JPH01124849A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPH01124849A JPH01124849A JP62190696A JP19069687A JPH01124849A JP H01124849 A JPH01124849 A JP H01124849A JP 62190696 A JP62190696 A JP 62190696A JP 19069687 A JP19069687 A JP 19069687A JP H01124849 A JPH01124849 A JP H01124849A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子を製造するときに用いられるパター
ン形成材料すなわちレジスト材料を用いて、露光エネル
ギー源としてたとえば２４９ｎｍのすなわちＫｒＦエキ
シマ・レーザー、遠紫外線光等によシバターン形成を行
う方法忙関する。
ン形成材料すなわちレジスト材料を用いて、露光エネル
ギー源としてたとえば２４９ｎｍのすなわちＫｒＦエキ
シマ・レーザー、遠紫外線光等によシバターン形成を行
う方法忙関する。
従来の技術
：ｒ−’ｆ シＹ −ｖ−ザー（ＡｒＦ；１９ｓｎｍ。
ＫｒＦ；２４９ｎｍ、ＸｅＣ２；ｓｏｓｎｍなど）、遠
紫外ｓｌ！（１９０〜３３０ｎｍ付近）を露光源とする
時のレジスト（ＤＵＶレジスト）としては、ポジ聾では
、ＡＺ２４００（シラプレー社）。
紫外ｓｌ！（１９０〜３３０ｎｍ付近）を露光源とする
時のレジスト（ＤＵＶレジスト）としては、ポジ聾では
、ＡＺ２４００（シラプレー社）。
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ネガ型テハ、
ＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタクリレート）。
ＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタクリレート）。
ＣＭＳ （クロロメチル化スチレン；東洋ソーダ）など
が提案されている。ＰＭＭＡ、ＰＧＭＡはドライエツチ
ング耐性が悪い上に、非常に感度が悪い。又ＣＭＢも感
度が悪い（ＰＭＭＡよシラ０倍程度良−が、それでも２
４９ｎｍのＫｒＦレーザーで約１ｏｏｏ〜２ｏｏｏｍＴ
／ｃｉＩ必要（膜厚的ｏ、ｃｓ μｍ （Ｄ トき））
。ＡＺ２４００は、エツチング耐性もあり（ノボラック
樹脂である故）、感度も市販・開発されたＤＵＶレジス
トの中では最も良いが（２４９ｎｍＫｒＦレーザーで約
１ｏＯｒｎｌ／ｃｒｌｌ （膜厚的１＊Ｏμｍのとき）
）、ＤＵＶ光で露光したときに、露光前後の透過率の差
が少なく、レジストがＤＵＶ光を吸収する成分がもとも
と多量に含まれていることがわかる。
が提案されている。ＰＭＭＡ、ＰＧＭＡはドライエツチ
ング耐性が悪い上に、非常に感度が悪い。又ＣＭＢも感
度が悪い（ＰＭＭＡよシラ０倍程度良−が、それでも２
４９ｎｍのＫｒＦレーザーで約１ｏｏｏ〜２ｏｏｏｍＴ
／ｃｉＩ必要（膜厚的ｏ、ｃｓ μｍ （Ｄ トき））
。ＡＺ２４００は、エツチング耐性もあり（ノボラック
樹脂である故）、感度も市販・開発されたＤＵＶレジス
トの中では最も良いが（２４９ｎｍＫｒＦレーザーで約
１ｏＯｒｎｌ／ｃｒｌｌ （膜厚的１＊Ｏμｍのとき）
）、ＤＵＶ光で露光したときに、露光前後の透過率の差
が少なく、レジストがＤＵＶ光を吸収する成分がもとも
と多量に含まれていることがわかる。
第８図に２４９ｎｍレーザーで照射した場合の紫外分光
曲線を示す。このため、ＡＺ２４００を用いてＤＵＶ光
でパターン形成したときには、光がレジスト中で吸収さ
れるため、コントラストの良好なレジストパターンは形
成できない（たとえば、Ｈ，Ｉｔｏら、 Ｓｙｍｐｏ
、 ｏｎ ＶＬＳ Ｉ Ｔｅａｈ。
曲線を示す。このため、ＡＺ２４００を用いてＤＵＶ光
でパターン形成したときには、光がレジスト中で吸収さ
れるため、コントラストの良好なレジストパターンは形
成できない（たとえば、Ｈ，Ｉｔｏら、 Ｓｙｍｐｏ
、 ｏｎ ＶＬＳ Ｉ Ｔｅａｈ。
（１９８２） 、に、１．０ｒｖｅｋら、５ＰＩＥ（１
９８６）、Ｖ、Ｐａｌら、５ＰＩＥ（１９８６））。
９８６）、Ｖ、Ｐａｌら、５ＰＩＥ（１９８６））。
第９図を用いて従来のＡＺ２４００を用いたレジストパ
ターン形成方法を示す。基板１上にＡＺ２４０ｏを回転
塗布し、厚さ１．６μｍのレジスト膜を得る（第９図Ａ
）。つぎに２４９ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ−光４に
よプマスク６を用いて選択的にレジスト３を露光する（
第９図Ｂ）。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を
施してレジストパターン３ａが得られた（第９図Ｃ）。
ターン形成方法を示す。基板１上にＡＺ２４０ｏを回転
塗布し、厚さ１．６μｍのレジスト膜を得る（第９図Ａ
）。つぎに２４９ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ−光４に
よプマスク６を用いて選択的にレジスト３を露光する（
第９図Ｂ）。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を
施してレジストパターン３ａが得られた（第９図Ｃ）。
発明が解決しようとする問題点
ところが、前述のように従来のＡＺ２４００は下部まで
光が到達しないために、レジスト膜（ターン３ａはその
形状が劣化したものとなっている。
光が到達しないために、レジスト膜（ターン３ａはその
形状が劣化したものとなっている。
このように光の表面吸収が大きいＡＺ２４００のような
従来のレジストでは、露光をたとえばＫｒＦ２４９ｎｍ
エキシマ・レーザー光のような短波長光源を用いた場合
微細なパターンを形状良く得ることは可能である。
従来のレジストでは、露光をたとえばＫｒＦ２４９ｎｍ
エキシマ・レーザー光のような短波長光源を用いた場合
微細なパターンを形状良く得ることは可能である。
すなわち、本発明の目的は従来のレジストにおいてレジ
スト表面での光（特に２４９ｎｍエキシマ・レーザー光
）吸収によシ発生したレジストパターンの解像度・コン
トラストの劣化が発生していたのを防止することにある
。
スト表面での光（特に２４９ｎｍエキシマ・レーザー光
）吸収によシ発生したレジストパターンの解像度・コン
トラストの劣化が発生していたのを防止することにある
。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、２４９ｒｓｍ付
近のエキシマ・レーザー露光において耐エツチング性が
あシかつ、感度解像度・コントラストの良好なパターン
形成材料を用いてパターン形成を行う方法を提供するも
のである。
近のエキシマ・レーザー露光において耐エツチング性が
あシかつ、感度解像度・コントラストの良好なパターン
形成材料を用いてパターン形成を行う方法を提供するも
のである。
この本発明の方法に係る材料は、そのポリマーが２４９
ｎｍ付近に吸収が少ないこと、及び、その光反応試薬の
２４９ｎｍ露光前後の透過率の比が大であること及び光
照射部のみがアルカリ系水溶液で溶解すること、及びそ
の溶媒が２４９ｎｍ付近に吸収が少ないことが求められ
る。
ｎｍ付近に吸収が少ないこと、及び、その光反応試薬の
２４９ｎｍ露光前後の透過率の比が大であること及び光
照射部のみがアルカリ系水溶液で溶解すること、及びそ
の溶媒が２４９ｎｍ付近に吸収が少ないことが求められ
る。
この要求に応じるため、本発明者らはポリマーとして２
４９ｎｍ付近に吸収の少ないノボラック樹脂（ｍ−クレ
ゾールノボラック樹脂、オルト−クローｍ−クレゾール
ノボラック樹脂、ｐ−クレゾールノボラック樹脂又は、
それらの混合物など）やポリフェノール樹脂、ポリアク
リル樹脂、環状ポリイミド誘導体樹脂などを用いた。又
、一般には、２４９ｎｍにおいて膜厚１．０μｍ時１以
下の光吸収率であるノボラック樹脂が望ましい。
４９ｎｍ付近に吸収の少ないノボラック樹脂（ｍ−クレ
ゾールノボラック樹脂、オルト−クローｍ−クレゾール
ノボラック樹脂、ｐ−クレゾールノボラック樹脂又は、
それらの混合物など）やポリフェノール樹脂、ポリアク
リル樹脂、環状ポリイミド誘導体樹脂などを用いた。又
、一般には、２４９ｎｍにおいて膜厚１．０μｍ時１以
下の光吸収率であるノボラック樹脂が望ましい。
光反応試薬としては２４９ｎｍ露先前後の透過率の比を
上げるものが好ましいことを発見した。
上げるものが好ましいことを発見した。
このような試薬としては、たとえば、
を分子中に含む化合物や
ていない置換基であり、少なくとも１つのベンゼン環又
はナフタレン環又はアントラセン環を含むか、又は、分
子内で結合している置換基）の誘導体などがあげられる
。
はナフタレン環又はアントラセン環を含むか、又は、分
