DE2462101A1 - Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungenInfo
- Publication number
- DE2462101A1 DE2462101A1 DE19742462101 DE2462101A DE2462101A1 DE 2462101 A1 DE2462101 A1 DE 2462101A1 DE 19742462101 DE19742462101 DE 19742462101 DE 2462101 A DE2462101 A DE 2462101A DE 2462101 A1 DE2462101 A1 DE 2462101A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- groups
- sensitive
- ester
- relief structures
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung strahlungsempfindlicher, löslicher polymerer Verbindungen Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung und weitere Ausgestaltung des Verfahrens nach Patent ........ (Patentanmeldung Akt. Z.P. 24 37 369. 1) zur Herstellung strahlungsempfindlicher, löslicher polymerer Verbindungen zum Erzeugen von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren durch Auftragen der strahlungsempfindlichen, löslichen polymeren Verbindungen als Vorstufen in Form einer Schicht oder Folie auf ein Substrat, Bestrahlen der strahlungsempfindlichen Schicht oder folie durch Negativvorlagen, Herauslösen oder Abziehen der nicht bestrahlten Schicht- oder Folienteile und gegebenenfalls anschließendes Tempern der erhaltenen Reliefstrukturen. Bei diesem Verfahren werden zunächst polyfunktionelle carbocyclische oder heterocyclische, strahlungsompfindliche Reste tragende Verbindungen, die zwei für Additions- oder Kondensationsreaktionen geeignete Carboxyl-, Carbonsäurechlorid-, Amino-, Isocyanat- oder Hydroxylgruppen und teilweise in ortho- oder peri-Stellung dazu esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen der folgenden Struktur R = Oxyalkyl R1 = Alkyl, Phenyl, Alkoxyphenyl, Halogenphenyl R2 = H, C1, Alkyl, Alkoxy R3 = carbocyclischer oder heterocyclischer aromatischer Rest, über enthalten, und dann Polyadditions- oder Polykondensationsprodukte dieser Verbindungen mit jeweils mindestens ein cyclisches Struktuelement enthaltenden Diaminen, Dilsocyanten, Bis-säurechloriden oder Dicarbonsäuren in Hexamethylophosphorsäuretriamid als Lösungsmittel hergestellt.
- Es wurde nun gefunde, daß man strahlungsempfindlichere, lösliche polymere Verbindungen als Vorstufen zum Erzeugen von Releifstrukturen erhalten kann, die bei der Herstellung der Reliefstrukturen wesentlich kürzere Bestrahlungszeiten erfordern, wenn man erfindungsgemäß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene stahlungsreaktive Gruppen Gruppen der folgenden Struktur R4 = Alkylen, Aralkylen R5 = H, CH3, Cl R6 = H verwendet.
- Derartige Vorstufen sind definierte, leicht darstellbare Verbindungen, die lagerstabil sind. Sie sind besonders rasch photovernetzbar und sie ergeben auf einfache Weise hochwärmebeständige Reliefstrukturen mit hohem Auflösungsvermögen, ausgezeichneten Isolierstoffeigenschaften, hervorragenden mechanischen Eigenschaften und hoher chemischer Beständigkeit.
- Als besonders strahlungsempfindlich erwiesen sich N-(m-ß-Oxyäthoxy)phenylmaleinimidgruppen.
- Von besonderem Vorteil sind weiter N-Oxymethyl- und N-ß-Oxyäthylmaleinimidgruppen, da hierbei außerdem die bei der Strahlungsvernetzung der polymeren VorstuSen nicht umgesetzten Anteile durch Tempern der Reliefstrukturen als N-Hydroxymethyl- bzw.
- N-Hydroxyäthylmaleinimide leicht verflüchtigt werden können.
- Zur Steigerung der Vernetzungsgeschwindigkeit können gebräuchliche Photoinitiatoren und/ode - sensibilisatoren eingesetzt werden (vgl.: "Industrie Chimique Belge", 24, S. 739 - 63, 1959, bzw. "Light-Sensitive Systems" by J. Kosar, John Wiley & Sons Inc., New York 1965, S. 143 - 46, 160 - 88). Gut geeignete Sensibilisatoren und/oder Initiatoren sind beispielsweise Michler's Keton und/oder Benzoinäther, 2-tert. Butyl-j9.10-anthrachinon, 1.2-Benz-9.10-anthrachinon und 4,4'-Bis(diäthylamino)-benzophenon.
- Die löslichen polymeren Vorstufen können bei. Verwendung des Lösungsmittels Hexamethylphosphorsäuretriamid in besonders einfacher und wirtschaftlicher Weise in einer Ein-Toph-Reaktion hergestellt werden.
