JP2003233191A - フォト酸レイビルポリマー及びそれを含むフォトレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】高解像レリーフイメージを提供できる素材とそ
れを用いたレジスト組成物を提供する。 【解決手段】アリールアルキル基を含むフォト酸レイビ
ル基を含有する新規なポリマーを提供する。特に好まし
いのは、エステル酸素と直接結合する三級ベンジル炭素
を有するポリマーである。このポリマーは、化学増幅ポ
ジ型レジストの成分として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、アリールアルキル基を含むフォ
ト酸レイビル（ｐｈｔｏａｃｉｄ‐ｌａｂｉｌｅ）基を
含有する新規なポリマーに関する。特に好ましくは、エ
ステル酸素に直接結合したベンジル炭素を有するポリマ
ーである。本発明のポリマーは、化学増幅ポジ型レジス
トの成分として特に有用である。

【０００２】フォトレジストは、イメージを基体に転移
するのに使用される感光性フィルムである。フォトレジ
ストのコーティング層は基体上に形成され、それからフ
ォトレジスト層はフォトマスクを通して活性化放射線源
で露光される。フォトマスクは、活性化放射線に不透過
性の領域と活性化放射線に透過性の他の領域を有する。
活性化放射線での露光は、フォトレジストコーティング
のフォト誘導された化学変換を提供し、それによりフォ
トレジスト被覆基体にフォトマスクのパターンを転移す
る。露光に引き続き、フォトレジストは、基体の選択的
加工処理を許容するレリーフイメージを提供するために
現像される。

【０００３】フォトレジストは、ポジ型又はネガ型のい
ずれかであり得る。大部分のネガ型フォトレジストにつ
いては、活性化放射線で露光されたこれらのコーティン
グ層は本発明のフォト活性化合物及び重合性試薬との間
の反応において重合し又は架橋する。結果的に、露光コ
ーティング部分は、未露光部分よりも現像液溶液により
難溶性にさせられる。ポジ型フォトレジストについて
は、露光部分は現像液溶液中でより易溶性とされ、一方
で露光されない領域は相対的に現像液をより難溶性のま
ま維持される。

【０００４】一般に、フォトレジスト組成物は、少なく
とも一つの樹脂バインダー成分及びフォト活性剤を含
む。フォトレジスト組成物は、デフォレスト、「フォト
レジスト材料及び方法」、マグロウヒルブックカンパニ
ー、ニューヨーク、第２章、１９７５年及びモロウによ
る、「半導体リトグラフィーの原理、実施及び材料」、
プレナムプレス、ニューヨーク、第２章及び４章、にお
いて記載され、双方ともフォトレジスト組成物及びそれ
らの製造法及び使用法についての教示が参照され、本明
細書において挿入される。

【０００５】化学増幅型レジストは、特にサブミクロン
イメージ及び他の高性能用途について益々採用されてき
ている。斯かるフォトレジストはネガ型又はポジ型であ
り得るし、一般に多くの架橋事象（ネガ型レジストの場
合）又はフォト発生酸単位当たりの保護解除反応（ポジ
型レジストの場合）を伴う。ポジ型化学増幅の場合にお
いては、ある種のカチオン性フォト開始剤が、フォトレ
ジストバインダーからのある種の「ブロッキング」基ペ
ンダントの開裂又はフォトレジストバインダー骨格を構
成するある種の基の解裂を誘導するのに使用されてき
た。例えば、米国特許第５，０７５，１９９号；第４，
９６８，５８１号；第４，８８３，７４０号；第４，８
１０，６１３号；及び第４，４９１，６２８号及びカナ
ダ特許出願２，００１，３８４号に記載がある。斯かる
レジストのコーティング層の露光を通してブロッキング
基の解裂に際し、極性官能基、例えば、カルボキシル又
はイミドが形成され、結果としてレジストコーティング
層の露光、非露光領域において異なる溶解度特性を生じ
させる。Ｒ．Ｄ．アレン等の「ＳＰＩＥ議事録」２７２
４：３３４〜３４３頁（１９９６）；及びP．トレフォ
ナス等の、「１１回、フォトポリマー国際会議議事録
（Ｓｏｃ．Ｏｆ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒ
ｓ）」、４４〜５８頁（1997年、10月6日）に記載され
ている。

【０００６】現在入手可能なフォトレジストは、多くの
用途に好適である一方で、現行のレジストは、また、特
に高度解像０．５ミクロン以下及び０．２５ミクロン以
下のフィーチャーの形成のような高性能用途において、
深刻な欠陥を発揮し得る。

【０００７】結果的に、約２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー
により与えられる）のような約２７０ｎｍ以下の暴露放
射線を含む短波長放射線でフォトイメージされ得るフォ
トレジストに関心が高まっている。斯かる短波長の使用
は、より小さなフィーチャーの形成を可能にすることが
できる。従って、２４８ｎｍ露光での高解像イメージを
生じさせるフォトレジストは、より大きな回路密度及び
増幅された装置性能等を提供するためのより小さな寸法
の回路パターンに関する工業界の不断の要求に答える非
常に小さな（例えば、０．２５μｍ以下）フィーチャー
形成を可能にすることができるであろう。

【０００８】従って、新しいフォトレジス組成物、特に
２４８ｎｍのような短波長においてイメージされ得るレ
ジスト組成物を有することが非常に望ましい。高解像レ
リーフイメージを提供することができるようなレジスト
組成物を有することは、特に望ましい。

【０００９】我々は、ベンジル基のようなアリールアル
キル基を含有するフォト酸レイビル単位を含有する新し
いポリマーを見出した。本発明の特に好ましいポリマー
は、重合体フェノール単位並びにベンジル基のようなア
リールアルキル基を含有するフォト酸レイビル基を含有
する。

【００１０】本発明のポリマーは、ポジ型フォトレジス
ト組成物の樹脂成分として非常に有用である。本発明の
レジストは、典型的には、樹脂成分に加えて１以上のフ
ォト酸発生剤化合物のようなフォト活性成分を含有す
る。

【００１１】我々は、本発明のレジストは格別のリトグ
ラフィー性能を発揮することができることを見出した。
例えば、下記の実施例３及び４の結果に見られる。

【００１２】その他の物の中では、本発明のレジストは
比較的穏かな条件の下で、特に穏かな露光前及び露光後
熱処理の下でリトグラフィー加工処理され得る。追加的
に、本発明のレジストはレジストイメージの現像後に使
用されるプラズマエッチング剤に対する優れた抵抗性を
発揮することができる。