子内で結合している置換基）の誘導体などがあげられる
。
これらの試薬はすべて遠紫外線やエキシマレーザ露光前
（未照射時）には、およ・そ２４９ｎｍ付近に大きな吸
収をもち、又、露光後には光反応により２４９ｎｍ付近
の吸収がほとんどなくなシ、又、アルカリ水溶液で溶解
することになる。即ち、以下の様な反応が、遠紫外線や
エキシマレーザ−光で起とシ、露光後の透過率が上昇し
、かつ、アＯＨ−ＩＩ Ｉ １１ ｏ Ｏ なお、ポジ型レジストのアルカリ水溶液に対する現像に
おいて、未露光部の膜減シが現実に生じるが、本発明者
らの研究の結果、本発明に係る光反応試薬中に一８０２
Ｃ１，−ｃｏｃｔ、 −８ｏ３Ｈ。
（未照射時）には、およ・そ２４９ｎｍ付近に大きな吸
収をもち、又、露光後には光反応により２４９ｎｍ付近
の吸収がほとんどなくなシ、又、アルカリ水溶液で溶解
することになる。即ち、以下の様な反応が、遠紫外線や
エキシマレーザ−光で起とシ、露光後の透過率が上昇し
、かつ、アＯＨ−ＩＩ Ｉ １１ ｏ Ｏ なお、ポジ型レジストのアルカリ水溶液に対する現像に
おいて、未露光部の膜減シが現実に生じるが、本発明者
らの研究の結果、本発明に係る光反応試薬中に一８０２
Ｃ１，−ｃｏｃｔ、 −８ｏ３Ｈ。
−ＣＯＯＨなどの置換基などが含有されている場合には
、これらの基がポリマーと結合を生じるために光来照射
部がアルカリ水溶液に溶解すること（膜減り）はほとん
どないことがわかった。なお、このようなポリマーと結
合を生ずるような基であれば上記以外のものでも全く問
題なく、又、このような結合を生じる基を有していない
場合でも、′本発明に係る光反応試薬はそのもの自身が
ポリマーと親和性が高いため特にレジストの性能として
劣化はみられなかった。
、これらの基がポリマーと結合を生じるために光来照射
部がアルカリ水溶液に溶解すること（膜減り）はほとん
どないことがわかった。なお、このようなポリマーと結
合を生ずるような基であれば上記以外のものでも全く問
題なく、又、このような結合を生じる基を有していない
場合でも、′本発明に係る光反応試薬はそのもの自身が
ポリマーと親和性が高いため特にレジストの性能として
劣化はみられなかった。
なお、前記本発明にかかわる光反応試薬が、以上述べた
ような５ｏ２Ｃ２，ＣＯＣｌ、５ｏ３Ｈ，Ｃ０ＯＨなど
の置換基を２つ以上有している場合にはそのアルカリ溶
解阻止能は２倍以上となる。このことによシ本発明に係
る材料によって未露光部のアルカリ水溶液に対する膜減
りのないパターンが得られることが期待できる。もちろ
ん前記置換基がＯＨ基を含む化合物（レゾルジノＴル、
ヒドロキジベンゾフェノンなど）と結合又は錯体を形成
している場合にも同様の良好な効果が得られる。
ような５ｏ２Ｃ２，ＣＯＣｌ、５ｏ３Ｈ，Ｃ０ＯＨなど
の置換基を２つ以上有している場合にはそのアルカリ溶
解阻止能は２倍以上となる。このことによシ本発明に係
る材料によって未露光部のアルカリ水溶液に対する膜減
りのないパターンが得られることが期待できる。もちろ
ん前記置換基がＯＨ基を含む化合物（レゾルジノＴル、
ヒドロキジベンゾフェノンなど）と結合又は錯体を形成
している場合にも同様の良好な効果が得られる。
定で保存が不可能な場合が多いが、本発明に係る化合物
はそれぞれ以下の理由によ〕たとえば６か月から１年以
上の２５℃保存に対しても全くその性能が変化せず安定
であった。
はそれぞれ以下の理由によ〕たとえば６か月から１年以
上の２５℃保存に対しても全くその性能が変化せず安定
であった。
ジケトンの作用により安定となっ九。
Ｎ２
なる置換基の作用によシ安定となった。３％／。
Ｒ”はお互いに結合していなり少なくとも１つのベンゼ
ン環又はナフタレン環又はアント２セン環又はそれらの
誘導体を含む置換基であるか、又は、Ｒ’、Ｒ“は分子
内で結合シている置換基である。
ン環又はナフタレン環又はアント２セン環又はそれらの
誘導体を含む置換基であるか、又は、Ｒ’、Ｒ“は分子
内で結合シている置換基である。
又、本発明に係るパターン形成材料中にナフトキノンシ
アシト化合物を少量（たとえば樹脂に対して１チ）加え
ることＫよル飛躍的に樹脂のアルカリ水溶液に対する溶
解を抑止することができる。
アシト化合物を少量（たとえば樹脂に対して１チ）加え
ることＫよル飛躍的に樹脂のアルカリ水溶液に対する溶
解を抑止することができる。
これは一般にナフトキノンジアジド化合物が極めて樹脂
のアルカリ水溶液に対する抑止効果が大きいために（本
発明者らの研究によれば樹脂重量に対して約１００分の
１でも完全に溶解抑止力がある）１．３ジケトン−２−
ジアゾ化合物に対して数チのみで十分な効果を発揮する
わけである。
のアルカリ水溶液に対する抑止効果が大きいために（本
発明者らの研究によれば樹脂重量に対して約１００分の
１でも完全に溶解抑止力がある）１．３ジケトン−２−
ジアゾ化合物に対して数チのみで十分な効果を発揮する
わけである。
なお周知の如くナフトキノンジアジド化合物は遠紫外線
を数チしか透過しないために、パターン形成時にナフト
キノンジアジド化合物を添加したために発生するパター
ンプロファイルの劣化を回避するために、樹脂のアルカ
リ溶解阻止を果たす最小限（重量比で樹脂に対して約１
％程度）添加することが望ましい。
を数チしか透過しないために、パターン形成時にナフト
キノンジアジド化合物を添加したために発生するパター
ンプロファイルの劣化を回避するために、樹脂のアルカ
リ溶解阻止を果たす最小限（重量比で樹脂に対して約１
％程度）添加することが望ましい。
又ナフトキノンジアジド化合物がレゾルシノールや
ＯＨ
合物や樹脂と結合を生じていても良く、又、ＯＨ基を含
む化合物が単独でレジスト材料中に存在していても良い
。これらはいずれも、レジストの感度を調整したり、レ
ジスト製造における製造ロフト間変動を防いだシする役
目を果たす。
む化合物が単独でレジスト材料中に存在していても良い
。これらはいずれも、レジストの感度を調整したり、レ
ジスト製造における製造ロフト間変動を防いだシする役
目を果たす。
なお、光反応試薬中にＮ２基以外の窒素原子を有してい
ればＺ ＮＨ２基、イミド基など）、耐熱性が向上す
るために本発明°のパターン形成材料製造の際や、又、
保存安定性についても大きな効果を発揮する。なお、Ｎ
原子は 含有している場合にＮ原子の原子振動が大きく特に耐熱
性向上に寄与し、１５０〜２ｏｏ℃まで分子の分解は起
こらない。
ればＺ ＮＨ２基、イミド基など）、耐熱性が向上す
るために本発明°のパターン形成材料製造の際や、又、
保存安定性についても大きな効果を発揮する。なお、Ｎ
原子は 含有している場合にＮ原子の原子振動が大きく特に耐熱
性向上に寄与し、１５０〜２ｏｏ℃まで分子の分解は起
こらない。
状中に含まれている場合には耐熱性向上効果が分子側鎖
中にＮ原子がある場合に比べて約り０℃〜４０℃劣る。
中にＮ原子がある場合に比べて約り０℃〜４０℃劣る。
）
なお、窒素原子は、もちろんポリマー中に含まれていて
も同様の効果を発揮する。なお、ＯＨ基を含む化合物は
、光反応試薬と結合をつくり、これをポリマーを混合さ
せればやはシ、ポリマーのアルカリ可溶性を抑止する効
果が認められ、光来露光部の膜減りをなくす働きをし、
パターン形成材料の性能向上の手段となる。ＯＨ基を含
む化合ＯＨ などのようなものが望ましい。
も同様の効果を発揮する。なお、ＯＨ基を含む化合物は
、光反応試薬と結合をつくり、これをポリマーを混合さ
せればやはシ、ポリマーのアルカリ可溶性を抑止する効
果が認められ、光来露光部の膜減りをなくす働きをし、
パターン形成材料の性能向上の手段となる。ＯＨ基を含
む化合ＯＨ などのようなものが望ましい。
又、ＯＨ基を含む化合物ど結合しているマーと混合させ
る仁とによシ、ポリマーのアルカリ可溶性を抑止する効
果が認められ、未露光部の膜減りをなくす働きをし、パ
ターン形成材料の性能向上につながる。ＯＨ基を含む化
合物としては、２４９ｎｍ付近に吸収の少ない化合物、
たとえばましい。
る仁とによシ、ポリマーのアルカリ可溶性を抑止する効
果が認められ、未露光部の膜減りをなくす働きをし、パ
ターン形成材料の性能向上につながる。ＯＨ基を含む化
合物としては、２４９ｎｍ付近に吸収の少ない化合物、
たとえばましい。
ここで、パターン形成材料としての溶解速度をコントロ
ールするために、さらにＯＨ基を含む化合物を添加する
ことも有用である。たとえば、ＯＨ などである。
ールするために、さらにＯＨ基を含む化合物を添加する
ことも有用である。たとえば、ＯＨ などである。
本発明に係るパターン形成材料に用いる溶媒としては、
塗布後多少残留していても溶媒の吸収によってレジスト
の性能を阻害しないように２４９ｎｍにできるだけ吸収
の少ないジエチレングリコールジメチルエーテルなどを
用いた。
塗布後多少残留していても溶媒の吸収によってレジスト
の性能を阻害しないように２４９ｎｍにできるだけ吸収
の少ないジエチレングリコールジメチルエーテルなどを
用いた。
作 用
本発明に係るパターン形成材料を用いた本発明のパター
