KR850003990A - 포토레지스트 조성물, 그 제조공정 및 영상시스템 - Google Patents

포토레지스트 조성물, 그 제조공정 및 영상시스템 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

포토레지스트 조성물, 그 제조공정 및 영상시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 콘트라스트(high contrast) 및 높은 역감도(逆感度)를 가진 본 발명의 바람직한 구현을 위한 화학자외선에 노출의 함수로써 노출되지 않은 필름두께(얇아지는 %)를 나타내는 도면.
제2도는 본 발명의 바람직한 구현의 230℃에서 3분동안 후조사처리(post bake)할때 영상 프로필(profile)에 있어서 근소한 차이를 나타내는 도면.

Claims (10)

  1. 화학방사선에 노출되면 알카리용해성 종류로 전환될 수 있는, 화학방사선에 노출되기전에는 그 혼합물을 알카리불용성으로 되게 하기에 충분한 양의 알카리불용성 광활성 화합물 및, 화학방사선에 노출되면 그 혼합물을 알카리용해성으로 되게 하기에 충분한 양의기를 포함하는 중합체의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 알카리불용성 양성 포토레지스트 조성물.
  2. 중합체가 유효량의잔류물을 포함하는 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구범위 1에 있어서의 알카리불용성양성 포토레지스트 조성물.
  3. 공중합체는 스치렌, α-메칠스치렌, 4-(C1-C5알킬)스치렌 : 2-(C1-C5알킬)스치렌, 2,4-디(C1-C5알킬)스치렌 혹은 H2C=CraM식을 가지는 단량체에서 선택된, 필름을 형성하는 단량체와 말레이미드(maleimide)을 중합하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 청구범위 2에 있어서의 알카리불용성 양성 포토레지스트 조성물. 단, 여기서 M은 CN 혹은 CO2Rb이며, Rb는 메칠 혹은 알릴(Allyl)이며, Ra는 H혹은 메칠이다.
  4. 및, 선택적으로, 유효량의로 부터 제조되는 약 65-99중량%의 공중합물 및(여기서 R1및 R4는 각각 H혹은 (C1-C5)알킬이며, R5는 (C1-C5)알킬이다) 화학방사선에 노출되면 알카리용해성으로 되는 약 1-35중량%의 광활성 화합물의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성 포토레지스트 조성물.
  5. 화학방사선에 노출되면 광활성화합물이 카르복실산기를 포함하는 화합물로 변환되는 것을 특징으로 하는 청구범위 4에 있어서의 양성 포토레지스트 조성물.
  6. 공중합체가 약 40몰%의 말레이미드, 약 10몰%의 N-(C1-C5알킬) 말레이미드 및 나머지는 스치렌단위로 구성되는 것을 특징으로하는 청구범위 4에 있어서의 양성 포토레지스트 조성물.
  7. 그리고 선택적으로 유효량의로부터 제조되는 약 65-99%의 공중합물 및 (여기서 R1에서 R4는 각각 H 혹은 (C1-C5)알킬이며, R5는 (C1-C5알킬)이다).
    화학방사선에 노출되면 포토레지스트 조성물이 알카리용액에서 용해성으로 되는 약 1-35중량%의 광활성화합물의 혼합체를 포함하는 포토레지스트 조성물의 층을 견디는 기질을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성요소(photosensitive element).
  8. 최소 약 10몰%의 말레이미드 및 그 나머지는 N-(C1-C5알킬) 말레이미드 및 스치렌, 혹은 α-메칠스치렌, 혹은 2,4-디(C1-C5알킬)스치렌인 것을 중합 함에 의해 형성된 공중합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 알카리용해성 조성물.
  9. 청구범위 8의 양성포토레지스트 조성물의 용액 및 기질면상에 청구범위 1의 조성물을 약 0.1미크론에서 약 20미크론에 속하는 두께를 가지는 균일한 침적물을 만드는데 충분한양 및 조건하에서 적절한 유기용체를 기질면에 침적하는 공정 및, 본질적으로 모든 적절한 유기용제를 제거하기에 충분한 온도 및 압력의 조건하게 상기 침적물을 처리하는 공정 및 상기 필름을 200-700nm의 범위에서 필름의 노출된면이 알카리용액내에서 용해성이 되게 하기에 충분한 시간동안 화학방사선에 마스크(mask)를 통하여 영상화하는 노출공정 및, 그 노출된 필름을 필름의 노출면을 제거하기에 충분한 시간동안 약 10이상의 pH를 갖는 알카리물질을 포함하는 현상액에 접촉시키는 공정으로 구성되는 것을 특징으로하는 광화학적영상을 만드는 방법.
  10. 나아가 약 250℃의 온도에서 상기 현상된 필름을 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 청구범위 9에 있어서의 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840006825A 1983-11-01 1984-10-31 포토레지스트 조성물, 감광요소 및 광화학적 영상체의 제조방법 KR870000752B1 (ko)

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