【００１３】リトグラフィー特性のパッケージは、重要
な効用である。特に、アセタールベースのポジ型レジス
トのような比較的穏かな条件の下で加工処理され得るレ
ジストの認められている欠点は、これらのレジストがよ
り激しい条件下で処理されるレジスト（例えば、フェノ
ール／ｔ‐ブチルアクリレートコポリマーを含み、比較
的高温で後露光ベークされるもののような所謂、高温レ
ジストと呼ばれるもの）に対して劣悪なプラズマエッチ
ング抵抗を発揮することである。

【００１４】従って、本発明のレジストは、所謂、低温
レジスト、即ち穏かな加工処理条件、並びに高温レジス
ト特性、即ち、強いプラズマエッチング抵抗（ｒｏｂｕ
ｓｕｔ ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈ ｒｅｓｉｓｔａｎｃ
ｅ）双方の望ましい特性を発揮することができる。

【００１５】好ましいフォト酸レイビル単位は、炭素環
式アリール（特にフェニル）‐アルキル基を含有する。
好ましくは、アルキル基は、フォト酸レイビル単位の酸
素のようなヘテロ原子に直接属している（間に他の介在
原子無しで）。いっそう更に好ましいのは、アリールア
ルキル部位の飽和、第三級炭素（水素置換無しの）が直
接フォト酸レイビル単位のヘテロ原子に結合されている
場合である。特異的に好ましいのは、次式Ｉを含むエス
テルフォト酸レイビル単位である：

【００１６】

【化１】

【００１７】ここで、式Ｉにおいて、Ｘ及びＹは、同一
又は異なり、それぞれは任意に置換されたアルキル、特
に任意に置換されたＣ_１〜８アルキル、より典型的には
Ｃ_{１〜 ３}アルキル；任意に置換されたアルコキシ、特に
任意に置換されたＣ_１〜８アルコキシ、より典型的には
Ｃ_１〜３アルコキシ；アリール特にフェニル及びナフチ
ル等のような任意に置換された炭素環式アリールのよう
な任意に置換されたアリールのような非水素置換基であ
る；アリール(Ａｒｙｌ)は、芳香族基、好ましくは任意
に置換されたフェニル又はナフチルのような任意に置換
された炭素環式アリール基であり；アリールは、またヘ
テロ芳香族基、特に１‐３縮合又は結合環及びクマリニ
ル、キノリニル、フリル、チアゾリル、オキサゾリル、
オキシジゾリル、ベンゾフラニル及びベンゾチアゾール
のような１以上の硫黄及び酸素を含有する基であり、但
し炭素環式アリール基がヘテロ芳香族基より一般的に好
ましい；及びＺは化学結合、１から８の炭素原子を有す
る任意に置換されたアルキレン等のポリマー鎖への結合
基である。

【００１８】本発明のポリマーは、また、アリールアル
キル基を有するフォト酸レイビル基に加えてさらに単位
を含有することができる。例えば、溶解エンハンサー
は、無水物及びラクトン等の本発明のポリマーに含まれ
得る。コントラスト向上基は、また、本発明のポリマー
内に存在することができ、それらはメタクリル酸、アク
リル酸の重合により提供される基、および例えばエトキ
シエチルメタクリレート、ｔ‐ブトキシメタクリレート
及びブチルメタクリレート等でのフォト酸レイビル基で
保護された基の重合により提供される基等である。炭素
環式アリール基、特にフェニル基のようなフォトリトグ
ラフィーに本質的に不活性である基が、また、採用さ
れ、それらはスチレン及びフェニル又は熱（例えば、約
１５０から２００℃）及びフォトグラフィーのフォト酸
条件に本質的に非反応性である部位により任意に置換さ
れる他のアリール基の反応により提供され得る。

【００１９】本発明のフォトレジストは、また、少なく
とも一つのブレンド構成員がアリールアルキル部位を含
有するフォト酸レイビル単位を含む樹脂のブレンドを含
有することができる。好ましくは、そのブレンドは、ま
た、比較的低温でフォト酸の存在下でブロックを解除さ
れ得るフォト酸レイビル基を含有する樹脂を含み、例え
ば、それはアセタール又はケタールフォト酸レイビル基
を含有する樹脂である。

【００２０】本発明は、また、それぞれのラインが本質
的に垂直な側壁を有し、０．４０ミクロン以下のライン
幅、更には約０．２５、０．２０又は０．１６ミクロン
以下のライン幅であるラインパターンのような高度に解
像されたレリーフイメージを形成する方法を含むレリー
フイメージを形成する方法を提供する。本発明は、更
に、本発明のポリマー、フォトレジスト又はレジストレ
リーフイメージをその上に被覆させたマイクロエレクト
ロニクスウェーハ基体又は液晶ディスプレー基体又はフ
ラットパネルディスプレー基体のような基体を含む製品
を提供する。本発明は、また、本発明のフォトレジスト
及び／又はポリマーを使用した斯かる製品、特に半導体
チップスの製造法を含む。

【００２１】本発明の他の態様が、以下に開示される。

【００２２】上記したように、本発明のポリマーは、ア
リールアルキル基を含むフォト酸レイビル単位を含む。
任意に置換したベンジルは、特に好ましいアリールアル
キル基である。

【００２３】本発明の好ましいポリマーは、追加の単位
を含むことができる。例えば、本発明のポリマーは：
１）アリールアルキル部位を含有するフォト酸レイビル
基；及び２）ヒドロキシスチレン、特にパラ‐ヒドロキ
シスチレン及び／又はメタ‐ヒドロキシスチレンの重合
により提供され得るようなヒドロキシフェニル単位を含
む。好ましいポリマーは、また、例えば、任意に置換さ
れたスチレンの重合により提供され得るような、ヒドロ
キシ又はカルボキシのような他の強い極性基によって置
換されていないフェニル基をはじめとする更なる基を含
むことができる。

【００２４】アクリレート‐含有ポリマーは、特に好ま
しい。本明細書においては、アクリレート化合物又はポ
リマーとしては、メタアクリレートのような置換アクリ
レートを含むポリマー、フェノール／アクリレートコポ
リマー及びターポリマー及びテトラポリマーのような高
次のポリマーが特に好ましい。但し、アクリレート単位
はフォト酸レイビルであり、且つアリールアルキル部位
を含有することを条件とする。

【００２５】本発明の特に好ましい高次ポリマーとして
は、次の重合単位を含むポリマーが挙げられる：１）パ
ラ‐ヒドロキシスチレン；２）メタ‐ヒドロキシスチレ
ン；及び３）ベンジル部位のようなアリールアルキル部
位を含有するフォト酸レイビル単位、特にフォト酸レイ
ビル基がアリールアルキル部位を有するアクリレート化
合物の重合により提供されるようなエステルであるも
の。

