DE2462105C3 - - Google Patents

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DE2462105C3
DE2462105C3 DE19742462105 DE2462105A DE2462105C3 DE 2462105 C3 DE2462105 C3 DE 2462105C3 DE 19742462105 DE19742462105 DE 19742462105 DE 2462105 A DE2462105 A DE 2462105A DE 2462105 C3 DE2462105 C3 DE 2462105C3
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Germany
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radiation
cii
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compounds
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DE19742462105
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English (en)
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DE2462105B2 (de
DE2462105A1 (de
Inventor
Wolfgang Dr. Kleeberg
Eberhard Kuehn
Roland Dr. 8551 Roettenbach Rubner
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE2462105A1 publication Critical patent/DE2462105A1/de
Publication of DE2462105B2 publication Critical patent/DE2462105B2/de
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Publication of DE2462105C3 publication Critical patent/DE2462105C3/de
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Description

C CH.
11. CII1 OR OC
Il
Λ Ik Wen Il
O
K,
K
verwendet weiden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als estcrarlig an Carboxylgruppen gebundene sirahlungsreaktive Gruppen /i-Oxyäthylinethacrylaignippen verwendet werden.
Im Haiipipateni 24 37 369 ist ein Verfahren zur Herstellung von Reliofstrukturen der im Oberbegriff des Anspruch 1 vorliegender Anmeldung genannten Art vorgeschlagen.
Ks wurde nun gefunden, daß man strahlungsempfindliehere, losliche polymere Verbindungen als Vorstufen zur Rrzcugung von Relicfslrukluren erhalten kann, die bei der Herstellung der Relicfslrukluren wesentlich kürzere Bestrahliingszeiten erfordern, wenn man erfindiiiigsgemäß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen Oxyalkylmethacrylat- und aciylalgruppen der folgenden Struktur
OROC C CH.
wobei R4 Wasserstoff oder eine Methylgruppe und R' eine Alkylengruppe ist. verwendet.
Die Herstellung der löslichen polymeren Verbindungen erfolgt in einer Ein-Topf-Reaktion, da Hexamethylphosphorsäiiretriamid als Lösungsmittel verwendet wird.
Zur .Steigerung der Vernclzungsgeschwindigkeit können gebrauchliche l'hotoinitiatoren und/oder -sensibilisatoren eingesetzt werden (vgl.: »Industrie Chimique Helge«, 24, S. 739-Ö4, 1959, bzw. »Light-Sensitive Systems« by ). Kosar, |ohn Wiley & Sons Inc., New York 1965, S. 143 —4b und lbO-88). Gut geeignete Sensibilisatoren und/oder Initiatoren sind beispielsweise Michler's Keton und/oder Benzoinälher, 2-lerl. Hulyl-9,IO-anihraehinon, l,2-Uen/.-9,IO-dnthrachinon und4,4'-Bis(diülhylamino)-benzophenon.
Zur Erzeugung von Reliefstrukturen können die erfindungsgemäß hergestellten löslichen polymeren Verbindungen auch mit weiteren slrahlungsempfindli-
chen, copolymerisationsfähigen Verbindungen kombiniert werden. Gut geeignet sind beispielsweise Verbindungen, die eine oder mehrere N-substituierte Maleinimidgruppen enthalten.
Mit den erfindungsgcmäß verwendeten Verbindungen können kantenscharfe Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren unter Ausnutzung der erhöhten Lichtempfindlichkeit der verwendeten, gut zugänglichen löslichen polymeren Vorstufen hergestellt werden. Besonders geeignet sind diese Verbindungen zur Herstellung von miniaturisierten Schaltungen und von Schutzschichten für Halbleiterbauteile, ferner für Lötschutzschichten auf Mehrlagenschaltungen, als miniaturisierte Isolierschichten auf elektrisch leitenden und/oder halbleitenden und/oder isolierenden Basismaterialien und für Schichtschaltungen, als Isolierschichten fur gedruckte Schaltungen mit galvac.iseh erzeugten Leiterbahnen, als optisch abfragbare Bildspeicher und für Druckformen.
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert.
Beispiel 1
I lerstcllung der löslichen polymeren Vorstufe
21.8 Gewichtsteile Pyromellitsäurcdianhydrid wurden in 100 Volumteilen llexameihylphosphorsäurelriamid gelöst, unter Eiskühlung und Rühren tropfenweise mit 26 Gewichisteilen Mcthacrylsäure-2-hydroxyäthylcster versetzt, und dann 4 Tage bei Raumtemperatur gerührt. Die Lösung wurde anschließend bei — 5 bis - 10"C tropfenwisc mit 24 Gewichtsleilcn Thionylchlorid versetzt und eine Stunde weitergerührt. Dann wurde eine Lösung von 19,8 Gcwichtsteilcn 4.4'-Diamiiiodiphenylmethan in 50 Volumteilcn Dimethylacetamid /ugelropft, zuletzt ohne Kühlung eine Stunde weiiergerührt.
Die lösliche polymere Vorstufe wurde durch Zutr<>|>fen der Lösung zu 2000 Volumteilcn Wasser ausgefüllt und mit Wasser und Äthanol gewaschen.
I lerstcllung von Rclicfstrukturcn
5 Gewichtsteile der polymeren Vorstufe und 0,1 Gewichistcil Michler's Keton wurden in 20 Voliimieilcn Dimethylformamid gelöst. Dann wurde die Lösung filtriert und auf Aluminiumfolie zu gleichmäßigen Filmen geschleudert, die nach Verdampfen des Lösungsmittels 3 μΐη stark waren. Die Filme wurden mit einer 500 W-Qiiecksilberhöchstdrucklampe im Abstand von 23 cm durch eine Kontaktkopie 2 min bestrahlt, 30 sec in y-Butylrolacton getaucht und mit Toluol gewaschen. Es wurde ein Auflösungsvermögen <20μπι bei guter Kantensuhärfe erreicht. Die erhaltenen Muster wurden 20 min bei 3000C getempert. Dabei blieben Auflösungsvermögen und Kantenschärfe unverändert, die Reliefsirukturcn wiesen dann die hervorragenden thermischen, mechanischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften des Polyimids Polydiphenylmethanpyromellitimid auf. Das IR-Spektrum der getemperten Proben zeigte die für die Imidstuktur typische Bande bei 5,6 μιη.
Beispiel 2
Herstellung der löslichen, polymeren Vorstufe
Statt 4,4'-Diaminodiphenylmelhan wurde 4,4'-Diaminodiphenylälher verwendet, ansonsten wurde wie in Beispiel 1 verfahren.
I lerstellung von Reliefstrukturen
5 Gewichtsieile der polymeren Vorstufe 0,5 Gewichtsteile Maleiiianil und 0.05 Gewichtsteile Michler's Keton wurden in 20 Volumteilcn Dimethylformamid gelöst, filtriert und auf Aluminiumfolien zu gleichmäßigen Filmen geschleudert, die nach Verdampfen des Lösungsmittels 2 μπι stark waren. Die Filme wurden, wie in Beispiel I beschrieben, 60 see bestrahlt, JO see in j'Biilyrolacton entwickelt und mit Toluol gewaschen. Es wurde ein Auflösungsvermögen <20μηι bei guter Kantenschärfe erreicht. Die erhaltenen Muster wurden 20 min bei 300"C getempert. Dabei blieben Auflösungsvermögen und Kantenschärfe unverändert, die Relief Struktur wiesen dann die hervorragenden thermischen mechanischen, elektrischen und chemischen Eigenschaf ten des Polyimids Polydiphenyloxidpyromellitimid auf. Das IR-Spcktrum der getemperten Proben zeigte die für die Imidstruktur typische Bande bei 5,6 μηι.

