JPS60115932A - ポジのホトレジスト組成物 - Google Patents

ポジのホトレジスト組成物

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JPS60115932A
JPS60115932A JP59231115A JP23111584A JPS60115932A JP S60115932 A JPS60115932 A JP S60115932A JP 59231115 A JP59231115 A JP 59231115A JP 23111584 A JP23111584 A JP 23111584A JP S60115932 A JPS60115932 A JP S60115932A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に、混合物を比較的アルカリ不溶性にする
のに十分な量の、化学線露光に際しアルカリ可溶性の種
類に変換されうるアルカリ不溶性の光活性化合物、なら
びに混合物を化学線露光に際しアルカリ易溶性となすの
に十分な量の−(−Co−NH−Co+ 基を含むポリ
マー、たとえばマレイミドおよび特にマレイミド−置換
スチレンコポリマーの混合物を含有する化学線(act
inicradiation) (深紫外線deep 
ultraviolet、紫外線および可視光線)感光
性のポジのホトレジスト組成物に関する。また本発明は
、この化学線感光性のポジのホトレジスト組成物を基礎
とする感光性要素、および熱安定性の光化学的に画像を
形成した系に関する。
ポジおよびネガのホトレジストは光学的平版印刷系、た
とえば平版印刷版、および集積回路を含む半導体デバイ
スの加工に用いられる。一般に感光性要素は感光性材料
を基板、たとえばシリコンまたはアルミニウムに付着さ
せることによって製造される。光化学的に画像を形成し
た系は、感光性付着層またはその一部をパターン付きマ
スクを介して画像形成下に化学線に露光して潜像を生成
させ;露光された付着層を適切な現像液で処理してパタ
ーン付き画像を形成することにょシ製造される。ネガの
ホトレジストの露光領域は現像液に不溶性であるのに対
し、ポジのホトレジストの露光領域は現像液に可溶性で
あシ、露光領域の除去によジノξターン付き画像が形成
される。
ポジのホトレジスト組成物の有用性は、多数の重要な特
性によシ定められる。これらの特性のうちの1つは逆感
(inverse 5ensitivity)度である
これは露光領域の薄膜を特定の現像条件下で完全に除去
するために必要な特定の波長における化学線露光度(単
位面積当たシのエネルギー、たとえばm J /cd 
)と定義される。他の因子が同じであるならば、可能な
限シ最低の逆感度を得ることが望ましい。一定の照射強
度(たとえばm J/crAで表わしたもの)について
必要な露光時間は逆感度に正比例し、また処理時間を最
小限に抑えることが通常は望ましいからである。ポジの
レジストの他の重要な特性はフィルム損失または薄化率
(pθraθntthinning )である。これは
一定の厚さについて、特定の露光条件および現像条件下
における未照射領域で失われたものの、もとのフィルム
厚さに対する百分率である。他の因子が同じであるなら
ば、通常この量は可能な限シ小さいことが望ましい。
エレクトロニクス工業で一般的な値は1ミクロンのフィ
ルムにつき5〜】0チである。第3の特性はコントラス
トであシ、これはレジストが異なる光の水準を区別する
性能に関するものである。ポジのホトレジストに関して
は、コントラストはある一組の現像条件についてClo
g 1o(Eo/E6))’−1で定義される。式中E
。は逆感度であシ、ES けフィルム厚さ対露光度のプ
ロットをEOがらフィルム全厚まで外挿することにょシ
得られる露光度である(第1図参照)。通常は高いコン
トラストを得ることが望ましい。ノボラック樹脂を用い
たエレクトロニクス工業に用いられる一般的な市販のポ
ジのホトレジストは、現像条件に応じて1.5〜3.5
のコントラスト値を与える。アクリル酸を含有するポリ
マーを基礎とするある種のポジのホトレジストに関して
はこれよシも高いコントラスト値が報告されているが、
複雑な2工程現像法が必要である。逆感度、コントラス
トおよびフィルム損失が一定の型の露光および一定の現
像条件についてポジのホトレジストの平版印刷性能であ
るとまず推定されるが、他の幾つかの特性も重要である
。ポジのホトレジストは、たとえば厚さ1ミクロンのフ
ィルムに1ミクロンまたは2ミクロンの線およびスペー
スを正確にかつ明瞭に再現する性能によシ証明されるよ
うに、質の高い画像を示さなければならない。画像の質
は光学顕微鏡または電子顕微鏡を用いて検査することが
できる。
実際に使用する際はしばしば高められた温度における後
続の処理工程(たとえばプラズマエツチング)を伴うの
で、ポジのホトレジストの熱安定性が十分に高く、従っ
て得られるレリーフ画像が200〜250°Cの範囲の
温度でその全体性(integ−rity) f保つこ
とがきわめて望ましい。イーストマン・コダック社製の
市販品(ミクロポジティプレレジスト820、Micr
o Po5itive Re5ist 820 )は報
告によれば150°Cまでの温度に耐えるであろう。一
方シツブレイ社製のレジスト(ミクロポジット23、M
icroposit 23 )およびマツクデルミド社
製のレジスト(ウルトラマツク、Ll’ltramac
 )は報告によれば200℃までの温度にITjえるで
あろう(たとえばセミコンダクター・インターナンヨツ
ール、1983年4月、85−87頁参照)。ヒラ才力
およびバカンスキー(J、Electrochem+5
oc−128,2645(1981))は、伝統的なポ
ジのノホラツク系レジストを約I J/cetの深紫外
線で投光路光して改良されだ熱定性を与えうる方法を記
述している。155℃では良好な熱安定性が認められた
が、像は210℃では測定可能な流れを示すと思われる
。ヒラ才力およびバカンスキーが述べた方法は費用のか
かる付加的な処理工程を必要とし、ストリッピングしに
くい架橋したレリーフ画像が得られる。このような熱安
定性はポジのホトレジスト組成物にとって重要な特性で
あると広く認識されてはいるが、なお200 ’C以上
の温度において熱安定性であるレリーフ画像を与えるポ
ジのホトレジスト組成物がめられている。またポジのホ
トレジストが現像および2QO〜250 ℃の範囲の温
度でのベーキングののち直ちにストリッピングされるこ
とも重要である。
提供される用途に応じて、ポジのホトレジストの他の多
くの特性が重要であることが認められている。−例とな
る特性には、基板への良好な伺゛着性、縦じわのない均
質なフィルムを基板上に何らかの方法(たとえばスピン
カスチジグ)によ多形成する能力、および酸エツチング
条件に対する抵抗性が含まれる。
一般に#?シのホトレジスト組成物はアルカリ可溶性ポ
リマー、たとえばホルムアルデヒドとフェノールのコポ
リマー、(いわゆるノボラック)、またはアクリル酸コ
ポリマーを、比較的大量、たとえば35重量%のアルカ
リ不溶性の光活性化合物、たとえば置換ナフトキノンジ
アジド(ポジのホトレジスト組成物においてアルカリ溶
解抑制剤として作用する)と組合わせて含有する。ここ
で用いられる1アルカリ溶解性”は相対的用語として定
義され、すなわちアルカリ溶解性の高い月利は一定の接
触時間(一般に60秒間)で一定のアルカリ濃度におい
て一定の厚さく一般に1ミクロン)のフィルムが結果的
に除去される溶解率を示すであろう。同様に比較的アル
カリ不溶性の旧料は同様な接触時間で同じアルカリ濃度
において上記と同じ厚さのi以下の除去を示すであろう
。ポジのホトレジスト組成物の光分解によりナフトキノ
ンシアシト9化合物がケテン含有物質を経てインデンカ
ルボン酸誘導体に変換すると考えられる。
光化学的に画像を形成した系をアルカリ水溶液中で現像
することによシ、酸性フェノール樹脂およびインデンカ
ルボン酸は除去され、一方比較的非極性の、または疎水
性の光分解されなかったナフトキノンジアジド化合物は
未露光領域の溶解を遅延させ、または阻I卜する。たと
えば米国特許第4.377,631号明細書(M、A、
タラキーら)を参照されたい。これにはポジのクレゾー
ル−ホルムアルデヒド9ノボラツク樹脂を選ばれたナフ
トギノンジアジト9系増感化合物と共に用いることが示
されている。しかしノボラック樹脂はきわめて有用では
あるが若干の欠点をもつ。すなわちいわゆる深紫外線(
DIJV)x−eクトル領域(250〜300nm)に
おいて強い吸光を示すこと、および形成されたレリーフ
画像が120〜150℃以上の温度における熱分解に対
する抵抗性に乏しいことである。
いかなる光学的平版印刷システムにおいても達成しうる
究極的な解決は、基本的には用いる化学線の波長によシ
制限される。ここで用いられる6化学線”という語は光
化学的に誘発される変換を生じうる電磁波を意味する。
通常の平版印刷法ではスにクトルの紫外領域(ここでは
300〜400nmと定義する)または近可視領域(こ
こでは400〜450nmと定義する)の化学線を用い
る。
深紫外(DUV)化学線(ここでは250〜300nm
と定義する)の使用によシいっそう高い分解能を得るこ
とができる。しかし普通のフェノール糸レジスト、たと
えばノボラック樹脂は電磁エネルギースペクトルのこの
紫外部においては吸収性が晶く(非透過性)、従って露
光に十分な入射紫外線束がシリコンウェハーなどの基板
に塗布したフェノール系制料の層の下部にまで到達する
のが本質的に阻止される。このため、この種の普通の感
光性要素用のフェノール系旧制の厚さを通して300n
m以下の波長の紫外線を用いてDUVI光した場合、分
解能の増大は得られない。従ってこの棟の普通のポジの
ホトレジストではDUV化学線に露光したのち利用可能
なレリーフ画像は形成されない。
遊離カルボン酸基をもつ樹脂を用いるある種のDUVレ
ジストは既知である。たとえば英国時計出願GB2,0
99,168号明細書には基板および感光性材料からな
る感光体が記載されておシ、その場合感光性材料はアル
カリ可溶性ポリマーたとえばポリ(メタクリル酸メチル
−CO−メタクリル酸)、およびアルカリ不溶性羽村た
とえばニトロインジルアルコールのカルボン酸エステル
からなシ、これは化学線に露光した場合アルカリ組成物
中に可溶性とな〕、そのため感光性材料の露光部分は感
