JP2006189518A - リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いた半導体基材形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)酢酸又はプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれた少なくとも1種と(B)炭素数5〜7の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれた少なくとも1種とを(A)/(B)の質量比4/6ないし7/3の範囲で含有したリソグラフィー用洗浄液とする。
【選択図】 なし
Description
この目的で用いる洗浄液としては、不要なレジストを効率的に溶解除去することができ、かつ迅速に乾燥し、しかも洗浄後のレジスト膜の特性をそこなわない溶剤が用いられている。
このようなエステルとしては、例えば酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ペンチルのような酢酸エステルや、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチルのようなプロピオン酸エステルを挙げることができる。上記のエステル中のプロピル基、ブチル基、ペンチル基は、直鎖状のものだけではなく枝分れ状であってもよい。この(A)成分として特に好ましいのは酢酸ブチル、酢酸イソブチルである。
次に、n‐ブチルアセテート50質量部とシクロヘキサン50質量部とを混合して調製したリソグラフィー用洗浄液を、25℃においてウェーハ端縁から5mmの位置に配置したノズルから10ml/分の割合で吹き付け、レジスト膜端縁部を洗浄したのち、30秒間風乾した。
このように処理したレジスト膜端縁部を、触針式表面形状測定器(アルバック社製、製品名「DEKTAK8」)を用いてスキャニングし、断面方向の拡大パターンを作成した。この結果を図1に示す。
この図から分るように、端縁部における不要部分の残留部高さは、膜厚に対しわずかに2%であり、不要部分は、ほとんど完全に除去されている。
なお、端縁部以外のレジスト膜表面は、ほとんど平坦であり、洗浄処理による悪影響は認められなかった。
実施例1におけるリソグラフィー用洗浄液の代りに、n‐ブチルアセテート30質量部とヘキサノン70質量部とを混合して調製した洗浄液を用いる以外は、実施例1と同様に処理したのち、レジスト膜端縁部をスキャニングした。その結果を図2に示す。
この図から分るように、端縁部には、膜厚に対し、80%に相当する高さの不要部分が残留し、洗浄効果は不十分であった。
直径200mmのシリコンウェーハ表面上に、実施例1と同様にして、ArFレジスト(東京応化工業社製、製品名「TArF−P6111」)、KrFレジスト(東京応化工業社製、製品名「TDUR−P015」)及びi線レジスト(東京応化工業社製、製品名「THMR−iP3650」)を塗布したのち、100℃で60秒間熱処理することにより、それぞれ表1に示す膜厚のレジスト膜を形成した。
次いで、n‐ブチルアセテート(以下nBAと略す)50質量部とシクロヘキサノン50質量部からなるリソグラフィー洗浄液(試料A)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(以下PGMと略す)70質量部とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下PGMAと略す)30質量部からなるリソグラフィー洗浄液(試料B)、シクロヘキサノン(試料C)及び乳酸エチル(試料D)を用いて、実施例1と同じスピンナーにより25℃において1200rpmで20秒間洗浄したのち、3000rpmで10秒間乾燥した。
次いで、このように処理したレジスト膜について、それぞれ残膜量(μm)を測定した。その結果を表1に示す。
△:端面部に若干のシミ状残留物が認められる。
×:端面部に多量の残留物が認められる。
i線レジスト;東京応化工業社製、製品名「THMR−iP3650」
KrFレジスト;東京応化工業社製、製品名「TDUR−P015」
ArFレジスト;東京応化工業社製、製品名「TArF−P6111」
Si含有レジスト;東京応化工業社製、製品名「TDUR−SC011」
実施例1におけるnBAの代りに酪酸n‐ブチル又はギ酸エチルを用いた以外は実施例1と同様に処理し、端面不要部分の除去状態を目視で評価した。その結果を表4に示す。
実施例1におけるシクロヘキサノンの代りにアセトン又はジブチルケトンを用いた以外は実施例1と同様に処理し、端面不要部分の除去状態を目視で評価した。その結果を表4に示す。
Claims (5)
- (A)酢酸又はプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれた少なくとも1種と(B)炭素数5〜7の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれた少なくとも1種とを(A)/(B)の質量比4/6ないし7/3の範囲で含有することを特徴とするリソグラフィー用洗浄液。
- (A)成分が酢酸のプロピル、ブチル及びペンチルエステルの中から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載のリソグラフィー用洗浄液。
- (B)成分がシクロペンタノン、シクロヘキサノン及びシクロヘプタノンの中から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載のリソグラフィー用洗浄液。
- (A)成分が酢酸ブチルであり、(B)成分がシクロヘキサノンである請求項1記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 基板上にレジストを塗布し、レジスト膜を形成させたのち、基板裏面部又は縁部あるいはその両方に付着した不要のレジストを請求項1ないし4のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液を吹き付けて除去することを特徴とする半導体基材形成方法。
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