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    I. Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukluren aus hochwärniebeständigen Polymeren durch Aufiragen sirahlungsempfindlicher, löslicher polymerer Vorstufen in Form einer Schicht oder Folie auf ein Substrat. Bestrahlen der strahlungscmpfindlichen Schicht oder Folie durch Negativvorlagen, Herauslösen oder Abziehen der nicht bestrahlten Schichtoder Folienteile und gegebenenfalls anschließendes Tempern der erhaltenen Reliefstrukturen unter Verwendung von Polyadditions- oder Polykondensationsprodukten polyfunktionellcr carbocyclischer oder heterocyclische!·, strahlungsempfindliche Reste tragender Verbindungen mit Diaminen, Diisocyanaten, ßis-säurechloriden oder Dicarbonsäuren als lösliche polymere Vorstufen, wobei
    a) die strahlungsenipfindliche Reste tragenden Verbindungen zwei für Additions- oder Kondensationsreaktionen geeignete Carboxyl-, Carbonsaurechlorid-. Amino-, Isocyanat- oder Hydroxylgruppen und teilweise in ortho- oder peri-Stcllung dazu cslcrariig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaklive Gruppen der folgenden Struktur
    O CII, C CW,
    Il
    RO
    COR1
    R:
    COR,
    K:
    RO CO (CII CHl,,
    RO (O C
    CII
    CN
    RO M CIl CH R,
    O ()(!! CII R,
    R O\\alk>l ilo- K, Alk\l, l'heinl. Alko\>phcn>l. II; R. II. Cl. Alk\l. Alkow Il 1.2 her R, carbocyclische!' oder helerocsclisc ge- aromatischer Rest, über Riiip-C hiiiulcn
    und
    b) die mit diesen Verbindungen umzusetzenden Diamine, Diisocyanate, Bis-säurechloride oder Dicarbonsäuren mindestens ein cyclisches Strukiurelemeni enthalten,
    und wobei die löslichen polymeren Vorstufen in I lexamethylphosphorsäuretriamid als Lösungsmittel hergestellt werden, nach Patent 24 37 369, d a durch gekennzeichnet, daß als esterartig an Carboxylgruppen gebundene strahlungsreaktive Gruppen Oxyalkylmethacrylat- und -acrylatgruppen der folgenden Struktur
DE19742462105 1974-08-02 1974-08-02 Verfahren zur herstellung strahlungsempfindlicher, loeslicher polymerer verbindungen Granted DE2462105A1 (de)

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DE2462105A1 DE2462105A1 (de) 1976-04-22
DE2462105B2 DE2462105B2 (de) 1979-05-23
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