JPH09127699A - ポジチブ処理用の感放射線組成物およびこれを使用するレリーフ構造体の製造方法 - Google Patents
ポジチブ処理用の感放射線組成物およびこれを使用するレリーフ構造体の製造方法Info
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- JPH09127699A JPH09127699A JP8240820A JP24082096A JPH09127699A JP H09127699 A JPH09127699 A JP H09127699A JP 8240820 A JP8240820 A JP 8240820A JP 24082096 A JP24082096 A JP 24082096A JP H09127699 A JPH09127699 A JP H09127699A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 極めて良好な光学的感応性を有する、感放射
線組成物および改善されたコントラストを示すレリーフ
構造体を提供する。 【解決手段】 （ａ）酸不安定基を含有し、水に不溶性
であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対して可溶
性になる少なくとも１種類のポリマー、（ｂ）化学作用
線の作用下に酸を形成する少なくとも１種類の有機化合
物、および（ｃ）上記（ｂ）とは異なる、少なくとも１
種類のさらに他の有機化合物を含有し、上記ポリマー
（ａ）が、下式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ） で表わされる単位を、単位（Ｉ）が３５−７０モル％、
単位（ＩＩ）が３５−５０モル％、単位（ＩＩＩ）が０
−１５モル％の割合でポリマー構造単位として含有す
る、ポジチブ処理用の感放射線組成物。
線組成物および改善されたコントラストを示すレリーフ
構造体を提供する。 【解決手段】 （ａ）酸不安定基を含有し、水に不溶性
であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対して可溶
性になる少なくとも１種類のポリマー、（ｂ）化学作用
線の作用下に酸を形成する少なくとも１種類の有機化合
物、および（ｃ）上記（ｂ）とは異なる、少なくとも１
種類のさらに他の有機化合物を含有し、上記ポリマー
（ａ）が、下式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ） で表わされる単位を、単位（Ｉ）が３５−７０モル％、
単位（ＩＩ）が３５−５０モル％、単位（ＩＩＩ）が０
−１５モル％の割合でポリマー構造単位として含有す
る、ポジチブ処理用の感放射線組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸不安定基を有
し、光化学的に活性の組成分から成り、かつ化学作用線
に感応し、改善されたコントラストを示す、ポジチブ処
理用間放射線組成物に関する。このような感放射線組成
物は、レリーフパターン構造体、ことに印刷版体を製造
するための単一層フォトレジストの材料として特に適す
る。
し、光化学的に活性の組成分から成り、かつ化学作用線
に感応し、改善されたコントラストを示す、ポジチブ処
理用間放射線組成物に関する。このような感放射線組成
物は、レリーフパターン構造体、ことに印刷版体を製造
するための単一層フォトレジストの材料として特に適す
る。
【０００２】
【従来の技術】化学的強化ないしケミカルリインフォー
スメントの原理に基づく、ポジチブ処理用の感放射線組
成物は、それ自体公知である。一次的な光化学反応が、
放射線と無関係に特定の物質を形成し、次いで触媒的に
二次反応が開始されて、感放射線性を劇的に増大させ
る。光化学的に強酸をもたらし、次いで二次反応におい
て酸不安定基を裂開する組成物は、例えば米国特許３９
２３５１４号、同３９１５７０６号各明細書および西独
特願公開３４０６９２７号公報に開示されている。
スメントの原理に基づく、ポジチブ処理用の感放射線組
成物は、それ自体公知である。一次的な光化学反応が、
放射線と無関係に特定の物質を形成し、次いで触媒的に
二次反応が開始されて、感放射線性を劇的に増大させ
る。光化学的に強酸をもたらし、次いで二次反応におい
て酸不安定基を裂開する組成物は、例えば米国特許３９
２３５１４号、同３９１５７０６号各明細書および西独
特願公開３４０６９２７号公報に開示されている。
【０００３】このようなフォトレジストのコントラス
ト、すなわち非露出部分と露出部分との間の鮮鋭な差異
は、レジストの重要な挙動特性である。従って、このコ
ントラストを改善する方法が、常に求められている。
ト、すなわち非露出部分と露出部分との間の鮮鋭な差異
は、レジストの重要な挙動特性である。従って、このコ
ントラストを改善する方法が、常に求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、この技術分野
における課題ないし本発明の目的は、極めて良好な光学
的感応性、良好な処理許容度、ことに露出許容度、各処
理工程間において層厚さのロスがない、感放射線組成物
および改善されたコントラストを示すレリーフ構造体を
提供することである。
における課題ないし本発明の目的は、極めて良好な光学
的感応性、良好な処理許容度、ことに露出許容度、各処
理工程間において層厚さのロスがない、感放射線組成物
および改善されたコントラストを示すレリーフ構造体を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】しかるに上述の課題ない
し目的は、（ａ）酸不安定基を含有し、水に不溶性であ
るが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対して可溶性に
