JPS61223837A - リソグラフイ−レジスト - Google Patents
リソグラフイ−レジストInfo
- Publication number
- JPS61223837A JPS61223837A JP60289539A JP28953985A JPS61223837A JP S61223837 A JPS61223837 A JP S61223837A JP 60289539 A JP60289539 A JP 60289539A JP 28953985 A JP28953985 A JP 28953985A JP S61223837 A JPS61223837 A JP S61223837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensitizer
- resin
- composition according
- composition
- diazo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、例えば313 nmより短波長の光のような
ディープ紫外光(deep tyv )に用いるリソグ
ラフィーレジストに関する。殊に、弱酸性樹脂とある特
定のタイプの増感剤との混合物よp々るこの種のレジス
トに関する。
ディープ紫外光(deep tyv )に用いるリソグ
ラフィーレジストに関する。殊に、弱酸性樹脂とある特
定のタイプの増感剤との混合物よp々るこの種のレジス
トに関する。
米国特許4,339,522号には、樹脂にとシ込まれ
たディープ紫外光増感剤として成る種のメルトランの(
Meldrum’s )ジアゾ化合物を使用することが
開示されている。
たディープ紫外光増感剤として成る種のメルトランの(
Meldrum’s )ジアゾ化合物を使用することが
開示されている。
本出願と同じ譲受人に譲渡されている出願番号0615
08,642の出願には、ディープ紫外光増感剤として
ジアゾホモテトラミック酸化合物の使用が開示されてい
る。
08,642の出願には、ディープ紫外光増感剤として
ジアゾホモテトラミック酸化合物の使用が開示されてい
る。
ディープ紫外光を使用するリソグラフィーに使用される
レジスト系はいくつかの特性を同時に有さなければなら
ない。1つには、このレジスト系は許容できる露光およ
び現像時間にて使用されることが可能な感度を有さなけ
ればならない。2つには、このレジスト系はよシ長波長
領域即ち300nmより長波長の領域では分光感度を有
していてはならない。該領域に分光感度が全くない場合
には、照射源の非効率的なフィルター処理の必要性が除
かれる。6つには、この化学構造系は、フォトレジスト
像を作出する能力に一致する光学吸収を示さなければな
らない。4つには、このレジスト系は、反応性イオンエ
ツチングに対する耐性のような精密加工製造に適した化
学的および物理的特性を有していなければならない。最
後に、増感剤はイ2ジエーション周波数において透明で
あるようなフォト製品をもたらすものでなければならな
い。
レジスト系はいくつかの特性を同時に有さなければなら
ない。1つには、このレジスト系は許容できる露光およ
び現像時間にて使用されることが可能な感度を有さなけ
ればならない。2つには、このレジスト系はよシ長波長
領域即ち300nmより長波長の領域では分光感度を有
していてはならない。該領域に分光感度が全くない場合
には、照射源の非効率的なフィルター処理の必要性が除
かれる。6つには、この化学構造系は、フォトレジスト
像を作出する能力に一致する光学吸収を示さなければな
らない。4つには、このレジスト系は、反応性イオンエ
ツチングに対する耐性のような精密加工製造に適した化
学的および物理的特性を有していなければならない。最
後に、増感剤はイ2ジエーション周波数において透明で
あるようなフォト製品をもたらすものでなければならな
い。
このような系が同時に満たさなければならない要求の多
数であるため、従来の技術はどれも課題を残しておシ、
これらの厳密な必要性を完全に満たしていなかった。
数であるため、従来の技術はどれも課題を残しておシ、
これらの厳密な必要性を完全に満たしていなかった。
本発明によると、ディープ紫外光に用いるリソグラフィ
ーレジストは弱酸性樹脂およびそれと混合される十分な
量の式(1): (式中 R1、R2およびR6の各々は独立してアルキ
ルまたはアリールであシ、nは0.1または2である)
で示されたα−ホスホリル置換されたジアゾカルボニル
化合物である増感剤からなることを特徴としている。
ーレジストは弱酸性樹脂およびそれと混合される十分な
量の式(1): (式中 R1、R2およびR6の各々は独立してアルキ
ルまたはアリールであシ、nは0.1または2である)
で示されたα−ホスホリル置換されたジアゾカルボニル
化合物である増感剤からなることを特徴としている。
このクラスの増感剤は弱酸性樹脂の共存下では、前述の
すべての基準を満足するのみならず露光後に光安定で酸
性主樹脂に対して顕著に非反応性であるケテン中間体を
形成するという付加的な利点も有している。以上の点が
とシわけ本発明の先行技術を越えた利点である。先行技
術における増感剤はポストイラジェーションケテン(p
ost 1rradiation ketene )を
生じこれはいくらかの程度で樹脂と反応して塩基不溶性
の誘導体となシ結果的に露光されたレジストフィルムが
塩基性現像剤に迅速に溶解しなくなる。
すべての基準を満足するのみならず露光後に光安定で酸
性主樹脂に対して顕著に非反応性であるケテン中間体を
形成するという付加的な利点も有している。以上の点が
とシわけ本発明の先行技術を越えた利点である。先行技
術における増感剤はポストイラジェーションケテン(p
ost 1rradiation ketene )を
生じこれはいくらかの程度で樹脂と反応して塩基不溶性
の誘導体となシ結果的に露光されたレジストフィルムが
塩基性現像剤に迅速に溶解しなくなる。
本発明の増感剤はこの困難な点を解決している。
本発明を実施するにあたっては、レジスト組成物は上述
のタイプの化合物の増感剤としての量および多くは当業
者に周知の弱酸性樹脂を含んでいる。それらは、例えば
、クレンールノボランクなどのようなノボラック樹脂、
ポリ(p−ヒドロキシスチレン)およびメタクリル酸と
エステルのコポリマーとイミド含有コポリマーなどを含
んでいる。一般的に増感剤は好ましくはレジン中でレジ
ン重量の約5から5(lの濃度にて使用される。増感剤
はレジンに添加混合され、レジン組成物をディープ紫外
放射線に像様の(image−wise ) jl光を
すると、組成物の露光された部分はアルカリ現像液に対
してよシ易溶性となる。
のタイプの化合物の増感剤としての量および多くは当業
者に周知の弱酸性樹脂を含んでいる。それらは、例えば
、クレンールノボランクなどのようなノボラック樹脂、
ポリ(p−ヒドロキシスチレン)およびメタクリル酸と
エステルのコポリマーとイミド含有コポリマーなどを含
んでいる。一般的に増感剤は好ましくはレジン中でレジ
ン重量の約5から5(lの濃度にて使用される。増感剤
はレジンに添加混合され、レジン組成物をディープ紫外
放射線に像様の(image−wise ) jl光を
すると、組成物の露光された部分はアルカリ現像液に対
してよシ易溶性となる。
ディープ紫外光という表現は315 nmより短波長の
光を示している。特に、254nmの波長の光が本発明