【００２６】本発明の追加の好ましい高次のポリマーは
次の重合単位を含むポリマーを含む：１）ヒドロキシス
チレン、パラ‐ヒドロキシスチレン又はメタ‐ヒドロキ
シスチレンのいずれか；２）フェニル環が非置換であ
り、又は少なくともヒドロキシ又はカルボキシのような
強極性基により置換されていないスチレン；及び３）ベ
ンジル部位のようなアリールアルキル部位を含有するフ
ォト酸レイビル単位、特にフォト酸レイビル基がアリー
ルアルキル部位を有するアクリレート化合物の重合によ
り提供されるようなエステルであるもの。

【００２７】本明細書において、スチレン及びヒドロキ
シスチレンとは、重合される１以上のビニル炭素におい
て水素以外の基で置換されている化合物を含み、例えば
その用語はα‐メチルスチレン等を含む。

【００２８】本発明の特に好ましいフェノールポリマー
は次式ＩＩの構造を含む：

【００２９】

【化２】

【００３０】ここで、Ｘ及びＹは同一又は異なり、それ
ぞれが、任意に置換されたアルキル特に任意に置換され
た置換Ｃ_１〜８アルキル、より典型的にはＣ_１〜３アル
キル；任意に置換されたアルコキシ、特に任意に置換さ
れたＣ_１〜８アルコキシ、より典型的にはＣ_１〜３アル
コキシ；任意に置換された炭素環式アリール特にフェニ
ル及びナフチル等のような任意に置換されたアリールの
ような非水素置換基である；アリール（Ａｒｙｌ）は芳
香族基、好ましくは任意に置換されたフェニル又はナフ
チルのような任意に置換された炭素環式アリールであ
り；アリールは、また、ヘテロ芳香族基であり得る、特
に１‐３縮合又は結合環を有し及びクマリニル、キノリ
ニル、フリル、チアゾリル、オキサゾリル、オキシジゾ
リル、ベンゾフラニル及びベンゾチアゾールのような１
以上の硫黄及び酸素を含有する基であり、但し炭素環式
アリール基がヘテロ芳香族基より一般的に好ましい；そ
れぞれのＲは同一又は異なる非水素置換基であり、例え
ば、ヒドロキシ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）；ニ
トロ；シアノ；好ましくは１から約８の炭素原子を有す
る任意に置換されたアルキル；好ましくは２から約８の
炭素原子を有する任意に置換されたアルケニル；好まし
くは２から約８の炭素原子を有する任意に置換されたア
ルキニル；ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）；ニトロ；
シアノ；好ましくは１から約８の炭素原子を有する任意
に置換されたアルコキシ；及び好ましくは１から約８の
炭素原子を有する任意に置換されたアルキルチオ等であ
り得る；Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立して水素又は任意に
置換されたＣ_１〜８アルキル、好ましくは水素又はメチ
ルである；ｍは０（環が唯一のヒドロキシで置換された
ものの場合）から４である；及びｎは０（環が置換して
いない場合）から５である；及びａ、ｂ、及びｃは表さ
れた単位のそれぞれについてのモルパーセントであり、
及びａ及びｂそれぞれが０より大であり、及びｃは０
（即ち、更なるスチレン単位がない）またはそれより大
である。

【００３１】特に本発明の好ましいフェノールポリマー
は、次式ＩＩＩの構造のようなメタ‐ヒドロキシスチレ
ン及びパラ‐ヒドロキシスチレン双方を含有するものを
含む：

【００３２】

【化３】

【００３３】ここで、Ｘ及びＹは同一又は異なり、それ
ぞれが、任意に置換されたアルキル、特に任意に置換さ
れた置換Ｃ_１〜８アルキル、より典型的にはＣ_１〜３ア
ルキル；任意に置換されたアルコキシ、特に任意に置換
されたＣ_１〜８アルコキシ、より典型的にはＣ_１〜３ア
ルコキシ；任意に置換された炭素環式アリール特にフェ
ニル及びナフチル等のような任意に置換されたアリール
のような非水素置換基である；アリール（Ａｒｙｌ）は
芳香族基、好ましくは任意に置換されたフェニル又はナ
フチルのような任意に置換された炭素環式アリールであ
り；アリールは、また、ヘテロ芳香族基であり得る、特
に１‐３縮合又は結合環を有し及びクマリニル、キノリ
ニル、フリル、チアゾリル、オキサゾリル、オキシジゾ
リル、ベンゾフラニル及びベンゾチアゾールのような１
以上の硫黄及び酸素を含有する基であり、但し炭素環式
アリール基がヘテロ芳香族基より一般的に好ましい；そ
れぞれのＲは同一又は異なる非水素置換基であり、例え
ば、ヒドロキシ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）；ニ
トロ；シアノ；好ましくは１から約８の炭素原子を有す
る任意に置換されたアルキル；好ましくは２から約８の
炭素原子を有する任意に置換されたアルケニル；好まし
くは２から約８の炭素原子を有する任意に置換されたア
ルキニル；ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）；ニトロ；
シアノ；好ましくは１から約８の炭素原子を有する任意
に置換されたアルコキシ、；及び好ましくは１から約８
の炭素原子を有する任意に置換されたアルキルチオ等で
あり得る；Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立して水素又は任意
に置換されたＣ_１〜８アルキル、好ましくは水素又はメ
チルである；ｍ及びｍ´はそれぞれが独立して０（環は
唯一のヒドロキシで置換されたものの場合）から４であ
り；ｎは０（環が置換していない場合）から５である；
及びｄ、ｅ及びｆは表された単位のそれぞれについての
モルパーセントであり、それぞれは０より大きい。

【００３４】上記式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩにおいて、好ま
しいＸ及びＹ基は、任意に置換されたアルキル、任意に
置換されたアルコキシ及び任意に置換されたフェニル又
は他のアリールを含む電子給与基である。斯かる電子給
与基は、フォト酸誘導保護解除反応の過程で炭素カチオ
ン中間体を安定化させるのに役立つ。

【００３５】上記式ＩＩ及びＩＩＩにおいて、好適に
は、ベンジルフォト酸レイビル単位は、総ポリマー単位
を基準にして４，５、１０、１５、２０、２５、３０、
４０又は５０モルパーセント以上の量で存在し、より好
ましくは、ベンジルフォト酸単位は総ポリマー単位を基
準にして約１０から３０モルパーセントの量で存在す
る。

【００３６】好適には、本発明のフェノールポリマー
は、約３０から９０モルパーセントのフェノール単位、
より好ましくは約４０から６０モルパーセントフェノー
ル単位を含有する。非フェノール（ヒドロキシ又はカル
ボキシ置換を有しない）フェニル単位を含有するポリマ
ーは、そのような単位を好ましくは総ポリマー単位を基
準にして約３から３０又は４０モルパーセント、好まし
くは約５から約１０、１５又は２０モルパーセントの量
で含有する。