光性材料の未露光部分よシも速かにアルカリ組成物に溶
解し、レリーフ画像が形成される。
BJ、パップら(リサーチ・ディスクロージャー、19
75年6月、51〜53頁)は、感光性トリオルガノホ
スフィン芳香族アジr錯体を結合剤組成物、たとえばポ
リ(スチレン−Go−マレイミド)と組合わせたものが
可視写真処理に有用であシ、画像を形成しかつ安定化す
るためには画像形成下にg元し、150℃に5秒間以内
全体的に加熱する工程を必要とするにすぎないと述べて
いる。
しかし結合剤は化学線に露光された際にアジドの変換に
よシ生成しfc有色の光化学的画像軸に対する物理的支
持を与えるにすぎない。パップらによればポリ(スチレ
ン−〇〇−マレイミド)系結合斉1]中のアルカリ可溶
性の酸性基から伺らかの化学的利点が得られるという認
識はない。事実、ポリ(スチレン−co−マレイミド)
と同等のものとして記載された他の2種の結合剤、すな
わちポリ(4−ビニルピリジン)および酢酸酪酸セルロ
ースはいかなる酸性基も含まない。
従ってエネルギースはクトルの深紫外領域における低い
逆感度、高い分解能、低いフィルム損失および熱安定性
の高いレリーフ画像を形成する性能を示すポジのホトレ
ジスト組成物が必要とされている。
本発明者らは、+GO−NH−co+部分を含む、d 
IJママ−特にモノマー、たとえばメタクリル酸メチル
、メタクリロニトリル、スチレン、4−(C。
−05アルキル)スチレン、α−メチルスチレンもしく
は2.4−ジ(C□−05アルキル)スチレンのうち少
なくとも1棟およびマレイミドのコポリマーからなシ、
所望によシ有効量のN + (C1−C5アルキル)マ
レイミドを含むマレイミド組成物の使用によシ、基板上
に塗布して感光性要素を製造するのに適したポジのホト
レジスト組成物を調製することができ、この要素を約2
00〜7QOnmの範囲の波長の、あるパターンの化学
線に露光した場合、光化学的に画像を形成した系が製造
され、これをアルカリ現像液で処理して露光領域から塗
膜を高度に選択的に除去することによシ、分解能の高い
パターンを形成しつることを見出した。現像ののち、光
化学的画像を形成した好ましい態様の系は、約230℃
の温度でアフターに一キングした際、分解能の高いパタ
ーン付き画像の造作(1ミクロン)に有意の変化を生じ
ることなく(第2図参照)、その後直ちにストリッピン
グされる。本発明のポジのホトレジスト組成物から作成
された光化学的画像を形成した系が示す高い熱安定性に
よシ、先行技術による有機レジストポリマーに関してこ
れまで用いられているよシも高い温度でよシ速かに、プ
ラズマエツチング装置およびイオンインブランターなど
の装置で処理することができる。現像された光化学的画
像を形成した本発明の系は高い分解能をもつ。すなわち
鮮明なかつ鋭いノミターンをもつ画像輪郭を保持する。
従って本発明によれば4− (C1−C,アルキルスチ
レンもしくは2. 4 − :)( CI−05アルキ
ルチレンおよびマレイミドならびに所望によシ有効量の
N−(C□−05アルキル)マレイミ1のコポリマーか
らなる組成物が提供される。
本発明の他の観点においては、少なくとも約10モルチ
のマレイミドならびに残部のN−(cl−05アルキル
)マレイミド9およびスチレンもしくは2−メチルスチ
レンもしくは4 − ( C1−05アルキル)スチレ
ンもしくは2,4−ジ( C1−C5アルキル)スチレ
ンの重合によ多形成されるコポリマーからなるアルカリ
可溶性組成物が提供される。
本発明のさらに他の観点においては、 (α)混合物を化学線路光ij」に相対的にアルカリ不
溶性にするのに十分な量の、化学線路光に除してアルカ
リ可溶性の種類に変換されうるアルカリ不溶性の光活性
化合物、および (h) 混合物を化学線露光に際してアルカリ可溶性に
するのに十分な量の÷Co−NH−Co+基を含むポリ
マー の混合物からなるアルカリ不溶性のポジのホトレジスト
組成物も提供される。
本発明のアルカリ可溶性のポジのホトレジスト組成物に
好ましいポリマーは有効量の下記の残基を含むポリマー
からなる。
H 1 1( 本発明のさらに他の観点においては、 および所望により有効量の 5 (これらの式中R1〜R4は互いに無関係にHまたは(
C1−05)アルキル基であり、R5は(C1−C5)
アルキル基である)から製造されるコポリマー約65〜
99重景チ;ならびに (h) 化学線露光に際してアルカリ可溶性となる光活
性化合物約1ル35 の混合物からなるポジのホトレジスト組成物が提供され
る。
本発明のさらに他の観点においては、 (α) および所望によ)有効量の 5 (これらの式中R1〜R4は互いに無関係にHまたは(
C1−C5)アルキル基で.l、R5ハ(cl−05)
アルキル基である)から製造されるコポリマー約65〜
99重量%;ならびに (h) 光活性化合物約1〜35重量%の混合物からな
るホトレジスト組成物の層を有する基板からなシ、該ホ
トレジスト組成物が化学線露光に際してアルカリ溶液可
溶性となる感光性要素が提供される。
最後に本発明によれば および所望により有効量の 5 (これらの式中R□〜R4は互いに無関係にHまたは(
C1−05)アルキル基であシ、R5 は(C1−05
)アルキル基である)から製造されるコポリマー約65
〜99重量%;ならび罠 (b) 光活性化合物約1〜約35重量%の混合物から
なるポジのホトレジスト系塗布用利料を施された基板か
らなり、あるパターンの化学線に露光された領域のポジ
のホトレジスト系塗布用材料を、露光前にはポジのホト
レジスト系塗布用材料がそれに相対的に不溶性であった
現像液として用いられるアルカリ性溶剤からなる液体に
よシ除去しうる、光化学的に画像を形成された系が提供
される。
第1図は、高いコントラストおよび高い逆感度をもつ本
発明の好ましい実施態様に関して、未蕗÷1メlし人の
1uシを着イレ宏d)冬イにづ・鋺hv篠)在−高関数
としてグラフで示したものである。
第2図は本発明の好ましい実施態様につき、230℃で
3分間アフターベーキングした際の画像プロフィルにお
ける変化がわずかであることを図示したものである。
本発明は以下の考察によ勺十分に理解できるであろう。
(1)ポリマー組成物−÷Co−NH+部分を含むホモ
ポリマー、コポリマーおよびターポリマー;(II)ア
ルカリ不溶性の光活性化合物と、混合物を化学線露光に
際しアルカリ可溶性にするのに十分な量の+GO=NH
−Co+部分を含むポリマーとの混合物:(In)ポジ
のホトレジスト組成物の層を有する基板からなる感光性
要素;■潜像を有する感光性要素からなる光化学的に画
像を形成した系;ならびに(v)潜像を現像してパター
ン付きレリーフ画像を形成する方法。
1、ポリマー組成物およびその製法 本発明に有用なポリマー組成物はホモポリマーコポリマ
ーおよびターポリマーからなシ、それぞれポリマーをア
ルカリ溶液に可溶性にするのに十分な量のイミド基+C
o−NH−Co+を有する残基を含む。
÷Go−NH−Co+部分はホモポリマー、コポリマー
またはターポリマー主鎖に直接に組込まれる複素環構造
内に含有されてもよく、あるいはホモポリマー、コポリ
マーまたはターポリマー鎖に組込まれる適宜置換された
ビニル基に結合していてもよい。
イミド9基を含むポリマーを得るためには種々の方法が
ある。ペンダントイミド基はあらかじめ形成されたベリ
マーに化学反応によ多結合させることができる。反応例
には下記のものが含まれる。
(R’ハCニー05アルキル基である)およびあるいは
イミド部分を含むモノマーを用いて、生成する樹脂の特
性に好ましい影響を与えるコモノマーを選ぶことにより
、ホモポリマー、コポIJ −q−またはターポリマー
を形成させることもできる。
A、ホモポリマー 本発明に用いられるホモポリマーには、下記の図式に示
されるように÷Co−NH−Co+部分を含む下肥のモ
ノマーの単独重合により形成されるものが含まれる。
図式1 %式%: 本発明に有用なコポリマーには下記のものが含まれる。
少なくとも10モルチの図式1に示したモノマー、なら
びに約90モルチ以下の図式lに示したモノマーのN 
−(C1−05アルキル導体またはフィルム形成性モノ
マー、たとえばスチレ/、α−メチルスチレン、2−(
C1−05アルキル)スチレン、 2.4−y < 0
1−c5アルキルチレン、または式CH2−CR,Mを
有するモノマー(式中RaはHまたは(C1−05)ア
ルキル基、たとえばCH3であシ、MはーCNまたは一
Co2Rbであシ、である)を含有するもの。特に有用
なコポリマーは約40〜60モルチのマレイミドおよび
約40〜60モルチのスチレンもしくはα−メチルスチ
レンもしくは2.4−ジメチルスチレン、もしくは4−
メチルスチレンモジくは4−エチルスチレンもしくは4
−イソプロピルスチレンもしくは4−t−ブチルスチレ
ンを含有するものである。約50モル係のマレイミド8
残基および約50モル係のスチレンもしくは置換スチレ
ンの残基、たとえばスチレン、4−メチルスチレンもし
くはα−メチルスチレンを含有するコポリマーが好まし
い。
C,ターポリマー二3種のモノマーのコポリマー本発明
に有用なターポリマーには、上記コポリマーおよび図式
1に示した+C0−NH−CO+基を含む少なくとも有
効量のN −(C1−C5アルキル)モノマーのものが
含まれる。” −+C0−NH−Co+基を含む有効量
のN −(C1−05アルキル)モノマー”という語は
、イミド9水素原子の少なくとも一部、ただし約90モ
ルチ以下が本発明に有用なコポリマーおよびターポリマ
ーにおいて(C□−05)アルキル基により置換されて
いることを意味する。
他の有用なターポリマーは約40〜60モルチののα−
メチルスチレンもしくは2− (C1−05アルキル)
スチレンもしくは2.4−ジ(C,−05アルキル)ス
チレンモL、<U4− (C1−05アルギル)スチレ
ン、約lO〜60モルチのマレイミド、および10〜5
0モルチのN −(C1−05アルキル)マレイミドを
含有する。さらに約40〜60モルチのスチレン、約1
0〜60モルチのマレイミド、および約10〜40モル
チのN−(C□−C5アルキル)マレイミドの共重合に
より生成するターポリマーが特に望ましい。他の有用な
ターポリマーは約50モル係のスチレンもしくは2− 
(C1−C5アルキル)スチレンもしくは4− (C1
−05アルキル)スチレン、および約25モル係のマレ
イミド9、および約25モル係のN−(C□−C5アル