ン形成方法によシ、２４９ｎｍＫｒＦエギシマレーザー
を用いて微細で良好な形状のレジストパターンが得られ
る。
ン形成方法によシ、２４９ｎｍＫｒＦエギシマレーザー
を用いて微細で良好な形状のレジストパターンが得られ
る。
実施例
（その１）
以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。
ノボラック樹脂 ２．６１ジエチル
ダリ°カールジメチルエーテル ２０．０ｐここで、
上記ノボラック樹脂は第２図に示すとと（２４９ｎｍ付
近に吸収が少ない特殊な樹脂（オル）−りＩ：ｌローｍ
−ルゾール系ノボラック樹脂）を用いている。このよう
な２４９ｎｍ付近に吸収の少ない樹脂および溶媒を用い
ることによシ露光後のパターン形成膜の透過率を上昇さ
せることができ、光が表面吸収されるという問題がなぐ
なつた。
ダリ°カールジメチルエーテル ２０．０ｐここで、
上記ノボラック樹脂は第２図に示すとと（２４９ｎｍ付
近に吸収が少ない特殊な樹脂（オル）−りＩ：ｌローｍ
−ルゾール系ノボラック樹脂）を用いている。このよう
な２４９ｎｍ付近に吸収の少ない樹脂および溶媒を用い
ることによシ露光後のパターン形成膜の透過率を上昇さ
せることができ、光が表面吸収されるという問題がなぐ
なつた。
なお、２４９ｎｍ付近に吸収の少ない樹脂としては、他
に下記（１）式の様な樹脂が挙げられ、これを本発明の
パターン形成材料に用いることも可能であシ同様の良効
な効果が期待できる。なお、本発明のパターン形成材料
に適合可能な樹脂・溶媒はｄａ＠ｐＵＶ領域で吸収が少
ないものであればこの限シではない。
に下記（１）式の様な樹脂が挙げられ、これを本発明の
パターン形成材料に用いることも可能であシ同様の良効
な効果が期待できる。なお、本発明のパターン形成材料
に適合可能な樹脂・溶媒はｄａ＠ｐＵＶ領域で吸収が少
ないものであればこの限シではない。
即ち、樹脂がノボラック樹脂の場合にその膜厚が１．０
μｍ時に２４９ｎｍにおいて光吸収率が１以下であるこ
とが望ましい。
μｍ時に２４９ｎｍにおいて光吸収率が１以下であるこ
とが望ましい。
ＯＨ
（１）式中でｎは整数を表わし、Ｒ１，Ｒ２はフェニル
＆、Ｈ基、アルキル基、アリール基、アルキニル基又は
それらの誘導体である（炭素数は１から２０）。
＆、Ｈ基、アルキル基、アリール基、アルキニル基又は
それらの誘導体である（炭素数は１から２０）。
この本発明のパター７形成材料を用いたレジストパター
ン形成方法を第１図で説明する。基板１上に本発明のパ
ターン形成材料２を回転塗布し、厚さ１．５μｍのレジ
スト膜を得る（第１図Ａ）。
ン形成方法を第１図で説明する。基板１上に本発明のパ
ターン形成材料２を回転塗布し、厚さ１．５μｍのレジ
スト膜を得る（第１図Ａ）。
つぎに２４９ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザー光４によ
シマスフ６を介して選択的にレジスト２をパルス露光す
る（第１図Ｂ）。そして、最後に通常のアルカリ現像処
理を施してレジストパターン２ａが得られた（第１図Ｃ
）。な訃、このときレジストパターン２Ｊａはマスク設
計通りに精度よくコントラストの良い微細パターン（０
，３μｍ）であった。なお、このパターン形成材料はノ
ボラック樹脂であることからエツチング耐性は良好であ
シ、又、感度も約ｓ Ｏｍ Ｊ ／ｃｄ！とＡＺ２４０
０の一であった。
シマスフ６を介して選択的にレジスト２をパルス露光す
る（第１図Ｂ）。そして、最後に通常のアルカリ現像処
理を施してレジストパターン２ａが得られた（第１図Ｃ
）。な訃、このときレジストパターン２Ｊａはマスク設
計通りに精度よくコントラストの良い微細パターン（０
，３μｍ）であった。なお、このパターン形成材料はノ
ボラック樹脂であることからエツチング耐性は良好であ
シ、又、感度も約ｓ Ｏｍ Ｊ ／ｃｄ！とＡＺ２４０
０の一であった。
第３図には、このパターン形成材料の露光前後の紫外分
光曲線を表わしているが、露光前後の透過率の差が大き
く、光が十分レジスト下部まで到達し、パターン形状が
良くなることがわかる。
光曲線を表わしているが、露光前後の透過率の差が大き
く、光が十分レジスト下部まで到達し、パターン形状が
良くなることがわかる。
（その２）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ジエチルクリコールジメチルエーテル ２０．０ｇな
お、このパターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を
第４図に示す。２４９ｎｍ付近でのり収の差が露光前後
で大きく、形状の良いパターンが得られることを示唆し
ている。
お、このパターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を
第４図に示す。２４９ｎｍ付近でのり収の差が露光前後
で大きく、形状の良いパターンが得られることを示唆し
ている。
なお、このパターン形成材料の感度は約６０ｍ １ ／
ｌｙ／ｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の
働きによシ耐エッチ性が高かった。
ｌｙ／ｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の
働きによシ耐エッチ性が高かった。
整数）を用いても同様の結果が得られた。
（その３）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約ｓ２ｍＪ／ｄであった。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約ｓ２ｍＪ／ｄであった。
ジエチルクリコールジメチルエーテル ２０．０．９
このパターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第６
図に示す。２４９ｎｍ付近の吸収の差が大きく、露光後
はほとんど吸収がないことがわかる。
このパターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第６
図に示す。２４９ｎｍ付近の吸収の差が大きく、露光後
はほとんど吸収がないことがわかる。
（その４）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ Ｉ ／ｃｒ
ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ Ｉ ／ｃｒ
ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０９ジエチル
クリコールジメチルエーテル ２０，０．ｌｉＦこの
パターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第６図に
示す。２４９Ｈｍ付近の吸収の差が大きく、露光後はほ
とんど吸収がないことがわかる。
クリコールジメチルエーテル ２０，０．ｌｉＦこの
パターン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第６図に
示す。２４９Ｈｍ付近の吸収の差が大きく、露光後はほ
とんど吸収がないことがわかる。
（その６）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ Ｉ ／ｃｉ
Ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ Ｉ ／ｃｉ
Ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０９ジエチル
クリコールジメチルエーテル ２０．Ｏｇこのパター
ン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第７図に示す。
クリコールジメチルエーテル ２０．Ｏｇこのパター
ン形成材料の露光前後の紫外分光曲線を第７図に示す。
２４９ｍｍ付近の吸収の差が大きく、露光後はほとんど
吸収がないことがわかる。
吸収がないことがわかる。
（その６）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに下記
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例上の１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例上の１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ノボラック樹脂 ２．５ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｇ（その７） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｇ（その７） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２０．０９な