【００３７】上記したように、上記式のポリマーの部位
を含むここで記載される種々の部位は、任意に置換され
得る。「置換された」基は、１以上の利用可能な位置、
典型的には１、２又は３の位置において、例えば、ハロ
ゲン（特にＦ、Ｃｌ又はＢｒ）；シアノ；ニトロ；メシ
ルのようなＣ_１〜６アルキルスルホニル；Ｃ_１〜８アル
キル；Ｃ_１〜８アルコキシ；Ｃ_２〜８アルケニル；Ｃ
_２〜８アルキニル；ヒドロキシ；例えばアシルのような
Ｃ_１〜６アルカノイル等のアルカノイルなどの好適な基
で置換され得る。

【００３８】本発明のポリマーは、多様な方法により調
製され得る。

【００３９】アリールアルキル部位を有する好適なモノ
マーを提供するための、一つの好適な方法としては、第
三級アルコールを提供するためのアリールケトンとアル
キル又はアリールリチウム試薬等のグリニャール試薬と
の反応があげられる。そのアリール第三級アルコール
は、それから、塩化アクリレートと反応してアリールア
ルキル置換基を有するアクリレートを提供することがで
きる。好ましい試薬及び反応条件の例は実施例１に記載
される。

【００４０】そのポリマーは、遊離基重合をはじめとし
た付加反応、例えば、不活性雰囲気下（例えば、Ｎ_２又
はアルゴン）でラジカル開始剤の存在下で、且つ反応温
度は採用される特定の試薬の反応性及び反応溶媒（溶媒
が採用された場合）の沸点に応じて変わり得るが、たと
えば、約７０℃以上のような高められた温度で、上記さ
れたような種々の単位を提供するための選択されたモノ
マー（その一つはアリールアルキル置換基を有するフォ
ト酸レイビル基を含む）の反応により好適に形成され得
る。好適な反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフ
ラン及び乳酸エチル等が含まれる。任意の特定の系につ
いての好適な反応温度は、本発明の開示に基づいて当業
者により経験的に容易に決定され得る。多岐にわたる遊
離基開始剤が、採用され得る。例えば、アゾ‐ビス‐
２，４‐ジメチルペンタンニトリルのようなアゾ化合物
が、採用され得る。ペルオキシド、ペルエステル、過酸
及び過硫酸が、また、採用され得る。代表的な試薬及び
反応条件は下記の実施例２に記載される。

【００４１】本発明のポリマーを提供する反応のための
好適なモノマーはとしては、任意に置換されたビニルフ
ェニル、任意に置換されたスチレン、任意に置換された
α‐メチルスチレン、メタクリロニトリル、アクリロニ
トリル、２‐メチルアダマンチルメタクリレート、２‐
メチルアダマンチルアクリレート又はα‐ブチロラクト
ンメタクリレートが挙げられる。

【００４２】本発明のポリマーを提供するために反応さ
れ得る他のモノマーは、当業者により同定され得る。例
えば、アリールアルキル基を含有するもの以外の酸レイ
ビル基を提供するためには、ｔ‐ブチルメタクリレー
ト；ｔ‐ブチルアクリレート、ｔ‐ブトキシメタクリレ
ート、ｔ‐ブチルメタクリレート；及びエトキシエチル
メタクリレート等の他の相当するモノマーが、反応させ
られ得る；ペンダント酸基を提供するためには、メタク
リル酸及びアクリル酸のような対応するモノマー酸が反
応され得る；及び無水物のような溶解エンハンサーは、
イタコン酸無水物等のような好適なモノマーの反応によ
り提供され得る。

【００４３】好適には、本発明のポリマーは、約３以
下、より好ましくは約２以下の分子量分布（Ｍ_ｗ／
Ｍ_ｎ）を有する１，０００から約１００，０００、より
好ましくは約２，０００から約３０，０００、いっそう
より好ましくは約２，０００から１５，０００又は２
０，０００の重量平均分子量を有するであろう。本発明
のポリマー分子量（Ｍ_ｗ又はＷ_ｎのいずれも）は、好適
にはゲル浸透クロマトグラフィーにより決定される。

【００４４】フォトレジスト配合物に使用される本発明
のポリマーは、所望のレジストレリーフイメージの形成
を可能にする十分量のフォト発生酸レイビルエステル基
を含有すべきである。例えば、上記により示されたよう
に、斯かる酸レイビルエステル基の好適な量は、そのポ
リマーの総単位の少なくとも１モルパーセント、より好
ましくは約２から５０モルパーセント、更により典型的
には総ポリマー単位の約３から３０又は４０モルパーセ
ントであろう。好ましいポリマーの例は下記の実施例に
記載される。

【００４５】上記で検討したように、樹脂バインダー成
分として記載されたポリマーを含むフォトレジスト組成
物が、更に提供される。

【００４６】本発明のフォトレジスト組成物は、短波
長、特に２４８ｎｍでの露光に際し高度に解像されたレ
リーフイメージを提供することができる。本発明のフォ
トレジストは、好ましくは、ペンダントアルキルエステ
ルポリマー基のフォト酸誘導開裂を利用する化学増幅ポ
ジ型レジストであり、レジストコーティング層の露光及
び非露光領域間の溶解度差異を提供する。

【００４７】フォトレジスト配合物に使用される本発明
のポリマーは、所望のレジストレリーフイメージの形成
を可能にする十分量のフォト発生酸レイビルエステル基
を含有すべきである。例えば、斯かる酸レイビルエステ
ル基の好適な量は、そのポリマーの総単位の少なくとも
１モルパーセント、より好ましくは約２から５０又は６
０モルパーセントであろう。好ましいポリマーの例は下
記の実施例に記載される。

【００４８】上記で検討したように、本発明のレジスト
は、アリールアルキルフォト酸レイビル単位を有するポ
リマーに加えて及びそれとは別個の１以上のポリマーを
含有することができる。斯かる追加のポリマーには、例
えば、アセタール又はケタール基を有するポリマーのよ
うな、比較的穏かな条件下で、ブロック解除され得るフ
ォト酸レイビル基を有するものを含む。アセタール又は
ケタール基を有する斯かる更なるポリマーは、好適に
は、フェノールポリマーとエーテルビニルエーテル又は
他のビニルエーテルとの反応によるようなフェノール‐
ＯＨ部位上にグラフトしたアセタール基を有するフェノ
ールポリマー（例えば、ポリビニル（フェノール））で
あり得る。

