JPH0379670A - ネガ型放射線感応性樹脂組成物 - Google Patents
ネガ型放射線感応性樹脂組成物Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ネガ型放射線感応性樹脂組成物に関するもの
であり、さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体集積
回路及びマスクの製造の際に用いられる、遠紫外線、電
子線、X線等の放射線に感応し、感度、残膜率、解像性
のバランスの良い、耐熱性、耐ドライエツチング性に浸
れた微細加工用ネガ型放射線感応性樹脂組成物に関する
ものである。
であり、さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体集積
回路及びマスクの製造の際に用いられる、遠紫外線、電
子線、X線等の放射線に感応し、感度、残膜率、解像性
のバランスの良い、耐熱性、耐ドライエツチング性に浸
れた微細加工用ネガ型放射線感応性樹脂組成物に関する
ものである。
従来の技術
従来、半導体集積回路等の製造においては、シリコンウ
ェハー等の基板の上に、レジストを塗布し、マスクを通
して放射線を照射し、さらに現像することで微細なパタ
ーンを形成、次いでパターン部以外の基板部分を、エツ
チングすることが行われている。近年、集積回路の高性
能化及び信頼性向上を図るため、素子の高密度化の要請
が高まってきている。現行のレジストとしては、ポジ型
レジストとネガ型レジストが用いられている。
ェハー等の基板の上に、レジストを塗布し、マスクを通
して放射線を照射し、さらに現像することで微細なパタ
ーンを形成、次いでパターン部以外の基板部分を、エツ
チングすることが行われている。近年、集積回路の高性
能化及び信頼性向上を図るため、素子の高密度化の要請
が高まってきている。現行のレジストとしては、ポジ型
レジストとネガ型レジストが用いられている。
遠紫外線、電子線、X線等の放射線に感応するポジ型の
組成物としては、ポリメチルメタクリレートや、ポリオ
レフィンスルホンが公知であるが、前者は解像度が優れ
ているものの感度が非常に遅く、又後者は感度は高いが
ドライエツチングができないという欠点を有している。
組成物としては、ポリメチルメタクリレートや、ポリオ
レフィンスルホンが公知であるが、前者は解像度が優れ
ているものの感度が非常に遅く、又後者は感度は高いが
ドライエツチングができないという欠点を有している。
又米国特許第4,339,522号及びChemisc
he Beri−chte 92.130 (1959
)に開示されているメルドラム酸やジメドン等のオキシ
ジアゾ化合物なポジ型放射線感応性樹脂組成物として利
用する試みもなされている。これらの組成物は、アルカ
リ現像型で、解像度がよく、ドライエツチング耐性にも
問題はないが、熱的負荷に対して不安定であり、プリベ
ークの間に昇華してかなりの量が失われてしまうという
欠点がある。
he Beri−chte 92.130 (1959
)に開示されているメルドラム酸やジメドン等のオキシ
ジアゾ化合物なポジ型放射線感応性樹脂組成物として利
用する試みもなされている。これらの組成物は、アルカ
リ現像型で、解像度がよく、ドライエツチング耐性にも
問題はないが、熱的負荷に対して不安定であり、プリベ
ークの間に昇華してかなりの量が失われてしまうという
欠点がある。
また、ネガ型放射線感応性樹脂組成物としては、ポリス
チレンを幹ポリマーとしたクロルメチル化ポリスチレン
あるいはクロル化ポリメチルスチレンを含む樹脂組成物
が公知である。解像度を上げるためには一般にアルカリ
水溶液による現像処理が有利であるが、これらの組成物
は、高感度でかつドライエツチング耐性に優れるが、有
機溶剤による現像処理を行うため、膨潤の影響で転写パ
ターンがゆがんだり、膜の剥離により現像力に限界があ
る。特開昭63−191142号にはアルカリ可溶性樹
脂とビスアジド化合物からなる組成物の例がある。これ
らの組成物は、アルカリ現像ができるため、膨潤がなく
解像度が上がる。しかしながら、アジド化合物は放射線
照射により、アゾ化合物等の反応生成物をつくるため、
照射光付近での吸収が増し、レジスト層下部まで充分光
が届かずその結果、逆台形状のパターンになってしまう
という欠点を有している。
チレンを幹ポリマーとしたクロルメチル化ポリスチレン
あるいはクロル化ポリメチルスチレンを含む樹脂組成物
が公知である。解像度を上げるためには一般にアルカリ
水溶液による現像処理が有利であるが、これらの組成物
は、高感度でかつドライエツチング耐性に優れるが、有
機溶剤による現像処理を行うため、膨潤の影響で転写パ
ターンがゆがんだり、膜の剥離により現像力に限界があ
る。特開昭63−191142号にはアルカリ可溶性樹