お、このパターン形成材料の感度は約５０ｍ Ｉ ／ｃ
−ｉｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の働
きによシ耐千ヅチ性が高かった。
お、このパターン形成材料の感度は約５０ｍ Ｉ ／ｃ
−ｉｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の働
きによシ耐千ヅチ性が高かった。
（その８）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０，３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約５２ｒｎｌ／ｄｉであっ
た。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０，３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約５２ｒｎｌ／ｄｉであっ
た。
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２ｏ、ｏｇ（
その９） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンを得た。
その９） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンを得た。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０ｇＨ
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２０．０．ｊ
ｉｌｆその１０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ １ ／ａｌ
ｌで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
ｉｌｆその１０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ ｍ １ ／ａｌ
ｌで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１１
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンヲ得り。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１１
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンヲ得り。
４．５ｇ
ノボラック樹脂 ２．５９ジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１２
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１２
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２ｏ、ｏｇ
なお、このパターン形成材料の感度は約６０ｍ１／ｃｒ
ｔｌ となって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の働
きによシ耐エッチ性が高かった。
なお、このパターン形成材料の感度は約６０ｍ１／ｃｒ
ｔｌ となって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の働
きによシ耐エッチ性が高かった。
（その１３）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパター７形成材料を用いる以外は′一実施例その
１と同様の実験を行りた結果、０．３μｍの鮮明なレジ
ストパターンが得られた。感度は約５２ ｍ Ｉ ／ａ
ｉｌであった。
組成のパター７形成材料を用いる以外は′一実施例その
１と同様の実験を行りた結果、０．３μｍの鮮明なレジ
ストパターンが得られた。感度は約５２ ｍ Ｉ ／ａ
ｉｌであった。
パラクレゾールノボラフクａ脂２．ａｇ◎（防ＯＨ１，
３ｇ ジエチレングリコールジメチルエーテル２０．０９（そ
の１４） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わルに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ｍＪ／、ｉで０．
３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
３ｇ ジエチレングリコールジメチルエーテル２０．０９（そ
の１４） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わルに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ｍＪ／、ｉで０．
３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
０ ０ Ｎ２０ ｓ、ｏ、ｐ
パラクレゾールノボラック樹脂 ６．０ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１５
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ｍＴ／ｇｌｌで０
．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その１５
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ｍＴ／ｇｌｌで０
．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
ｏ２
実施例その１と同様の樹脂 ６．Ｏｙジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（その１６
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わ′シに以
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（その１６
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わ′シに以
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
ノボラック樹脂 ２．６ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル２０，５ ．１ｉｔ（そ
の１７） 実施例その１・で用いたパターン形成材料の代わりに以
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行つた結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
ングリコールジメチルエーテル２０，５ ．１ｉｔ（そ
の１７） 実施例その１・で用いたパターン形成材料の代わりに以
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行つた結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２０，０．９
なお、このパターン形成材料の感度は約６０ｍ Ｉ ／
ｃｒ／ｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の
働きによシ耐エッチ性が高かった。
なお、このパターン形成材料の感度は約６０ｍ Ｉ ／
ｃｒ／ｌとなって良好であシ、上記樹脂もベンゼン環の
働きによシ耐エッチ性が高かった。
（その１８）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行つた結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約ｔｓ ｏ ｍ １７ｄｉ
であった。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行つた結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約ｔｓ ｏ ｍ １７ｄｉ
であった。
（その１９）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わυに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的５０ ｍ １ ／ｄで
０．３μｍの鮮明なレジストパターパラクレゾールノボ