【００４９】斯かる樹脂ブレンドの各構成員の量は、か
なり広く変動し得る、例えば、アリールアルキルフォト
酸レイビル単位を有するポリマー対第二の別個の樹脂
（例えばアセタール又はケタールフォト酸レイビル基を
有するもの）の重量比は、１：１０から１０：１であり
得る。好ましい混合重量比は、２：８から８：２でアリ
ールアルキルフォト酸レイビル単位を有するポリマー対
第二の別個の樹脂（例えば、アセタール又はケタールフ
ォト酸レイビル基を有するもの）を含み得る。

【００５０】上記で検討したように、本発明のポリマー
はフォトレジスト組成物における樹脂バインダー成分と
して、特に化学増幅ポジ型樹脂として非常に有用であ
る。一般に本発明のフォトレジストはフォト活性成分及
び上記のポリマーを含む樹脂バインダー成分を含む。

【００５１】樹脂バインダー成分は、レジストのコーテ
ィング層を水性アルカリ現像液で現像可能にさせるに十
分な量で使用されるべきである。

【００５２】本発明のレジスト組成物は、また、活性化
放射線での露光に際しレジストのコーティング層中での
潜像を発生するに十分な量で好適に採用されるフォト酸
発生剤（即ち、「ＰＡＧ」）を含む。好適なフォト酸発
生剤は、次式の化合物のようなイミドスルホネートを含
む：

【００５３】

【化４】

【００５４】ここで、Ｒは樟脳、アダマンタン、アルキ
ル（例えば、Ｃ_１〜１２アルキル）及びペルフルオロ
（Ｃ_１〜１２アルキル）、特にペルフルオロオクタンス
ルホネート及びペルフルオロノナンスルホネート等のよ
うなペルフルオロアルキルである。好ましいＰＡＧは、
Ｎ‐［（ペルフルオロオクタンスルホニル）オキシ］‐
５‐ノルボルネン‐２，３‐ジカルボキシイミドであ
る。

【００５５】スルホネート化合物、特にスルホネート塩
はまた、本発明のコーティング組成物がオーバーコート
されたレジスト用の好適なＰＡＧである。１９３ｎｍイ
メージング及び２４８ｎｍイメージングについての二つ
の好適な薬剤は、次のＰＡＧ１及び２である：

【００５６】

【化５】

【００５７】

【化６】

【００５８】斯かるスルホネート化合物は、上記ＰＡＧ
Ｉの合成を説明しているヨーロッパ特許出願９６１１８
１１１．２号（公開番号０７８３１３６）に開示された
ように調製され得る。

【００５９】また好適なのは、上記で表されたカンファ
ースルホネート基以外のアニオンで錯化された二つのヨ
ードニウム化合物である。特に、好ましいアニオンは、
式ＲＳＯ_３‐のものを含む、ここでＲはアダマンタン、
アルキル（例えば、Ｃ_{１〜１ ２}アルキル）及びペルフル
オロ（Ｃ_１〜１２アルキル）のようなペルフルオロアル
キル、特にペルフルオロオクタンスルホート及びペルフ
ルオロブタンスルホネート等である。

【００６０】他の公知のＰＡＧは、また、本発明のレジ
ストに採用され得る。

【００６１】本発明のレジストの好ましい任意の添加剤
は、現像されたレジストレリーフイメージの解像度を向
上させることができる付加塩基、特に水酸化テトラブチ
ルアンモニウム（ＴＢＡＨ）又は乳酸テトラブチルアン
モニウムである。付加塩は、総固体に対して比較的少
量、例えば、約０．０３から５重量パーセントで好適に
使用される。

【００６２】本発明のフォトレジストは、また、他の任
意の物質を含有することができる。例えば、他の任意の
添加剤としては、耐光条剤（ａｎｔｉ‐ｓｔｒｉａｔｉ
ｏｎａｇｅｎｔ）、可塑剤、スピードエンハンサー等が
挙げられる。斯かる任意の添加剤は、典型的には、例え
ばレジスト乾燥成分の総重量の約５から３０重量パーセ
ント量のような比較的大量に存在し得る充填剤及び染料
を除き、フォトレジスト組成物中で少量で存在するであ
ろう。

【００６３】本発明のレジストは、当業者により容易に
調製され得る。例えば、本発明のフォトレジスト組成物
は、例えば、乳酸エチル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及
び３‐エトキシエチルプロピオネート等の好適な溶媒中
でフォトレジストの成分を溶解させることにより調製さ
れ得る。典型的には、組成物の固形分は、フォトレジス
ト組成物総重量の約５及び３５重量パーセントの間で変
動する。樹脂バインダー及びフォト活性成分は、フィル
ムコーティング層及び良好な潜像及びレリーフイメージ
の形成を提供するに十分な量で存在すべきである。レジ
スト組成物の好ましい量の例については、下記の実施例
に記載される。

【００６４】本発明の組成物は、一般的に知られた手順
に従い使用される。本発明の液体コーティング組成物
は、スピニング、浸漬、ローラーコーティング又は他の
慣用のコーティング技術等により基体に塗布される。ス
ピンコーティングの場合、コーティング溶液の固形分
は、利用される具体的なスピニング装置を基準に望まし
いフィルム厚さを提供するよう、溶液粘度、スピナーの
スピード及びスピニングに許容される時間量が調整され
得る。

【００６５】本発明のレジスト組成物は、フォトレジス
トでのコーティングを伴うプロセスに慣用的に使用され
る基体に好適に塗布される。例えば、組成物は、マイク
ロプロセッサー及び他の集積回路成分生産用のシリコン
ウェーハ又は二酸化珪素で被覆されたシリコンウェーハ
上に塗布され得る。アルミニウム‐酸化アルミニウム、
砒化ガリウム、セラミック、石英、銅及びガラス基体等
は、また、好適に採用される。

【００６６】フォトレジストの基体へのコーティングに
引き続き、好ましくはフォトレジストコーティングの粘
性がなくなるまで溶媒を除去するため加熱により乾燥さ
れる。その後で、それはマスクを通して慣用の方法でイ
メージされる。露光は、レジストコーティング層におい
てパターン化されたイメージを現出するためフォトレジ
スト系のフォト活性成分を有効に活性化すれば十分であ
り、より具体的には、露光エネルギーは、露光器具及び
フォトレジスト組成物の組成に依存して典型的には約１
から１００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲である。