- Das Verfahren der vorliegenden Erfindung erlaubt die Herstellung von kantenscharfen Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Isolierstoffen, einschl. miniaturisierter Ausführungen unter Ausnutzung der erhöhten Lichtempfindlichkeit der verwendeten leicht zugänglichen löslichen polymeren Vorstufen. Es ist vorzugsweise anwendbar zur Herstelung von Schutzschichten für Halbleiterbauelemente, insbesondere von Isolier- und Passivierschichten darüber hinaus als Löschutzlackschichten auf Mehrlagenschaltungen, als miniaturisierte Isoliersichten auf elektrisch leitenden und/oder halbleitenden und/oder isolierenden Basismaterialien und für Schichtschaltungen, als Isolierschichten für gedruckte Schaltungen mit galvanisch erzeugten Leiterbah nen, als optisch abfragbare Bildspeicher und als qualitativ hochwertige Druck formen.
- Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele naher erläutert.
- Beispiel 1 Herstellung der lösl. polymeren Vorstufe 21,8 Gewichtsteile Pyromellitsäuredianhydrid in 50 Voluinteilen Hexamethylphosophorsäuretriamid wurden unter Eiskühlung und Rühren tropfenweise mit 46,6 Gewichsteilen N-(m-ß-Hydroxyäthoxy) phenylmaleinimid in 50 Volumteilen Hexamethylphosphorsäuretriainid versetzt, und dann 4 Tage bei Raumtemperatur gerührt. Die Lösung wurde anschließend bei 5 bis -10°C tropfenweise mit 24 Gewichtsteilen Thionylchlorid versetzt und zwei Stunden weitergerührt. Dann wurde eine Lösung von 19,8 Gewichtsteilen 4.4'-Diaminodiphenyläther in 50 Volumteilen Dimethylacetamid zugetropft, zuletzt ohne Kühlung über Nacht stehen gelassen.
- Die lösliche polymere Vorstufe wurde durch Zutropfen der Lösung zu 2000 Volumteilen Wasser ausgefällt und mit Wasser und Äthanol gewaschen Herstellung von Reliefstrukturen 5 Gewicht steile der polymeren Vorstufe und 0505 Gewichtsteile Michler's Keton wurden in 15 Volumteilen dimethylformamid ge löst Da wurde die Lösung filtriert und auf Aluminiumfolie zu gleichmäßigen Filmen geschleudert, die nach Verdampfen des Lösungsmittels 5 µm stark waren. Die Filme wurden mit einer 500 - W-Quekcsilberhöchstdrucklampe im Abstand von 23 om durch eine Kontaktkopie 60 sec bestrahlt und 60 sec in γ-Butyro -lacton entwickelt. Es wurde ein Auflösungsvermögen < 20 µm be ei guter Kantenschörfe erreicht. Die erhaltenen Muster wurden 20 min bei 300°C getempert.
- Auflösungsvermögen und Kantwenschärfe blieben dabei unverändert und die Reliefstrukturen wiesen dann die hervorragenden thermi sehen, mechanischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften des Polyimids Polydiphenyloxidpyromellitimid auf. Das IR-Spektrum der getemperten Proben zeigte die für die Imidstruktur typische Bande bei 5,6 Beispiel 2 Herstellung der lösl. opolymeren Vorstufe 21,8 Gewichtsteil Pyromellitsäuredianhydrid in 50 Volumteilen Hexamethylphosphorsäuretriamid wurden unter Eiskühlung und Rühren tropfenweise mit 25,4 G-ewichtsteilen N-Hydroxymethylmaleinimid in 50 Volumteilen Hexamethylphosphorsäuretriamid versetzt, und darm 4 Tage be-i Raumtemperatur gerührt. Die Lösung wurde anschließend bei -5 bis -10°C tropfenweise mit 24 Gewichtsteilen Thionylchlorid versetzt und zwei Stunden weitergerührt. Dann wurde eine Lösung von 19,8 Gewichtsteilen 4.4'-Diaminodiphenylmetham in 50 Volumteilen Dimethylacetamid zugetropft, zuletzt ohne Kühlung über Nacht stehen gelassen.
- Die lösliche polymere Vorstufe wurde durch Zutropfen der Lösung zu 2000 Volumteilen Wasser ausgefüllt und mit Wasser und Äthanol gewaschen.
- Herstell8ung von Reliefstrukturen 5 Gewichtsteile der polymeren Vorstufe und 0,05 Gewichtsteile Michler's Keton-wurden in 10 Volumteilen dimethylformamid gelöst. Dann wurde die Lösung filtriert und auf Aluminiumfolie zu gleichmäßigen Filmen geschleudert, die nach Verdampfen des Lösungsmittels 15 µm stark waren. Die Filme wurden wie in Bei spiel 1 beschrieben, 2 min bestrahlt und 1 min in γ-Butyro -lacton entwickelt. Es wurde ein Auflösungsvermögen < 40 µm bei guter Kantenschärfe erreicht. Die erhaltenen Muster wurden 20 min bei 300°C getempert.
- Dabei ging nu N-Hydroxymethylmaleinimid flüchtig, g, Aufl ö sun gsv er mögen und Kantenschärfe blieben unverändert, und die Relief strukturen wiesen dann die hervorragenden thermischen, mechanischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften des Polyimids Polydiphenylmethanpyromellitimid auf. Das IR-Spektrum der getemperten Proben zeigte die für die Imidstruktur typische Bande bei 5,6 µm.