ラック樹脂 ６．０９ジエチレングリコールジメチ
ルエーテ＃２１ ｇ（その２０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍｏ鮮明なレジスト
パターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的５０ ｍ １ ／ｄで
０．３μｍの鮮明なレジストパターパラクレゾールノボ
ラック樹脂 ６．０９ジエチレングリコールジメチ
ルエーテ＃２１ ｇ（その２０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍｏ鮮明なレジスト
パターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ｓ、ｏ、ｉｉｌジ
エチレンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（そ
の２１） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行りた結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パター７が得られた。
エチレンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（そ
の２１） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行りた結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パター７が得られた。
ノボラック樹脂 ２．６ｇジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その２２
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わ・◇） は実施例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの
鮮明なレジストパターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その２２
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わ・◇） は実施例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの
鮮明なレジストパターンが得られた。
ジエチレンクリコールジメチルエーテル ２２ｇ（そ
の２３） 実施例その１で用いたパター７形成材料の代わりに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
の２３） 実施例その１で用いたパター７形成材料の代わりに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂（分子量約１０００）２
．６９ ジエチレンクリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（
その２４） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的ａ ｏ ｍ １ ／ｄ
ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
．６９ ジエチレンクリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（
その２４） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的ａ ｏ ｍ １ ／ｄ
ｉで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
パックレゾールノボラック樹脂 ５−６ＩＩジエチ
レングリコールジメチルエーテル ２ｏ、ｏ９（その２
６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的ｓ Ｏｍ Ｉ ／ｃｒ
Ａで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
レングリコールジメチルエーテル ２ｏ、ｏ９（その２
６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的ｓ Ｏｍ Ｉ ／ｃｒ
Ａで０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０ｇジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０．９（その２
６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０．９（その２
６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ６．０ｇＨ
ジエチレングリコールジメチルエーテル ２０．０ＩＩ
（その２７） 例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明な
レジストパターンが得られた。
（その２７） 例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明な
レジストパターンが得られた。
パックレゾールノボラック樹脂（分子量約１０００）ｔ
ｓ、ｏ９ エチルセルツブアセテ−） ２０．５ ｇ（そ
の２８） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ｓ、ｏ９ エチルセルツブアセテ−） ２０．５ ｇ（そ
の２８） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ノボラック樹脂 ２・６ｇジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その２９
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍ＋７）鮮明なレジ
ストパターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０９（その２９
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍ＋７）鮮明なレジ
ストパターンが得られた。
ＣＨ３
１゛
Ｈ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル ２０ＩＩ（
その３０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
その３０） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
Ｈ
パラクレゾールノボラック樹脂 ６゜０ｇジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０ｇ（その３１
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６０ｍＩ／ｃｌ！Ｉで
０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．０ｇ（その３１
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６０ｍＩ／ｃｌ！Ｉで
０．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂 ｓ、ｏｌ！ジエチ
レングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その３
２） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６０ｍＩ／ｃＩｄで０
．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
レングリコールジメチルエーテル ２０．０９（その３
２） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６０ｍＩ／ｃＩｄで０
．３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂 ６．０９ジエチレ
７ りＩ）コールジメチルエーテル ２０．０．！？（
その３３） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
７ りＩ）コールジメチルエーテル ２０．０．！？（
その３３） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ｏ Ｏ