【００６７】上記で検討したように本発明のレジスト組
成物のコーティング層は、好ましくは、露光短波長、特
に２４８ｎｍのような３００ｎｍ以下の露光波長により
フォト活性化される。しかしながら、本発明のレジスト
組成物は、また、より高い波長でも好適にイメージされ
得る。例えば、本発明の樹脂は、適当なＰＡＧと配合さ
れることができ、化学増幅ポジ型Ｉ‐線レジスト、即
ち、約３６５ｎｍにおいてイメージされるレジストとし
て使用され得る。本発明のレジストは、また、５０ｎｍ
以下又は２０ｎｍ以下での露光、特に１３ｎｍ露光のよ
うな電子ビーム（Ｅ‐ビーム露光）露光及び極‐ＵＶ露
光（ＥＵＶ）での露光に対しても有用であろう。

【００６８】露光に続いて、組成物のフィルム層は、約
７０℃から約１６０℃の範囲の温度で好ましくはベーク
される。その後で、フィルムは現像される。露光レジス
トフィルムは、極性現像液、好ましくは、水酸化テトラ
‐アルキルアンモニウム溶液のような水酸化第四級アン
モニウム塩、好ましくは、０．２６Ｎ水酸化テトラメチ
ルアンモニウム；エチルアミン、ｎ‐プロピルアミン、
ジエチルアミン、ジ‐ｎ‐プロピルアミン、トリエチル
アミン、又はメチルジエチルアミンのような種々のアミ
ン溶液；ジエタノールアミン又はトリエタノールアミン
のようなアルコールアミン；ピロール、ピリジン等のよ
うな環式アミンのような塩基現像水溶液を採用すること
によりポジ型にされる。一般に、現像は、当分野で認識
された手順に従う。

【００６９】基体上でのフォトレジストの現像に続い
て、現像された基体はレジストのない領域上で選択的に
加工処理され、例えば、当分野で公知の手順に従いレジ
ストのない基体領域を化学的にエッチング又はめっきす
ることにより行われる。マイクロエレクトロニクス基体
の製造、例えば、二酸化珪素ウェーハの製造に関し、好
適なエッチング剤としては、ガスエッチング剤があげら
れ、例えば、プラズマ流として適用されるＣｌ_２又はＣ
Ｆ_４／ＣＨＦ_３エッチング剤のような塩素、又はフッ素
ベースエッチング剤のようなハロゲンプラズマエッチン
グ剤が挙げられる。斯かる加工処理の後で、レジスト
は、公知の剥離操作を使用して加工処理された基体から
除去され得る。

【００７０】本明細書で記載された全ての文献は、本明
細書に挿入され、参照される。次の非限定的な実施例
は、本発明の例示である。

【００７１】実施例１：ベンジルフォト酸レイビル基を
含有するモノマーの合成 次の材料が、２‐プロピルフェニルメタクリレート（Ｐ
ＰＭＡ）モノマー（即ち、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_３）‐Ｃ
（＝Ｏ）ＯＣ（ＣＨ_３）_２Ｃ_６Ｈ_５）を合成するのに使
用された： 材料 量（ｇ） 量（ｍｌ） モル アセトフェノン １２２．３ １１８．７ １．０１８ エーテル中１．４Ｍ ８００ １．１２ メチルリチウム 塩化メタクリロイル １２２．４ １１４．４ １．１７ テトラヒドロフラン ４８０ ５４０

【００７２】全ての反応ガラス器具は、１００℃におい
てオーブン中で乾燥された。ガラス器具は、設置され、
窒素流下で冷却された。反応は、窒素ブランケット下で
遂行された。

【００７３】ガス挿入口、温度計、オーバーヘッド撹拌
器及びゴム隔膜を装備した２リットル３Ｎ‐ＲＢフラス
コに、窒素圧を使用して二重先端ニードルを経由して８
００ｍｌの１．４モルメチルリチウムジエチルエーテル
溶液が添加された。混合物は、ドライアイス／イソプロ
パノール浴を使用して−２５から−３０℃に冷却され
た。メチルリチウム溶液が冷却する間、１２２．３ｇの
アセトフェノンが４８０ｍｌのテトラヒドロフランに溶
解された。ガス挿入口、ガラス栓及びゴム隔壁を装備し
た１リットルの３Ｎ−ＲＢフラスコに、１２２．３ｇの
アセトフェノンが添加された。無水、インヒビターフリ
ーのテトラヒドロフランは、窒素圧を使用して二重先端
ニードルを経由して１リットルフラスコに移された。メ
チルリチウムが−２５から−３０℃のとき、アセトフェ
ノン／ＴＨＦ溶液は、窒素圧を使用して二重先端ニード
ルを経由してメチルリチウムを含有する２リットル３Ｎ
‐ＲＢフラスコに２時間をかけて移された。冷却浴は除
去され、反応混合物は２．５時間の間、撹拌された。
２．５時間の撹拌後、混合物は、再び、ドライアイス／
イソプロパノール浴を使用して−２５から−３０℃に冷
却された。塩化メタクリロイル（１２２．４ｇ）が、そ
れから、１２５ｍｌ均圧滴下漏斗を使用して１．５時間
に亘り滴下により添加された。冷却浴は、除去され、反
応は一晩の撹拌により室温にさせられた。赤みのあるオ
レンジ色反応溶液から白色沈殿が発生した。塩（４７．
２ｇ）が除去された。濾液は１０％炭酸水素ナトリウム
溶液１×５００ｍｌで洗浄され（赤みのあるオレンジ色
からオレンジ色に色彩が変化）、引き続き３×５００ｍ
ｌの脱イオン水で水洗され、それから硫酸マグネシウム
で乾燥された。ＴＨＦを除去したところ、オレンジ色の
油２０８ｇが残った。オレンジ色の油は５５〜６０℃／
１ｍｍにおいて真空蒸留され、白色結晶生成物（冷蔵庫
において冷却後）の１３６ｇを生じさせた。理論的収
量：２０７．９ｇ；実際の収率；〜６５％。

【００７４】実施例２：本発明のポリマーの合成（７０
／１０／２０パラ‐ヒドロキシスチレン‐コ‐スチレン
‐コ‐フェニルプロピルメタクリレート（４００ミリモ
ルスケール） 次の試薬が使用された： ４５．４１３ｇ：４‐アセトキシスチレン、 ４．１６６ｇ：スチレン、 １６．３４１ｇ：フェニルプロピルメタクリレート、 ３．０７６ｇ：２，２‐アゾビス（２‐メチルブチロニ
トリル）［ＶＡＺＯ６７］、

【００７５】これらの試薬が、冷水凝縮器を装備された
三口丸底フラスコに充填され、次の溶媒混合物に溶解さ
れた：１１７．７５ｇの２‐プロパノール及び１９．６
２５ｇのアセトニトリル。Ｎ_２ガスは０．５時間、反応
混合物中で泡立てられた。加熱マントルを使用して、反
応混合物は２０時間、穏かに還流された。

