JP3464299B2 - フォトレジスト剥離剤組成物 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物Info
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- JP3464299B2 JP3464299B2 JP34117094A JP34117094A JP3464299B2 JP 3464299 B2 JP3464299 B2 JP 3464299B2 JP 34117094 A JP34117094 A JP 34117094A JP 34117094 A JP34117094 A JP 34117094A JP 3464299 B2 JP3464299 B2 JP 3464299B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォト
レジスト剥離剤組成物、詳しくは、シアンの生成を抑制
することができるフォトレジスト剥離剤組成物に関す
る。
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォト
レジスト剥離剤組成物、詳しくは、シアンの生成を抑制
することができるフォトレジスト剥離剤組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォト
レジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又
は付随する電極部の製造は、以下のように行なわれる。
まず、シリコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッ
タなどの方法で積層させる。その上部にフォトレジスト
を膜付けし、それを露光、現像などの処理でパターン形
成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクと
して金属膜をエッチングする。不要となったフォトレジ
ストを剥離剤組成物を用い剥離する。その操作を繰り返
すことで素子の形成を行なう。
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォト
レジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又
は付随する電極部の製造は、以下のように行なわれる。
まず、シリコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッ
タなどの方法で積層させる。その上部にフォトレジスト
を膜付けし、それを露光、現像などの処理でパターン形
成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクと
して金属膜をエッチングする。不要となったフォトレジ
ストを剥離剤組成物を用い剥離する。その操作を繰り返
すことで素子の形成を行なう。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては無機酸、有機
酸、無機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一
溶剤、又は、それらの混合溶液が用いられているが、レ
ジストの剥離剤組成物への溶解性及び剥離剤組成物のレ
ジストへの浸透性が良好であること、また、下地金属の
腐蝕が少ないなどの理由で、有機アルカリ、特にアミン
と極性溶剤の混合溶液を主成分とした剥離剤組成物が主
に用いられている。
酸、無機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一
溶剤、又は、それらの混合溶液が用いられているが、レ
ジストの剥離剤組成物への溶解性及び剥離剤組成物のレ
ジストへの浸透性が良好であること、また、下地金属の
腐蝕が少ないなどの理由で、有機アルカリ、特にアミン
と極性溶剤の混合溶液を主成分とした剥離剤組成物が主
に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子回路又は付
随する電極部の製造において、レジスト剥離の工程で
は、剥離剤組成物自体の剥離能力を向上させるため、剥
離剤組成物は通常、６０〜１２０℃程度に加温され、か
つ、シャワー等の方法で使用される。しかし、剥離剤組
成物中に使用されるアルキルアミン又はアルカノールア
ミンは、このような酸化雰囲気では徐々に分解し、猛毒
のシアンを生成する問題がある。したがって本発明の課
題は、酸化雰囲気でもシアンを生成しない、または極め
てシアンの生成を抑えたフォトレジスト剥離剤組成物を
得ることである。
随する電極部の製造において、レジスト剥離の工程で
は、剥離剤組成物自体の剥離能力を向上させるため、剥
離剤組成物は通常、６０〜１２０℃程度に加温され、か
つ、シャワー等の方法で使用される。しかし、剥離剤組
成物中に使用されるアルキルアミン又はアルカノールア
ミンは、このような酸化雰囲気では徐々に分解し、猛毒
のシアンを生成する問題がある。したがって本発明の課
題は、酸化雰囲気でもシアンを生成しない、または極め
てシアンの生成を抑えたフォトレジスト剥離剤組成物を
得ることである。
【０００５】本発明は、上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、アルキルアミンもしくはアルカノ
ールアミン、又はアルキルアミンもしくはアルカノール
アミンと極性有機溶剤との混合物と、カルボニル基含有
化合物とを主成分とし、前述の問題点を解消した剥離剤
組成物を提供することにある。
で、本発明の目的は、アルキルアミンもしくはアルカノ
ールアミン、又はアルキルアミンもしくはアルカノール
アミンと極性有機溶剤との混合物と、カルボニル基含有
化合物とを主成分とし、前述の問題点を解消した剥離剤
組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】シアンの生成を
抑制するには、剥離工程の温度の低下、脱酸素雰囲気下
での剥離処理、又は剥離剤組成物中のアルキルアミンも
しくはアルカノールアミンを第１アミンから第２、第
