JPS61156123A - ポジ型ｘ線レジスト - Google Patents
ポジ型ｘ線レジストInfo
- Publication number
- JPS61156123A JPS61156123A JP27451984A JP27451984A JPS61156123A JP S61156123 A JPS61156123 A JP S61156123A JP 27451984 A JP27451984 A JP 27451984A JP 27451984 A JP27451984 A JP 27451984A JP S61156123 A JPS61156123 A JP S61156123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- polymer
- alkyl group
- copolymer
- halogenated alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明、はレジスト材料に関し、より詳しくは、半導体
装置製造での微細加工に使用されるポジ型ＸｖＡレジス
トに関するものである。
装置製造での微細加工に使用されるポジ型ＸｖＡレジス
トに関するものである。
従来の技術
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置の高集積化のためのサブ
ミクロンオーダーの微細加工に、電子ビーム、紫外線あ
るいはＸ線を利用したりソグラフィ技術が実用化される
ようになってきた。このような微細加工において、レジ
ストはその加工制度を左右する重要な要因のひとつであ
る。
ミクロンオーダーの微細加工に、電子ビーム、紫外線あ
るいはＸ線を利用したりソグラフィ技術が実用化される
ようになってきた。このような微細加工において、レジ
ストはその加工制度を左右する重要な要因のひとつであ
る。
ポジ型Ｘ′ｍレジストでは、照射部分が現像液に可溶と
なり、未照射部分が不溶性であるために溶解度の差を利
用して所定のレジストパターンが得られる。一般にポジ
型レジストは高解像性に特色があるが、レジストの高感
度化と共に、エツチング工程がドライ方式で行われるよ
うになってきたので耐ドライエツチング性の向上が求め
られている。従来から各種のＸ線レジスト（ポジ型を含
めて）が提案されている（例えば、三浦間：Ｘ線露光用
レジストの種類と特性、電子材料、 Ｖｏｌ、 １８゜
阻１０ （１９７９年１０月号）＋ Ｐ Ｐ 、３５−
３９ 、工業調査会；野々垣三部： ＥＢ 、Ｘ線レジ
スト材料、電子材料。
なり、未照射部分が不溶性であるために溶解度の差を利
用して所定のレジストパターンが得られる。一般にポジ
型レジストは高解像性に特色があるが、レジストの高感
度化と共に、エツチング工程がドライ方式で行われるよ
うになってきたので耐ドライエツチング性の向上が求め
られている。従来から各種のＸ線レジスト（ポジ型を含
めて）が提案されている（例えば、三浦間：Ｘ線露光用
レジストの種類と特性、電子材料、 Ｖｏｌ、 １８゜
阻１０ （１９７９年１０月号）＋ Ｐ Ｐ 、３５−
３９ 、工業調査会；野々垣三部： ＥＢ 、Ｘ線レジ
スト材料、電子材料。
Ｖｏ、 ２３ 、 Ｎｕ ８ （１９８４年８月号）、
Ｐ Ｐ 、５７−６１ ；参照）。
Ｐ Ｐ 、５７−６１ ；参照）。
発明が解決しようとする問題点
各種のポジ型Ｘ線レジストが提案されているが、高感度
のものは耐ドライエツチング性が低く、一方耐ドライエ
ツチング性が良いと感度不十分である。そこで、耐ドラ
イエツチング性と感光（感放射線）機構を分離して設計
できる材料系として、ベースポリマーとインヒビターと
の混合材料が検討されてきたが、従来多く試みられたア
ルケン（エチレン列炭化水素）と二酸化イオウ（ＳＯ□
）との共重合体をインヒビターとしても十分な感度が得
られない。
のものは耐ドライエツチング性が低く、一方耐ドライエ
ツチング性が良いと感度不十分である。そこで、耐ドラ
イエツチング性と感光（感放射線）機構を分離して設計
できる材料系として、ベースポリマーとインヒビターと
の混合材料が検討されてきたが、従来多く試みられたア
ルケン（エチレン列炭化水素）と二酸化イオウ（ＳＯ□
）との共重合体をインヒビターとしても十分な感度が得
られない。
問題点を解決するための手段
高感度でかつ耐ドライエツチング性の優れたポジ型Ｘ線
レジストとして、ハロゲン化アルキル基を有するメタク
リル酸エステル誘導体と二酸化イオウとの共重体をイン
ヒビターとしベースとなるポリマーと混合したレジスト
を提供する。
レジストとして、ハロゲン化アルキル基を有するメタク
リル酸エステル誘導体と二酸化イオウとの共重体をイン
ヒビターとしベースとなるポリマーと混合したレジスト
を提供する。
このインヒビターである共重合体を化学式で示すと下記
のとおりである。
のとおりである。
Ｈ３
→ＣＮ３−Ｃ−＋−（Ｓ ０ｚｈ−
０ＯＲＸ
式中ＲＸはハロゲン化アルキル基を示し、例えばＣＨ３
ＣＣｌ３である。ＲはＣ，−Ｃａであり（特にＣ２〜Ｃ
３が有効であり）、ＸはＣＩ、Ｆ、ＢＴ、■のいずれか
であり （特に、ＣＩ、Ｆが有効である）。
ＣＣｌ３である。ＲはＣ，−Ｃａであり（特にＣ２〜Ｃ
３が有効であり）、ＸはＣＩ、Ｆ、ＢＴ、■のいずれか
であり （特に、ＣＩ、Ｆが有効である）。
重量平均分子Ｎ（π丁）は１〜１００万で、好ましくは
５〜３０万であり、分散度（Ｍ、／Ｍ、） は２．５以
下が好ましい。さらに、この共重合体において、ｍ／ｎ
＋ｍＸ１００ ＝数％〜数十％であり、好ましくは５０
〜８０％である。
５〜３０万であり、分散度（Ｍ、／Ｍ、） は２．５以
下が好ましい。さらに、この共重合体において、ｍ／ｎ
＋ｍＸ１００ ＝数％〜数十％であり、好ましくは５０
〜８０％である。
ベースとなるポリマーにはフェノール樹脂、ポリ （ヒ
ドロキシ−α−メチルスチレン）等、アルカリ可溶性で
耐ドライエツチング性にすぐれたものを使用することが
でき、特に好ましいのはポリ（Ｐ−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン）である。
