JP2001318472A - 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストの良好なパターン形状を得るための
現像方法、パターン形成方法（とくにゴースト法を用い
たパターン形成方法）、フォトマスクの製造方法および
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 α−メチルスチレン系化合物とα−クロ
ロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂
として含むポジ型放射線レジストを現像する際、炭素数
３〜８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭
素数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８の
ジカルボン酸エステルからなる群から選択された１種類
の有機溶剤のみからなる現像液を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポジ型放射線レジ
ストの現像方法、ポジ型放射線レジストを用いたパター
ン形成方法（とくにゴースト法によるパターン形成方
法）、および、ポジ型放射線レジストを用いてパターン
を形成するフォトマスクの製造方法、およびポジ型放射
線レジストを用いてパターンを形成する半導体装置の製
造方法に関し、詳しくは超ＬＳＩなどの半導体デバイス
の微細パターンを形成するために、または、超ＬＳＩな
どの半導体デバイスの微細パターンを形成する際に使用
されるマスク上のパターンを形成するために、たとえ
ば、放射線感光性レジストなどのパターン形成のための
レジスト材料にパターンを形成するために使用される現
像方法、パターン形成方法、フォトマスクの製造方法お
よび半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の高集積化が求められる中、微細
加工技術の開発が進められている。微細パターンの形成
を実現するためには、紫外光、Ｘ線あるいは電子線（Ｅ
Ｂ）などによる露光方法が提案されている。微細なパタ
ーンを形成するためには、高精度のマスクが必要であ
り、マスクのパターン形成にはＥＢレジストが用いられ
ている。マスク用ポジ型ＥＢレジストとして、α−メチ
ルスチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系
化合物の共重合体をベース樹脂としたレジストが広く用
いられている。

【０００３】そのレジストの現像には、有機溶剤とし
て、主に、ジエチルケトンとマロン酸ジエチルの混合溶
剤（商品名：ＺＥＤ−５００、日本ゼオン（株）製）が
用いられている。この現像液は、２種類の有機溶剤の混
合物であり、各有機溶剤の現像中の蒸発量に差があるた
め、現像の進行に差が生じてしまい、面内均一性の点で
不利であった。また、低露光量域でのレジストに対する
溶解性が高いため、未露光部の膜減りが大きく、高コン
トラストのパターン形状が得られ難い場合があるという
問題点があった。ここでいうコントラストとは、露光量
に対する残膜率であり、コントラストが高いものほど残
膜率が高くなり、レジストパターン形成が良好に行なえ
るのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、α−メチル
スチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化
合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レ
ジストを用いて、基板面内に均一に、良好なレジストパ
ターン形状を得ることができる現像方法、パターン形成
方法、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな問題点を解決すべく、鋭意研究の結果、α−メチル
スチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化
合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レ
ジストの現像に、特定の１種類の有機溶剤のみからなる
現像液を用いることによって、高コントラストのレジス
トパターンが得られることを見出し、本発明を完成する
にいたった。

【０００６】すなわち、本発明は、α−メチルスチレン
系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の共
重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストの
現像に、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有する
ことのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび
炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群から選
択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いる
ことを特徴とする現像方法（請求項１）、現像液が、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２
−ペンタノンおよびエチル−３−エトキシプロピオネー
トからなる群から選択された１種類の有機溶剤のみから
なる請求項１記載の現像方法（請求項２）、α−メチル
スチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化
合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レ
ジストを用いたパターン形成方法であって、炭素数３〜
８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカ
ルボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有
機溶剤のみからなる現像液を用いることを特徴とするパ
ターン形成方法（請求項３）、現像液が、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、２−ペンタノ
ンおよびエチル−３−エトキシプロピオネートからなる
群から選択された１種類の有機溶剤のみからなる請求項
３記載のパターン形成方法（請求項４）、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いたゴースト法によるパターン形成方法であっ
て、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有すること
のできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素
数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群から選択さ
れた１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いること
を特徴とするパターン形成方法（請求項５）、現像液
が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、２−ペンタノンおよびエチル−３−エトキシプロピ
オネートからなる群から選択された１種類の有機溶剤の
みからなる請求項５記載のパターン形成方法（請求項
６）、α−メチルスチレン系化合物とα−クロロアクリ
ル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂として含
むポジ型放射線レジストを用いてパターンを形成するフ
ォトマスクの製造方法であって、炭素数３〜８のケト
ン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８の
カルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸
エステルからなる群から選択された１種類の有機溶剤の
みからなる現像液を用いることを特徴とするフォトマス
クの製造方法（請求項７）、現像液が、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、２−ペンタノン
およびエチル−３−エトキシプロピオネートからなる群
から選択された１種類の有機溶剤のみからなる請求項７
記載のフォトマスクの製造方法（請求項８）、半導体基
板上にレジスト膜を設ける工程と、レジストをパターン
露光する工程と、露光後レジストを現像処理する工程と
によってパターンを形成する半導体装置の製造方法であ
って、レジストが、α−メチルスチレン系化合物とα−
クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース
樹脂として含むポジ型放射線レジストであり、現像液
が、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有すること
のできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素
数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群から選択さ
れた１種類の有機溶剤のみからなることを特徴とする半
導体装置の製造方法（請求項９）、ならびに現像液が、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
２−ペンタノンおよびエチル−３−エトキシプロピオネ
ートからなる群から選択された１種類の有機溶剤のみか
らなる請求項９記載の半導体装置の製造方法（請求項１
０）に関する。

【０００７】

【発明の実施の形態】実施の形態１（現像方法） 本発明の第１の形態（実施の形態１）は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストの現像方法にかかわる。

【０００８】実施の形態１の現像方法では、炭素数３〜
８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカ
ルボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有
機溶剤のみからなる現像液を用いる。

【０００９】前記範囲より炭素数が多い有機溶剤では、
感度は向上するが、レジストに対する溶解性が高すぎて
未露光部の溶解速度が高くなり、コントラストが低下す
る傾向がある。前記範囲より炭素数が少ない有機溶剤で
は、レジストに対する溶解性が低すぎて感度が低下し
て、また、現像されにくいため、現像時間に長時間を要
する傾向がある。

【００１０】炭素数３〜８のケトンとしては、炭素数４
〜６のケトンが好ましく、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタ
ノン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン
（ＭＩＢＫ）、２−ヘプタノン、ジエチルケトン、３−
ヘキサノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロ
ヘキサノンなどを用いることができる。

【００１１】アルコキシ基を有することができる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルとしては、アルコキシ基を
有しない炭素数３〜６のカルボン酸エステルまたはアル
コキシ基を有する炭素数５〜７のカルボン酸エステルが
好ましく、たとえば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）、メチル−３−メトキシプロピオネート
（ＭＭＰ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテートなどを用いることができる。

【００１２】炭素数３〜８のジカルボン酸エステルとし
ては、炭素数４〜８のジカルボン酸エステルが好まし
く、たとえば、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジメチル、
マロン酸ジエチル、コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチ
ルなどを用いることができる。

【００１３】量産を考慮した場合、溶解特性、感度、溶
剤の価格などの点より、ＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンお
よびＥＥＰからなる群から選択された１種類の有機溶剤
のみからなる現像液を用いることが有効である。

【００１４】α−メチルスチレン系化合物とα−クロロ
アクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂と
して含むポジ型放射線レジストとしては、ＰＭＭＡのよ
うな反応系のポジ型放射線レジストを用いることができ
る。すなわち、放射線照射（露光）によってベース樹脂
のポリマー鎖が切断されて分子量が変化することによっ
て現像液に対する溶解性が向上する反応系であり、露光
部分と未露光部分での溶解性の差がパターンのコントラ
ストとなり、パターンが形成されるポジ型放射線レジス
トを用いることができる。

【００１５】一般に、ポジ型放射線レジストは、ベース
樹脂の外に、たとえば、界面活性剤などを含むことがで
きる。

【００１６】現像液には、たとえば、界面活性剤やその
他の成分を少量であれば、添加することができる。この
添加により、現像性が向上する効果がある。

【００１７】ポジ型放射線レジストのベース樹脂として
は、たとえば重量平均分子量が１００００〜１００００
００、好ましくは５００００〜４０００００、より好ま
しくは３０００００〜３４００００のα−メチルスチレ
ン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の
共重合体を用いることができる。分子量が小さいベース
樹脂では、現像液に対する溶解性が高く、パターンのコ
ントラストが低下する場合がある。ここでいう、重量平
均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ
ィーによるポリスチレン換算値のことである。カラム溶
媒としては、テトラヒドロフランを用いる。

【００１８】α−メチルスチレン系化合物とα−クロロ
アクリル酸エステル系化合物の共重合体では、たとえ
ば、α−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチル
を用いることが、良好なパターン形状が得られる点、ま
た、高解像性という点で好ましい。

【００１９】実施の形態１の現像方法は、たとえば基板
に塗布して乾燥したのちに放射線照射（露光）したポジ
型放射線レジストの現像に用いることができる。現像方
法としては、レジストを塗布した基板を現像液に一定時
間浸漬したのち、リンス液で洗浄（リンス）して乾燥す
る浸漬現像、基板上のレジスト膜の表面に現像液を表面
張力によって盛り上げて一定時間静止したのち、リンス
して乾燥するパドル現像、基板上のレジスト膜の表面に
現像液をスプレーしたのち、リンスして乾燥するスプレ
ー現像などを適用することができる。

【００２０】ポジ型放射線レジストの放射線照射（露
光）には、紫外線照射装置（アライナー、ステッパーま
たはエキシマレーザを光源とする露光装置）、電子線描
画装置、Ｘ線露光装置を用いることができる。

【００２１】現像は、たとえば、１０℃〜３０℃、好ま
しくは１３℃〜２８℃で実施することができる。リンス
液としては、現像を停止させることができ、現像液を洗
い流すことができる液体を用いることができる。リンス
液としては、たとえば、メチルイソブチルケトン（以
後、ＭＩＢＫ）やイソプロピルアルコール（以後、ＩＰ
Ａ）などまたはそれらの混合液を用いることもできる。

【００２２】α−メチルスチレン系化合物とα−クロロ
アクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂と
して含むポジ型放射線レジストの現像に、炭素数３〜８
のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３
〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカル
ボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有機
溶剤のみからなる現像液を用いると、露光量の変化に対
するレジストの溶解性（溶解速度）の変化が大きく、露
光部と未露光部の溶解性のコントラストが高いので、ま
た、未露光部および低露光量領域での溶解性が低く、未
露光部および低露光量領域での現像中の膜べりが小さい
ので、良好な形状のパターンを得ることができる。

【００２３】実施の形態２（パターン形成方法Ａ） 本発明の第２の形態（実施の形態２）は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いたパターン形成方法にかかわる。実施の形態
２のパターン形成方法では、炭素数３〜８のケトン、ア
ルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８のカルボ
ン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸エステ
ルからなる群から選択された１種類の有機溶剤のみから
なる現像液を用いる。

【００２４】炭素数３〜８のケトンとしては、炭素数４
〜６のケトンが好ましく、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタ
ノン、２−ヘキサノン、ＭＩＢＫ、２−ヘプタノン、ジ
エチルケトン、３−ヘキサノン、３−ヘプタノン、４−
ヘプタノン、シクロヘキサノンなどを用いることができ
る。

【００２５】アルコキシ基を有することができる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルとしては、アルコキシ基を
有しない炭素数３〜６のカルボン酸エステルまたはアル
コキシ基を有する炭素数５〜７のカルボン酸エステルが
好ましく、たとえば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、
ＰＧＭＥＡ、ＭＭＰ、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテートなどを用いることができる。

【００２６】炭素数３〜８のジカルボン酸エステルとし
ては、炭素数４〜８のジカルボン酸エステルが好まし
く、たとえば、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジメチル、
マロン酸ジエチル、コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチ
ルなどを用いることができる。

【００２７】量産を考慮した場合、溶解特性、感度、溶
剤の価格などの点より、ＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンお
よびＥＥＰからなる群から選択された１種類の有機溶剤
のみからなる現像液を用いることが有効である。

【００２８】現像液には、たとえば、界面活性剤やその
他の成分を少量であれば、添加することができる。この
添加により、現像性が向上する効果がある。

【００２９】すなわち、実施の形態２は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いたパターン形成方法において、レジストの現
像に実施の形態１の現像方法を用いるものであり、炭素
数３〜８のケトン、アルコキシ基を有することのできる
炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８
のジカルボン酸エステルからなる群から選択された１種
類の有機溶剤のみからなる現像液、好ましくはＰＧＭＥ
Ａ、２−ペンタノンおよびＥＥＰからなる群から選択さ
れた１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いること
を特徴とするパターン形成方法である。

【００３０】ポジ型放射線レジストおよび現像方法とし
ては、実施の形態１と同様のポジ型放射線レジストを用
いることができる。

【００３１】実施の形態２は、α−メチルスチレン系化
合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合
体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストを用い
たパターン形成方法であり、露光したポジ型放射線レジ
ストの現像に、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を
有することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステル
および炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群
から選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液を
用いることによって、良好なパターンを得ることができ
る。

【００３２】炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有
することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルお
よび炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群か
ら選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液は、
露光量の変化に対するレジストの溶解性（溶解速度）の
変化が大きいので、露光部と未露光部の溶解性のコント
ラストが高くなり、良好な形状のパターンを得ることが
できる。また、とくに、未露光部および低露光量領域の
レジストの溶解性が低いので、未露光部および低露光量
領域での現像中の膜べりが小さくなり、同様に良好な形
状のパターンを得ることができる。

【００３３】パターン形成方法Ａによれば、たとえば、
基板にレジストを塗布したのち、プリベークを行なって
レジスト中の溶媒を揮発させてレジスト膜を形成し、つ
ぎに露光を行ない、さらに基板を現像してパターニング
を行なったのち、リンスを行ない、乾燥してパターンを
得るような方法よって、微細パターンを得ることができ
る。

【００３４】実施の形態３（パターン形成方法Ｂ） 本発明の第３の形態（実施の形態３）は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いたゴースト法によるパターン形成方法にかか
わる。実施の形態３のパターン形成方法では、炭素数３
〜８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素
数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジ
カルボン酸エステルからなる群から選択された１種類の
有機溶剤のみからなる現像液を用いる。

【００３５】炭素数３〜８のケトンとしては、炭素数４
〜６のケトンが好ましく、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタ
ノン、２−ヘキサノン、ＭＩＢＫ、２−ヘプタノン、ジ
エチルケトン、３−ヘキサノン、３−ヘプタノン、４−
ヘプタノン、シクロヘキサノンなどを用いることができ
る。

【００３６】アルコキシ基を有することのできる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルとしては、アルコキシ基を
有しない炭素数３〜６のカルボン酸エステルまたはアル
コキシ基を有する炭素数５〜７のカルボン酸エステルが
好ましく、たとえば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、
ＰＧＭＥＡ、ＭＭＰ、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテートなどを用いることができる。

【００３７】炭素数３〜８のジカルボン酸エステルとし
ては、炭素数４〜８のジカルボン酸エステルが好まし
く、たとえば、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジメチル、
マロン酸ジエチル、コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチ
ルなどを用いることができる。

【００３８】量産を考慮した場合、溶解特性、感度、溶
剤の価格などの点より、ＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンお
よびＥＥＰからなる群から選択された１種類の有機溶剤
のみからなる現像液を用いることが有効である。

【００３９】現像液には、たとえば、界面活性剤やその
他の成分を少量であれば、添加することができる。この
添加により、現像性が向上する効果がある。

【００４０】すなわち、実施の形態３は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いたゴースト法によるパターン形成方法にい
て、レジストの現像に実施の形態１の現像方法を用いる
ものであり、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有
することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルお
よび炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群か
ら選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液、好
ましくはＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンおよびＥＥＰから
なる群から選択された１種類の有機溶剤のみからなる現
像液を用いることを特徴とするパターン形成方法であ
る。

【００４１】ポジ型放射線レジストおよび現像方法とし
ては、実施の形態１と同様のポジ型放射線レジストを用
いることができる。

【００４２】ゴースト法とは、本来放射線照射（露光）
すべきパターン（正パターン）の反転パターンを、後方
散乱径程度にぼかしたビームで弱く露光することによ
り、後方散乱分布によって発生する近接効果を補正しよ
うとする方法である（近接補正法「ＬＳＩリソグラフィ
ー技術の革新」１９９４年１１月１０日（株）サイエン
スフォーラム発行ｐ２０８）。ゴースト法には、本来露
光すべきでない部分に露光部の３０〜５０％の強度で露
光を行なうために、露光部と未露光部の蓄積エネルギー
量のコントラストが非常に低下し、レジストパターンの
断面形状の悪化や、プロセス裕度の低下が懸念されると
いう問題点があった。

【００４３】実施の形態３は、α−メチルスチレン系化
合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合
体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストを用い
たゴースト法によるパターン形成方法であり、露光した
ポジ型放射線レジストの現像に、炭素数３〜８のケト
ン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８の
カルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸
エステルからなる群から選択された１種類の有機溶剤の
みからなる現像液を用いることによって、良好なパター
ンを得ることができる。

【００４４】炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有
することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルお
よび炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群か
ら選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液が、
露光量の変化に対するレジストの溶解性（溶解速度）の
変化が大きいので、露光部と未露光部の溶解性のコント
ラストが高くなり、良好な形状のパターンを得ることが
できる。また、とくに、未露光部および低露光量領域の
レジストの溶解性が低いので、未露光部および低露光量
領域での現像中の膜べりが小さくなり、同様に良好な形
状のパターンを得ることができる。すなわち、ゴースト
法のように未露光部において、露光部の３０〜５０％の
かぶりの露光量が照射されている場合にも、レジストの
溶解性のコントラストが高いので、パターンの断面形状
の悪化や、プロセス裕度の低下を防ぐことができる。

【００４５】パターン形成方法Ｂによれば、たとえば、
基板にレジストを塗布したのち、プリベークを行なって
レジスト中の溶媒を揮発させてレジスト膜を形成し、つ
ぎに露光を行ない、さらに基板を現像してパターニング
を行なったのち、リンスを行ない、乾燥してパターンを
得るような方法によって、微細パターンを得ることがで
きる。

【００４６】実施の形態４（フォトマスクの製造方法） 本発明の第４の形態（実施の形態４）は、α−メチルス
チレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合
物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジ
ストを用いてパターン形成するフォトマスクの製造方法
にかかわる。実施の形態４のフォトマスクの製造方法
は、α−メチルスチレン系化合物とα−クロロアクリル
酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂として含む
ポジ型放射線レジストを用いてパターン形成するフォト
マスクの製造方法において、パターンの形成に実施の形
態１の現像方法を用いるもの、すなわち、実施の形態２
または実施の形態３のパターン形成方法を用いるもので
あって、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有する
ことのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび
炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群から選
択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いる
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法である。

【００４７】炭素数３〜８のケトンとしては、炭素数４
〜６のケトンが好ましく、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタ
ノン、２−ヘキサノン、ＭＩＢＫ、２−ヘプタノン、ジ
エチルケトン、３−ヘキサノン、３−ヘプタノン、４−
ヘプタノン、シクロヘキサノンなどを用いることができ
る。

【００４８】アルコキシ基を有することができる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルとしては、アルコキシ基を
有しない炭素数３〜６のカルボン酸エステルまたはアル
コキシ基を有する炭素数５〜７のカルボン酸エステルが
好ましく、たとえば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、
ＰＧＭＥＡ、ＭＭＰ、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテートなどを用いることができる。

【００４９】炭素数３〜８のジカルボン酸エステルとし
ては、炭素数４〜８のジカルボン酸エステルが好まし
く、たとえば、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジメチル、
マロン酸ジエチル、コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチ
ルなどを用いることができる。

【００５０】量産を考慮した場合、溶解特性、感度、溶
剤の価格などの点より、ＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンお
よびＥＥＰからなる群から選択された１種類の有機溶剤
のみからなる現像液を用いることが有効である。

【００５１】現像液には、たとえば、界面活性剤やその
他の成分を少量であれば、添加することができる。この
添加により、現像性が向上する効果がある。

【００５２】ポジ型放射線レジストの現像方法およびパ
ターン形成方法としては、実施の形態１、実施の形態２
および実施の形態３と同様のポジ型放射線レジストを用
いることができる。

【００５３】一般に、フォトマスクの製造工程では、フ
ォトマスク用のブランクス（レジスト付き石英基板）に
電子線で描画したのち、現像を行なう。現像方法として
は、レジストが塗布された基板を現像液に一定時間浸漬
したのち、リンスして乾燥する浸漬現像、基板上に塗布
されたレジストの表面に現像液を表面張力によって盛り
上げて一定時間静止したのち、リンスして乾燥するパド
ル現像、レジスト表面に現像液をスプレーしたのち、リ
ンスして乾燥するスプレー現像などを適用することがで
きる。

【００５４】ポジ型放射線レジストのベース樹脂として
は、たとえば、重量平均分子量が１００００〜１０００
０００、好ましくは５００００〜４０００００、より好
ましくは３０００００〜３４００００のα−メチルスチ
レン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物
の共重合体を使用することが望ましく、現像方法による
面内均一性、パターン形状の向上に効果がある。ここで
いう、重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・ク
ロマトグラフィによるポリスチレン換算値のことであ
る。カラム溶媒としては、テトラヒドロフランを用い
る。

【００５５】パターンを形成したのち、レジストをマス
クとして、下地（通常Ｃｒ）を塩素、酸素系のガスを用
いてドライエッチングを行ない、マスクパターンを形成
する。そののち、下地上のレジストの剥離および洗浄を
行なってフォトマスクを得ることができる。

【００５６】実施の形態５（半導体装置の製造方法） 本発明の第５の形態（実施の形態５）は、半導体基板上
にレジスト膜を設ける工程と、レジストをパターン露光
する工程と、露光後レジストを現像処理する工程を施す
半導体装置の製造方法にかかわる。実施の形態５の半導
体装置の製造方法は、レジストを現像する工程に実施の
形態１の現像方法を用いるものであって、炭素数３〜８
のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３
〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカル
ボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有機
溶剤のみからなる現像液を用いる。

【００５７】炭素数３〜８のケトンとしては、炭素数４
〜６のケトンが好ましく、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタ
ノン、２−ヘキサノン、ＭＩＢＫ、２−ヘプタノン、ジ
エチルケトン、３−ヘキサノン、３−ヘプタノン、４−
ヘプタノン、シクロヘキサノンなどを用いることができ
る。

【００５８】アルコキシ基を有することのできる炭素数
３〜８のカルボン酸エステルとしては、アルコキシ基を
有しない炭素数３〜６のカルボン酸エステルまたはアル
コキシ基を有する炭素数５〜７のカルボン酸エステルが
好ましく、たとえば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、
ＰＧＭＥＡ、ＭＭＰ、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテートなどを用いることができる。

【００５９】炭素数３〜８のジカルボン酸エステルとし
ては、炭素数４〜８のジカルボン酸エステルが好まし
く、たとえば、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジメチル、
マロン酸ジエチル、コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチ
ルなどを用いることができる。

【００６０】量産を考慮した場合、溶解特性、感度、溶
剤の価格などの点より、ＰＧＭＥＡ、２−ペンタノンお
よびＥＥＰからなる群から選択された１種類の有機溶剤
のみからなる現像液を用いることが有効である。

【００６１】現像液には、たとえば、界面活性剤やその
他の成分を少量であれば、添加することができる。

【００６２】１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用
いるので、面内の現像液の蒸発が均一であり、現像が均
一に進行し、パターン寸法の面内均一性が向上する。そ
のため、半導体装置を製造する際、半導体基板上でのエ
ッチング工程での面内均一性にもつながる。

【００６３】ポジ型放射線レジスト、現像方法、パター
ン形成方法としては、実施の形態１、実施の形態２およ
び実施の形態３と同様のポジ型放射線レジストを用いる
ことができる。

【００６４】一般に、半導体装置の製造工程では、半導
体基板上にレジストを塗布したのち、プリベークを行な
ってレジスト中の溶媒を揮発させてレジスト膜を形成
し、つぎに短波長レーザ、電子線またはＸ線などでパタ
ーン露光したのち、露光後のレジスト膜を現像してパタ
ーニングを行なったのち、リンスを行ない、乾燥してパ
ターンを得る。得られたレジストパターンをマスクとし
てエッチングを行なうことにより、微細加工が可能とな
る。

【００６５】半導体基板上のパターン露光の際、電子線
露光では、マスクを介しない露光方法が用いられるが、
フォトマスクを用いた短波長レーザーでの露光、あるい
は、その他のマスク、たとえば、Ｘ線マスクを用いたＸ
線露光、電子線用マスクのようなものを用いた電子線描
画も用いることができる。また、フォトマスクについて
は、実施の形態４のフォトマスクを用いることもでき
る。

【００６６】ポジ型放射線レジストのベース樹脂として
は、たとえば重量平均分子量が１００００〜１００００
００、好ましくは５００００〜４０００００、より好ま
しくは３０００００〜３４００００のα−メチルスチレ
ン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の
共重合体を用いることが望ましく、現像方法によるパタ
ーン形状の向上に効果がある。ここでいう、重量平均分
子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィに
よるポリスチレン換算値のことである。カラム溶媒とし
ては、テトラヒドロフランを用いる。

【００６７】

【実施例】比較例１ フォトマスク作製のためのレジストとして、α−メチル
スチレンとα−クロロアクリル酸メチルの共重合体をベ
ース樹脂として含むポジ型放射線レジストであるＺＥＰ
−７０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布した
ブランクスに、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。
現像液は、日本ゼオン（株）製現像液ＺＥＤ−５００
（商品名：ジエチルケトン５０％、マロン酸ジエチル５
０％）を用い、現像条件は２３℃、２００秒間として、
パドル現像を行なった。そののち１分間ＭＩＢＫでリン
スを行ない、乾燥した。得られたレジストパターンをマ
スクとして、下地のＣｒを塩素、酸素系のガスを用いて
ドライエッチングを行ない、そののち、レジスト剥離、
洗浄を行ない、フォトマスクを作製した。

【００６８】膜厚計（ナノメトリクス・ジャパン（株）
製）を用い、未露光部分の現像後の膜厚を測定した結
果、初期膜厚の約１５％の膜べりであった。パターン形
状は、ＡＦＭ（Ｎａｎｏ Ｓｃｏｐｅ ＩＩＩ、デジタ
ルインスツルメンツ製）で断面形状を測定した。面内均
一性は測長ＳＥＭで測定した。面内１３点の測定におい
て、面内分布（ばらつき）はレンジ（最大値−最小値）
で３０ｎｍであった。

【００６９】実施例１ フォトマスク作製のためのレジストとして、ＺＥＰ−７
０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布したブラ
ンクスに、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像
液は、２−ペンタノンを用い、現像条件は２３℃、２０
０秒間として、パドル現像を行なった。そののち１分間
ＭＩＢＫでリンスを行ない、乾燥した。得られたレジス
トパターンをマスクとして、下地のＣｒを塩素、酸素系
のガスを用いてドライエッチングを行ない、そののち、
レジスト剥離、洗浄を行ない、フォトマスクを作製し
た。レジストパターンにおいて、比較例１と比較して、
ほとんど膜べりがなく、高コントラストのパターン形状
が得られた。また、面内均一性が１７％向上した。

【００７０】実施例２ フォトマスク作製のためのレジストとして、ＺＥＰ−７
０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布したブラ
ンクスに、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像
液は、ＰＧＭＥＡを用い、現像条件は２３℃、４００秒
間として、パドル現像を行なった。そののち１分間ＭＩ
ＢＫでリンスを行ない、乾燥した。得られたレジストパ
ターンをマスクとして、下地のＣｒを塩素、酸素系のガ
スを用いてドライエッチングを行ない、そののち、レジ
スト剥離、洗浄を行ない、フォトマスクを作製した。レ
ジストパターンにおいて、比較例１と比較して、未露光
部の膜べりがほとんどなく、高コントラストのパターン
形状が得られた。また、面内均一性が１５％向上した。

【００７１】実施例３ フォトマスク作製のためのレジストとして、ＺＥＰ−７
０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布したブラ
ンクスに、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像
液は、ＥＥＰを用い、現像条件は２３℃、５００秒間と
して、パドル現像を行なった。そののち１分間ＭＩＢＫ
でリンスを行ない、乾燥した。得られたレジストパター
ンをマスクとして、下地のＣｒを塩素、酸素系のガスを
用いてドライエッチングを行ない、そののち、レジスト
剥離、洗浄を行ない、フォトマスクを作製した。レジス
トパターンにおいて、比較例１と比較して、未露光部の
膜べりがほとんどなく、高コントラストのパターン形状
が得られた。また、面内均一性が１５％向上した。

【００７２】比較例２ フォトマスク作製のためのレジストとして、ＺＥＰ−７
０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布したブラ
ンクスに、ＥＢ描画装置（加速電圧１０ｋｅＶの電子線
描画装置）を用いて、ゴースト法によって描画した。現
像液は、日本ゼオン（株）製現像液ＺＥＤ−５００（商
品名：ジエチルケトン５０％、マロン酸ジエチル５０
％）を用い、現像条件は２３℃、１５０秒間として、パ
ドル現像を行なった。そののち１分間ＭＩＢＫでリンス
を行ない、乾燥した。得られたレジストパターンをマス
クとして、下地のＣｒを塩素、酸素系のガスを用いてド
ライエッチングを行ない、そののち、レジスト剥離、洗
浄を行ない、フォトマスクを作製した。

【００７３】レジストパターンにおいて、膜べりは初期
膜厚の約２０％であった。面内均一性はレンジで５０ｎ
ｍであった。

【００７４】実施例４ フォトマスク作製のためのレジストとして、ＺＥＰ−７
０００（商品名：日本ゼオン（株）製）を塗布したブラ
ンクスに、ＥＢ描画装置（加速電圧１０ｋｅＶの電子線
描画装置）を用いて、ゴースト法によって描画した。現
像液は、ＰＧＭＥＡを用い、現像条件は２３℃、３００
秒間として、パドル現像を行なった。そののち１分間Ｍ
ＩＢＫでリンスを行ない、乾燥した。得られたレジスト
パターンをマスクとして、下地のＣｒを塩素、酸素系の
ガスを用いてドライエッチングを行ない、そののち、レ
ジスト剥離、洗浄を行ない、フォトマスクを作製した。
レジストパターンにおいて、比較例２と比較して、ほと
んど膜べりがなく、高コントラストのパターン形状が得
られた。また、面内均一性が３０％向上した。

【００７５】比較例３ レジストとして、α−メチルスチレンとα−クロロアク
リル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポジ型
放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：日本
ゼオン（株）製）をスピンコートによって塗布したシリ
コンウエハに、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。
レジスト膜厚は、０．２ミクロンであった。現像液は日
本ゼオン（株）製現像液ＺＥＤ−５００（商品名：ジエ
チルケトン５０％、マロン酸ジエチル５０％）を用い、
現像条件は、２３℃、６０秒間として浸漬現像を行なっ
た。そののち１０秒間ＭＩＢＫでリンスを行ない、乾燥
した結果、レジストパターンが得られた。ひきつづき、
エッチングにより加工することで、シリコン酸化膜パタ
ーンを形成することができ、半導体装置を製造すること
ができた。

【００７６】実施例５ シリコンウエハ上に、α−メチルスチレンとα−クロロ
アクリル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポ
ジ型放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：
日本ゼオン（株）製）を塗布し、１８０℃で、１８０秒
間ベークを行ない、０．２ミクロンの膜を得た。そのの
ち、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像液は、
ＰＧＭＥＡを用い、現像条件は、２３℃、１２０秒間と
して、浸漬現像を行なった。そののち１０秒間ＭＩＢＫ
でリンスを行ない、乾燥した。得られたレジストパター
ンにおいて、未露光部の膜べりがほとんどなく、高コン
トラストのパターン形状が得られた。その得られたレジ
ストパターンをマスクとして、ひきつづきエッチングに
より加工することで、シリコン酸化膜パターンを形成す
ることができ、半導体装置を製造することができた。

【００７７】実施例６ シリコンウエハ上に、α−メチルスチレンとα−クロロ
アクリル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポ
ジ型放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：
日本ゼオン（株）製）を塗布し、１８０℃で、１８０秒
間ベークを行ない、０．２ミクロンの膜を得た。そのの
ち、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像液は、
２−ペンタノンを用い、現像条件は、２３℃、６０秒間
として、パドル現像を行なった。そののち１０秒間ＭＩ
ＢＫでリンスを行ない、乾燥した。得られたレジストパ
ターンにおいて、未露光部の膜べりがほとんどなく、高
コントラストのパターン形状が得られた。その得られた
レジストパターンをマスクとして、ひきつづきエッチン
グにより加工することで、シリコン酸化膜パターンを形
成することができ、半導体装置を製造することができ
た。

【００７８】実施例７ シリコンウエハ上に、α−メチルスチレンとα−クロロ
アクリル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポ
ジ型放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：
日本ゼオン（株）製）を塗布し、１８０℃で、１８０秒
間ベークを行ない、０．２ミクロンの膜を得た。そのの
ち、ＥＢ描画装置を用いて描画を行なった。現像液は、
ＥＥＰを用い、現像条件は、２３℃、１５０秒間とし
て、パドル現像を行なった。そののち１０秒間ＭＩＢＫ
でリンスを行ない、乾燥した。得られたレジストパター
ンにおいて、未露光部の膜べりがほとんどなく、高コン
トラストのパターン形状が得られた。その得られたレジ
ストパターンをマスクとして、ひきつづきエッチングに
より加工することで、シリコン酸化膜パターンを形成す
ることができ、半導体装置を製造することができた。

【００７９】実施例８ シリコンウエハ上に、α−メチルスチレンとα−クロロ
アクリル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポ
ジ型放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：
日本ゼオン（株）製）を塗布し、１８０℃で、１８０秒
間ベークを行ない、０．２ミクロンの膜を得た。そのの
ち、Ｘ線マスクを用い、Ｘ線露光装置を用いて露光を行
なった。現像液は、ＰＧＭＥＡを用い、現像条件は、２
３℃、１２０秒間として、浸漬現像を行なった。そのの
ち１０秒間ＭＩＢＫでリンスを行ない、乾燥した。得ら
れたレジストパターンにおいて、未露光部の膜べりがほ
とんどなく、高コントラストのパターン形状が得られ
た。その得られたレジストパターンをマスクとして、ひ
きつづきエッチングにより加工することで、シリコン酸
化膜パターンを形成することができ、半導体装置を製造
することができた。

【００８０】実施例９ シリコンウエハ上に、α−メチルスチレンとα−クロロ
アクリル酸メチルの共重合体をベース樹脂として含むポ
ジ型放射線レジストであるＺＥＰ−７０００（商品名：
日本ゼオン（株）製）を塗布し、１８０℃で、１８０秒
間ベークを行ない、０．２ミクロンの膜を得た。そのの
ち、フォトマスクを用い、ＫｒＦエキシマレーザ露光装
置を用いて露光を行なった。現像液は、ＰＧＭＥＡを用
い、現像条件は、２３℃、１２０秒間として、浸漬現像
を行なった。そののち１０秒間ＭＩＢＫでリンスを行な
い、乾燥した。得られたレジストパターンにおいて、未
露光部の膜べりがほとんどなく、高コントラストのパタ
ーン形状が得られた。その得られたレジストパターンを
マスクとして、ひきつづきエッチングにより加工するこ
とで、シリコン酸化膜パターンを形成することができ、
半導体装置を製造することができた。

【００８１】

【発明の効果】本発明の現像方法（請求項１および２）
では、１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いるの
で、面内での現像液の蒸発が均一であり、現像が均一に
進行し、パターン寸法の面内均一性が向上する。そのた
め、たとえば、フォトマスクを製造する際のエッチング
工程での面内均一性にもつながる本発明の現像方法（請
求項１および２）によれば、露光量の変化に対するレジ
ストの溶解性（溶解速度）の変化が大きいので、露光部
と未露光部の溶解性のコントラストが高くなり、良好な
パターン形状を得ることができる。

【００８２】本発明の現像方法（請求項１および２）に
よれば、とくに、未露光部および低露光量領域でのレジ
ストの溶解性が低いので、未露光部および低露光量領域
での現像中の膜べりが小さく、良好なパターンを得るこ
とができる。したがって、本発明によれば、レジストパ
ターン寸法制度の向上に関して、面内均一性およびレジ
ストパターンのコントラストを向上させることができ
る。

【００８３】本発明の現像方法（請求項１および２）に
よれば、レジスト現像方法において、炭素数３〜８のケ
トン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８
のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン
酸エステルからなる群から選択された有機溶剤のみから
なる現像液を用いることによって、露光量の変化に対す
るレジストの溶解性（溶解速度）の変化が大きいので、
露光部と未露光部の溶解性コントラストが高くなり、良
好なパターン形状を得ることができる。

【００８４】本発明の現像方法（請求項１および２）に
よれば、とくに、未露光部および低露光量領域でのレジ
ストの溶解性が低いので、未露光部および低露光量領域
での現像中の膜べりが小さくなり、良好なパターンを得
ることができる。本発明の現像方法（請求項１および
２）によれば、単一溶媒で現像を行なうので、面内均一
性も向上し、そのためエッチングの均一性にも効果があ
る。

【００８５】本発明のパターン形成方法（請求項３〜
６）によれば、パターン形成（たとえばゴースト法によ
るパターン形成）において、未露光部に露光部の３０〜
５０％のかぶりの露光量が照射される場合にも、レジス
トの溶解性のコントラストが高いので、パターンの断面
形状の悪化や、プロセス裕度の低下を防ぐことができ
る。

【００８６】本発明のフォトマスクの製造方法（請求項
７および８）によれば、フォトマスクの製造方法におい
て、上述と同様の効果が得られる。

【００８７】本発明の半導体装置の製造方法（請求項９
および１０）によれば、半導体装置の製造方法におい
て、上述と同様の効果が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｅ (72)発明者 押田 敦史 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 丹下 耕志 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 福間 準 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AB08 AB16 AC06 AD03 BF09 BF14 FA16 2H095 BC01 BC08 2H096 AA24 AA25 BA11 EA06 GA03 5F046 LA12 LA18 LA19

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 α−メチルスチレン系化合物とα−クロ
   ロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂
   として含むポジ型放射線レジストの現像に、炭素数３〜
   ８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数
   ３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカ
   ルボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有
   機溶剤のみからなる現像液を用いることを特徴とする現
   像方法。
2. 【請求項２】 現像液が、プロピレングリコールモノメ
   チルエーテルアセテート、２−ペンタノンおよびエチル
   −３−エトキシプロピオネートからなる群から選択され
   た１種類の有機溶剤のみからなる請求項１記載の現像方
   法。
3. 【請求項３】 α−メチルスチレン系化合物とα−クロ
   ロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂
   として含むポジ型放射線レジストを用いたパターン形成
   方法であって、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を
   有することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステル
   および炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群
   から選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液を
   用いることを特徴とするパターン形成方法。
4. 【請求項４】 現像液が、プロピレングリコールモノメ
   チルエーテルアセテート、２−ペンタノンおよびエチル
   −３−エトキシプロピオネートからなる群から選択され
   た１種類の有機溶剤のみからなる請求項３記載のパター
   ン形成方法。
5. 【請求項５】 α−メチルスチレン系化合物とα−クロ
   ロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂
   として含むポジ型放射線レジストを用いたゴースト法に
   よるパターン形成方法であって、炭素数３〜８のケト
   ン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８の
   カルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸
   エステルからなる群から選択された１種類の有機溶剤の
   みからなる現像液を用いることを特徴とするパターン形
   成方法。
6. 【請求項６】 現像液が、プロピレングリコールモノメ
   チルエーテルアセテート、２−ペンタノンおよびエチル
   −３−エトキシプロピオネートからなる群から選択され
   た１種類の有機溶剤のみからなる請求項５記載のパター
   ン形成方法。
7. 【請求項７】 α−メチルスチレン系化合物とα−クロ
   ロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂
   として含むポジ型放射線レジストを用いてパターンを形
   成するフォトマスクの製造方法であって、炭素数３〜８
   のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３
   〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカル
   ボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有機
   溶剤のみからなる現像液を用いることを特徴とするフォ
   トマスクの製造方法。
8. 【請求項８】 現像液が、プロピレングリコールモノメ
   チルエーテルアセテート、２−ペンタノンおよびエチル
   −３−エトキシプロピオネートからなる群から選択され
   た１種類の有機溶剤のみからなる請求項７記載のフォト
   マスクの製造方法。
9. 【請求項９】 半導体基板上にレジスト膜を設ける工程
   と、レジストをパターン露光する工程と、露光後レジス
   トを現像処理する工程とによってパターンを形成する半
   導体装置の製造方法であって、レジストが、α−メチル
   スチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化
   合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レ
   ジストであり、現像液が、炭素数３〜８のケトン、アル
   コキシ基を有することのできる炭素数３〜８のカルボン
   酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸エステル
   からなる群から選択された１種類の有機溶剤のみからな
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 現像液が、プロピレングリコールモノ
    メチルエーテルアセテート、２−ペンタノンおよびエチ
    ル−３−エトキシプロピオネートからなる群から選択さ
    れた１種類の有機溶剤のみからなる請求項９記載の半導
    体装置の製造方法。