３、第４アミンへと変換することでも達成可能と考えら
れる。しかし、これらはコストがかかり、かつ、剥離能
力を低下させるため望ましくない。
抑制するには、剥離工程の温度の低下、脱酸素雰囲気下
での剥離処理、又は剥離剤組成物中のアルキルアミンも
しくはアルカノールアミンを第１アミンから第２、第
３、第４アミンへと変換することでも達成可能と考えら
れる。しかし、これらはコストがかかり、かつ、剥離能
力を低下させるため望ましくない。
【０００７】したがって、現在使用の剥離剤組成物に酸
化防止効果、又は生成したシアンと反応する効果を持つ
カルボニル基含有の化合物を添加することにより、工程
中に生成した酸素ラジカルをカルボニル基含有の化合物
に吸収させること、または、生成したシアンをカルボニ
ル基含有の化合物と反応させ除去することが有効である
と考えられる。
化防止効果、又は生成したシアンと反応する効果を持つ
カルボニル基含有の化合物を添加することにより、工程
中に生成した酸素ラジカルをカルボニル基含有の化合物
に吸収させること、または、生成したシアンをカルボニ
ル基含有の化合物と反応させ除去することが有効である
と考えられる。
【０００８】これらのことから、上記の目的を達成する
ために、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、アル
キルアミンもしくはアルカノールアミン、又はアルキル
アミンもしくはアルカノールアミンと極性有機溶剤との
混合物に、一般式化２で表わされるカルボニル基含有の
化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロケトン類の少なく
とも１種であるカルボニル基含有化合物を添加し、これ
を主成分とすることにより、シアンの生成を抑制するよ
うに構成される。
ために、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、アル
キルアミンもしくはアルカノールアミン、又はアルキル
アミンもしくはアルカノールアミンと極性有機溶剤との
混合物に、一般式化２で表わされるカルボニル基含有の
化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロケトン類の少なく
とも１種であるカルボニル基含有化合物を添加し、これ
を主成分とすることにより、シアンの生成を抑制するよ
うに構成される。
【０００９】また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成
物は、アルキルアミンもしくはアルカノールアミン、又
はアルキルアミンもしくはアルカノールアミンと極性有
機溶剤の混合物を主成分とするフォトレジスト剥離剤組
成物に、一般式化２で表わされるカルボニル基含有の化
合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロケトン類の少なくと
も１種であるカルボニル基含有化合物を添加することに
より、シアンの生成を抑制するようにしたものである。
物は、アルキルアミンもしくはアルカノールアミン、又
はアルキルアミンもしくはアルカノールアミンと極性有
機溶剤の混合物を主成分とするフォトレジスト剥離剤組
成物に、一般式化２で表わされるカルボニル基含有の化
合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロケトン類の少なくと
も１種であるカルボニル基含有化合物を添加することに
より、シアンの生成を抑制するようにしたものである。
【００１０】
【化２】
【００１１】化２において、式中、Ｒ１ 、Ｒ２ はフ
ェニル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１
０のハロゲノアルキル基、炭素数１〜１０のアミノアル
キル基、炭素数１〜１０のアルカノール基、炭素数１〜
１０のハロゲノアルカノール基、炭素数１〜１０のアミ
ノアルカノール基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素
数１〜１０のハロゲノアリール基、炭素数１〜１０のハ
ロゲノアミノアリール基、炭素数１〜１０のアミノアリ
ール基、炭素数１〜１０のハイドロオキシアリール基、
炭素数１〜１０のアミノハイドロオキシアリール基、又
は炭素数１〜１０のハロゲノハイドロオキシアリール基
を示す。
ェニル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１
０のハロゲノアルキル基、炭素数１〜１０のアミノアル
キル基、炭素数１〜１０のアルカノール基、炭素数１〜
１０のハロゲノアルカノール基、炭素数１〜１０のアミ
ノアルカノール基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素
数１〜１０のハロゲノアリール基、炭素数１〜１０のハ
ロゲノアミノアリール基、炭素数１〜１０のアミノアリ
ール基、炭素数１〜１０のハイドロオキシアリール基、
炭素数１〜１０のアミノハイドロオキシアリール基、又
は炭素数１〜１０のハロゲノハイドロオキシアリール基
を示す。
【００１２】すなわち、本発明のフォトレジスト剥離剤
組成物は、アルキルアミンもしくはアルカノールアミ
ン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミンと
極性有機溶剤との混合物と、一般式化２で表わされるカ
ルボニル基含有の化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロ
ケトン類の少なくとも１種を主成分とすることを特徴と
している。
組成物は、アルキルアミンもしくはアルカノールアミ
ン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミンと
極性有機溶剤との混合物と、一般式化２で表わされるカ
ルボニル基含有の化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロ
ケトン類の少なくとも１種を主成分とすることを特徴と
している。
【００１３】本発明の剥離剤組成物において、一般式化
２（カルボニル基含有の化合物（Ｉ））の具体例として
は、ジエチルケトン、ブチルエチルケトン、、ジプロピ
ルケトン、ジブチルケトン、プロピルアミルケトン、メ
チルアミルケトン、エチルアミルケトン、ブチルアミル
ケトン、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピ
ルケトン、エチルプロピルケトン、ブチルメチルケト
ン、ピナコロン、ブロチン、ジイソプロピルケトン、メ
チルビニルケトン、メシチルオキシド、メチルヘプテノ
ン、アセトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノ
ン、バレロフェノン、ベンゾフェノン、ジベンジルケト
ン、アセトフェノン、ｍ−ヒドロキシアセトフェノン、
２−ヒドロキシプロピオフェノン、ｐ−ヒドロキシプロ
ピオフェノン、２，４−ジメトキシアセトフェノン、ジ
メトキシフェニルアセトン、ｍ−アミノアセトフェノ
ン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、クロロアセト
フェノン、ブロモアセトフェノン、メチルアセトフェノ
ン、フェニルアセトン等であり、これら単独で又は混合
物として使用される。
２（カルボニル基含有の化合物（Ｉ））の具体例として
は、ジエチルケトン、ブチルエチルケトン、、ジプロピ
ルケトン、ジブチルケトン、プロピルアミルケトン、メ
チルアミルケトン、エチルアミルケトン、ブチルアミル
ケトン、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピ
ルケトン、エチルプロピルケトン、ブチルメチルケト
ン、ピナコロン、ブロチン、ジイソプロピルケトン、メ
チルビニルケトン、メシチルオキシド、メチルヘプテノ
ン、アセトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノ
ン、バレロフェノン、ベンゾフェノン、ジベンジルケト
ン、アセトフェノン、ｍ−ヒドロキシアセトフェノン、
２−ヒドロキシプロピオフェノン、ｐ−ヒドロキシプロ
ピオフェノン、２，４−ジメトキシアセトフェノン、ジ
メトキシフェニルアセトン、ｍ−アミノアセトフェノ
ン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、クロロアセト
フェノン、ブロモアセトフェノン、メチルアセトフェノ
ン、フェニルアセトン等であり、これら単独で又は混合
物として使用される。
【００１４】本発明の剥離剤組成物において、シクロケ
トン類の具体例としては、シクロオクタノン、シクロヘ
プタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シク
ロブタノン、シクロブタンジオン、シクロプロパノン、
シクロプロペノン、シクロブチルメチルケトン、シクロ
プロピルメチルケトン、アジポイン、シクロヘキサンジ
オン、シクロヘキシルメチルケトン、シクロヘキセノ
ン、シクロペンタンジオン、シクロペンテノン、シクロ
ブテノン、シクロペンテノン、シクロヘキセノンが挙げ
られ、これらは単独で又は混合物として使用される。
トン類の具体例としては、シクロオクタノン、シクロヘ
プタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シク
ロブタノン、シクロブタンジオン、シクロプロパノン、
シクロプロペノン、シクロブチルメチルケトン、シクロ
プロピルメチルケトン、アジポイン、シクロヘキサンジ
オン、シクロヘキシルメチルケトン、シクロヘキセノ
ン、シクロペンタンジオン、シクロペンテノン、シクロ
ブテノン、シクロペンテノン、シクロヘキセノンが挙げ
られ、これらは単独で又は混合物として使用される。
【００１５】アルキルアミンもしくはアルカノールアミ
ン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミン及
び極性有機溶剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤組
成物に対するカルボニル基含有の化合物（化１、ショウ
ノウ及び／またはシクロケトン類）の添加量は０．０１
〜３０重量％、望ましくは０．１〜１０重量％である。
また、本発明の組成物には、安定剤及び／または界面活
性剤等の種々の添加剤を含ませることもできる。カルボ
ニル基含有の化合物の添加量が０．０１重量％未満の場
合は、十分なシアンの抑制効果を得ることができない。
一方、３０重量％を超える高濃度の場合は、十分なフォ
トレジスト剥離効果を得ることができない。
ン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミン及
び極性有機溶剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤組
成物に対するカルボニル基含有の化合物（化１、ショウ
ノウ及び／またはシクロケトン類）の添加量は０．０１
〜３０重量％、望ましくは０．１〜１０重量％である。
また、本発明の組成物には、安定剤及び／または界面活
性剤等の種々の添加剤を含ませることもできる。カルボ
ニル基含有の化合物の添加量が０．０１重量％未満の場
合は、十分なシアンの抑制効果を得ることができない。
一方、３０重量％を超える高濃度の場合は、十分なフォ
トレジスト剥離効果を得ることができない。
【００１６】本発明の剥離剤組成物において、アルキル
アミン又はアルカノールアミンの具体例としては、モノ
メチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘ
キシルオキシプロピルアミン、２−エトキシプロピルア
ミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルア
ミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−
ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチ
ルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−
ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプ
ロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチル
イミノビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミ
ン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミ
ン、イソプロピルアミン、ジイソプペロピルアミン、イ
ミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタ
ノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メ
チル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−
アミノ−１−プロパノール、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミンを挙げること
ができる。
アミン又はアルカノールアミンの具体例としては、モノ
メチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘ
キシルオキシプロピルアミン、２−エトキシプロピルア
ミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルア
ミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−
ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチ
ルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−
ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプ
ロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチル
イミノビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミ
ン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミ
ン、イソプロピルアミン、ジイソプペロピルアミン、イ
ミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタ
ノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メ
チル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−
アミノ−１−プロパノール、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミンを挙げること
ができる。
【００１７】また、極性有機溶剤としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
２−ヘプタノール、３−メチル１−ブタノール、２−メ
チル１−ブタノール、２−メチル２−ブタノール、メチ
ルジグライム、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ピリジン、ジメチルスルホ
キサイド、スルホランを用いることができる。
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
２−ヘプタノール、３−メチル１−ブタノール、２−メ
チル１−ブタノール、２−メチル２−ブタノール、メチ
ルジグライム、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ピリジン、ジメチルスルホ
キサイド、スルホランを用いることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１、２ 蓋付きの容量９４０mlの瓶に、以下に示す組成を有する
剥離剤組成物を３００g 入れ、表１に示すカルボニル基
含有の化合物を１重量％添加した。そのものを１００℃
で１２０時間加熱し、生成したシアン濃度をピリジン−
ピラゾロン吸光光度法（ＪＩＳ Ｋ０１０２）により測
定し、比較した。表１の数値は、実施例１、２及び比較
例１におけるシアン濃度を示している。シアン濃度の単
位はmg／l である。 （剥離剤組成物） ２−アミノエタノール：ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル＝３０：７０wt／wt
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１、２ 蓋付きの容量９４０mlの瓶に、以下に示す組成を有する
剥離剤組成物を３００g 入れ、表１に示すカルボニル基
含有の化合物を１重量％添加した。そのものを１００℃
で１２０時間加熱し、生成したシアン濃度をピリジン−
ピラゾロン吸光光度法（ＪＩＳ Ｋ０１０２）により測
定し、比較した。表１の数値は、実施例１、２及び比較
例１におけるシアン濃度を示している。シアン濃度の単
位はmg／l である。 （剥離剤組成物） ２−アミノエタノール：ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル＝３０：７０wt／wt
【００１９】
【表１】
【００２０】比較例１
前述の剥離剤組成物にカルボニル基含有の化合物を添加
すること無く、実施例１、２と同様の評価を行なった。
すること無く、実施例１、２と同様の評価を行なった。
【００２１】実施例１、２において、シアンの生成抑制
効果が認められた。従って、本発明がシアン生成抑制フ
ォトレジスト剥離剤組成物としてきわめて有用であるこ
とが明らかである。
効果が認められた。従って、本発明がシアン生成抑制フ
ォトレジスト剥離剤組成物としてきわめて有用であるこ
とが明らかである。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） 上述したようなカルボニル基含有の化合物を添
加しているので、シアンの生成を抑制したフォトレジス
ト剥離剤組成物を得ることができる。 （２） 剥離剤の組成を大幅に変更する必要がないの
で、剥離剤組成物の本来の性能を維持することができ
る。
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） 上述したようなカルボニル基含有の化合物を添
加しているので、シアンの生成を抑制したフォトレジス
ト剥離剤組成物を得ることができる。 （２） 剥離剤の組成を大幅に変更する必要がないの
で、剥離剤組成物の本来の性能を維持することができ
る。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−219241（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−271057（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−250403（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−54344（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
H01L 21/027
H01L 21/304
Claims (4)
- 【請求項１】 アルキルアミンもしくはアルカノールア
ミン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミン
と極性有機溶剤との混合物に、一般式化１で表わされる
カルボニル基含有の化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシク
ロケトン類の少なくとも１種であるカルボニル基含有化
合物を添加し、これを主成分とすることにより、シアン
の生成を抑制するようにしたことを特徴とするフォトレ
ジスト剥離剤組成物。 【化１】 化１において、式中、Ｒ １ 、Ｒ ２ はフェニル基、炭
素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲノ
アルキル基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基、炭素
数１〜１０のアルカノール基、炭素数１〜１０のハロゲ
ノアルカノール基、炭素数１〜１０のアミノアルカノー
ル基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の
ハロゲノアリール基、炭素数１〜１０のハロゲノアミノ
アリール基、炭素数１〜１０のアミノアリール基、炭素
数１〜１０のハイドロオキシアリール基、炭素数１〜１
０のアミノハイドロオキシアリール基、又は炭素数１〜
１０のハロゲノハイドロオキシアリール基を示す。 - 【請求項２】 アルキルアミンもしくはアルカノールア
ミン、又はアルキルアミンもしくはアルカノールアミン
と極性有機溶剤との混合物を主成分とするフォトレジス
ト剥離剤組成物に、一般式化１で表わされるカルボニル
基含有の化合物（Ｉ）、ショウノウ及びシクロケトン類
の少なくとも１種であるカルボニル基含有化合物を添加
することにより、シアンの生成を抑制するようにしたこ
とを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。 【化１】 化１において、式中、Ｒ １ 、Ｒ ２ はフェニル基、炭
素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲノ
アルキル基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基、炭素
数１〜１０のアルカノール基、炭素数１〜１０のハロゲ
ノアルカノール基、炭素数１〜１０のアミノアルカノー
ル基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の
ハロゲノアリール基、炭素数１〜１０のハロゲノアミノ
アリール基、炭素数１〜１０のアミノアリール基、炭素
数１〜１０のハイドロオキシアリール基、炭素数１〜１
０のアミノハイドロオキシアリール基、又は炭素数１〜
１０のハロゲノハイドロオキシアリール基を示す。 - 【請求項３】 カルボニル基含有化合物の添加量が０．
０１〜３０重量％である請求項１又は２記載のフォトレ
ジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 安定剤及び界面活性剤の少なくとも１種
を添加してなる請求項１〜３のいずれかに記載のフォト
レジスト剥離剤組成物。
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| JP34117094A JP3464299B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP34117094A JP3464299B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
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| JPH08137113A JPH08137113A (ja) | 1996-05-31 |
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ID=18343888
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP34117094A Expired - Fee Related JP3464299B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
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-
1994
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