脂とビスアジド化合物からなる組成物の例がある。これ
らの組成物は、アルカリ現像ができるため、膨潤がなく
解像度が上がる。しかしながら、アジド化合物は放射線
照射により、アゾ化合物等の反応生成物をつくるため、
照射光付近での吸収が増し、レジスト層下部まで充分光
が届かずその結果、逆台形状のパターンになってしまう
という欠点を有している。
発明が解決しようとする課題
遠紫外線、電子線、X線等の放射線に感応し感度、残膜
率、解像性のバランスが良く、耐熱性、耐ドライエツチ
ング性に優れた微細加工用ネガ型放射線感応性樹脂組成
物の開発が求められている。
率、解像性のバランスが良く、耐熱性、耐ドライエツチ
ング性に優れた微細加工用ネガ型放射線感応性樹脂組成
物の開発が求められている。
課題を解決するための手段
本発明者等は、前記したよう紅課題を解決すべく鋭意研
究を重ねた結果、本発明に至ったものである。すf、C
わち本発明は、アルカリ可溶性樹脂と式(I>及び/又
(II)で示される放射線感応性材料 ト遁 (式(I)及び(II)においてX、Yはそれぞれ独立
に−CR,R2−,>C=O,−0−又は−NH−で表
される原子団を示し、R11R2は、水素原子、アルキ
ル基、フェニル基、カルボキシル基、カルボニルハライ
ド基を示し、R3−R6は、水素原子、ノ・ロゲン原子
、スルホン酸基、スルホニルハロゲノ基又はアルコキシ
基を示す。)を含むことを特徴とするネガ型放射線感応
性樹脂組成物を提供することにある。
究を重ねた結果、本発明に至ったものである。すf、C
わち本発明は、アルカリ可溶性樹脂と式(I>及び/又
(II)で示される放射線感応性材料 ト遁 (式(I)及び(II)においてX、Yはそれぞれ独立
に−CR,R2−,>C=O,−0−又は−NH−で表
される原子団を示し、R11R2は、水素原子、アルキ
ル基、フェニル基、カルボキシル基、カルボニルハライ
ド基を示し、R3−R6は、水素原子、ノ・ロゲン原子
、スルホン酸基、スルホニルハロゲノ基又はアルコキシ
基を示す。)を含むことを特徴とするネガ型放射線感応
性樹脂組成物を提供することにある。
公知技術にあっては、式(I)又は(II)で示される
オキシジアゾ化合物を用いたネガ放射線感応性樹脂組成
物はまだ知られていない。特開平1106044号によ
れば式(I)又は(II)で示される型のオキシジアゾ
化合物を用いたポジ型放射線感応性樹脂組成物の例があ
るが、本発明者らは、式(I)又は(II)で示される
化合物とアルカリ可溶性樹脂トをエチルセロソルブアセ
テート等の溶媒に溶解し、その溶液をシリコンウェノ1
−上に塗布、60’C〜120℃好ましくは70℃〜1
00℃に加熱乾燥し、遠紫外線、電子線、X線等の放射
線を照射した後、pH12,0〜14.0好マしくは1
2.8〜13.5のアルカリ水溶液に浸漬させると膨潤
がなく解像度の良い、しかも耐熱性の優れた微細なネガ
型のパターンがシリコンウェノ・−上に形成されること
を発見し本発明を完成させた。
オキシジアゾ化合物を用いたネガ放射線感応性樹脂組成
物はまだ知られていない。特開平1106044号によ
れば式(I)又は(II)で示される型のオキシジアゾ
化合物を用いたポジ型放射線感応性樹脂組成物の例があ
るが、本発明者らは、式(I)又は(II)で示される
化合物とアルカリ可溶性樹脂トをエチルセロソルブアセ
テート等の溶媒に溶解し、その溶液をシリコンウェノ1
−上に塗布、60’C〜120℃好ましくは70℃〜1
00℃に加熱乾燥し、遠紫外線、電子線、X線等の放射
線を照射した後、pH12,0〜14.0好マしくは1
2.8〜13.5のアルカリ水溶液に浸漬させると膨潤
がなく解像度の良い、しかも耐熱性の優れた微細なネガ
型のパターンがシリコンウェノ・−上に形成されること
を発見し本発明を完成させた。
式CI)又は(II)で示される化合物の具体例を例示
すると、 2−ジアゾ−1−インダノン、 2−ジアゾ−3−フェニル−1−インダノン、2−ジア
ゾ−1−テトラロン。
すると、 2−ジアゾ−1−インダノン、 2−ジアゾ−3−フェニル−1−インダノン、2−ジア
ゾ−1−テトラロン。
2−ジアゾ−1−テトラロン−7−スルホン酸、2−ジ
アゾ−1−テトラロン−7−スルホニルクロライド、2
−ジアゾ−1−テトラロン−4−カルボン酸2−ジアゾ
−1−テトラロン−4−カルボニルクロライド−ヒドロ
ナフタレン、 3−ジアゾ−2,4−ジオキソ−1,2,3,4−テト
ラヒノリン、 3−ジアゾ−2,4−ジオキソクロマン、3−シア7”
−5,8−シクロルー4−クロマノン、3−ジアゾ−6
−メドキシー4−クロマノン、3−シア1−8−クロル
−4−クロマノン、ドロキ 3−ジアゾ−6,8−ジメチル−4−クロマノン、3−
ジアゾ−6−フルオロ−4−クロマノン、2−ジアゾ−
3−オキソ−2,3−ジヒドロインドール等が挙げられ