実施例その１と同様の樹脂 ５．０ｇジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２０．Ｏｇ（その３４
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験る行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２０．Ｏｇ（その３４
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験る行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂 ｓ、ｏ、ｌｉｔジ
エチレングリコールジメチルエーテル １６ｇ（その
３６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
エチレングリコールジメチルエーテル １６ｇ（その
３６） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ノボラック樹脂 ２．５９ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（その３６
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果Ｏ，Ｓμｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０ｐ（その３６
） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果Ｏ，Ｓμｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂 ６．６１ジエチレン
グリコールジメチルエーテル ２０．ＯＪ（その３７） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
グリコールジメチルエーテル ２０．ＯＪ（その３７） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以下
の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂 ５．０ｐジエチレ
ンクリコールジメチルエーテル ２１．０ｇなお、上記
試薬中で結合方法が一〇−０−である場合にも全く同様
の結果が得られた。
ンクリコールジメチルエーテル ２１．０ｇなお、上記
試薬中で結合方法が一〇−０−である場合にも全く同様
の結果が得られた。
（その３８）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６ｏ ｍ Ｔ ／ｃｉ
ｔで０゜３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度的６ｏ ｍ Ｔ ／ｃｉ
ｔで０゜３μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。
実施例その１と同様の樹脂 ５．０ｇエチルセ
ルツブアセテート ２２゜ｏｇ（その３９） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
ルツブアセテート ２２゜ｏｇ（その３９） 実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
○
０２Ｃｔ
パラクレゾールノボラック樹脂１０あ０ｇジエチレンク
リコールジメチルエーテル ２５．０９又、本発明の材
料は６ケ月以上の室温保存にても何らの劣化は生じなか
った。
リコールジメチルエーテル ２５．０９又、本発明の材
料は６ケ月以上の室温保存にても何らの劣化は生じなか
った。
なお、本実施例のパターン形成材料のメタクレゾールノ
ボラック樹脂のかわりに以下の樹脂を用いても同様の結
果が得られた。
ボラック樹脂のかわりに以下の樹脂を用いても同様の結
果が得られた。
パラクレゾールノボラック樹脂、メタクレゾールノボラ
ック樹脂とパラクレゾールノボラック樹脂の任意の比率
による混合樹脂、オルト・クロロメタ・クレゾールノボ
ラック樹脂、ポリヒドロキなる骨格をもつマレイミド樹
脂。
ック樹脂とパラクレゾールノボラック樹脂の任意の比率
による混合樹脂、オルト・クロロメタ・クレゾールノボ
ラック樹脂、ポリヒドロキなる骨格をもつマレイミド樹
脂。
又、次の試薬を本発明に係るパターン形成材料中に用い
たときにも本実施例と同様の結果が得られた。
たときにも本実施例と同様の結果が得られた。
もちろん、本発明に係るパターン形成材料に用いられる
樹脂９反応試薬は上記の限シではない。
樹脂９反応試薬は上記の限シではない。
は熱的に不安定で室温保存にても特性劣化を生じる場合
が多いが、本発明の如く環状化合物になっている場合に
は安定した材料となる。
が多いが、本発明の如く環状化合物になっている場合に
は安定した材料となる。
なお環状化合物は脂肪族であるが、これに隣接して不飽
和結合を含む置換基（ベンゼン環など）や、又他の置換
基を含んでいても光反応試薬としての性能はほとんど同
様であシ、これらの化合物も又有用である。
和結合を含む置換基（ベンゼン環など）や、又他の置換
基を含んでいても光反応試薬としての性能はほとんど同
様であシ、これらの化合物も又有用である。
溶媒としては、前述のごとく塗布後多少残留していても
溶媒による吸収によってパターン形成材料の性能を阻害
しないように２４９ｎｍ付近にできるだけ吸収の少ない
ジエチレングリコールジメチルエーテルなどが望ましい
。
溶媒による吸収によってパターン形成材料の性能を阻害
しないように２４９ｎｍ付近にできるだけ吸収の少ない
ジエチレングリコールジメチルエーテルなどが望ましい
。
（その４０）
°実施例その１で用いたパターン形成材料の代わシに以
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その
１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。
ＯＮ２
メタクレゾールノボラック樹脂 １０．０ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル ２０．０．ｐ又、本発
明の材料は６ケ月以上の室温保存にても何らの劣化はな
かった。
ングリコールジメチルエーテル ２０．０．ｐ又、本発
明の材料は６ケ月以上の室温保存にても何らの劣化はな
かった。
なお、本実施例のパターン形成材料のメタクレゾールノ
ボシック樹脂のかわシに以下の樹脂を用パックレゾール
ノボラック樹脂、メタクレゾールノボラック樹脂とパラ
クレゾールノボラック樹脂の任意の比率による混合樹脂
、オルト・クロロメタ・クレゾールノボラック樹脂、ポ
リヒドロキなる骨格をもつマレイミド樹脂。
ボシック樹脂のかわシに以下の樹脂を用パックレゾール
ノボラック樹脂、メタクレゾールノボラック樹脂とパラ
クレゾールノボラック樹脂の任意の比率による混合樹脂
、オルト・クロロメタ・クレゾールノボラック樹脂、ポ
リヒドロキなる骨格をもつマレイミド樹脂。
又、本実施例のパターン形成材料の光反応試薬として以
下の試薬を用いても同様の結果が得られた。
下の試薬を用いても同様の結果が得られた。
Ｎ２
Ｆ
もちろん本発明に係るパターン形成材料に用いられる樹
脂・光反応試薬はこれらの限りではない。
脂・光反応試薬はこれらの限りではない。
Ｎ２
熱的に不安定であシ、室温保存にても特性劣化が生じる
場合が多いいが、本発明の如くベンゼン環の存在によ多
安定化される。なお、ベンゼン環に他の置換基が含まれ
ていても全く特性は変化なく、又、Ｎｏ２基やＦ基、Ｏ
ＣＨ３基などの基はより本光反応試薬を安定にすること
を本発明者らは見出している。
場合が多いいが、本発明の如くベンゼン環の存在によ多
安定化される。なお、ベンゼン環に他の置換基が含まれ
ていても全く特性は変化なく、又、Ｎｏ２基やＦ基、Ｏ
ＣＨ３基などの基はより本光反応試薬を安定にすること
を本発明者らは見出している。
又、本発明に用いる試薬のベンゼン環のかわりにナフタ
レン環やアントラセン環が少なくとも１記ベンゼン環に
よる場合と同様に安定化されるため、これらの環とベン
ゼン環が置換されても良い。
レン環やアントラセン環が少なくとも１記ベンゼン環に
よる場合と同様に安定化されるため、これらの環とベン
ゼン環が置換されても良い。
溶媒としては、前述のごとく塗布後多少残留していても
溶媒による吸収によってパターン形成材料の性能を阻害
しないように２４９ｎｍ付近にできるだけ吸収の少ない
ジエチレングリコールジメチルエーテルが望ましい。
溶媒による吸収によってパターン形成材料の性能を阻害
しないように２４９ｎｍ付近にできるだけ吸収の少ない
ジエチレングリコールジメチルエーテルが望ましい。
（その４１）
実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。
６−ジアシメルドラム酸 ６ｇナフトキノ