ドロキシ−α−メチルスチレン）等、アルカリ可溶性で
耐ドライエツチング性にすぐれたものを使用することが
でき、特に好ましいのはポリ（Ｐ−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン）である。
実施例
以下、本発明の好ましい実施態様例によって本発明を説
明する。
明する。
ハロゲン化アルキル基ＲＸ ＝ＣＨ，ＣＣｌ３を有する
メタクリル酸エステル誘導体と二酸化イオウ（ＳＯ□）
とＤＭＦ （ジメチルホルムアミド）中で、Ｎ２下、過
酸化物の存在下、約−８０℃にて重合して前述した化学
式によって表される共重合体を得た（ｍ：ｎ＝７ ：
３ 、Ｍ）＝１２７，０００ 、π、 ／Ｍ、 ＝１
．６）。
メタクリル酸エステル誘導体と二酸化イオウ（ＳＯ□）
とＤＭＦ （ジメチルホルムアミド）中で、Ｎ２下、過
酸化物の存在下、約−８０℃にて重合して前述した化学
式によって表される共重合体を得た（ｍ：ｎ＝７ ：
３ 、Ｍ）＝１２７，０００ 、π、 ／Ｍ、 ＝１
．６）。
これをベースポリマーであるポリ（Ｐ−ヒドロキシ−α
−メチルスチレン”） ＣＭ、 ＝５７，０００．π
；／Ｍ、 ＝１゜０５〕に対して１２−ｔ％混合した。
−メチルスチレン”） ＣＭ、 ＝５７，０００．π
；／Ｍ、 ＝１゜０５〕に対して１２−ｔ％混合した。
この混合量は５ｗｔ％以下ではインヒビターとして働き
が不十分であり、一方ベースボリマーに溶けるだけ混合
することも可能であるが長時間の保存下で分離すること
もあるので３０−ｔ％以内である。そして、この混合物
をモノクロロベンゼンの２０ｗｔ％熔液とした。
が不十分であり、一方ベースボリマーに溶けるだけ混合
することも可能であるが長時間の保存下で分離すること
もあるので３０−ｔ％以内である。そして、この混合物
をモノクロロベンゼンの２０ｗｔ％熔液とした。
このレジスト溶液をシリコンウェハー上にスピンコード
して約０．７μｍ厚のレジスト層を形成した。約８０℃
で３０分間のプリベータを行った後で、レジスト層をＸ
線（Ｍ、Ｌ線）でもって露光した。そして、有機アルカ
リ現像液（シラプレー社製ＭＦ−３１２の４０％水溶液
）で現像してポジ型レジストパターンが得られた。この
レジスト層の感度は２７ｍＪ／ｃｏ！であり、耐ドライ
エツチング性（ＣＦ、 、２００Ｗ、 ０．５Ｔｏｒ
ｒのドライエツチングにて）はＰＭＭＡ （ポリメチル
メタクリレート）の４倍であった。また、耐熱性は２３
０℃であった。
して約０．７μｍ厚のレジスト層を形成した。約８０℃
で３０分間のプリベータを行った後で、レジスト層をＸ
線（Ｍ、Ｌ線）でもって露光した。そして、有機アルカ
リ現像液（シラプレー社製ＭＦ−３１２の４０％水溶液
）で現像してポジ型レジストパターンが得られた。この
レジスト層の感度は２７ｍＪ／ｃｏ！であり、耐ドライ
エツチング性（ＣＦ、 、２００Ｗ、 ０．５Ｔｏｒ
ｒのドライエツチングにて）はＰＭＭＡ （ポリメチル
メタクリレート）の４倍であった。また、耐熱性は２３
０℃であった。
発明の効果
本発明によって高感度でかつ耐ドライエツチング性の優
れたポジ型Ｘ線レジストが得られる。
れたポジ型Ｘ線レジストが得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハロゲン化アルキル基を有するメタクリル酸エステ
ル誘導体と二酸化イオウとの共重体およびポリマーから
なるポジ型Ｘ線レジスト。 ２、前記共重体が５ないし３０重量％である特許請求の
範囲第１項記載のレジスト。 ３、前記ポリマーがポリ（Ｐ−ヒドロキシ−α−メチル
スチレン）である特許請求の範囲第１項記載のレジスト
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27451984A JPS61156123A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ポジ型ｘ線レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27451984A JPS61156123A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ポジ型ｘ線レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156123A true JPS61156123A (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=17542827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27451984A Pending JPS61156123A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ポジ型ｘ線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63218949A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| US10303056B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-05-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27451984A patent/JPS61156123A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63218949A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| US10303056B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-05-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
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