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
アゾ−1−テトラロン−7−スルホニルクロライド、2
−ジアゾ−1−テトラロン−4−カルボン酸2−ジアゾ
−1−テトラロン−4−カルボニルクロライド−ヒドロ
ナフタレン、 3−ジアゾ−2,4−ジオキソ−1,2,3,4−テト
ラヒノリン、 3−ジアゾ−2,4−ジオキソクロマン、3−シア7”
−5,8−シクロルー4−クロマノン、3−ジアゾ−6
−メドキシー4−クロマノン、3−シア1−8−クロル
−4−クロマノン、ドロキ 3−ジアゾ−6,8−ジメチル−4−クロマノン、3−
ジアゾ−6−フルオロ−4−クロマノン、2−ジアゾ−
3−オキソ−2,3−ジヒドロインドール等が挙げられ
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、フェ
ノールノボラック樹脂、クレゾールノポラッ樹脂、ポリ
ヒドロキシスチレン、メタクリル酸メチル−メタクリル
酸共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体等が挙げら
れるが、アルカリに可溶性を示し、式(I)又は(II
)で示される化合物と相溶性のあるものは、すべて用い
ることができる。
ノールノボラック樹脂、クレゾールノポラッ樹脂、ポリ
ヒドロキシスチレン、メタクリル酸メチル−メタクリル
酸共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体等が挙げら
れるが、アルカリに可溶性を示し、式(I)又は(II
)で示される化合物と相溶性のあるものは、すべて用い
ることができる。
アルカリ可溶性樹脂と式CI)又は(II)で示される
化合物の混合比は、樹脂100重量部に対し、化合物を
2から50重量部、好ましくは5から40重量部である
。
化合物の混合比は、樹脂100重量部に対し、化合物を
2から50重量部、好ましくは5から40重量部である
。
本発明の樹脂組成物には溶媒を用いるのが好ましいが溶
媒としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテ
ルアセf−)、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエテルエーテル、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルアセテート、ア
ミルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の溶媒が単独
または混合して用いられる。
媒としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテ
ルアセf−)、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエテルエーテル、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルアセテート、ア
ミルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の溶媒が単独
または混合して用いられる。
本発明のネガ型放射線感応性樹脂組成物は、さらに用途
に応じて、可塑剤、光変色剤、染料、密着向上剤などが
添加される。
に応じて、可塑剤、光変色剤、染料、密着向上剤などが
添加される。
本発明のネガ型放射線感応性樹脂組成物による成形物を
現像するのに用いられるアルカリ現像液としては、テト
ラメチルアンモニウムノ1イドロオキサイド、トリエチ
ルアミン、トリエタノールアミン等の有機アルカリ水溶
液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機アルカリ水溶液等をあげるこ
とができるが、集積回路の製造プロセスにおいては、有
機アルカリ水溶液を用いることが望ましい。
現像するのに用いられるアルカリ現像液としては、テト
ラメチルアンモニウムノ1イドロオキサイド、トリエチ
ルアミン、トリエタノールアミン等の有機アルカリ水溶
液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機アルカリ水溶液等をあげるこ
とができるが、集積回路の製造プロセスにおいては、有
機アルカリ水溶液を用いることが望ましい。
本発明の樹脂組成物はアルカリ可溶性樹脂に構造式(I
)又は(6)で表される化合物又はそれらの混合物を、
樹脂100重量部に対して2〜50重量部、好ましくは
5〜40重量部を混合させこれに溶媒を樹脂100重量
部に対して50〜1000重量部を加え、必要に応じて
濾過を行うことによって得ることができる。
)又は(6)で表される化合物又はそれらの混合物を、
樹脂100重量部に対して2〜50重量部、好ましくは
5〜40重量部を混合させこれに溶媒を樹脂100重量
部に対して50〜1000重量部を加え、必要に応じて
濾過を行うことによって得ることができる。
本発明の樹脂組成物は、シリコンウエノ1−等の基板上
にスピンナー等で塗布し均一な膜を得たあとこれをベー
クすることによって塗膜を乾燥させた後、紫外線、電子
線、X線等で所望の微細パターンを露光し次いでアルカ
リ水溶液で現像することによって基板上に微細パターン
を転写することができる。
にスピンナー等で塗布し均一な膜を得たあとこれをベー
クすることによって塗膜を乾燥させた後、紫外線、電子
線、X線等で所望の微細パターンを露光し次いでアルカ
リ水溶液で現像することによって基板上に微細パターン
を転写することができる。
本発明の樹脂組成物は、放射線に対する感度が高く、転
写されたパターンは、膨潤が々く解像度に優れ、さらに
ドライエツチング耐性及び耐熱性に極めて優れている。
写されたパターンは、膨潤が々く解像度に優れ、さらに
ドライエツチング耐性及び耐熱性に極めて優れている。
実施例
実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本
発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
合成例1゜
2−ジアゾ−1−インダノンの合成
エタノール200 mlに1−インダノン34g及び塩
酸147m1を加え、冷却下40%亜硝酸濾取した。
酸147m1を加え、冷却下40%亜硝酸濾取した。
水100m1に得られた結晶5.2g、1規定水酸化す
) IJウム溶液34m1及びアンモニア水12m1を
加え、冷却下次亜塩素酸ソーダ溶液を滴下した。
) IJウム溶液34m1及びアンモニア水12m1を
加え、冷却下次亜塩素酸ソーダ溶液を滴下した。
3時間撹拌後、酢酸エチルで抽出、水洗乾燥後これに同
量のn−ヘキサンを加え生成物を得た。
量のn−ヘキサンを加え生成物を得た。
分 析 値
IR(ν =N=N) 2075cm−”(ν
C=0) 1660cm−”UV (λma
x、エタノー#)257.2,321.6nm合成例2
゜ 2−ジアゾ−1−テトラロンの合成 第三ブチルアルコール59m1にカリウム3g。
C=0) 1660cm−”UV (λma
x、エタノー#)257.2,321.6nm合成例2
゜ 2−ジアゾ−1−テトラロンの合成 第三ブチルアルコール59m1にカリウム3g。
1−テトラロン7.3gを加え、冷却下亜硝酸イソアミ
ル7.0gを滴下した。3時間後、200m1の水に注
ぎ塩酸を加えて中和し、塩化メチレンで目的物を抽出し
、水洗乾燥後同量のエーテルを加えて結晶を得た。
ル7.0gを滴下した。3時間後、200m1の水に注
ぎ塩酸を加えて中和し、塩化メチレンで目的物を抽出し
、水洗乾燥後同量のエーテルを加えて結晶を得た。
得られた結晶3.5gを1規定の水酸化ナトリウム溶液
30m1に溶かし、これにアンモニア水10m1を加え
、冷却下次亜塩素酸ソーダ溶液100m1を滴下し生成
物を得た。
30m1に溶かし、これにアンモニア水10m1を加え
、冷却下次亜塩素酸ソーダ溶液100m1を滴下し生成
物を得た。
分 析 値
I R(v =N=N ) 2070cm−”(
v C=O) 1630 cm UV (λmax、エタノール) 220.4,2
58.6,297.2゜324.8 nm 合成例3゜ 3−ジアゾ−2,4−ジオキソクロマンの合成エタノー
ル100m1に4−ヒドロキシクマリン8.1gとトリ
エチルアミン5.1gを加え、冷却下この溶液にトシル
アジド9.9gを加えた。
v C=O) 1630 cm UV (λmax、エタノール) 220.4,2
58.6,297.2゜324.8 nm 合成例3゜ 3−ジアゾ−2,4−ジオキソクロマンの合成エタノー
ル100m1に4−ヒドロキシクマリン8.1gとトリ
エチルアミン5.1gを加え、冷却下この溶液にトシル
アジド9.9gを加えた。
40分後析出した結晶を濾取して、生成物を得た。
IR(ν =N=N) 2170cm−’UV
(λmax、 xタノール) 224,265,2
78nm実施例1゜ 合成例1で得た2−ジアゾ−1−インダノン0.2g、
ポリヒドロキシスチレン(分子量4.200)0.8g
をメチルセロソルブアセテート4gに溶解させ孔径02
μmのテフロンフィルターで濾過し本発明のネガ型放射
線感応性組成物を得た。この組成物を酸化膜のあるシリ
コンウェハーに膜厚が1.2μmになるように回転塗布
を行い、80℃のクリーンオーブン中で20分間プリベ
ークを行った。次いでこれを微細パターンの描かれたマ
スクを通して’l、 5 Q nmの遠紫外線(光強度
1 mW/ cm” )を60秒間照射した後25°C
,pH13,5のテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で60秒間現像してパターンを得た。膜
減りはほとんどなく0.65μmのラインアンドスペー
スが解像されていた。断面形状を走査型電子顕微鏡で観
察したところパターンは極めてアスペクト比の高いもの
であった。得られたものについて平行平板型ドライエツ
チング耐性を用いて、高周波出力350Wで四フッ化炭
素による反応性イオンエツチングに対する耐性を調べた
ところ、酸化シリコンのエツチング速度が1200 A
/minであるのに対し、本発明の組成物は、580A
/minと半分以下のエツチング速度であり、極めて高
いドライエツチング耐性を有することがわかった。
(λmax、 xタノール) 224,265,2
78nm実施例1゜ 合成例1で得た2−ジアゾ−1−インダノン0.2g、
ポリヒドロキシスチレン(分子量4.200)0.8g
をメチルセロソルブアセテート4gに溶解させ孔径02
μmのテフロンフィルターで濾過し本発明のネガ型放射
線感応性組成物を得た。この組成物を酸化膜のあるシリ
コンウェハーに膜厚が1.2μmになるように回転塗布
を行い、80℃のクリーンオーブン中で20分間プリベ
ークを行った。次いでこれを微細パターンの描かれたマ
スクを通して’l、 5 Q nmの遠紫外線(光強度
1 mW/ cm” )を60秒間照射した後25°C
,pH13,5のテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で60秒間現像してパターンを得た。膜
減りはほとんどなく0.65μmのラインアンドスペー
スが解像されていた。断面形状を走査型電子顕微鏡で観
察したところパターンは極めてアスペクト比の高いもの
であった。得られたものについて平行平板型ドライエツ
チング耐性を用いて、高周波出力350Wで四フッ化炭
素による反応性イオンエツチングに対する耐性を調べた
ところ、酸化シリコンのエツチング速度が1200 A
/minであるのに対し、本発明の組成物は、580A
/minと半分以下のエツチング速度であり、極めて高
いドライエツチング耐性を有することがわかった。
実施例2゜
合成例2で得た2−ジアゾ−1−テトラロン0.5g、
クレゾールノボラック樹脂(分子量12.000)10
.0gをメチルセロソルブアセテ性組成物を得た。この
組成物を酸化膜のあるシリコンウェハーに膜厚が1.2
μmになるように回転塗布を行い、80℃のクリーンオ
ーブン中で20分間プリベークを行った。次いでこれに
電子線照射(加速電圧20KV)した後25℃、1)H
I3.8のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液で60秒間現像してパターンを得た。膜減りは
ほとんど々<0.40μmのラインアンドスペースが解
像されていた。断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した
ところパターンは極めてアスペクト比の高いものであっ
た。
クレゾールノボラック樹脂(分子量12.000)10
.0gをメチルセロソルブアセテ性組成物を得た。この
組成物を酸化膜のあるシリコンウェハーに膜厚が1.2
μmになるように回転塗布を行い、80℃のクリーンオ
ーブン中で20分間プリベークを行った。次いでこれに
電子線照射(加速電圧20KV)した後25℃、1)H
I3.8のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液で60秒間現像してパターンを得た。膜減りは
ほとんど々<0.40μmのラインアンドスペースが解
像されていた。断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した
ところパターンは極めてアスペクト比の高いものであっ
た。
実施例3〜14゜
実施例1に準じて次のブヒ金物についても同様の実験を
行った。結果を第1表にまとめた。
行った。結果を第1表にまとめた。
但し使用したアルカリ可溶性樹脂はポリヒドロキシスチ
レン樹脂(実施例3〜9)、クレゾールノボラック樹脂
(実施例10〜14)である。
レン樹脂(実施例3〜9)、クレゾールノボラック樹脂
(実施例10〜14)である。
a 2−ジアゾ−3−フェニル−1−インダノンb 2
−ジアゾ−1,3−インダンジオンC3−ジアゾ−2,
4−ジオキソ−1,1−ジメチル−1,2゜3.4−テ
トラヒトミナフタレン d 3−ジアゾ−2,4−ジオキソ−1,2,3,4−
テトラヒドロキノリン e 3−ジアゾ−6−メドキシー4−クロマノンf 3
−ジアゾ−6,8−ジメチル−4−クロマノンg 2−
ジアゾ−3−オキノー2.3−ジヒドロインドールh
2−ジアゾ−ニーテトラロン−7−スルホニルクロライ
ド 12−ジアゾ−1−テトラロン−4−カルボニルクロラ
イド 3−シアソー5.8−シクロルー4−クロマノンk
3−シアシー8−クロル−4−クロマノン1 3−シア
シー6−フルオロ−4−クロマノン第 表 *1 *2 *3 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 電子線 電子線 電子線 電子線 電子線 0.60 0.60 0.75 0.60 0.70 80 0.65 0.30 0.30 0.35 0.45 0.40 極めて良好 極めて良好 極めて良好 極めて良好 良 好 良 好 良 好 極めて良好 極めて良好 極めて良好 良 好 良 好 アルカリ可溶性樹脂100部に対する使用割合単位 紫
外線: (mJ / cm2)、電子線” (p C/
cm” )単位 μm 発明の効果 本発明の放射線感応性樹脂組成物は、放射線に対する感
度が高く、解像度に浸れしかも耐熱性の優れた、半導体
集積回路などの製造に関して、きわめて有用な放射線感
応性樹脂組成物かえられた。
−ジアゾ−1,3−インダンジオンC3−ジアゾ−2,
4−ジオキソ−1,1−ジメチル−1,2゜3.4−テ
トラヒトミナフタレン d 3−ジアゾ−2,4−ジオキソ−1,2,3,4−
テトラヒドロキノリン e 3−ジアゾ−6−メドキシー4−クロマノンf 3
−ジアゾ−6,8−ジメチル−4−クロマノンg 2−
ジアゾ−3−オキノー2.3−ジヒドロインドールh
2−ジアゾ−ニーテトラロン−7−スルホニルクロライ
ド 12−ジアゾ−1−テトラロン−4−カルボニルクロラ
イド 3−シアソー5.8−シクロルー4−クロマノンk
3−シアシー8−クロル−4−クロマノン1 3−シア
シー6−フルオロ−4−クロマノン第 表 *1 *2 *3 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 遠紫外線 電子線 電子線 電子線 電子線 電子線 0.60 0.60 0.75 0.60 0.70 80 0.65 0.30 0.30 0.35 0.45 0.40 極めて良好 極めて良好 極めて良好 極めて良好 良 好 良 好 良 好 極めて良好 極めて良好 極めて良好 良 好 良 好 アルカリ可溶性樹脂100部に対する使用割合単位 紫
外線: (mJ / cm2)、電子線” (p C/
cm” )単位 μm 発明の効果 本発明の放射線感応性樹脂組成物は、放射線に対する感
度が高く、解像度に浸れしかも耐熱性の優れた、半導体
集積回路などの製造に関して、きわめて有用な放射線感
応性樹脂組成物かえられた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アルカリ可溶性樹脂と、式( I )及び/又は(II
)で示される放射線感応性材料として、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式( I )及び(II)においてX、Yはそれぞれ独立
に−CR_1R_2−、>C=0、−O−又は−NH−
で表される原子団を示し、R_1、R_2は、水素原子
、アルキル基、フェニル基、カルボキシル基、カルボニ
ルハライド基を示し、R_3〜R_6は、水素原子、ハ
ロゲン原子、スルホン酸基、スルホニルハロゲノ基又は
アルコキシ基を示す。)を含むことを特徴とするネガ型
放射線感応性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1214944A JP2825543B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1214944A JP2825543B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0379670A true JPH0379670A (ja) | 1991-04-04 |
JP2825543B2 JP2825543B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=16664155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1214944A Expired - Lifetime JP2825543B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825543B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5726296A (en) * | 1997-03-07 | 1998-03-10 | Hoechst Celanese Corp. | Process for preparing photoactive coumarin derivatives |
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