【００７６】その後、２１．５８２ｇの脱イオン水に溶
解された４３．１６５ｇの酢酸アンモニウムが、反応器
に添加された。反応混合物は、更に２０時間穏かな還流
が維持された。加熱マントルは除去され、反応器は室温
にまで冷却された。

【００７７】生じたポリマーは次の通り洗浄された：
３．７０４ｇのＩＲＮ‐７７イオン交換ビーズが１リッ
トルＤＩ水で４回水洗され、それから１リットルのアセ
トンで３回洗浄され、それから１リットルの２‐プロパ
ノールで２回洗浄された。洗浄手順は、溶媒中でビーズ
を穏かに撹拌し、次に過剰溶媒をデカントすることから
なる。反応混合物は、洗浄ビーズを含有するボトルに添
加された。３時間、ロールされた。イオン交換ビーズ
は、反応混合物から濾過された。反応混合物は、２．５
リットル脱イオン水中に滴下され、沈殿させられた。１
時間撹拌された。ポリマーは廃水から真空濾過された。
ポリマーは７０℃において２０時間、真空乾燥された。
ポリマーは２‐プロパノールに溶解され、２５重量％固
形分とした（１５０ｇの２‐プロパノール）。

【００７８】１０ｇのＩＲＮ‐７７イオン交換ビーズ
は、上記と同様の手順で０．１リットルＤＩ水中におい
て４回水洗され、０．１リットルのアセトンで３回、そ
の後０．１リットルの２‐プロパノールで２回洗浄され
た。イオン交換ビーズは、ボトル内の溶解されたポリマ
ーに添加され、３時間ロールされた。イオン交換ビーズ
は溶解したポリマーから濾過された。

【００７９】ポリマー溶液は、２．５リットルのＤＩ水
中で沈殿させられた。１時間、撹拌された。ポリマー
は、廃水から濾過された。７０℃において２０時間、真
空乾燥された。ポリマーは、３時間、０．５リットルの
塩化メチレン内でスラリーにされた。ポリマーは、７０
℃において２０時間、真空乾燥された。収量は、３８．
９ｇであった。

【００８０】実施例３：フォトレジスト調製及びリトグ
ラフィー加工処理 本発明のフォトレジストは示された量の次の成分を混合
することにより調製された： レジスト成分 量 樹脂 １１．４４重量％の総固形分の液体配合物 を与える量 フォト酸発生剤 樹脂成分の３．５３重量 塩基添加物 ポリマーの０．１１３重量％ 界面活性剤 総固形分の０．０５重量％

【００８１】そのレジストにおいて、ポリマーは、各単
位のモルパーセント（ポリマーの総単位を基準にして）
が１０モルパーセントのｐ‐ヒドロキシスチレン；７０
モルパーセントのメタ‐ヒドロキシスチレン；及び実施
例１で調製された２０モルパーセントのＰＰＭＡであ
る、実施例２で記載されたように調製されたｐ‐ヒドロ
キシスチレン／ｍ‐ヒドロキシスチレン／ＰＰＭＡター
ポリマーであった。そのポリマーは、１２６３９のＭｗ
及び５８２４のＭｎを有していた。レジストのフォト酸
発生剤は、ジ‐ｔｅｒｔブチルフェニルヨードニウムカ
ンファースルホネートであった。塩基性添加剤は、水酸
化テトラメチルアンモニウムの乳酸塩であった。界面活
性剤は、商品名がＲ０８の下で販売される商業的に利用
可能な物質であった。溶媒は、乳酸エチルであった。

【００８２】フォトレジスト組成物は、有機反射防止組
成物のコーティングを有する２００ｍｍシリコンウェー
ハ上にスピンコートされた。塗布フォトレジスト層は６
０秒間、９０℃においてソフトベークされ、２４８ｎｍ
放射線でフォトマスクを通して露光された。露光レジス
トコーティング層は、その後、９０秒間、１００℃にお
いてベークされ、アルカリ水性現像液（３０秒；単一パ
ドル）を使用して現像された。高度に解像された１５０
ｎｍの均等なラインアンドスペース（１：１）が得られ
た。

【００８３】実施例４：追加のフォトレジスト調製及び
リトグラフィー加工処理 本発明のフォトレジストは示された量の次の成分を混合
することにより調製された： レジスト成分 量 樹脂 １１．４４重量％の総固形分の液体配合 物を与える量 フォト酸発生剤 樹脂成分の３．５３重量 塩基添加物 ポリマーの０．１１３重量％ 界面活性剤 総固形分の０．０５重量％

【００８４】そのレジストにおいて、ポリマーは、各単
位のモルパーセント（ポリマーの総単位を基準にして）
が１０モルパーセントのｐ‐ヒドロキシスチレン；７０
モルパーセントのスチレン；及び２０モルパーセントの
ＰＰＭＡである、実施例２で記載されたように調製され
たｐ‐ヒドロキシスチレン／スチレン／ＰＰＭＡターポ
リマーであった。そのポリマーは、１４７０４のＭｗ及
び６４５６のＭｎを有していた。レジストのフォト酸発
生剤は、ジ‐ｔｅｒｔブチルフェニルヨードニウムカン
ファースルホネートであった。塩基性添加剤は、水酸化
テトラメチルアンモニウムの乳酸塩であった。界面活性
剤は、商品名がＲ０８の下で販売される商業的に利用可
能な物質であった。溶媒は、乳酸エチルであった。

【００８５】フォトレジスト組成物は、有機反射防止組
成物のコーティングを有する２００ｍｍシリコンウェー
ハ上にスピンコートされた。塗布フォトレジスト層は６
０秒間、９０℃においてソフトベークされ、２４８ｎｍ
放射線でフォトマスクを通して露光される。露光レジス
トコーティング層は、その後、９０秒間、１００℃にお
いてベークされ、アルカリ水性現像液（３０秒；単一パ
ドル）を使用して現像された。高度に解像された１５０
ｎｍの均等なラインアンドスペース（１：１）が得られ
た。