- 3 P a t e n t a n s p r ü c h e
Claims (3)
- Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung strahlungsempfindlicher, löslicher polymerer Verbindungen zum Erzeugen von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren durch Auftragen der strahlungsemopfindlichen, löslichen polymeren Verbindungen als Vorstufen in Form einer Schicht oder Folie auf e.in Substrat, Bestrahlen der strahlungsempfindlichen Schicht oder Folie durch Negativvorlagen, Herauslösen oder Abziehen der nicht bestrahlten Schicht- oder Folienteile und gegebenenfalls anschließendes Tempern der erhaltenen Reliefstrukturen, wobei zunächst polyfunktionelle carbocyclische oder heterocyclische, strahlungsempfindliche Reste tragende Verbindungen, die zwei für Additions- oder Kondensationsreaktionen geeignete Carboxyl-, Carbousäurechlorid-, Amino-, Isocyanat- oder Hydroxylgruppen und teilweise in ortho- oder peri-Stellung dazu esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen enthalten, und dann Poladditions- oder Polykondensationsprodukte dieser Verbindungen mit jeweils midestens ein cyclisches Strukturelement enthaltenden Diaminen, Diisocyanaten, Bis-säurechloriden oder Dicarbonsäuren in Hexamethylphosphorsäuretriamid als Lösungsmittel hergestellt werden, nach Patent ..... (Patentanneldung Akt. Z. P 24 37 369. 1), dadurch gekennzeichnet, daß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen Gruppen der folgenden Struktur R4 = Alkylen, Aralkylen R5 = H, CH3, Cl R6 = H verwendet werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen N- (m- ß- Oxyäthoxy~ phenylmal einimidgruppen verwendet werden
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen N-Oxymethyl- und/oder N-ß-Oxyäthylmaleinimidgruppen verwendet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742462101 DE2462101A1 (de) | 1974-08-02 | 1974-08-02 | Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742462101 DE2462101A1 (de) | 1974-08-02 | 1974-08-02 | Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2462101A1 true DE2462101A1 (de) | 1976-04-29 |
DE2462101B2 DE2462101B2 (de) | 1979-05-23 |
DE2462101C3 DE2462101C3 (de) | 1980-02-14 |
Family
ID=5934868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742462101 Granted DE2462101A1 (de) | 1974-08-02 | 1974-08-02 | Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2462101A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0140273A2 (de) * | 1983-11-01 | 1985-05-08 | Hoechst Celanese Corporation | Tief UV-empfindliche positive Photolackzusammensetzung, lichtempfindliches Element und dasselbe enthaltendes gegen Hitze widerstandsfähiges photochemisches Bild |
EP0187517A2 (de) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Hochtemperaturbeständiger selektiv entwicklungsfähiger Schutzlack |
-
1974
- 1974-08-02 DE DE19742462101 patent/DE2462101A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0140273A2 (de) * | 1983-11-01 | 1985-05-08 | Hoechst Celanese Corporation | Tief UV-empfindliche positive Photolackzusammensetzung, lichtempfindliches Element und dasselbe enthaltendes gegen Hitze widerstandsfähiges photochemisches Bild |
EP0140273A3 (en) * | 1983-11-01 | 1987-06-24 | Allied Corporation | Positive photoresist compositions having deep uv response, photosensitive elements and thermally stable photochemically imaged systems containing same |
EP0187517A2 (de) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Hochtemperaturbeständiger selektiv entwicklungsfähiger Schutzlack |
EP0187517A3 (en) * | 1984-12-28 | 1987-10-28 | Eastman Kodak Company | High-temperature resistant, selectively developable resist |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2462101C3 (de) | 1980-02-14 |
DE2462101B2 (de) | 1979-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2437348B2 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
DE3424216C2 (de) | Lichtempfindliches Gemisch mit einer Polyamidsäure, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung | |
EP0026820B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
EP0027506B1 (de) | Polyimid-, Polyisoindolochinazolindion-, Polyoxazindion- und Polychinazolindion-Vorstufen, deren Herstellung und Verwendung | |
EP0103225A2 (de) | Fotolacke zur Ausbildung von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren | |
USRE30186E (en) | Method for the preparation of relief structures | |
US4045223A (en) | Method for the preparation of layer structures | |
EP0041678B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
EP0157930A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Polyimid- und Polyisoindolochinazolindion-Reliefstrukturen | |
EP0026821B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
EP0026299B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
DE2462101A1 (de) | Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen | |
US4088489A (en) | Method for the preparation of relief structures | |
DE3411714A1 (de) | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen | |
DE2437422C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen | |
DE2462105C3 (de) | ||
DE2437369C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen | |
DE2308830C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen | |
DE2437397A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
DE2437369A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
DE2437413B2 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
DE2462196A1 (de) | Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen | |
EP0099525A2 (de) | Fotolacke | |
DE2437383B2 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
EP0252883A1 (de) | Beschichtetes Material enthaltend eine strahlungsempfindliche Polyimidschicht mit speziellen Diaminodiphenylmethaneinheiten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8340 | Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent |