金属化合物であ
る。鉄およびアルミニウム化合物は低温加熱処理を使用
するときには有効であるが、高温加熱処理を使用すると
きには必ずしも有効ではない。例えば、この点を示す図
１を参照されたい。
【００３７】使用する有機金属化合物の量は、放射感応
性ポリマーの重量に対して、一般的に約０．１〜約２５
重量％、より一般的には約０．１〜約１０重量％、好ま
しくは約０．２〜約５重量％、最も好ましくは約０．３
〜約１重量％である。
性ポリマーの重量に対して、一般的に約０．１〜約２５
重量％、より一般的には約０．１〜約１０重量％、好ま
しくは約０．２〜約５重量％、最も好ましくは約０．３
〜約１重量％である。
【００３８】これらの有機金属化合物は、化学的に増幅
されたレジストおよび非化学的に増幅されたレジストを
含むさまざまなレジスト・ポリマーとともに使用するこ
とができる。レジストの例には、アクリル酸エステル／
メタクリル酸エステル／クロロアクリル酸エステル・ベ
ースのレジスト（単独重合体および共重合体）、α−ク
ロロメチルアクリル酸エステルとメチルスチレンの共重
合体であるＺＥＰ、ポリスルホン、ノボラック／ジアゾ
ナフトキノン、Shipley APEXなどのポリヒドロキシスチ
レン・ベースのレジスト、ＵＶ−Ｘベースのレジスト、
脂環式化合物ベースのレジスト、含シリコン・レジスト
などがある。当業界で現在使用されている電子ビーム・
レジストの中で、日本の日本ゼオン社製の市販レジスト
ＺＥＰは当業界で広く受け入れられている。
されたレジストおよび非化学的に増幅されたレジストを
含むさまざまなレジスト・ポリマーとともに使用するこ
とができる。レジストの例には、アクリル酸エステル／
メタクリル酸エステル／クロロアクリル酸エステル・ベ
ースのレジスト（単独重合体および共重合体）、α−ク
ロロメチルアクリル酸エステルとメチルスチレンの共重
合体であるＺＥＰ、ポリスルホン、ノボラック／ジアゾ
ナフトキノン、Shipley APEXなどのポリヒドロキシスチ
レン・ベースのレジスト、ＵＶ−Ｘベースのレジスト、
脂環式化合物ベースのレジスト、含シリコン・レジスト
などがある。当業界で現在使用されている電子ビーム・
レジストの中で、日本の日本ゼオン社製の市販レジスト
ＺＥＰは当業界で広く受け入れられている。
【００３９】有機金属化合物はレジスト溶媒に可溶でな
ければならず、沈殿を生じてはならない。当業者は、本
開示を読めばそれ程多くの実験によらなくとも特定のレ
ジストに対する特定の有機金属化合物を選択することが
できよう。
ければならず、沈殿を生じてはならない。当業者は、本
開示を読めばそれ程多くの実験によらなくとも特定のレ
ジストに対する特定の有機金属化合物を選択することが
できよう。
【００４０】組成物は、有機金属化合物に加えてまたは
有機金属化合物の代わりに充填材を含むことができる。
適当な充填材には、融溶シリカ、その他の二酸化ケイ
素、滑石、雲母、アルミニウム、チタン、銅、ニッケル
などの金属、二酸化チタン、クロム、酸化銅、酸化アル
ミニウム、酸化ニッケルなどの金属酸化物、金属窒化
物、金属炭化物などのその他の金属化合物などがある。
これらの量は一般に、約０．１〜約１５％である。さら
に、所望ならば、組成物に従来の添加剤を含めることが
できる。
有機金属化合物の代わりに充填材を含むことができる。
適当な充填材には、融溶シリカ、その他の二酸化ケイ
素、滑石、雲母、アルミニウム、チタン、銅、ニッケル
などの金属、二酸化チタン、クロム、酸化銅、酸化アル
ミニウム、酸化ニッケルなどの金属酸化物、金属窒化
物、金属炭化物などのその他の金属化合物などがある。
これらの量は一般に、約０．１〜約１５％である。さら
に、所望ならば、組成物に従来の添加剤を含めることが
できる。
【００４１】以下に、水晶板上に金属クロムのパターン
を形成することによってマイクロリソグラフィ用の光学
マスクを製造する際の一般的な製造順序を示す。 １．金属クロムの薄膜を水晶板の表面に形成する。 ２．この金属層を、電子ビーム・レジストでコーティン
グする。 ３．電子ビームでレジストにパターンを形成する。 ４．水晶板を、適当な現像液で現像する。 ５．露出したクロム薄膜を、ウェット・エッチングまた
はドライ・エッチングでエッチングする。 ６．残ったレジストを除去する。
を形成することによってマイクロリソグラフィ用の光学
マスクを製造する際の一般的な製造順序を示す。 １．金属クロムの薄膜を水晶板の表面に形成する。 ２．この金属層を、電子ビーム・レジストでコーティン
グする。 ３．電子ビームでレジストにパターンを形成する。 ４．水晶板を、適当な現像液で現像する。 ５．露出したクロム薄膜を、ウェット・エッチングまた
はドライ・エッチングでエッチングする。 ６．残ったレジストを除去する。
【００４２】
【実施例】本発明をさらに説明するために非限定的な例
を以下に示す。
を以下に示す。
【００４３】実施例１ ＺＥＰ７０００Ａレジスト約１０ｇにヘキサフルオロア
セチルアセトン酸イットリウム約５０ｍｇを加えた。こ
の溶液を室温で約１８時間撹拌し、次いで０．２マイク
ロメートルのフィルタを通過させた。Ｓｉウェーハ上に
薄膜をスピン・コートし、約１８０℃約３分間、および
約１００℃約３分間の塗布後ベーク（post apply bak
e：ＰＡＢ）を実施した。この薄膜を、ＲＩＥ Ｃｌ2／
Ｏ2プラズマ・エッチングおよび電子ビーム・パターン
形成に使用した。エッチング速度は１．４０ｎｍ／秒
（業界標準であるノボラックで得られるレートと同じで
ある）であり、パターン解像度はライン・イン・スペー
ス（lines in space）で０．１０マイクロメートルであ
ることが分った。ＺＥＰ７０００Ａは、アニソール中に
固形分を１５％含む溶液である。ＺＥＰ７０００Ａのエ
ッチング速度は１．９５ｎｍ／秒である。
セチルアセトン酸イットリウム約５０ｍｇを加えた。こ
の溶液を室温で約１８時間撹拌し、次いで０．２マイク
ロメートルのフィルタを通過させた。Ｓｉウェーハ上に
薄膜をスピン・コートし、約１８０℃約３分間、および
約１００℃約３分間の塗布後ベーク（post apply bak
e：ＰＡＢ）を実施した。この薄膜を、ＲＩＥ Ｃｌ2／
Ｏ2プラズマ・エッチングおよび電子ビーム・パターン
形成に使用した。エッチング速度は１．４０ｎｍ／秒
（業界標準であるノボラックで得られるレートと同じで
ある）であり、パターン解像度はライン・イン・スペー
ス（lines in space）で０．１０マイクロメートルであ
ることが分った。ＺＥＰ７０００Ａは、アニソール中に
固形分を１５％含む溶液である。ＺＥＰ７０００Ａのエ
ッチング速度は１．９５ｎｍ／秒である。
【００４４】実施例２ ＺＥＰ７０００Ａレジスト約１０ｇに、トリス（２，
２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン）
イットリウム約４６ｍｇを実施例１と同様に加えた。こ
の溶液をＳｉウェーハ上にスピン・コートした。この薄
膜に対して、ＲＩＥエッチングおよび電子ビーム・パタ
ーン形成を実施した。エッチング速度は１．４５ｎｍ／
秒、解像度は、孤立した線およびライン・イン・スペー
スで０．１０マイクロメートルであることが分った。
２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン）
イットリウム約４６ｍｇを実施例１と同様に加えた。こ
の溶液をＳｉウェーハ上にスピン・コートした。この薄
膜に対して、ＲＩＥエッチングおよび電子ビーム・パタ
ーン形成を実施した。エッチング速度は１．４５ｎｍ／
秒、解像度は、孤立した線およびライン・イン・スペー
スで０．１０マイクロメートルであることが分った。
【００４５】実施例３ ＺＥＰ７０００Ａレジスト約１０ｇに、トリス（２，
２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン）
イットリウム約３１ｍｇを実施例１と同様に加えた。Ｃ
ｌ2／Ｏ2プラズマ中でのＲＩＥエッチング速度は１．６
７ｎｍ／秒であった。
２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン）
イットリウム約３１ｍｇを実施例１と同様に加えた。Ｃ
ｌ2／Ｏ2プラズマ中でのＲＩＥエッチング速度は１．６
７ｎｍ／秒であった。
【００４６】実施例４ ＺＥＰ７０００Ａレジスト溶液約１０ｇに、１，２−ジ
フェロセニルエタン約２７ｍｇを加えた。この溶液を実
施例１と同様に処理し、ＲＩＥエッチング速度を調べ
た。ＲＩＥエッチング速度は１．８０ｎｍ／秒であるこ
とが分った。
フェロセニルエタン約２７ｍｇを加えた。この溶液を実
施例１と同様に処理し、ＲＩＥエッチング速度を調べ
た。ＲＩＥエッチング速度は１．８０ｎｍ／秒であるこ
とが分った。
【００４７】実施例５ ＺＥＰ７０００Ａレジスト溶液約１０ｇに、トリス
（２，２，６，６−テトラメチル）−３，５−ヘプタン
ジオン酸アルミニウム約４１ｍｇを加え、次いで１８０
℃のＰＡＢを実施した。この溶液を実施例１と同様に使
用し、ＲＩＥエッチング速度を調べた。速度は、添加剤
なしのＺＥＰ薄膜の場合と同一であることが分った。よ
り低い約１１０℃のＰＡＢを実施した薄膜のエッチング
速度は約１．７０ｎｍ／秒とより低い値を示した。
（２，２，６，６−テトラメチル）−３，５−ヘプタン
ジオン酸アルミニウム約４１ｍｇを加え、次いで１８０
℃のＰＡＢを実施した。この溶液を実施例１と同様に使
用し、ＲＩＥエッチング速度を調べた。速度は、添加剤
なしのＺＥＰ薄膜の場合と同一であることが分った。よ
り低い約１１０℃のＰＡＢを実施した薄膜のエッチング
速度は約１．７０ｎｍ／秒とより低い値を示した。
【００４８】実施例６ ＺＥＰ７０００Ａレジスト溶液約１０ｇに、フェロセニ
ルアルデヒド約１００ｍｇを実施例１と同様に加えた。
このレジストでＳｉウェーハをスピン・コートし、形成
された薄膜をエッチング速度測定に使用した。この配合
で調製した薄膜のエッチング速度は１．９５ｎｍ／秒で
あり、純粋なＺＥＰのそれと同じであった。
ルアルデヒド約１００ｍｇを実施例１と同様に加えた。
このレジストでＳｉウェーハをスピン・コートし、形成
された薄膜をエッチング速度測定に使用した。この配合
で調製した薄膜のエッチング速度は１．９５ｎｍ／秒で
あり、純粋なＺＥＰのそれと同じであった。
【００４９】実施例７ フェロセニルアルデヒドを（鉄原子として）２％含むＺ
ＥＰ薄膜を実施例６と同様に形成した。ただしＰＡＢは
１００℃とした。この薄膜の初期ＲＩＥ速度は１．０２
ｎｍ／秒であったが、エッチングが進むにつれてコンス
タントに低下した。
ＥＰ薄膜を実施例６と同様に形成した。ただしＰＡＢは
１００℃とした。この薄膜の初期ＲＩＥ速度は１．０２
ｎｍ／秒であったが、エッチングが進むにつれてコンス
タントに低下した。
【００５０】他の有機金属添加剤を用いて実施例６の結
果を得た。いくつかのフェロセン化合物は、塗布後ベー
ク（ＰＡＢ）段階中に薄膜から昇華し、エッチング時に
薄膜中に鉄原子は見られなかった。これらのフェロセン
化合物は単一のフェロセン基を有することが共通してい
た。これらの化合物の例は、フェロセン、フェロセンメ
タノール、フェロセンカルボン酸、ベンゾイルフェロセ
ン、アセチルフェロセン、ジアセチルフェロセンであ
る。薄膜中に添加金属原子が存在するかどうかを判定す
るのに選択した分析法は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散
乱）法である。フェロセンメタノールを含む２枚のＺＥ
Ｐ薄膜の分析結果の一例を図１に示す。１枚は１８０℃
で加熱処理し、もう１枚は１００℃で処理した。１８０
℃で加熱処理することによって鉄が失われることが明ら
かである。エッチング結果に対するＰＡＢの影響は、実
施例７で最も良く現れた。実施例６（ＰＡＢ１８０℃）
ではエッチング速度に影響を与えなかったフェロセニル
・アルデヒドが、実施例７（ＰＡＢ１００℃）では、エ
ッチング速度に明らかな影響を与えた。しかし、１，２
−ジフェロセニルエタンを使用し、ＰＡＢを１８０℃と
したときには、１，２−ジフェロセニルエタンが薄膜中
に残り、エッチング速度は１．６５ｎｍ／秒となった。
フェロセニルアルデヒドで経験したのと同様の結果が実
施例５のアルミニウムでも得られた。
果を得た。いくつかのフェロセン化合物は、塗布後ベー
ク（ＰＡＢ）段階中に薄膜から昇華し、エッチング時に
薄膜中に鉄原子は見られなかった。これらのフェロセン
化合物は単一のフェロセン基を有することが共通してい
た。これらの化合物の例は、フェロセン、フェロセンメ
タノール、フェロセンカルボン酸、ベンゾイルフェロセ
ン、アセチルフェロセン、ジアセチルフェロセンであ
る。薄膜中に添加金属原子が存在するかどうかを判定す
るのに選択した分析法は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散
乱）法である。フェロセンメタノールを含む２枚のＺＥ
Ｐ薄膜の分析結果の一例を図１に示す。１枚は１８０℃
で加熱処理し、もう１枚は１００℃で処理した。１８０
℃で加熱処理することによって鉄が失われることが明ら
かである。エッチング結果に対するＰＡＢの影響は、実
施例７で最も良く現れた。実施例６（ＰＡＢ１８０℃）
ではエッチング速度に影響を与えなかったフェロセニル
・アルデヒドが、実施例７（ＰＡＢ１００℃）では、エ
ッチング速度に明らかな影響を与えた。しかし、１，２
−ジフェロセニルエタンを使用し、ＰＡＢを１８０℃と
したときには、１，２−ジフェロセニルエタンが薄膜中
に残り、エッチング速度は１．６５ｎｍ／秒となった。
フェロセニルアルデヒドで経験したのと同様の結果が実
施例５のアルミニウムでも得られた。
【００５１】実施例１および２に記載したイットリウム
化合物は、１８０℃のＰＡＢ中でもレジストから昇華し
なかった。このことは、これらの化合物を用いたＲＢＳ
実験から明らかである。実施例１のイットリウム化合物
のＲＢＳスペクトルを図２に示す。実施例１に記載した
ヘキサフルオロアセチルアセトン酸イットリウムを含む
ＺＥＰ７０００Ａの電子ビーム・リソグラフィの結果を
図３に示す。この添加剤を用いたときの解像度は１２５
ナノメートルである。この特定の添加剤を添加すると、
ＰＡＢ（塗布後ベーク）感度がＺＥＰで見られたよりも
高くなることも観察された。ＺＥＰおよび実施例１で述
べたイットリウム添加剤を添加したＺＥＰのＰＡＢ感度
を示すプロットを図４に示す。ＺＥＰポリマーの分子量
がＰＡＢによって変化することも分かった。推奨のとお
りにＺＥＰを単独で１８０℃３分間加熱処理した場合、
ポリマーの分子量は１１８０９８であることが分った。
実施例１のイットリウム添加剤をレジストに添加し、同
じＰＡＢを使用したところ、分子量は６４１４５に低下
した。この結果は、実施例２のイットリウム化合物では
得られなかった。この場合には、１８０℃のＰＡＢの後
も分子量は変化しなかった。実施例２で使用したイット
リウム添加剤、すなわちトリス（２，２，６，６−テト
ラメチル−３，５−ヘプタンジオン酸）イットリウム
は、実施例１で使用したイットリウム化合物とは違い、
ＺＥＰのＰＡＢ感度に不利な影響を与えなかった。実施
例２に記載したとおりに調製したこの化合物を含む薄膜
のＰＡＢ感度のプロットを図５に示す。実施例２のイッ
トリウム添加剤を含むＺＥＰの解像度は１００ナノメー
トルであった。図６に、この添加剤を用いて得られたプ
ロファイルを示す。
化合物は、１８０℃のＰＡＢ中でもレジストから昇華し
なかった。このことは、これらの化合物を用いたＲＢＳ
実験から明らかである。実施例１のイットリウム化合物
のＲＢＳスペクトルを図２に示す。実施例１に記載した
ヘキサフルオロアセチルアセトン酸イットリウムを含む
ＺＥＰ７０００Ａの電子ビーム・リソグラフィの結果を
図３に示す。この添加剤を用いたときの解像度は１２５
ナノメートルである。この特定の添加剤を添加すると、
ＰＡＢ（塗布後ベーク）感度がＺＥＰで見られたよりも
高くなることも観察された。ＺＥＰおよび実施例１で述
べたイットリウム添加剤を添加したＺＥＰのＰＡＢ感度
を示すプロットを図４に示す。ＺＥＰポリマーの分子量
がＰＡＢによって変化することも分かった。推奨のとお
りにＺＥＰを単独で１８０℃３分間加熱処理した場合、
ポリマーの分子量は１１８０９８であることが分った。
実施例１のイットリウム添加剤をレジストに添加し、同
じＰＡＢを使用したところ、分子量は６４１４５に低下
した。この結果は、実施例２のイットリウム化合物では
得られなかった。この場合には、１８０℃のＰＡＢの後
も分子量は変化しなかった。実施例２で使用したイット
リウム添加剤、すなわちトリス（２，２，６，６−テト
ラメチル−３，５−ヘプタンジオン酸）イットリウム
は、実施例１で使用したイットリウム化合物とは違い、
ＺＥＰのＰＡＢ感度に不利な影響を与えなかった。実施
例２に記載したとおりに調製したこの化合物を含む薄膜
のＰＡＢ感度のプロットを図５に示す。実施例２のイッ
トリウム添加剤を含むＺＥＰの解像度は１００ナノメー
トルであった。図６に、この添加剤を用いて得られたプ
ロファイルを示す。
【図１】フェロセンアルデヒドを３重量％含むＺＥＰ薄
膜のラザフォード後方散乱スペクトルを示す図である。
曲線「ａ」は１００℃で３分間加熱処理した薄膜を表
し、曲線「ｂ」は１８０℃で３分間加熱処理した薄膜を
表す。右側の複数のピークは、高温での加熱処理後にフ
ェロセンアルデヒドが存在していないことを示す。
膜のラザフォード後方散乱スペクトルを示す図である。
曲線「ａ」は１００℃で３分間加熱処理した薄膜を表
し、曲線「ｂ」は１８０℃で３分間加熱処理した薄膜を
表す。右側の複数のピークは、高温での加熱処理後にフ
ェロセンアルデヒドが存在していないことを示す。
【図２】異なる２段階の温度で加熱処理したイットリウ
ムを３重量％含むＺＥＰ薄膜のラザフォード後方散乱ス
ペクトルを示す図である。いずれの温度でも薄膜中にイ
ットリウムが保持されていることを示す。
ムを３重量％含むＺＥＰ薄膜のラザフォード後方散乱ス
ペクトルを示す図である。いずれの温度でも薄膜中にイ
ットリウムが保持されていることを示す。
【図３】本明細書の実施例１に基づくＺＥＰ薄膜のリソ
グラフィ結果を示す顕微鏡写真から書きおこした図であ
る。
グラフィ結果を示す顕微鏡写真から書きおこした図であ
る。
【図４】ヘキサフルオロアセチルアセトン酸イットリウ
ムを含むＺＥＰ薄膜のＰＡＢ感度を、ＺＥＰ単独のＰＡ
Ｂ感度との比較で示す図である。
ムを含むＺＥＰ薄膜のＰＡＢ感度を、ＺＥＰ単独のＰＡ
Ｂ感度との比較で示す図である。
【図５】トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン酸）イットリウムを含む実施例２に
基づくＺＥＰ薄膜のＰＡＢ感度を示す図である。
５−ヘプタンジオン酸）イットリウムを含む実施例２に
基づくＺＥＰ薄膜のＰＡＢ感度を示す図である。
【図６】トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン酸）イットリウムを含む実施例２に
基づくＺＥＰ薄膜のリソグラフィ結果を示す顕微鏡写真
から書きおこした図である。
５−ヘプタンジオン酸）イットリウムを含む実施例２に
基づくＺＥＰ薄膜のリソグラフィ結果を示す顕微鏡写真
から書きおこした図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 マリー・アンゲロプロス アメリカ合衆国10566 ニューヨーク州コ ートランド・マナー イーストヒル・ロー ド 30 (72)発明者 アリ・アヴィラム アメリカ合衆国10520 ニューヨーク州ク ロトン・オン・ハドソン ブランブルブッ シュ・ロード 444 (72)発明者 エドワード・ディー・バービチ アメリカ合衆国10514 ニューヨーク州チ ャパクワ マッケソン・ヒル・ロード 23 (72)発明者 ティモシー・アラン・ブランナー アメリカ合衆国06877 コネチカット州リ ッジフィールド ウェストモーランド・ロ ード 27 (72)発明者 トマス・ベンジャミン・フォーレ アメリカ合衆国05468 バーモント州ジョ ージア ギバリー・ロード 52 (72)発明者 シー・リチャード・グアルニエリ アメリカ合衆国10589 ニューヨーク州ソ マーズ アナロック・ドライブ 11 (72)発明者 ラニー・ダブリュー・クウオン アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州ワ ッピンガーズ・フォールズ マイナ・ドラ イブ 31 (72)発明者 カレン・イー・ペトリーリョ アメリカ合衆国10541 ニューヨーク州マ ホパック ロングビュー・ドライブ 23
Claims (18)
- 【請求項１】放射感応性ポリマーと、イットリウム、ア
ルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニウムお
よびこれらの混合物から成る群から選択された金属の有
機金属化合物とを含み、反応性イオン・エッチングに対
する耐性が改善されたレジスト組成物。 - 【請求項２】前記金属が、イットリウム、チタン、ジル
コニウム、ハフニウム、およびそれらの混合物から成る
群から選択される、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】前記有機金属化合物の量が、前記放射感応
性ポリマーの重量に対して約０．１〜約２５重量％であ
る、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項４】前記有機金属化合物が、ヘキサフルオロア
セチルアセトン酸イットリウム、トリス（２，２，６，
６−ヘキサメチル）−３，５−ヘプタンジオン酸イット
リウム、ジフェニルアセチルアセトン酸イットリウム、
１，２−ジフェロセニルエタン、トリス（２，２，６，
６−テトラメチル）−３，５−ヘプタンジオン酸アルミ
ニウム、乳酸アルミニウム、アルミニウム−８−ヒドロ
キシキノリン、ビス（ｔ−ブチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジクロライド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）チタンベンスタルフィド、トリフルオロアセチルア
セトン酸ジルコニウム（ＩＶ）、テトラ（１，５−ジフ
ェニルペンタン−２，４−ジオン）ジルコニウム、テト
ラ（２，２，６，６−テトラメチル）−３，５−ヘプタ
ンジオン酸ジルコニウム、アセチルアセトン酸ジルコニ
ウム、およびビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ハフニウムジクロライドからなる群から選択され
る、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項５】シリカ、ケイ素、滑石、雲母、金属、それ
らの酸化物、およびそれらの化合物から成るグループか
ら選択された少なくとも１つの成分をさらに含む、請求
項１に記載の組成物。 - 【請求項６】均一溶液である、請求項１に記載の組成
物。 - 【請求項７】放射感応性レジストのパターンを形成する
方法において、 ａ）放射感応性レジスト・ポリマーと、イットリウム、
アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニウム
およびこれらの混合物から成る群から選択された金属の
有機金属化合物とを含む放射感応性レジスト組成物の層
を基板上に形成する段階と、 ｂ）前記レジスト組成物層をイメージ通りに照射に露光
する段階と、 ｃ）前記レジストを現像し、これによって前記パターン
を形成する段階とを含む方法。 - 【請求項８】前記レジスト・ポリマーが電子ビーム・レ
ジスト・ポリマーであり、前記照射が電子ビーム照射で
ある、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】基板上にパターンを形成する方法におい
て、 ａ）パターン形成する層を基板上に形成する段階と、 ｂ）放射感応性レジスト・ポリマーと、イットリウム、
アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニウム
およびこれらの混合物から成る群から選択された少なく
とも１種の金属の少なくとも１種の有機金属化合物とを
含む放射感応性レジスト組成物の層をパターン形成する
前記層の上に形成する段階と、 ｃ）前記放射感応性レジスト組成物層をイメージ通りに
照射に露光する段階と、 ｄ）前記レジストを現像し、所望のパターンを形成する
段階と、 ｅ）パターン形成する前記層に前記レジストをマスクと
して反応性イオン・エッチングを施し、これによって前
記基板上に前記所望のパターンを形成する段階を含む方
法。 - 【請求項１０】前記反応性イオン・エッチングが、Ｃｌ
2／Ｏ2プラズマ、Ｃｌ2プラズマ、Ｏ2プラズマおよびフ
ルオロカーボン・プラズマから成る群から選択された少
なくとも１つの成分を使用したプラズマを含む、請求項
９に記載の方法。 - 【請求項１１】前記レジスト・ポリマーが電子ビーム・
レジスト・ポリマーであり、前記照射が電子ビーム照射
である、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１２】前記基板が水晶板を含み、パターン形成
する前記層が金属クロム含む、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１３】パターン形成された層をその上に有する
基板を含む構造であって、パターン形成された前記層
が、放射感応性レジスト・ポリマーと、イットリウム、
アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ハフニウム
およびこれらの混合物から成る群から選択された金属の
有機金属化合物とを含む構造。 - 【請求項１４】前記基板上の前記基板とパターン形成さ
れた前記放射感応性レジスト・ポリマー層の間に位置す
るパターン形成された第２の層をさらに含む、請求項１
３に記載の構造。 - 【請求項１５】前記放射感応性レジスト・ポリマーが電
子ビーム・レジスト・ポリマーである、請求項１３また
は１４に記載の構造。 - 【請求項１６】前記基板が水晶板を含み、パターン形成
された前記第２の層が金属クロムを含む、請求項１５に
記載の構造。 - 【請求項１７】α−クロロアクリル酸エステルのポリマ
ーと少なくとも１種の有機金属化合物とを含む組成物。 - 【請求項１８】前記α−クロロアクリル酸エステルのポ
リマーが、α−クロロアクリル酸エステルとメチルスチ
レンの共重合体である、請求項１７に記載の組成物。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009519594A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射リソグラフィーマスクの製造方法および前記方法により得られるマスク |
| KR20140079292A (ko) | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 네거티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US9023586B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process using same |
| WO2023181950A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6425244B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-07-30 | Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. | Pump unit |
| US20070155949A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Thermally stable composite material |
| US20070154717A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Thermally stable composite material |
| US20070152195A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Electrostatic dissipative composite material |
| US20070154716A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Composite material |
| US7476339B2 (en) * | 2006-08-18 | 2009-01-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Highly filled thermoplastic composites |
| US7892705B2 (en) * | 2007-10-02 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | Photomask and method of making thereof |
| US8001495B2 (en) | 2008-04-17 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | System and method of predicting problematic areas for lithography in a circuit design |
| US9411237B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
| GB201405335D0 (en) | 2014-03-25 | 2014-05-07 | Univ Manchester | Resist composition |
| GB201413924D0 (en) | 2014-08-06 | 2014-09-17 | Univ Manchester | Electron beam resist composition |
| GB201517273D0 (en) * | 2015-09-30 | 2015-11-11 | Univ Manchester | Resist composition |
| US9793132B1 (en) | 2016-05-13 | 2017-10-17 | Applied Materials, Inc. | Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3317319A (en) | 1963-06-04 | 1967-05-02 | Rca Corp | Method of depositing particulate layers |
| US3236413A (en) | 1963-11-21 | 1966-02-22 | Olin Mathieson | Folded blank article carrier |
| DE1227891B (de) | 1965-03-12 | 1966-11-03 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Phenyl-mercaptomethan-sulfonamid |
| US3535137A (en) | 1967-01-13 | 1970-10-20 | Ibm | Method of fabricating etch resistant masks |
| US3790380A (en) | 1969-05-28 | 1974-02-05 | Hughes Aircraft Co | Image recording medium and process |
| JPS4917741B1 (ja) | 1970-12-30 | 1974-05-02 | ||
| US3885076A (en) | 1973-05-09 | 1975-05-20 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam generated patterns of metal-containing polymers |
| US4027052A (en) | 1973-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of iron oxide pattern |
| US3988152A (en) | 1973-06-11 | 1976-10-26 | American Can Company | Epoxy resin photoresist with iodoform and bismuth triphenyl |
| US3977874A (en) | 1973-06-11 | 1976-08-31 | American Can Company | Epoxy resin photoresist with iodoform and bismuth triphenyl |
| US4078098A (en) | 1974-05-28 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | High energy radiation exposed positive resist mask process |
| US3931435A (en) | 1974-12-20 | 1976-01-06 | International Business Machines Corporation | Electron beam positive resists containing acetate polymers |
| US3935332A (en) | 1975-01-09 | 1976-01-27 | Rca Corporation | Development of poly(1-methyl-1-cyclopentene-SO2) electron beam resist |
| US4011351A (en) | 1975-01-29 | 1977-03-08 | International Business Machines Corporation | Preparation of resist image with methacrylate polymers |
| GB1577258A (en) | 1976-07-30 | 1980-10-22 | Kansai Paint Co Ltd | Planographic printing |
| US4096290A (en) | 1976-10-04 | 1978-06-20 | International Business Machines Corporation | Resist mask formation process with haloalkyl methacrylate copolymers |
| US4156745A (en) | 1978-04-03 | 1979-05-29 | International Business Machines Corporation | Electron sensitive resist and a method preparing the same |
| US4289845A (en) | 1978-05-22 | 1981-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Fabrication based on radiation sensitive resists and related products |
| JPS5518638A (en) | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| US4312935A (en) | 1979-08-09 | 1982-01-26 | International Business Machines Corporation | Class of E-beam resists based on conducting organic charge transfer salts |
| JPS57138650A (en) | 1981-02-23 | 1982-08-27 | Mita Ind Co Ltd | Dry type developer for electrostaitc image and its manufacture |
| CA1164261A (en) | 1981-04-21 | 1984-03-27 | Tsukasa Tada | PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS |
| US4465767A (en) | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| US4520088A (en) * | 1982-01-14 | 1985-05-28 | Mitsubishi Paper Mills, Ltd. | Method for making printing plates |
| US4414313A (en) | 1982-03-29 | 1983-11-08 | Honeywell Inc. | Sensitive positive electron beam resists |
| JPS59152A (ja) | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性樹脂組成物 |
| JPS6270838A (ja) | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 電子線レジスト |
| US4837125A (en) | 1986-03-25 | 1989-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Electron-beam-sensitive resist material for microstructures in electronics |
| US4764247A (en) | 1987-03-18 | 1988-08-16 | Syn Labs, Inc. | Silicon containing resists |
| US4935094A (en) | 1989-05-26 | 1990-06-19 | At&T Bell Laboratories | Negative resist with oxygen plasma resistance |
| EP0413087A1 (en) * | 1989-07-20 | 1991-02-20 | International Business Machines Corporation | Photosensitive composition and use thereof |
| US5409801A (en) | 1993-01-28 | 1995-04-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electron beam lithography |
| KR100382253B1 (ko) | 1994-05-25 | 2003-08-21 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 건식현상가능한포지티브레지스트 |
| JP3441246B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2003-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 光重合性組成物 |
| KR100294715B1 (ko) * | 1995-09-14 | 2001-09-17 | 포만 제프리 엘 | 경화된 감광성 폴리시아누레이트 레지스트,그로부터 제조된 구조체 및 그의 제조방법 |
| JP4050370B2 (ja) * | 1998-01-07 | 2008-02-20 | 株式会社Ｋｒｉ | 無機質含有感光性樹脂組成物および無機パターン形成方法 |
| JPH11246638A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-14 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 感光性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン |
| US6171757B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Organometallic polymers and use thereof |
-
1999
- 1999-07-12 US US09/350,939 patent/US6436605B1/en not_active Expired - Fee Related
-
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009519594A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射リソグラフィーマスクの製造方法および前記方法により得られるマスク |
| KR20140079292A (ko) | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 네거티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US9017923B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-04-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Negative resist composition and patterning process using the same |
| US9023586B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process using same |
| WO2023181950A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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