ンジアジドスルホニルクロライド０．１１Ｉパラクレゾ
ールノボラフク樹脂（分子量１万）１０．９ ジエチレングリコールジメチルエーテル ８５ｇ（そ
の４２） ０．４μｍの２イン・アンド・スペースを８７°のプロ
ファイルで膜減シなく得た。
ンジアジドスルホニルクロライド０．１１Ｉパラクレゾ
ールノボラフク樹脂（分子量１万）１０．９ ジエチレングリコールジメチルエーテル ８５ｇ（そ
の４２） ０．４μｍの２イン・アンド・スペースを８７°のプロ
ファイルで膜減シなく得た。
ナフトキノンシアシト ０．１ｇメタク
レゾールノボラック樹脂 １６Ｉジエチレンクリコ
ールジメチルエーテル ８０ｇ（その４３） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施測子の１と伺様のパターン形成方法によｊ） ０．
３１５μｍのライン・アンド・スペースを８６°のプロ
ファイルで膜減シなく得た。
レゾールノボラック樹脂 １６Ｉジエチレンクリコ
ールジメチルエーテル ８０ｇ（その４３） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施測子の１と伺様のパターン形成方法によｊ） ０．
３１５μｍのライン・アンド・スペースを８６°のプロ
ファイルで膜減シなく得た。
ナフトキノンジアジド ０．３ｇジメチレ
ングリコールジメチルエーテル ７０９（その４４） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法によｊｉ）０．
３８μｍのライン・アンド・スペースを８７°のプロフ
ァイルで膜減シな（得た。
ングリコールジメチルエーテル ７０９（その４４） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法によｊｉ）０．
３８μｍのライン・アンド・スペースを８７°のプロフ
ァイルで膜減シな（得た。
パラクレゾールノボラック樹脂（分子量２万）０ｇ
ジエチレンクー、コールジメチルエーテル ６５９（
その４６） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法により ０．４
μｍのライン・アンド・スペースを８８’のプロファイ
ルで膜減シなぐ得た。
その４６） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法により ０．４
μｍのライン・アンド・スペースを８８’のプロファイ
ルで膜減シなぐ得た。
００ＣＨ３
」
５ｏ２Ｃｔ
オルトクロロメタクレゾールノボラック樹脂１０ｇジエ
チレングリコールジメチルエーテル ６０ｇ（その４
６） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法により０．４μ
ｍの２イン・アンド・スペースを８６°のプロファイル
で膜減りなく得た。
チレングリコールジメチルエーテル ６０ｇ（その４
６） 以下の組成で本発明に係るパターン形成材料を調整し、
実施例その１と同様のパターン形成方法により０．４μ
ｍの２イン・アンド・スペースを８６°のプロファイル
で膜減りなく得た。
ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドｏ、ｕパラ
クレゾールノボラック樹脂 １８ｇジエチレング
リコールジメチルエーテル ！２１１（その４７） シに以下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施
例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明な
レジストパターンが得られた。
クレゾールノボラック樹脂 １８ｇジエチレング
リコールジメチルエーテル ！２１１（その４７） シに以下の組成のパターン形成材料を用いる以外は実施
例その１と同様の実験を行った結果０．３μｍの鮮明な
レジストパターンが得られた。
なお、本実施例のパターン形成材料に以外に、以下の如
き本発明に係る材料を用いた場合にも同様のパターンが
得られた〇 なお、上記の樹脂のかわシに以下の如き樹脂を用いても
同様の結果が得られる。
き本発明に係る材料を用いた場合にも同様のパターンが
得られた〇 なお、上記の樹脂のかわシに以下の如き樹脂を用いても
同様の結果が得られる。
発明の効果
本発明の方法によれば、エキシマレーザを用いを行うこ
とができ、半導体素子の歩留まシ向上につながシ工業的
価値が高い。
とができ、半導体素子の歩留まシ向上につながシ工業的
価値が高い。
第１図Ａ−Ｃは本発明の方法によるレジストパターン形
成工程断面図、第２図は本発明に係る２４９ｎｍ付近に
吸収の少ない樹脂（オルト・りぞれ本発明に係るパター
ン形成材料の紫外分光曲線図、第８図は従来のレジス）
、（、ＡＺ２４００）の露光前後の紫外分光曲線図、第
９図Ａ−Ｃは従来のパターン形成工程図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明に係るパタ
ーン形成材料、３・・・・・・従来のレジス）（ＡＺ２
４００）、４・・・・・・ＫｒＦエキシマレーザ−１６
・・・・・・マスク、２ａ。 ３ａ・・・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １り１１ｚ０Ｄ３０ρ４ｏＤｊ４ う皮−Ｗｃ＜１嘴をン 第３図 う友 蚤 （）１ηｔノ 第４図 仮 ＋ （− 第５図 ５３１ ４ ｒａｐｔ） Ｎ６図 仮 ÷ （− 第７図 疲号（ｆＬｆｌＬ） 第８図 ２１）Ｄ
ＪＯｔ）乙５０ 褒 長 （ｆｌＱす 第９図
成工程断面図、第２図は本発明に係る２４９ｎｍ付近に
吸収の少ない樹脂（オルト・りぞれ本発明に係るパター
ン形成材料の紫外分光曲線図、第８図は従来のレジス）
、（、ＡＺ２４００）の露光前後の紫外分光曲線図、第
９図Ａ−Ｃは従来のパターン形成工程図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明に係るパタ
ーン形成材料、３・・・・・・従来のレジス）（ＡＺ２
４００）、４・・・・・・ＫｒＦエキシマレーザ−１６
・・・・・・マスク、２ａ。 ３ａ・・・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １り１１ｚ０Ｄ３０ρ４ｏＤｊ４ う皮−Ｗｃ＜１嘴をン 第３図 う友 蚤 （）１ηｔノ 第４図 仮 ＋ （− 第５図 ５３１ ４ ｒａｐｔ） Ｎ６図 仮 ÷ （− 第７図 疲号（ｆＬｆｌＬ） 第８図 ２１）Ｄ
ＪＯｔ）乙５０ 褒 長 （ｆｌＱす 第９図
Claims (22)
- （１）基板上に２４９ｎｍ付近の光で吸収の少ないポリ
マーと２４９ｎｍ付近の光で光反応を生ずる光反応試薬
を含み前記両者を溶解する溶媒よりなるかあるいは、２
４９ｎｍ付近の光で吸収の少ないポリマーと２４９ｎｍ
付近の光で光反応を生じる試薬を結合した化合物を含み
前記化合物を溶解させる溶媒よりなり、光照射後、光照
射部のみがアルカリ系水溶液で溶解するパターン形成材
料を塗布する工程と、２４９ｎｍ付近の光を選択的に露
光する工程と前記パターン形成材料を現像する工程を含
むパターン形成方法。 - （２）２４９ｎｍ付近の光がＫｒＦエキシマレーザより
発振される光であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のパターン形成方法。 - （３）ポリマーが２４９ｎｍの波長の光において、膜厚
１．０μｍ時、１以下の光吸収率である樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。 - （４）ポリマーがオルト・クロロ・メタ・クレゾールホ
ルムアルデヒドノボラック樹脂であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （５）ポリマーが下記一般式（Ｉ）であらわされること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
（Ｉ） （（Ｉ）式においてｎは整数をあらわし、又、Ｒ＿１、
Ｒ＿２はそれぞれフェニル基、Ｈ基、炭素数１から２０
のアルキル基、アリール基、アルキニル基又はそれぞれ
の誘導体である。） - （６）溶媒が２４９ｎｍ付近に吸収の少ない溶媒である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパター
ン形成方法。 - （７）溶媒がジエチレングリコールジメチルエーテルで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパ
ターン形成方法。 - （８）光反応試薬が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１、Ｒ＿２は
置換基） なる化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のパターン形成方法。 - （９）置換基Ｒ＿１又はＲ＿２がＳＯ＿２Ｃｌ基、ＣＯ