【００８６】本発明の好ましい態様としては次のものが
あげられる（番号の付された文章１乃至２８として掲載
されたもの、但し、幾つかの文章は前の文章を参照し、
それにより前の文章を引用して挿入する）。 １．フォト活性成分及び樹脂を含み、その樹脂がアリー
ルアルキル基を含むフォト酸レイビル単位を含む、フォ
トレジスト組成物。 ２．フォト酸レイビル単位がフェニルアルキル基を含む
上記１に記載のフォトレジスト。 ３．フォト酸レイビル単位が第三級ベンジル基を含む上
記１に記載のフォトレジスト。 ４．フォト酸レイビル単位がエステル部位を含む上記１
乃至３のいずれか一つに記載のフォトレジスト。 ５．フォト酸レイビル単位がアクリレート化合物の重合
により提供される上記１乃至４のいずれか一つに記載の
フォトレジスト。 ６．樹脂が更にヒドロキシフェニル単位を含む上記１乃
至５のいずれか一つに記載のフォトレジスト。 ７．樹脂が更にフェニル単位を含む上記１乃至６のいず
れか一つに記載のフォトレジスト。 ８．樹脂が更に無水物、ラクトン又はシアノ単位を含む
上記１乃至７のいずれか一つに記載のフォトレジスト。 ９．フォトレジストが１以上のフォト酸発生剤化合物を
含む上記１乃至８のいずれか一つに記載のフォトレジス
ト。 １０．樹脂が次式の基を含む上記１乃至９のいずれか一
つに記載のフォトレジスト：

【化７】 ここで、Ｘ及びＹは同一又は異なり、それぞれが非水素
置換基であり；アリールは芳香族基；及びＺはポリマー
鎖への結合基である。 １１．樹脂が次式ＩＩの構造を含む上記１に記載のフォ
トレジスト：

【化８】 ここで、Ｘ及びＹは同一又は異なり、それぞれが非水素
置換基であり；アリールは芳香族基であり；各Ｒは同一
又は異なる非水素置換基であり；Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は
独立して水素又は任意に置換されたＣ_１〜８アルキルで
あり；ｍは０から４の整数であり；及びｎは０から５の
整数であり；及びａ、ｂ及びｃはそれぞれの表された単
位のモルパーセントであり、及びａ及びｂはそれぞれ０
より大きく及びｃは０以上である。 １２．樹脂が次式ＩＩＩの構造を含む上記１に記載のフ
ォトレジスト：

【化９】 ここで、Ｘ及びＹはそれぞれが同一又は異なる非水素置
換基であり；アリールは芳香族基であり；各Ｒは同一又
は異なる非水素置換基であり；Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ ^３は独
立して水素又は任意に置換されたＣ_１〜８アルキルであ
り；ｍ及びｍ´はそれぞれが独立して０から４であり；
及びｄ、ｃ及びｆは０から５のそれぞれの表された単位
のモルパーセントであり、それぞれは０より大きい。 １３．フォトレジストが更に脂環式基を含む上記１乃至
１２のいずれか一つに記載のフォトレジスト。 １４．フォトレジストがアセタールフォト酸レイビル単
位を含む樹脂を更に含む上記１乃至１３のいずれか一つ
に記載のフォトレジスト。 １５．（ａ）上記１乃至１４のいずれか一つのフォトレ
ジストのコーティング層を基体上に塗布し；及び（ｂ）
フォトレジスト層を露光し、現像してレリーフイメージ
を得ることを含む、ポジ型フォトレジストレリーフイメ
ージを形成する方法。 １６．フォトレジスト層が約２７０ｎｍ未満の波長を有
する放射線で露光される上記１５に記載の方法。 １７．フォトレジスト層が約２４８ｎｍ未満の波長を有
する放射線で露光される上記１５に記載の方法。 １８．フォトレジスト層が電子ビーム放射線で露光され
る上記１５に記載の方法。 １９．フォトレジスト層が約５０ｎｍ未満の波長を有す
る放射線で露光される上記１５に記載の方法。 ２０．その上に上記１乃至１４のいずれか一つのフォト
レジスト組成物の層をコートしたマイクロエレクトロニ
クスウェーハ基体を含む製品。 ２１．基体が半導体マイクロチップウェーハである上記
２０の製品。 ２２．マイクロチップウェーハ基体上に上記１乃至１４
のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーテ
ィング層を適用することを含む半導体マイクロチップウ
ェーハを製造する方法。 ２３．アリールアルキル基を含むフォト酸レイビル単位
を含む樹脂。 ２４．フォト酸レイビル単位がフェニルアルキル基を含
む上記２３に記載の樹脂。 ２５．フォト酸レイビル単位が第三級ベンジル基を含む
上記２３に記載の樹脂。 ２６．フォト酸レイビル単位がエステル部位を含む上記
２３乃至２５のいずれか一つに記載の樹脂。 ２７．フォト酸レイビル単位がアクリレート化合物の重
合により提供される上記２３乃至２６のいずれか一つに
記載の樹脂。 ２８．樹脂がヒドロキシフェニル単位及び／又は非置換
フェニル単位を更に含む上記２３乃至２７のいずれか一
つに記載の樹脂。

フロントページの続き (72)発明者 ジョージ・ジー・バークレー アメリカ合衆国マサチューセッツ州01522, ジェファーソン，メイン・ストリート・ 1566 (72)発明者 パトリック・ジェイ・ボルトン アメリカ合衆国マサチューセッツ州02134, オールストン，パークベイル・アベニュ ー・39 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 FA01 FA12

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】フォト活性成分及び樹脂を含み、該樹脂が
   アリールアルキル基を含むフォト酸レイビル単位を含
   む、フォトレジスト組成物。
2. 【請求項２】該フォト酸レイビル単位がフェニルアルキ
   ル基を含む請求項１に記載のフォトレジスト。
3. 【請求項３】該フォト酸レイビル単位が第三級ベンジル
   基を含む請求項１に記載のフォトレジスト。
4. 【請求項４】該フォト酸レイビル単位がエステル部位を
   含む請求項１乃至３のいずれか一つに記載のフォトレジ
   スト。
5. 【請求項５】該フォト酸レイビル単位がアクリレート化
   合物の重合により提供される請求項１乃至４のいずれか
   一つに記載のフォトレジスト。
6. 【請求項６】該樹脂が更にヒドロキシフェニル単位及び
   ／又は脂肪族基を含む請求項１乃至５のいずれか一つに
   記載のフォトレジスト。
7. 【請求項７】該フォトレジストがアセタールフォト酸レ
   イビル単位を含む樹脂を更に含む請求項１乃至６のいず
   れか一つに記載のフォトレジスト。
8. 【請求項８】（ａ）請求項１乃至７のいずれか一つのフ
   ォトレジストのコーティング層を基体上に塗布し；及び
   （ｂ）該フォトレジスト層を露光し、現像してレリーフ
   イメージを得ることを含む、ポジ型フォトレジストレリ
   ーフイメージを形成する方法。
9. 【請求項９】その上に請求項１乃至７のいずれか一つの
   フォトレジスト組成物の層を被覆させたマイクロエレク
   トロニクスウェーハ基体を含む製品。
10. 【請求項１０】アリールアルキル基を含むフォト酸レイ
    ビル単位を含む樹脂。