を実施する際に有効である。
光を示している。特に、254nmの波長の光が本発明
を実施する際に有効である。
本発明に有効なホスホリル置換されたジアゾカルボニル
化合物は知られた物質でありその合成方法は文献記載の
ものである。例えば、rChem。
化合物は知られた物質でありその合成方法は文献記載の
ものである。例えば、rChem。
Ber、 J、1969年刊、102巻、2216頁に
記載のM、 Regtizらの方法およびr Chem
、 Bar、J、1978年刊、111巻、3068頁
に記載のM、 Regtizらの方法を参照されたい。
記載のM、 Regtizらの方法およびr Chem
、 Bar、J、1978年刊、111巻、3068頁
に記載のM、 Regtizらの方法を参照されたい。
好適な化合物の実例には、(:)アゾフェナシル)−ジ
フェニルホスフィンオキシト、(ジアゾ−p−t−ブチ
ルフェナシル)−ジフェニルホスフィンオキシト、(シ
アシーp−クロロフェナシル)−ジフェニルホスフィン
オキシト、(ジアゾ−p−メトキシフェナシル)−ジフ
ェニルホスフィンオキシト、(ジアゾ−p−フェニルフ
ェナシル)−ジフェニルホスフィンオキシトおよび(ジ
アゾフェナシル)−ジメチルホスホネートが含まれてい
る。
フェニルホスフィンオキシト、(ジアゾ−p−t−ブチ
ルフェナシル)−ジフェニルホスフィンオキシト、(シ
アシーp−クロロフェナシル)−ジフェニルホスフィン
オキシト、(ジアゾ−p−メトキシフェナシル)−ジフ
ェニルホスフィンオキシト、(ジアゾ−p−フェニルフ
ェナシル)−ジフェニルホスフィンオキシトおよび(ジ
アゾフェナシル)−ジメチルホスホネートが含まれてい
る。
実施例
1.87Vの増感剤(ジアゾフェナシル)−ジフェニル
ホスフィンオキシトをジグライム中の25% wt/v
のノボラック樹脂溶液40tItt中に溶解した。1イ
ンチのシリコンウェハー上で400Orpmで回転させ
ながら1.1μmの厚みのフィルムを調製した。それか
らウェハーを85℃にて30分間焼きつけたのち石英の
マスク(254nm、70m;j/cm2)を用いてコ
ンタクトモードにて露光した。水性アルカリ現像剤を使
用して系を現像した。終点までの時間は約1分であった
。この方法によりハイコントラストの縦型プロフィール
像が得られた。
ホスフィンオキシトをジグライム中の25% wt/v
のノボラック樹脂溶液40tItt中に溶解した。1イ
ンチのシリコンウェハー上で400Orpmで回転させ
ながら1.1μmの厚みのフィルムを調製した。それか
らウェハーを85℃にて30分間焼きつけたのち石英の
マスク(254nm、70m;j/cm2)を用いてコ
ンタクトモードにて露光した。水性アルカリ現像剤を使
用して系を現像した。終点までの時間は約1分であった
。この方法によりハイコントラストの縦型プロフィール
像が得られた。
マシーンス・コーポレーション
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)313nmより短波長の紫外光に用いるリソグラフ
イーレジスト組成物であつて、該組成物は弱酸性樹脂お
よびそれと混合される十分な量の式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2およびR^3の各々は独立して
アルキルまたはアリールであり、nは0、1または2で
ある)で示されたα−ホスホリル置換されたジアゾカル
ボニル化合物である増感剤からなるリソグラフイーレジ
スト組成物。 2)増感剤が(ジアゾフエナシル)−ジフエニルホスフ
インオキシドである特許請求の範囲第1項に記載の組成
物。 3)増感剤が(ジアゾ−p−t−ブチルフエナシル)−
ジフエニルホスフインオキシドである特許請求の範囲第
1項に記載の組成物。 4)増感剤が(ジアゾ−p−メトキシフエナシル)−ジ
フエニルホスフインオキシドである特許請求の範囲第1
項に記載の組成物。 5)増感剤が(ジアゾ−p−フエニルフエナシル)−ジ
フエニルホスフインオキシドである特許請求の範囲第1
項に記載の組成物。 6)増感剤が(ジアゾフエナシル)−ジメチルホスフオ
ネートである特許請求の範囲第1項に記載の組成物。 7)樹脂がノボラツク樹脂である特許請求の範囲第1項
に記載の組成物。 8)樹脂がp−クレソールノボラツクである特許請求の
範囲第1項に記載の組成物。 9)樹脂がポリ(p−ヒドロキシスチレン)である特許
請求の範囲第1項に記載の組成物。 10)樹脂がメタクリル酸とそのエステルのコポリマー
である特許請求の範囲第1項に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/717,254 US4601969A (en) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | High contrast, high resolution deep ultraviolet lithographic resist composition with diazo carbonyl compound having alpha phosphoryl substitution |
US717254 | 1985-03-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61223837A true JPS61223837A (ja) | 1986-10-04 |
JPH0415463B2 JPH0415463B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=24881303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60289539A Granted JPS61223837A (ja) | 1985-03-28 | 1985-12-24 | リソグラフイ−レジスト |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4601969A (ja) |
EP (1) | EP0195986B1 (ja) |
JP (1) | JPS61223837A (ja) |
CA (1) | CA1221864A (ja) |
DE (1) | DE3662317D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01211255A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Terumo Corp | パターンが形成された基板の製法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4968582A (en) * | 1988-06-28 | 1990-11-06 | Mcnc And University Of Nc At Charlotte | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
US5114827A (en) * | 1988-06-28 | 1992-05-19 | Microelectronics Center Of N.C. | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
DE3900735A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
KR950011927B1 (ko) * | 1989-12-07 | 1995-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 감광성 조성물 및 수지봉지형 반도체장치 |
DE4014649A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle verbindungen mit (alpha)-diazo-ss-ketoester- und sulfonsaeureester-einheiten, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
DE4014648A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindiches gemisch und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer die belichtung mit duv-strahlung |
JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
US5908730A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
US5945517A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
US5876897A (en) * | 1997-03-07 | 1999-03-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive photoresists containing novel photoactive compounds |
US5866295A (en) * | 1997-03-07 | 1999-02-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photosensitive quinolone compounds and a process of preparation |
KR100508699B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2005-08-17 | 학교법인 한양학원 | Afm 리소그래피용 아조 화합물 레지스트 |
KR100620672B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2006-09-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 조성물 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3567453A (en) * | 1967-12-26 | 1971-03-02 | Eastman Kodak Co | Light sensitive compositions for photoresists and lithography |
US3668197A (en) * | 1969-07-22 | 1972-06-06 | Merck & Co Inc | Esters and amides of (diazomethyl) phosphonic acid |
GB1529552A (en) * | 1977-05-31 | 1978-10-25 | Hercules Inc | Photocrosslinkable polymers |
US4207107A (en) * | 1978-08-23 | 1980-06-10 | Rca Corporation | Novel ortho-quinone diazide photoresist sensitizers |
US4339522A (en) * | 1979-06-18 | 1982-07-13 | International Business Machines Corporation | Ultra-violet lithographic resist composition and process |
DE3126627A1 (de) * | 1981-07-06 | 1983-01-20 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Polyvinylmethylphosphinsaeure, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
US4522911A (en) * | 1983-06-28 | 1985-06-11 | International Business Machines Corporation | Deep ultra-violet lithographic resists with diazohomotetramic acid compounds |
-
1985
- 1985-03-28 US US06/717,254 patent/US4601969A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-24 JP JP60289539A patent/JPS61223837A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-08 CA CA000499173A patent/CA1221864A/en not_active Expired
- 1986-03-14 DE DE8686103438T patent/DE3662317D1/de not_active Expired
- 1986-03-14 EP EP86103438A patent/EP0195986B1/en not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01211255A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Terumo Corp | パターンが形成された基板の製法 |
WO1989007787A1 (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Method of preparing substrate having pattern formed thereon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0195986A2 (en) | 1986-10-01 |
DE3662317D1 (en) | 1989-04-13 |
JPH0415463B2 (ja) | 1992-03-18 |
EP0195986A3 (en) | 1987-02-04 |
EP0195986B1 (en) | 1989-03-08 |
CA1221864A (en) | 1987-05-19 |
US4601969A (en) | 1986-07-22 |
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