キル)マレイミド、たとえばN−メチルマレイミ)パの
共重合により生成する。
上記のホモポリマー、コポリマーおよびターポリマー組
成はすべて+Go−NH−Go+部分を含む残基少なく
とも10モルチを含有し、このためアルカリ可溶性、特
に水性アルカリに可溶性でおる。
D、ポリマーの製造 本発明のホモポリマー、コポリマーおよびターポリマー
は上記モノマーを適切な液状重合溶剤中で遊離基発生重
合開始剤の存在下に一般的な遊%を基ビニル重合条件下
において接触させることによシ製造される。
適切な液状重合溶剤は選ばれた重合条件下ですべての反
応関与体に対し化学的に不活性でなければならず、〃1
つ反応関与体に対して溶剤として作用しなければならな
い。適切な溶剤にはN、N−ジメチルホルムアミド、シ
クロペンタノン、シクロヘキサノンおよび低級アルコー
ル、特にメタノールが含まれる。
適切な遊離基発生重合開始剤には有機パーオキシ化合物
、たとえば周知の脂肪族および芳香族のパーオキシ化合
物が含まれ、これには酸のパーオキシエステル、および
米国特許第3,706,723号明れる。同明細書を参
考のためここに引用する。l持に満足すべき開始剤はア
ゾビスインブチロニトリルである。一般に開始剤はモノ
マーの重量の約0.2〜約2俤の濃度で存在する。
通常は好ましくはないが、重合をたとえば紫外線、X線
などによシ与えられる化学線によシ開始または蝕媒する
こともできる、 重合の温度および圧力は決定的なものではない。
重合反応は用いられる開始剤、希望する反応速度、希望
する分子即、および遊離基ビニル重合の当業者に周知の
他の因子と調和した呂度で行うべきである。本発明のモ
ノマーの重合は約50〜ioo℃、好ましくは約60〜
70℃のルb囲の温度で行われる。重合は大気圧で、不
活性ガスたとえば窒素もしくはアルゴンの雰囲気下に行
われるが、自己発生圧力を用いることもできる。
所望により、コポリマー生成物の分子足を11を台用配
合中に周知の連鎖移動剤または連鎖移動溶剤を含有させ
ることによりK化させ、または制値すポリマーの厳密な
組成は反応条件(開始剤、開始剤濃度、溶剤、温度)に
よシ、相対モノマー濃度により、および特定のモノマー
単位の相対的反応性によシ定められる。組成は当業者に
既知の技術を用いて限度内で制御することができる。ア
ルキル置換マレイミドおよびアルキル置換スチレンは貧
電子−富電子モツマ一対を形成するので、交互共重合体
を形成すると考えられる(p、o、タウニーら、J、O
rg、Chem、26.15(1961)参照)。
上記ポリマー組成物すべての平均分子量は、光散乱法に
よシ測定して普通は約2×10〜約2×10 (重量平
均)である。約20,000の低い重量平均分子量およ
び交互ビニルポリマー構造においてスチレン残基とマレ
イミド残基の単純なl:1のモル比がよシ好ましい。こ
のよシ好ましいポリマー組成物は上記の溶液重合を連鎖
移動剤、たとえばトゝデカンチオールの存在下で行うこ
とによシ得るのが好都合である。
広義において、本発明は(α)混合物を相対的にアルカ
リ不溶性にするのに十分な量の、化学線露光に際してア
ルカリ可溶性の種類に変換されうるアルカリ不溶性の光
活性化合物:および(bl化学線露光に際して混合物を
アルカリ可溶性にするのに十分な量の+Co−NH−C
o+基を含む残基を含むポリマーの混合物からなるアル
カリ不溶性のポジのホトレジスト組成物を提供する。
B、光活性化合物 本発明の広義のおよび好ましいポジのホトレジスト組成
物は化学線照射前は相対的にアルカリ不溶性であシ、露
光後はアルカリ可溶性である。光活性化合物と混合して
用いられる本発明のコポリマー組成物は+GO−MH−
Co+部分が存在するためアルカリ可溶性である。光活
性化合物は疎水性物質であシ、これはアルカリ可溶性ポ
リマーと混合した場合ポリマーを溶解から保護する。光
活性化合物が化学線を吸収することによりこの化合物が
親水性の化合物に変化し、これによりこの保護作用が破
壊され、溶解が促進される。
本発明のポジのホトレジスト組成物に含有させることが
できる光活性化合物は、化学線に露光された際に、露光
前の光活性化合物よシもいっそう水性アルカリ性現像液
に可溶性の酸性基、たとえばカルボキシル基を含有する
化合物に変換される化合物である。この種のポジのホト
レジストに用いられる適切な光活性化合物には以下のも
のが含まれる。有機酸のオルト−ニトロベンジルエステ
ルもしくはアミド、たとえばコール酸オルト−ニトロベ
ンジルまたは分子の隣接位にジアゾ基とケト基をもつ環
状ジアゾケトン、たとえばナフトキノンジアジドスルホ
ン酸のエステル、特に表1および■に列記した式をもつ
1,2−ナフトキノン−2−ジアゾ−5−スルホン酸エ
ステル(これらの式中X = OArでsb、Ar=A
%B、CまたはDである)。これらは米国特許第3,0
46,118号、第3.046.121号、第3,10
6,465号、第3.148.983号、第3,201
,239号および第3,666,473号明細書に記載
されておシ、これらをここに参考のため引用する。表n
中の式21を有する環状ジアゾケトン(5−ジアゾ−メ
ルドラムの酸)を含む光活性化合物は、B、D、グラン
ドらが電子デバイスに関する工FEE会報、1981年
11月、Vo7.FD−28,1300頁に記載した方
法の変法により製造することができ、これをここでは参
考のため引用する。適切な感光性化合物の例は表1およ
びlに列記されるものであシ、これには下記のものが含
まれる。
2.3−ジヒドロキシ−4−(6−ジアシー5.6−シ
ヒドロー5−オキソ−1−ナフタリンスルホニルオキシ
)ベンゾフェノン(5);2−ヒト80キシ−3,4−
ビス(6−ジアシー5,6−ジヒトゝロー5−オキシー
1−ナフタリンスルホニルオキシ)ベンゾフェノン(1
1; 2,3.4− )リス(6−シアシー5.6−シ
ヒドロー5−オキシ−1−ナフタリンスルホニルオキシ
)ベンゾフェノン(II) ; 4.4’−ビス(6−
ジアシー5,6−ジヒトゝロー5−オキシー1−ナフタ
リンスルホニルオキシ)ベンゾフェノンa2;2−ヒト
80キシ−4−<6−:)アゾ−5,6−シヒドロー5
−オキソ−1−ナフタリンスルホニルオキシ)ベンゾフ
ェノン(21;2.4−ビス(6−ジアシー5.6−シ
ヒドロー5−オキソ−1−ナフタリンスルホニルオキシ
)インシフエノン(+5);または2.3−:)ブロム
−1−(6−ジアシー5.6−ジヒト80−5−オキソ
ー1−ナフタリンスルホニルオキシ)プロパン(+7)
;または4,4′−ビス(6−ジアシー5,6−シヒド
ロー5−オキソ−1−ナフタリンスルホニルオキシ)イ
ンプロピリデンビスシクロヘキサン08)。
表 1 1 ・ 2 3 4 CHO 6 表1(続) 8 10 112 314 516 8 X−(CH2) 6−X 式中 X=−OArまたは−
NHAr。
19 およびAr=A、 B、 C,もしくはD同様に
適切なものは表Hに示した0−ニトロベンジルエステル
艶および関連化合物、ならびに5−ジアゾメルドラムの
酸の誘導体(21)である。
表 ■ R,0 + 11 20 R,)J、または (C1−05)アルキル; 式中 L呪−8=Of(; 丑たけ P=Q−()HかつS=H;捷たは P=Q=OHかつ5=OH;または P=Q=S=H;−4たは P、=8=−=H1かつQ=OH 光活性化合物の選択は当技術分野で知られている多数の
要件によシ支配される。これらには本発明のポリマー組
成物との相溶性、ポリマー組成物に適した溶剤中におけ
る溶解性、熱安定性、ポリマー組成物を照射前に溶解か
ら保護する性能、および選ばれた化学線の波長範囲にお
ける適切な吸光度が含まれる。
本発明の実施に特に有用な光活性化合物は化合物15と
ジアゾナフトキノン化合物AおよびBとのエステルであ
る。表1を参照されたい。置換されたアリール基が深紫
外部で強く吸光し、高い吸光光度によシ基板に化学線が
達するのを妨げることによ勺レジストの性能を低下させ
ることが認められている。従って深紫外&!露光に適し
たポジのホトレジスト組成物は、エステル側鎖基中に芳
香族基を含まず、従って深紫外線中でより透過性である
光活性化合物を含有することが好ましい。−例は表1の
構造17.18および19である。特に好ましいものは
表1の化合物18とジアゾナフトキノン化合物Aおよび
Bのエステルである。衣1の化合物18は対応する芳香
族化合物の還元によシ製造できるので、深紫外線中で使
用できる他の光活性化合物も芳香族化合物(たとえば表
1に列記した11,12または15)を適宜還元するこ
とによっても製造できる。
C6+Co−NI(−Go+基を含有する残基金倉むポ
リマーアルカリ不溶性のポジのホトレジスト組成物中に
用いられる÷Co−NH−Co+基を含むポリマーには
、図式lに示したホモ、d IJママ−図式1に示した
+Go−NH−Co+基を含むモノマーと先きに列記し
たフィルム形成性モノマー(たとえばスチレンおよび置
換スチレン)または式CH2=CRaMのモノマー(た
とえばメタクリル酸メチル2よびメタクリロニトリル)
との共重合により生成する:1ポリマー、ならびに上記
モノマー類と図式】に示される+Go−NH−Co+基
含有モノマーから誘導されたN −(C1−C5)置換
モノマーとの共重合によシ生成するターポリマーが含ま
れる。
本発明を実施するためのポリマー組成物の選択は熱安定
性、フィルム形成性、アルカリ性媒質中における溶解性
、用いる光学線のスにクトル範囲における透明度、酸性
エツチング剤に対する抵抗性、熱処理およびプラズマ処
理に対する抵抗性、アルカリで溶解した際に残渣のない
こと、制御されかつ再現性のある溶解特性、その個当技
術分野で認められている他の特性によシ支配される。
本発明のポジのホトレジスト組成物中に用いられるポリ
マーには、たとえば上記に本発明のポリマー組成物に関
して記載した+Go−NH−Co+基を有する残基金倉
むホモポリマー、コポリマーおよびターポリマーが含ま
れる。特に有用なものはマレイミドのホモポリマー、ま
たはマレイミドと下記構造のスチレンとのコポリマーで
アル。
上記式中R1、R2およびR3は互いに無関係に(C1
−C5)アルキル基、たとえばメチル基、またはHであ
る。特に好ましいものはマレイミドとスチレンまたはα
−メチルスチレンとのコポリマーである。コモノマーの
比率は約10=1〜約1:10まで変化させうるが、最
適比率はほぼ1:1である。最適比率は、マレイミド9
とスチレンが再現性のある交互共重合体を形成すると考