Ｃｌ基、ＣＯＯＨ基、ＳＯ＿３Ｈ基を少なくとも１つ以
上含む化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第
８項に記載のパターン形成方法。 - （１０）置換基Ｒ＿１又はＲ＿２が▲数式、化学式、表
等があります▼基、▲数式、化学式、表等があります▼
基、▲数式、化学式、表等があります▼基、▲数式、化
学式、表等があります▼ 基を少なくとも１つ以上含む化合物であることを特徴と
する特許請求の範囲第８項に記載のパターン形成方法。 - （１１）置換基Ｒ＿１とＲ＿２が分子内で結合している
化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第８項に
記載のパターン形成方法。 - （１２）置換基Ｒ＿１とＲ＿２が分子内で結合し、かつ
、ＳＯ＿２Ｃｌ基、ＣＯＣｌ基、ＳＯ＿３Ｈ基、ＣＯＯ
Ｈ基を少なくとも１つ含む化合物であることを特徴とす
る特許請求の範囲第８項に記載のパターン形成方法。 - （１３）置換基Ｒ＿１とＲ＿２が分子内で結合し、かつ
、▲数式、化学式、表等があります▼基、▲数式、化学
式、表等があります▼基、▲数式、化学式、表等があり
ます▼ 基、▲数式、化学式、表等があります▼基を少なくとも
１つ以上含む化 合物であることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記
載のパターン形成方法。 - （１４）化合物が ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基）であることを特徴とする特
許請求の範囲第８項に記載のパターン形成方法。 - （１５）化合物が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿３、Ｒ＿４は
置換基） であることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の
パターン形成方法。 - （１６）置換基Ｒ＿３又はＲ＿４がＳＯ＿２Ｃｌ基、Ｃ
ＯＣｌ基、ＣＯＯＨ基、ＳＯ＿３Ｈ基を少なくとも１つ
以上含む化合物であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１４）又は第（１５）項に記載のパターン形成方法
。 - （１７）置換基Ｒ＿３又はＲ＿４が▲数式、化学式、表
等があります▼基、▲数式、化学式、表等があります▼
基、▲数式、化学式、表等があります▼基、▲数式、化
学式、表等があります▼ 基を少なくとも１つ含む化合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１４）又は第（１５）項に記載のパ
ターン形成方法。 - （１８）置換基Ｒ＿３とＲ＿４が分子内で結合している
化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第（１４
）又は第（１５）項に記載のパターン形成方法。 - （１９）置換基Ｒ＿３とＲ＿４が分子内で結合し、かつ
、ＳＯ＿２Ｃｌ基、ＣＯＣｌ基、ＳＯ＿３Ｈ基、ＣＯＯ
Ｈ基を少なくとも１つ以上含む化合物であることを特徴
とする特許請求の範囲第（１４）又は第（１５）項に記
載のパターン形成方法。 - （２０）置換基Ｒ＿３とＲ＿４が分子内で結合し、かつ
、▲数式、化学式、表等があります▼基、▲数式、化学
式、表等があります▼基、▲数式、化学式、表等があり
ます▼ 基、▲数式、化学式、表等があります▼基を少なくとも
１つ含む化合 物であることを特徴とする特許請求の範囲第（１４）又
は第（１５）項に記載のパターン形成方法。 - （２１）光反応試薬が ▲数式、化学式、表等があります▼ であることとする特許請求の範囲第１項に 記載のパターン形成方法。 （ここでＲ’とＲ”はお互いに結合していない少なくと
も１つのベンゼン環かナフタレン環かアントラセン環又
はそれらの誘導体を含む置換基である。 又は、Ｒ’とＲ”は分子内で結合している置換基である
。） - （２２）光反応試薬が ▲数式、化学式、表等があります▼ なる結合を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62190696A JPH01124849A (ja) | 1986-08-08 | 1987-07-30 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-187132 | 1986-08-08 | ||
| JP18713286 | 1986-08-08 | ||
| JP62-69327 | 1987-03-24 | ||
| JP62-69331 | 1987-03-24 | ||
| JP62-81411 | 1987-04-02 | ||
| JP62-81410 | 1987-04-02 | ||
| JP62-81409 | 1987-04-02 | ||
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| JP62-89445 | 1987-04-10 | ||
| JP62-165753 | 1987-07-02 | ||
| JP62-165763 | 1987-07-02 | ||
| JP62-165756 | 1987-07-02 | ||
| JP62190696A JPH01124849A (ja) | 1986-08-08 | 1987-07-30 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124849A true JPH01124849A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=26504159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62190696A Pending JPH01124849A (ja) | 1986-08-08 | 1987-07-30 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124849A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115932A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-06-22 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | ポジのホトレジスト組成物 |
| JPS62229242A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-10-08 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | イミド含有ポリマ−の高解像力ホトレジスト |
| JPS63220140A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63298341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
| JPS64540A (en) * | 1986-12-25 | 1989-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS6433543A (en) * | 1986-06-06 | 1989-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pattern forming method |
-
1987
- 1987-07-30 JP JP62190696A patent/JPH01124849A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115932A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-06-22 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | ポジのホトレジスト組成物 |
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| JPS63220140A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63298341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
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