えられる事実によるものである(p、o、タウニーら、
J。
○rg、Chem−26.15(1961))。
現像液系の浴寿命はアルカリ濃度が高い場合には一般に
より長いので溶解性の制御されたポリマーを用いること
が望ましい。マレイミドは′電子に富むモノマー(たと
えばスチレン)と交互共重合体を形成する傾向を示すの
で、この制御はN−アルキルマレイミドモノマーまたは
アルキル置換スチレンモノマーを含有させることによシ
きわめて容易に行われる。
本発明の特別な特色は、広義のおよび好ましいポジのホ
トレジスト組成物に含有されるポリマーが、光活性化合
物とポリマーの混合物を混合物の化学線露光後にアルカ
リ可溶性にするのに十分な量の÷C〇−NH−Co今基
を含む残基を含有することである。ホモポリマーは÷C
o−NU−Co+部分のみを含む残基を含有するが、コ
ポリマーおよびターポリマーは少なくとも約10モル係
の非置換イミド基+C0−Nu−Co+を含むべきであ
る。
好ましいコポリマーは÷Co−IJH−Co+基を含む
残基10モルチを有し、残りが図式lのモノマーにより
形成されるN−(C□−C5)置換イミド残基、または
図式りのフィルム形成性モノマーの1種から形成される
残基、または前記式CH2=OR,Mを1するモノマー
である。
本発明の広義のおよび好ましいポジのホトレジスト組成
物のポリマーとして特に有用なものは、コポリマーが約
10モル−〇マレイミド、および約40モル−〇N −
(C,−05アルキル)マレイミドからなシ、残部がス
チレン単位、たとえばスチレンまたはα−メチルスチレ
ンオたは2,4−ジメチルスチレンまたは4−メチル−
1もしくは4−ニブ−ルー、もしくは4−インプロピル
−1もしくは4−t−ブチルスチレンであるポリマーで
ある。
特に好ましいポリマーは約50モル係のスチレンおよび
約40モル係のマレイミド9および約10モル係のN 
−(C1−C5アルキル)マレイミドからなる。同様に
有用なものは、コポリマーが約50モル係のマレイミド
および約50モル係の前記図式■に示したスチレンの1
種からなるものである。
特に有用なものは1:1マレイミド!/4−t−ブチル
スチレンコポリマー、捷りけ1:1マレイミド/α−メ
チルスチレンコポリマー、または1:1マレイミl’/
スチレンコホリマ−fJ、6゜D、ポジのホトレジスト
組成物 本発明の好ましい実施態様においては、(a)スチレン
、α−メチルスチレン寸たは2−もしくは4− (Cl
−05アルキル)スチレン捷たは2.4−ジ(C1−0
5アルキル)スチレン、ならびにマレイミド、ならびに
所望によシ有効量のN −(C,−05アルキル)マレ
イミド″′(ここで01−05アルキルは互いに無関係
にメチル、エチル、イソプロピルまたはt−ブチルであ
る)のコポリマー約65〜9911%、ならびにψ)化
学線露光に際してアルカリ可溶性となりうる光活性化合
物約1〜35重量%の混合物からなるポジのホトレジス
ト組成物も提供される。
本発明の好ましいポジのホトレジスト組成物は上記の光
活性化合物、およびスチレン残基トマレイミド残基が約
1:1のモル比にあるコポリマーを含有する。
アルカリ可溶性ポリマー、適切な光活性化合物、および
使用できる現像液の範囲が広いため、最終的的なポジの
ホトレジスト組成物における光活性化合物とアルカリ可
溶性ポリマーとの厳密な比率は管理された試料によシ決
定されるべきである。考慮すべきものには、妥当な現像
時間(好ましくは20〜40秒)におけるフィルム損失
を決定する未露光レジストの溶解度、十分に照射された
レジストの溶解度(好ましくは1ミクロンのフィルムが
妥当な現像時間内に完全に除去されなければならない)
、光活性化合物の吸光特性および退色特性、ならびに用
いられる光源のスズクトル特性が含まれるであろう。好
ましいポリマー系であるマレイミド9−スチレンコポリ
マーを奸才しい光活%IE化合物、たとえば化合物15
AもしくはBおよび17AもしくはBおよび18Aもし
くはB(表1)のエステル、ならびに2 (1、特にR
x 中のP=Q=○HおよびS=○HもしくはHである
もの(表I])と組合わせたものに関しては、また好ま
しい現像液系、たとえばメチルアミンまたはKOH(p
H約2)に関しては、混合物中の光活性化合物の計は約
8〜25重量%、好寸しくは約10〜15重量%である
べきである。
■、感光性要素 本発明によれば、本発明のホモポリマーもしくはコポリ
マーもしくはターポリマーのうちの1種(タトエばスチ
レン、α−メチルスチレンもしくは2,4−ジ(C,−
C5アルキル)スチレン、およびマレイミド、および所
望により櫓効量のN−(C。
−C5アルキル)マレイミド9のコポリマー)約()5
〜99重量%、ならびに光活性化合物約1〜35重量%
の混合物からなるホトレジスト組成物の層を有する基板
からなシ、その際ホトレジスト組成物が化学線露光に際
してアルカリ性溶液に可溶性となる感光性要素たとえば
半導体ウェハーも提供される。
使用に際しては、ホリマーおよび光活性化合物の物理的
混合物を基板、たとえばシリコンウェハー (5in2
またはA/などの被膜を有してもよい)またはクロムめ
っきしたガラス上に、たとえば適宜な有機溶剤中の上記
混合物の溶液を回転法(θpinning)などの技術
によシ塗布して、感光性要素を作成する。集積回路に有
用な基板は一般にシリコンウェハーであシ、これはその
上に薄い酸化物、たとえば酸化シリコンの被膜、または
他の被膜、たとえば窒化シリコンもしくはアルミニウム
を有しうる。回転塗布の方法は周知であシ、L、li’
、)ンプンンらにより6マイクロリトグラフイ一人門″
(ACSシンポジウム・シリーズ、煮219、米国化学
会、1983年、161−214頁)に詳述されている
本発明の感光性要素の製造に用いられる塗布用組成物は
一般に、ポリマーおよび光活性化合物の物理的混合物を
、ホリマー被膜製造技術の分野で用いられている適切な
有機溶剤または有機溶剤の組合せに溶解または分散させ
ることによシ調製される。適切な有機溶剤は(1)基板
を湿潤させなければならず、かつ(2)ポリマーおよび
光活性化合物を溶解しなければならないがこれらと反応
してはならず、かつ(3)ポジのホトレジストを基板上
に付着させるために用いられる方法(たとえば回転塗布
)に適した蒸発速度をもたなければならない。有機溶剤
の例にはシクロヘキサノン、シクロペンタノン、酢酸セ
ルロース、ジメチルスルホキシド8、N、N−ジメチル
ホルムアミド、ジメトキシエチルエーテル、ならびにこ
れらの溶剤相互の、または低級アルカノール(たとえば
メタノールもしくはヘキサノール)との混合物が含まれ
る。÷Go−NH−CO+基を含む好ましいホモポリマ
ー、あるいはスチレンおよびマレイミド3残基金含むコ
ポリマーおよびターポリマーには、N、N−ジメチルホ
ルムアミドが好ましい溶剤である。
塗布用の溶′WLまたは分散液の濃度は、用いられる個
々のコポリマーおよび光活性物質、ならびに用いられる
溶剤、基板および塗布法に依存する。
回転塗布のためには、濃度は通常、好都合な回転速度(
一般に約5000rpm)で適切なフィルム厚さく一般
に約1ミクロン)f:与えるように選ばれる。約10〜
約25重量%の物理的混合物を含有する塗布用組成物を
用いた場合、一般に有用な被膜が得られる。塗布用組成
物に含有されることが有利でちる他の成分は、フィルム
の形成、塗布性基板への被膜の付着、機械的強さ、コン
トラスト、および逆感度の改善に役立つ物質である。こ
れらの化合物は当技術分野で周知であシ、これ以上論じ
る必要はない。
■、光化学的に画像を形成した糸 本発明によればさらに (α)本発明のホモポリマーもしくはコポリマーもしく
はターポリマーの1種、たとえばスチレン(C1−05
アルキル)スチレン、およびマレイミド、および所望に
より有効量のN −(C1−05アルキル)マレイミド
のコポリマー、約65〜99重1、ならびに (b) 光活性化合物約1〜約35重二滑チの混合物を
含むポジのホトレジスト系塗布用拐料が施された基板か
らなる、光化学的に画像を形成された系、たとえば写真
平版印刷用の印刷版または半導体製造の中間体が提供さ
れる。あるパターンの化学線に露光されたポジのホトレ
ジスト系塗布用材料は、ポジのホトレジストH料が露光
前には相同的に不溶性である現像液として用いられるア
ルカリ性溶剤からなる液体を用いて除去することができ
る。好ましいコポリマーはスチレンもしくはα−メチル
スチレンもしくは4−t−ブチルスチレン、および少な
くとも約10モルチのマレイミドからなシ、残少はN−
(C□−05アルキル)マレイミ1である。よシ好まし
いものは、それぞれ約50モルチのマレイミド8および
スチレン残基感光性要素は、ちるパターンをもつ約20
0〜700nm、好ましくは深紫外領域(250〜30
0 nm)もしくは紫外領域(300〜4oonm)ま
たは近可視領域(400〜450nm)の化学線に露光
され、光化学的に画像を形成された系を与える。一定の
波長範囲における吸光度は、アルカリ溶液抑制剤として
作用する光活性化合物の構造および濃度を変えることに
より調節でき、事実、近可視領域の一部および深紫外領
域(約250〜300nm)を吸光する光活性化合物の
使用も本発明の範囲に含まれる。
光化学的に画像を形成した系を次いでアルカリ水溶液、
たとえばケイ酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テ
トラアルキルアンモニウムたとえば水酸化テトラメチル
アンモニウム、水酸化アンモニウムの水溶液、または適
宜なpnの低級アルキルアミンたとえばメチルアミンの
水溶液で処理することによシ現像する。
使用に際しては、 (α)基板たとえばシリコンウェハーの前面に、常法た
とえば回転法によ)、本発明のポジのホトレジスト組成
物の溶液を、基板の前面上に約01〜約20ミクロン程
度、好捷し・、く・は約1ミクロンの厚さを有する均一
な付着層を生成するのに十分な量付着させ;(h)所望
により適切な有機溶剤を実質的にすべて除去するのに十
分な温度および圧力の条件下で該付着層を処理し;(C
)マスクを介して上記フィルムを200〜700nms
(F、¥に25 (1−300nmの範囲の化学線に、
フィルムの露光領域金アルカリ性溶液に可溶性にするの
に十分な時間画像形成下に露光し;そして(d) 露光
したフィルムを約10以上のpHを有するアルカリ性物
値からなる現像液と、フィルムの露光領域を除去するの
に十分な時間接触させる ことによシ、感光性要素および光化学的に画像を形成し
た系が製造される。
上記方法の好ましい実/!態様においては、処理工程は
普通は約70〜11.0℃、好ましくは約90℃で約3
0〜60分間、好1しくけ30〜40分間標準的な熱対
流炉中で行われる。所望によよシ有機溶剤を赤外線ラン
プに暴話することによシ、またはホットプレート上でベ
ーキングすることによシ除去することができる。
用いられる現像液は、化学線露光時間(逆感度)および
用いられるポジのホトレジスト組成物に依存する。一般
に約10以上のpH1普通は約12のpuをもつ現像液
を用いることが望ましい。これはフィルムの露光領域の
みを溶解するのに十分である。未露光フィルムの許容で
きる損失(薄化率%)は10%を越えるべきでなく、よ
シ好ましくは3〜5チ以下でちる。個々の現像液および
そのpHは管理された試料の使用により容易に決定され
る。マレイミド/スチレンコポリマーの1:1コポリマ
ーと好ましいナフトキノンシアシト8スルホン酸エステ
ルとの6 : 1 (W/W)混合物に関して有用な現
像液の例は約0.05〜0.06重量%のKOH,約0
.10重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TM
AH)および約0.5〜1.0重量%のメチルアミンで
あシ、それぞれ約12のpHをもつ。マレイミl−゛/
l−ブチルスチレンとfiiJ Mt衣】の番号3い1
1.15.18および19、捷たは表りの20(特に表
1の18)の番号をもつ好寸しいナンドキノンシア:)
トスルホン酸のエステルおよびアミド9、またはHnの
20のカルボン醇ニスデル、最も好ましくは表1の18
との6=1(w/w )混合物に関しては、有用な現像
液は杓05〜0.6重量%KOI(または09〜1,0
車量チTMAH(約13QpHをもつ)である。
約0.25〜5分の脆囲の一般的な埃像時間が用いられ
る。一般に感光体の露光領域を溶解するのに必要な最小
時間よりも実質的に長くない処理h″1間を用いること
が望ましい。感光42制中にパターンが形成されたのち
基板、たとえばウェハー舎一般的な工程たとえばアフタ
ーベーA−ング、エノナング、および金属化によりさら
に処理してイ′i′i望するデバイスを作成する。
光化学的に画像を形成した糸を生成するポジのホトレジ
スト組成物が熱安定性であることは本発明の特別な特色
である。従って光化学的に1lI11像を形成した系を
アフターイーキングすることができる。すなわち画像を
形成したパターンの高い分解能を損うことなく少なくと
も約200℃、普通は約250℃の温度に加熱すること
ができる。第2図に示したように、マレイミド/スチレ
ンコポリマー(モル比1:1)と好ましい光活性化合物
、たとえば化合物15AもしくはBまたは18Aもしく
はB(表])または20(コール酸O−ニトロベンジル
)(表n)の6 : 1 (W/W)混合物の画像を形
成した好ましいポジのホトレジスト組成物において、細
かい造作(電子顕微鏡で調べたもの)ハ230℃で30
分間アフターベーキングした際、寸法変化をほとんど示
さなかった。画像を形成したポジのホトレジストはアフ
ターベーキングののち標準的なホトレジストリムーバー
、特に有機溶剤たとえばN、N−ジメチルホルムアミド
を用いて容易に剥離された。
第1図は、例2の実験#5の1:1(モル比)マレイミ
ド−スチレンコポリマーと表1の化合物15Bおよび1
8Bのエステルに対応する好ましい光活性化合物との6
:1混合物から導かれ、0.7重量%メチルアミノ水溶
液に25秒間浸漬することにより現像した、光化学的に
画像を形成した好ましい系2種につき、残存するフィル
ムの厚さを露光度の関数として示す。第1図で用いた光
化学的に画像を形成した好ましい系2種は、fl116
、実験#18の方法と同様な方法で製造された。280
 nmにおける照射に対しフィルム厚さゼロにつき約4
0 mJ/−の逆感度が、もとの厚さの約98チの未結
光フィルム厚さで得られることは明らかである。(lo
glo (Eo /E e ) ) (式中E。
および孔は第1図に示される)として定義されるコント
ラストは約2.6である。代表的なフェノール系ノボラ
ック樹脂は同一波長において500mJ/−以上の感度
を示し、かつ乏しいコントラストを示す。本発明のポジ
のホトレジスト系を用いると高分解能の画像が容易に得
られる。
一般的実験 バリア7 (Varian) XL −200機器によ
りパーシューテロ−テトラヒトゝロフラン(TI(F−
d8)′f:溶剤として用いてポリマーのNMRスはク
トルを得た。融点はサーモライン(Thermo 1y
ne)融点計によ勺得られた。熱重量分析(TGA)は
デュポン・インスツルメンツ・モデル点951機器によ
す10℃/分の加熱速度でアルゴン雰囲気下に行われた
差動走査熱量測定(DSC)はデュポン・インスッルメ
ンツ・モデル点990機器を用いて20℃/分の加熱速
度で行われた。
相対粘度はウソベローデ(UbbeloMe )粘度計
によシ、標準法を用いて得られた(M、P、スティープ
ンス、″′ポリマーの化学、入門”、アジンン・ウェス
レイ、1975年参照)。
例1 ポリマレイミドの製造 清浄な乾燥した試験管にマレイミド(イーストマン・コ
ダック社よシ入手)411アゾビスイソブチロニトリル
(AIBN)(イーストマン・コダック社より)42m
f/、およびN、N−ジメチルホルムアミ)’(DMF
’)32wlを装填した。こうして生成した均質な反応
混合物をアルゴンで1o分間脱酸素した。反応混合物を
入れた試験管を密封し、炉内で90℃に8時間加熱した
。この期間が終了した時的で、冷却した反応混合物をメ
タノールに注入し、濾過し、メタノールで洗浄し、60
℃で風乾することによりポリマーを採取した。得られた
ポリマーは300℃以上の融点を有し、pH9,0以上
のアルカリ水溶液に可溶であった。 H−NMRスペク
トルはP、0.タウニーら(J、Org、Chem−(
1961)26,15)が提示したスクシンイミド祠造
と一致した。
例2 マレイミド−スチレンコポリマーの製造密封した試験管
中で空気の不在下にマレイミド(イーストマン・コダッ
ク社より入手)4.00.9を適切な溶剤に溶解したス
チレン(フィッシャー・サイエンティフィック社より入
手)4.29.9と共重合させることによレマレイミド
ーステレンコポリマーを製造した。アゾビスイソズチロ
ニトリル(42η)を開始剤として用いた。反応混合物
を入れた試験管をアルコ゛ンで10分間脱酸素した。
試験管を密封し、炉内で溶剤中において反応の期間、表
■に示す温度に加熱して、分子量の異なるコポリマーを
得た。実験#3および5においては、連鎖移動剤である
1、8デカンチオール0.27.9を反応混合物に加熱
前に添加して、分子量を低下させた。
表 ■ I DMF(32mL) 2 90 76 1.302
 MeOH(40mL) 1.5 60 90 2.4
03°” 2.5 60 95 1.45Of 4 C6one (40mL) 4.5 60 97 
1.645°′g# (# ) 6.0 60 64 
1.20脚注 1、相対粘度。ポリマー0.51/dl< DMF )
につき25℃で測定。
a、比較的低分子量のポリマーが得られた。
b、比較的高分子量のポリマーが得られた。
c、l−″′デカン チオール(0,21)を反応混合
物に添加した。
d、比較的低分子量のポリマーが得られた。
e、比較的高分子量のポリマーが得られ/辷。
f 、C6oneはシクロヘキサノンである。
g、比較的低分子量のポリマーが得られた。
ポリマーの単離は反応混合物全メタノール50t1ml
に注入することによる沈殿によって行われた。
固体ポリマーを破砕し、メタノールで6’Q浄し、j′
(空中で乾燥させた。メタノールか反応溶剤であった実
験#2および3の場合、固体ポリマーを反応管から取出
し、メタノールの存在下で摩砕し、濾過し、メタノール
で洗浄し、乾燥させた。
単離したポリマーは選ばれた厳密な条件に応じて高いも
の(1,2X10 %実験#2)から低いもの(2,0
X10、実験#5)にわたる分子量(光散乱法によシ測
定)會自していた。本発明により製造され′に、]:リ
マーはpH=11.0 をもつアルカリ水溶液に可溶で
あった。ポリマーの f(−NMRス投りトルの分析に
基づけば、NH対アリール基のモル比は1:1であった
。これらのポリマーの主要な特性はそれらの熱安定性で
あった。実験#1のポリマーに関しては、空気中または
アルゴン中における熱重量分析によシ380℃の温度で
71ソリマーの分解が開始することが示された。実験#
#1のポリマーの差動走査熱量分析によJ 240 ℃
のガラス転移温度がめられた。
例3〜6 例2の方法および装置に従って、マレイミド9を種々の
アルキル置換スチレンと共重合させた。
汐03 4−(2−メチル−2−プロ2ル)スチレン−マレイミ
ドコポリマーの製造 マレイミド4g、4−(2−メチル−2−プロピル)ス
チレ/(ポリサイエンシズ社よ)入手)6.6g、アゾ
ビスイソブチロニトリル42■、およびシクロヘキサノ
ン40m/!を混合し、アルゴンで脱酸素した。この溶
液を密封した試験管中で60℃に4時間加熱した。得ら
れた。)2 +)マーを、ポリマー溶液を冷水に注入し
、濾過し、洗浄し、真空下で乾燥させることにより単離
した。乾燥したポリマーは300℃以上の融点(収率:
理論値の95チ)を有していた。 H−NMRスペクト
ルは各アリール基につき9.7 N H基を示した。ポ
リマーはpH=13またはそit以上のアルカリ水溶液
に可溶であった。相対粘度η、。lは1.15であった
(ポリマー 0.5 El/dic DMF’ )、2
5°C−?l’)、、上Je例2の場合のように連鎖移
動剤を添加して分子量を制御することもできる。
例4 4−エチルスチレン−マレイミドコポリマーの製造マレ
イミド4g、4−エチルスチレン(ポリサイエンシズ社
より入手) 5.4.4 !9、AIBN427n?、
およびDMF32meをアルインで脱酸素し、密封した
試験管中90°Cで48時間加熱した。反応混合物を水
に注入しJ9砕り、+75過、シ、沈殿した。1? I
Jママ−メタノールで洗浄することによりs2リマーを
採取シタ。ポリマーを60℃で12時間風乾した。得ら
れたポリマーは〉300’Cの融点をもち、pH〉11
の水溶液に可溶であった。収率は理論値の84%であっ
た。相対粘度ηrol= 1.55 (ポリマー 0.
59/dl (DMF )、25℃で)。
例5 4−(2−プロピル)スチレン−マレイミドコポリマー
の製造 例4の方法に従い、ただし4−(2−プロピル)スチレ
ン(ポリサイエンシズ社よJ))6.04gを4−エチ
ルスチレンの代わシに用いた。こうして製造されたポリ
マーは融点〉300℃をもち、pH〉11の水溶液に可
溶であった。収率は理論値の65%であった。
例6 2.4−ジメチルスチレン−マレイミドコポリマーの製
造例4の方法に従い、ただし2,4−ジメチルスチレン
(アルドリツヒ・ケミカル社よ5)5.44.9を4−
エチルスチレンの代わりに用いた。こうして製造された
ポリマーは融点〉300℃を鳴し、pH〉11の水溶液
に可溶であった。収率は理論値の62チであった。相対
粘度ηrJは1.29であった(ポリマー0.5 f!
/dl (DMF″)、25℃で)。
例7 マレイミ)”−4−メチルスチレンコポリマーの製造例
4の方法に従い、ただし4−メチルスチレン(アルドリ
ツヒ・ケミカル社)4.88g′f:4−エチルスチレ
ンの代わシに用いた。反応混合物を90℃に15時間加
熱した。白色のポリマーは相対粘度ηre/=1.26
を有していた(ポリマー0、517dl (DMli”
)、25℃で)。
例8 マレイミド”、N7メチルマレイミドおよびスチレンの
1=1:1(モル比)ターポリマーの製造 清浄な試験管にN−メチルマレイミド″(アルドリツヒ
・ケミカル社)0.55&、マレイミド0.48S1ス
チレン0.52.9.DMF’8ゴ、およびAよりN1
5I!を装填した。この溶液をアルゴンで脱酸素し、密
封し90℃に48時間加熱した。反応液を水175dK
撹拌下に注入し、固体全濾過し、水洗したのちメタノー
ルで況存した。最後にポリマーを一夜風乾し1.真空下
に3時間乾燥させた。1.28.9の収量が得られ、理
論的収量の82.4チであった。
例9 マレイミド8−メタシクロニトリルコポリマーの合成汐
04の方法に従ってマレイミド”12II、メタシクロ
ニトリル(アルドリツヒ社) 8.3 g、DMF21
d%AよりNo、8.!i’およびドデカンチオール0
.1gを反応容器に装填した。反応混合物を90℃に1
5時間加熱した。得られた溶液を例4の方法に従って処
理した。最終生成物(収率:理論値の46%)を真空中
で一夜乾繰させた。ポリマーの相対粘度η、。lは1.
07であった(ポリマー0、5 g/di (DMP 
)、25℃で)。
例10 マレイミド−メタクリル酸メチルコポリマーの合成l+
l14と同じ方法でマレイミド10.9.メタクリル敵
メチル1011、AIBN O,8,9、およびドデカ
ンチオール0.19 f、DM1i’ 20 g中で9
0℃において14時間反応させて、ポリマー10.9g
をイGだ(収率:理論値の55%)。
相対粘度外。lは1.10であった(ポリマー05g7
dlcDMF)、25℃で)。
例11 4.4′−ビス(6−ジアシー5.6−:)ヒトゝロー
5−オキシー1−ナフタリンスルホニルオキシ)イソプ
ロぎりデンビスシクロヘキサンの製造 上記化合物を下記によシ製造した。4.4′−イノプロ
ピリデンビスシクロヘキサノール9.6部全ピリジン9
5容量部に溶解した。得られた溶液を10℃に冷却した
。ナフトキノン−(1,2’)−ジアジド−(2+−5
−スルホン酸りロリド″’21.4部全ピリジン105
容量部に溶解した。この溶液を徐々にアルコール溶液(
激しく撹拌し、10℃に卸持したもの)に滴下した。得
られた溶液を10〜15℃で3時間撹拌し、次いで15
℃以下に少なくとも16時間放置した。
次いで反応混合物を細い液流状で氷水17001J量部
の容器(十分に撹拌)に徐々に注入した。微細に分割さ
れた沈殿を吸引濾過により採取し、冷水で繰シ返し洗浄
し、真空下に乾燥させた。収+[F24.89の固体生
成物(表1の化合物18A)が得られた。生成物をアセ
トニトリルから再結晶した。
汐1]12 スチレン、マレイミド8およびN−メチルマレイミド8
のターポリマーの製造 マレイミド0.81!、N−メチルマレイミド″(アル
ドリソヒ社)0.23Lスチレン1.07.9゜Aより
N21■、およびDMF8m/!を混合し、アルインで
20分間脱酸素し、密封した試験管中で90℃に14時
間加熱した。次いで反応混合物を氷水に注入、沖過し、
沈殿をメタノールで洗浄し、白色粉末を真空下(<0.
11n+nHg )に乾燥させることによりポリマーを
単離した。収率は理論値の90%であった。得られたポ
リマーはpH> 12.5の水溶液に可溶であった。相
対粘度η、。lは1.34であった(ポリマー0.5 
g/dl (DMIi’)、25℃)。
この例はN−置換マレイミドをマレイミドおよびスチレ
ンのコポリマー(例2)に導入して、例2のコポリマー
の場合よシも高いpHのアルカリ水溶液に可溶性のター
ポリマーを製造しうること金示す。
例13(実験#6−11 ) ホト・レジスト組成物の製造 実験#6においては、褐色のジャーにDMF21g、例
2、実験#5のマレイミド9−スチレンコポリマ−1,
00Il、および例11の光活性化合物4.47−ビス
(6−ジアシー5,6−ジヒト90−5−オキシーエー
ナフタリンスルホニルオキシ)イソプロ上0リデンビス
シクロヘキサン(表1の化合物18A ) 1.(、l
 o &を装事した。(DMF’の量は、得られた溶液
をシリコンウエノ・−上に50旧1rpmで回転塗布し
た際に厚さ1ミクロンのフィルムを形成するように選ば
れた。)この混合物を溶解が完了する寸で撹拌した。こ
うして生成した溶液を0.2ミクロンのフッ素化ポリエ
チレン製フィルターを介して清浄な乾燥した褐色のジャ
ー中へ加圧沖過した。実験#7においては、実験#6の
方法を繰り返し、ただし光活性化合物2.4−ビス(6
−ジアシー5.6−ジヒト90−5−オキソ−・1−ナ
フタリンスルホニルオキシ)ベンゾフェノン(米国特許
第4,024,122号明細書の記載に従って製造。
該明オ(B書をここに参考のため引用する)および例9
のポリマー6gを用いた。
実験#8においては、実験#7の方法を繰シ返し、ただ
し例10のポリマー6gを用いた。実験# 9 Kオイ
テldDMF’ 28 g fコール酸0−= l・ロ
ベンジル(英国特許出願GB 2,099,168明細
書の記載に従って製造)1.00g、および例2、実験
#1で得たポリマー6gを添加した。こうして生成した
溶液を実験4t6の記載に従って沢過した。
実験#10においては、実験#7の方法に従い、ただし
例3のポリマー6gを、実験#7の光活性化合物]、、
Ogを含有するDMF’28gに添加した。
実験#11においては実験#7の方法に従い、ただし例
12のターポリマー69をDMF28&および実験#7
の光活性化合物1gに添加した。
tクリ14 (実験12−17) 基板上のホトレジストフィルムの製造 清浄な直径5.08crfL(2インチ)のシリコンウ
ェハー(ウェハーA ) オ、1: ヒ耐熱SコO□の
1、0.000入の層で被覆した直径5.08Crn(
2インチ)のノリコンウエノ・−(ウエノ・−B ) 
ヲ135℃の炉内で4時間乾燥させた。各種類のウニ・
・−を炉から取出したのち、1.1.1.3.3.3−
ヘギサメチルジシラザンの蒸気に室温で10分間暴蕗し
た。
各ウェハーを市販のホトレジストスピンナー(ヘッドウ
ェイ・リサーチ)に乗せた。例13の実験#6のホトレ
ジスト組成物約0,25〜1.0コをシリコンウェハー
(ウェハーA)の中央にピRットで乗ぜた。ウェハーA
を5000 rpmで45抄間回転させた。次いでウエ
ノ1−を炉内に90℃で30〜50分間入れて残存する
溶媒を除去した。得られたフィルムの厚さはシト8ルフ
・フィルム厚モニター(モデルRR−FTM−8TD−
F”)を用いて10上0.1ミクロンと測定された。
実験#13〜17は、ホトレジスト組成およびウェハー
回転速度を表■に示したように変化させた点以外は実験
#12と全く同じ様式で操作された。
表 ■ 12 6 、5000 13 7 3600 14 8 5000 15 9 5000 16 10 2400 17 11 5000 実験#12〜17につき報告したと全く同じ様式でウェ
ハーBを例13の実験#6〜11のホトレジスト組成物
を塗布し、表■に報告した速度で回転させた。同様な結
果が得られた。
例15 顕微鏡的なレリーフ潜像をもつ感光性要素の製造例J4
のウェハーを炉から取出し、室温にまで放冷した。各ウ
ェハーを市販のホトレジストB光源(オプティカル・ア
ソシェーツ社製、シリーズ30照明システム: 26 
Q nmで最大効率を得るために被覆された反射オプチ
ックスを備えた500WのHg−Xeランプ)のコリメ
ーション用レンズの下にある真空チャック()・イズリ
ットゝ、テクノロジー)に乗せた。ウエノ・−上に高分
解能ホトレジスト試験用マスクおよびステップタブレッ
ト(オプ、トライン(Optolinθ)11デイトリ
ンク・オプティックス社よシ、石英製支持体)を乗せ、
真空によシウエハーと密に接触させた。光学フィルター
(オリニル社からA3360.として入手されるバント
8幅の狭い干渉フィルターs 280 nm。
±7.5nm)をマスクの上に乗せた。フィルターを透
過した総光度(mW/i) をニブレイ(Epplθy
)の目盛付き熱電対列によシ測定した。ランプのシャッ
ターを定められた時間開いて、希望する4蕗光入射光を
マスク上に得た。マスク上の総露光入射光(m J/c
a )は入射強度および露光時間から判定された。ステ
ップタブレットはマスク上で入射光線の100%から1
%まで段階的に変化する路光水準をウェハーに与えた。
例16(実験#18−23 ) レリーフ画像を得るための潜像の現像 実験#18においては、例14に記載したと同様にして
製造したウェハーを例14、実験#12のホトレジスト
付着層で被覆し、次いで例15の方法に従って露光した
。露光された感光性要素を含むウェハーを、メチルアミ
ン0.7M量%を入れた開放容器に浸漬することによシ
潜像を現像した。
現像液中でのウェハーの揺動を20秒間続けた。
次いでウェハーを現像液から取出し、脱イオン水でリン
スした。未露光領域の残存フィルムの厚さ、コントラス
ト、および高分解能の造作(1〜5μ包の線およびスペ
ース)の質を測定した。この場合逆感度は40 mtT
’crrL−2、コントラストは約2,3、未露光フィ
ルムの損失はもとの厚さの3%であった。光学顕微鏡お
よび走査電子顕微鏡双方の使用によれば、1μmの線お
よびスペースの質は良好であシ、線は平担な上面、およ
び基板に対し70゜の角度をなす側壁を有していた。孔
は清浄であシ、ぐず(scum)や架橋は認められなか
った。
実験#19においては、ウェハーを例14、実棒1りW
舌−tl)l−/=ヒ^ry十に1ノコ5マLμ泣−づ
シ士覆したのち、例15の方法に従って露光した。露光
した感光性要素を含むウェハーをTMAH水溶液(pH
=41.4)を入れた開放容器に90秒間浸漬すること
によシ潜像を現像した。次いでウェハーを上記電験#1
8に記載したように処理した。感度は100mJ−cr
rL−2、コントラストは2、未露光フィルムの損失は
もとの厚さの15%であった。画像の質は良好と判定さ
れ、フィルム損失の高さと調和していた。孔は十分に清
浄であった。
実験#20においては、ウェハーを例14、実験#14
に記載したホトレジスト付着層で被覆したのち、例15
の方法に従って露光した。この露光された感光性要素を
含むウェハーをKOH水溶液(pniPi 1.4 )
を入れた開放容器に1−80秒間浸漬することによシ潜
像を現像した。次いでウェハーを上記実験#18に記載
したように処理した。
逆感度は100 m J −CrIL−2、コントラス
トは2、未露光フィルムの損失はもとの厚さの5チであ
った。
画像の質は良好であると判定されたが、孔の底に薄論〈
ず力;―1転との<’−t’はKOH水溶許(T)H=
11.5)中で30秒間現像することによシ除かれたが
、フィルムの損失はこの場合もとの厚さの15%であっ
た。
実陥#21においては、ウェハーを例・14、実験#1
5に記載したホトレジスト付着J督で被覆し、次いで例
15の方法に従って線光した。線光した感光性要素を含
むウェハーを、KOI(水溶液(pH=11.9)を入
れれ開放容器に90秒間浸漬することによシ潜像を現像
した。次いでウエノ・−を上記実験#18に記載したよ
うに処理した。逆感光度は300mJ=Crn−2、コ
ントラストは2、未照射領域のフィルムの損失はもとの
厚さの50%であった。
レリーフ画像は造作の角が丸くなっており、可の品質で
あると判定された。
実験#22においては、ウェハーを例14、実験#16
に記載したホトレジスト付着層で被覆したのち例15の
方法に従って線光した。線光した感光性要素を含むウェ
ハーを、Me4NOH(pH=132)を入れた開放容
器に60秒間浸漬することにより潜像を現像した。次い
でウェハーを上記実験#20に記載したように処理した
。逆感度は75 mLcm−2、コントラストは2、未
照射領域のフィルム損失はもとの厚さの10チであった
レリーフ画像は平担な上面および鋭い角をもち、良好で
あると判定された。壁面は基板の而に対し約70°であ
シ、孔は完全に清浄であった。
実験#23においては、例13および14の一般法に従
った。例12の方法に従って製造されたターポリマー6
部および例13、実験#7の光活性化合物から調製され
たレジス) (DME’中20M(M%の溶液として)
から厚さ1μmのホトレジスト付着層を製造した。レジ
ストを照射し、ウエノ・−をKOH水溶液(pH=12
.2)を入れた開放容器に60秒間浸漬することによシ
現像した。次いでウェハーを上記#18に記載したよう
に処理した。
逆感度は100mJ=crrL−2、コントラストは2
、未照射フィルムの前夫はもとの厚さの2チ以下であっ
た。レリーフ画像は、比較的小さな孔の底にくずが残っ
てお)、可と判定された。
例17 例]6、実験#18に記載したように製造されたレリー
フ画像を含むシリコンウエノ・−を半切した。ウェハー
の一方の半分を熱対流炉中で230℃において30分間
ベーキングした。ベーキングされたレリーフ画像および
ベーキングされていないレリーフ画像を走査電子顕微鏡
により20,0OOXで比較した。ベーキングされたレ
リーフ画像の質(鮮明に引かれた2ミクロンの線および
スペースの壁面、ならびに角の鋭さ)はベーキングされ
なかった画像に対して変化がなかった。ベーキングされ
た画像は3M量%Mθ4Non水溶液によシ完全に除か
れた。同様に処理した試料はN、N−ジメチルホルムア
ミドSを用いて230°Cで30分間ベー″1キングし
たのち、ウエノ・−から容易に剥離し/こ。
1+1J18〜29 下記の例においては、モノマーを下記の表IVに示した
ように変更した点以外は例2の装置および方法を用いた
例2の溶剤、反応時間および温度ならびにアルキルメル
カプタン系連鎖移動剤を用いることができる。
脚注 (d) CH2−CH−C0CA’ トCH2CHCO
NH2Q、少すくトも1当量のトリエチルアミン(TE
A)を含有するCH2Cl12中で反応させることにょ
シ製造できる。
(h)塩化アセチルをCH2Cl12およびTEA中で
CH2=:CHCONH2と反応させることにょシ製造
できる。
例30−41 例18〜29のコポリマーを適切な有機溶剤、たとえば
DMFまたはシクロヘキサノン中で例11の光活性化合
物と混合した。例14に記載したようにフィルムを製造
し、例15に記載したように画像を形成させ、例16に
記載したように現像し、得られたレリーフ画像をベーキ
ングし、次いで例17に記載したようにストリッピング
した。
仔1149−RQ 例13、実@f#7の光活性化合物を用いた点以外は例
18〜29の方法に従った。
例54〜65 コール酸0−ニトロベンジルを光活性化合物として用い
た点以外は例18〜29の方法に従った。
例66〜69 下記の例においては例1の装置および方法に従ってホモ
ポリマーを製造した。ただし下記のモノマーを用いた。
例應 i 0 111 (J(J 【 H 例66〜69のモノマーは例71の方法によシ製造でき
る。
例70 スチレン−無水マレイン酸コポリマーからスチレンーマ
レイミドコポリマーへの変換 A、スチレンーマレアミン酸コポリマーの製造十分に脱
水したスチレン−無水マレイン酸コポリマー(アルドゞ
リツヒ・ケミカル社)30gをガス導入管、マグネチツ
クスターラーおよび加熱浴を備えた丸底フラスコに入れ
た。1,4−ジオキサン220罰をフラスコに添加し、
激しく撹拌された溶液の温度を70〜75℃に尚めた。
無水のアンモニアを撹拌されている溶液の上方に導入し
、その間温度を70〜80°Cに2時間保持した。溶液
をアンモニア雰囲気下に室温に冷却し、溶剤を真空下に
除去した。アミド−酸の固体残渣を真空乾燥した。定量
的収率が得られた。
B、スチレン−マレイミド8コポリマーの製造スチレン
−マレアミンv5.osおよび無水の酢酸ナトリウム0
.5を、ガス導入管、マグネチツクスターラー、および
加熱浴を備えた丸底フラスコ中の無水酢酸50m1に添
加した。得られfc浴溶液窒素下に80〜85℃に3時
間保持した。冷却り。
た溶液を、十分に撹拌した冷水(5〜10°’C) 4
00mlのビーカーに徐々に流入させた。得られた固体
を吸引濾過によシ採取し、酸性(酢酸1ゴ/水200ゴ
)の氷水で4回洗浄し、真を乾燥した。はば定量的な収
率の生成物が得られた。
例71 イタコンイミドの合成 例70の方法と同(尿にして無水イタコン酸(イースト
マン・コダック社よシ入手)をアミド−順の形成に十分
な時間、過剰の無水のアンモニアと接触させた。次いで
これを無水の酢酸す) IJウムと共に無水酢酸中で、
イタコンイミド゛の生成に十分な時間加熱した。
【図面の簡単な説明】
第1図は、高いコントラストおよび高い逆磁区をもつ本
発明の好ましい実施態様に関して、未露光フィルムの厚
さく薄化率%)を化学線露光度の関数としてグラフで示
したものである。 第2図は本発明の好ましい実施態様につき、230℃で
3分間アフターベーキングした際の画像プロフィルにお
ける変化がわずかであることを図示したものである。 特許出願人 アライ)・9・コーポレーションロー 第1頁の続き @発明者 マイケル・ジエーム アメ ズ・マツクファーラン ン。 ド 0発 明 者 クリストファー・エリ アメオン・オサ
ツチ ル。 リカ合衆国ニューシャーシー州07960.モーリスタ
ウコート・ストリート 40 リカ合衆国ニューシャーシー州07801.マイン・ヒ
フエアフィールド・アベニュー 15

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)(α)混合物を化学線露光前に相対的にアルカリ
    不溶性にするのに十分な量の、化学線露光に際してアル
    カリ可溶性の種類に変換されうるアルカリ不溶性の光活
    性化合物;および (h) 混合物を化学線露光に際してアルカリ可溶性に
    するのに十分な量の÷Go−NH−Co+基を含むポリ
    マー の混合物からなるアルカリ不溶性のポジのホトレジスト
    組成物。 (2)ポリマーが有効量の 残基を含有するコポリマーからなる、特許請求の範囲第
    1項記載のアルカリ不溶性のポジのホトレジスト組成物
    。 (31コポリマーがスチレン、α−メチルスチレン、4
    − (cl−c5アルキル)スチレン、2−(C1−0
    5アルキル)スチレン、2.4−ジ(cl−c5アルキ
    ル)スチレンもしくは式H2C=CR,M (式中Mは
    CNまたはCO□Rbであシ、ここでRhはメチル基ま
    たはアリル基であシ、RaはHまたはメチル基である)
    を有するモノマーから選ばれるフィルム形成性モノマー
    とマレイミドの重合によって形成される、特許請求の範
    囲第2項記載のアルカリ不溶性のポジのホトレジスト組
    成物。 (4)(α) および所望によシ有効量の ■ 5 (これらの式中R□〜R4は互いに無関係にHまたハ(
    ”I −Cs )7 ルキシA テh ’)、R5ハ(
    cl−05)アルキル基である)から製造されたコポリ
    マー約65〜99重量%;ならびに (A) 化学線露光に際してアルカリ可溶性となる光活
    性化合物約1〜35重量% の混合物からなるポジのホトレジスト組成物。 (5)光活性化合物が化学線露光に際してカルボン酸部
    分を含む化合物に変換する、特許請求の範囲第4項記載
    のポジのホトレジスト組成物。 (61コホリマーがマレイミI’約40 モ/l/ %
    、N −(C,−05)フルキル)マレイミド約10モ
    ルチを含有し、残部がスチレン単位である、特許請求の
    範囲第4項記載のポジのホトレジスト組成物。 および所望によシ有効量の 5 (式中R1〜R4は互いに無関係にHまたは(C1−0
    5)アルキル基であfi、IR5は(C1−C5)アル
    キル基である)から製造されるコポリマー約65〜99
    重量%、ならびに (5) 光活性化合物約1〜35重量%の混合物からな
    るホトレジスト組成物の層を有する基板からなシ、該ホ
    トレジスト組成物が化学線露光に際してアルカリ溶液可
    溶性となる感光性委素。 (8)少なくとも約10モルチのマレイミドゝならびに
    残部のN−(C□−05アルキル)マレイミド9および
    スチレンもしくはα−メチルスチレンもしくは2.4−
     :)(Cl−05アルキル)スチレンの重合により形
    成されるコポリマーからなるアルカリ可溶性組成物。 (9)(α)基板の前面に特許請求の範囲第6項記載の
    ポジのホトレジスト組成物および適切な有機溶剤の溶液
    を、約0.1〜約20ミクロン程度の厚さを有する特許
    請求の範囲第1項記載の組成物の均一な付着層を基板の
    前面に製造するのに十分な条件および債で付着させ; (h)該付着層を、適切な有機溶剤の実質的にすべてを
    除去するのに十分な温度および圧力の条件下で処理し; (C) マスクを介して上記フィルムを約200〜70
    0 nmの範囲の化学線に、フィルムの絽光領域をアル
    カリ性溶液に可溶性にするのに十分な期間画像形成下に
    露光し;そして (cL)露光したフィルムを約10以上のpHを有する
    アルカリ性物質からなる現像液と、フィルムの露光領域
    を除去するのに十分な期間接触させる ことよシなる、光化学的画像の形成法。 (10) さらに、現像したフィルムを約250℃の温
    度に加熱することよシなる、特許請求の範囲第9項記載
    の方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60185946A (ja) * 1983-11-21 1985-09-21 ロ−ム アンド ハ−ス カンパニ− ポジテイブフオトレジストおよびこれを利用した像の形成方法
JPS62229242A (ja) * 1986-02-24 1987-10-08 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション イミド含有ポリマ−の高解像力ホトレジスト
JPS6336240A (ja) * 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
JPS63167351A (ja) * 1986-12-22 1988-07-11 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン フォトレジスト組成物
JPH01124849A (ja) * 1986-08-08 1989-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
JPH01284849A (ja) * 1988-05-12 1989-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版
JPH0277748A (ja) * 1988-09-14 1990-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5556734A (en) * 1993-12-24 1996-09-17 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation sensitive resin composition comprising copolymer of isopropenylphenol and T-butyl(meth)acrylate
JP2002338629A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Jsr Corp 脂環式炭化水素骨格含有化合物及び脂環式炭化水素骨格含有重合体並びに感放射線性樹脂組成物
JP2006063318A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規な化合物、高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2018072833A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC トップコート組成物及びパターン形成方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
CA1255142A (en) * 1985-03-11 1989-06-06 Edward C. Fredericks Method and composition of matter for improving conductor resolution in microelectronic circuits
US5462840A (en) * 1987-09-16 1995-10-31 Hoechst Celanese Corporation Use of poly(35-disubstituted 4-hydroxystyrene/N-substituted maleimide for forming a negative image
US4927956A (en) * 1987-09-16 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrene and process for its production
WO1989005996A1 (en) * 1987-12-23 1989-06-29 Hoechst Celanese Corporation A photoresist composition including a copolymer from maleimide and a vinyl-ether or -ester
US5342727A (en) * 1988-10-21 1994-08-30 Hoechst Celanese Corp. Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition
DE3837500A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
CA2023423A1 (en) * 1989-09-05 1991-03-06 Christopher E. Osuch Transparent dissolution rate modifiers for photoresists
CA2033403A1 (en) * 1990-01-26 1991-07-27 Michael J. Mcfarland Photoresist containing aliphatic di- and tri-esters of aliphatic and aromatic di-and tri-acids and alcohols
WO1996024621A1 (de) * 1995-02-06 1996-08-15 Siemens Aktiengesellschaft Polymere für strahlungsempfindliche lacke
EP0922715B8 (en) 1997-12-09 2008-05-21 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Stimuli-responsive polymer utilizing keto-enol tautomerization
US8993699B2 (en) 2009-08-24 2015-03-31 Nissan Chemical Industries, Ltd. Photosensitive resin composition for microlens
EP2479612B1 (en) 2009-09-14 2016-12-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Photosensitive resin composition containing copolymer
JP5696858B2 (ja) 2010-11-30 2015-04-08 日産化学工業株式会社 マイクロレンズ用感光性樹脂組成物
JP5867735B2 (ja) 2011-01-31 2016-02-24 日産化学工業株式会社 マイクロレンズ形成用感光性樹脂組成物
CN103304813B (zh) 2013-06-06 2015-09-23 北京京东方光电科技有限公司 一种固化树脂、间隔物剂、滤光片及它们的制备方法、显示器件
CN103304811B (zh) 2013-06-06 2015-12-02 北京京东方光电科技有限公司 一种固化树脂、蓝色光阻剂、彩色滤光片及它们的制备方法、彩色显示器件
CN103319713B (zh) * 2013-06-06 2015-11-25 北京京东方光电科技有限公司 一种固化树脂、黑色光阻剂、滤光片及它们的制备方法、显示器件
CN112011008A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 罗门哈斯电子材料有限责任公司 抗蚀剂组合物、其制造方法及包含其的制品

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2349948A1 (de) * 1972-10-06 1974-05-02 Agency Ind Science Techn Neue photopolymere
DE2462101A1 (de) * 1974-08-02 1976-04-29 Siemens Ag Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen
DE3069448D1 (en) * 1979-05-18 1984-11-22 Ciba Geigy Ag Photocrosslinkable copolymers, photosensitive recording material containing them, its utilisation in the production of photographic pictures and process for the production of photographic pictures
US4544621A (en) * 1982-05-19 1985-10-01 Ciba Geigy Corporation Photocrosslinkable water-soluble polymers, containing maleimidyl and quaternary ammonium groups process for their preparation and use thereof

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60185946A (ja) * 1983-11-21 1985-09-21 ロ−ム アンド ハ−ス カンパニ− ポジテイブフオトレジストおよびこれを利用した像の形成方法
JPS62229242A (ja) * 1986-02-24 1987-10-08 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション イミド含有ポリマ−の高解像力ホトレジスト
JPS6336240A (ja) * 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
JPH01124849A (ja) * 1986-08-08 1989-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
JPS63167351A (ja) * 1986-12-22 1988-07-11 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン フォトレジスト組成物
JPH01284849A (ja) * 1988-05-12 1989-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版
JPH0277748A (ja) * 1988-09-14 1990-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5556734A (en) * 1993-12-24 1996-09-17 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation sensitive resin composition comprising copolymer of isopropenylphenol and T-butyl(meth)acrylate
JP2002338629A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Jsr Corp 脂環式炭化水素骨格含有化合物及び脂環式炭化水素骨格含有重合体並びに感放射線性樹脂組成物
JP4586298B2 (ja) * 2001-05-14 2010-11-24 Jsr株式会社 脂環式炭化水素骨格含有化合物及び脂環式炭化水素骨格含有重合体並びに感放射線性樹脂組成物
JP2006063318A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規な化合物、高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2018072833A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC トップコート組成物及びパターン形成方法

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CA1279218C (en) 1991-01-22
EP0140273B1 (en) 1991-09-11

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