なる少なくとも１種類のポリマー、（ｂ）化学作用線の
作用下に酸を形成する少なくとも１種類の有機化合物、
および（ｃ）上記（ｂ）とは異なる、少なくとも１種類
のさらに他の有機化合物を含有し、上記ポリマー（ａ）
が、下式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）
し目的は、（ａ）酸不安定基を含有し、水に不溶性であ
るが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対して可溶性に
なる少なくとも１種類のポリマー、（ｂ）化学作用線の
作用下に酸を形成する少なくとも１種類の有機化合物、
および（ｃ）上記（ｂ）とは異なる、少なくとも１種類
のさらに他の有機化合物を含有し、上記ポリマー（ａ）
が、下式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）
【０００６】
【化４】 で表わされる単位を、単位（Ｉ）が３５−７０モル％、
単位（ＩＩ）が３５−５０モル％、単位（ＩＩＩ）が０
−１５モル％の割合でポリマー構造単位として含有し、
上記有機化合物（ｂ）が、下式（ＩＶ）
単位（ＩＩ）が３５−５０モル％、単位（ＩＩＩ）が０
−１５モル％の割合でポリマー構造単位として含有し、
上記有機化合物（ｂ）が、下式（ＩＶ）
【０００７】
【化５】 で表わされるスルホニウム塩であり、上記有機化合物
（ｃ）が、下式（Ｖ）
（ｃ）が、下式（Ｖ）
【０００８】
【化６】 で表わされ、かつＲ′、Ｒ′′が相互に同じでも異なっ
てもよく、それぞれ炭素原子数１から４のアルキルを意
味するか、あるいはＲ′、Ｒ′′がＣＨ2 を介して相互
に合体して５員環を形成し、Ｒ′′′が炭素原子１から
４のアルキルを意味することを特徴とする、ポジチブ処
理用の感放射線組成物により解決ないし達成されること
が本発明者らにより見出された。
てもよく、それぞれ炭素原子数１から４のアルキルを意
味するか、あるいはＲ′、Ｒ′′がＣＨ2 を介して相互
に合体して５員環を形成し、Ｒ′′′が炭素原子１から
４のアルキルを意味することを特徴とする、ポジチブ処
理用の感放射線組成物により解決ないし達成されること
が本発明者らにより見出された。
【０００９】上記有機化合物（ｃ）の式（Ｖ）において
Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′はそれぞれがいずれもＣＨ3 を
意味するのが好ましい。
Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′はそれぞれがいずれもＣＨ3 を
意味するのが好ましい。
【００１０】本発明によるこの新規組成物は、有機溶媒
ないし混合溶媒中溶液の形態であるのが好ましい。
ないし混合溶媒中溶液の形態であるのが好ましい。
【００１１】組成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、組成物
（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）全量に対して、それぞれ（ａ）
９０から９７．９９重量％、（ｂ）２から８重量％、
（ｃ）０．０１から２重量％の割合で含有されるのが好
ましい。
（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）全量に対して、それぞれ（ａ）
９０から９７．９９重量％、（ｂ）２から８重量％、
（ｃ）０．０１から２重量％の割合で含有されるのが好
ましい。
【００１２】本発明は、またこの感放射線組成物を使用
して、広義の感光性被覆剤を製造する方法に関する。
して、広義の感光性被覆剤を製造する方法に関する。
【００１３】本発明は、また上記間放射線組成物を、慣
用の方法で予備処理された基体シート上に施して、厚さ
０．１から５μｍの層を形成し、７０から１５０℃で乾
燥し、化学作用線に画像形成露出し、必要に応じて４０
から６０℃で後処理焼付けし、アルカリ水溶液で現像す
ることによりレリーフ構造体を製造する方法に関する。
用の方法で予備処理された基体シート上に施して、厚さ
０．１から５μｍの層を形成し、７０から１５０℃で乾
燥し、化学作用線に画像形成露出し、必要に応じて４０
から６０℃で後処理焼付けし、アルカリ水溶液で現像す
ることによりレリーフ構造体を製造する方法に関する。
【００１４】本発明による感放射線組成物は、ＵＶ線低
吸収性において秀れており、従ってレリーフに鮮鋭な凸
凹側壁をもたらし、極めて良好な感光度（約３０ｍＪ／
ｃｍ2 ）を有し、従って深ＵＶステッパで処理するのに
極めて適している。さらに極めて重要な利点は、コント
ラストおよび焦点深度が改善され、層厚さに変動があっ
ても０．２５μｍのパターンが再現可能に形成され得
る。
吸収性において秀れており、従ってレリーフに鮮鋭な凸
凹側壁をもたらし、極めて良好な感光度（約３０ｍＪ／
ｃｍ2 ）を有し、従って深ＵＶステッパで処理するのに
極めて適している。さらに極めて重要な利点は、コント
ラストおよび焦点深度が改善され、層厚さに変動があっ
ても０．２５μｍのパターンが再現可能に形成され得
る。
【００１５】露出ウエーハの極めて良好な処理許容度は
特に有利であって、ウエーハは露出処理１時間を経過し
た後でも再現可能にパターン形成されており、加熱焼付
け、現像の各処理工程間において層厚さのロスをもたら
さない。
特に有利であって、ウエーハは露出処理１時間を経過し
た後でも再現可能にパターン形成されており、加熱焼付
け、現像の各処理工程間において層厚さのロスをもたら
さない。
【００１６】本発明による感放射線組成物の各組成分に
つき、以下において逐次詳述する。
つき、以下において逐次詳述する。
【００１７】（ａ）本発明に使用されるべきポリマー
（ａ）は、一般的に２０００から１０００００、ことに
４０００から３００００の分子量ＭＷを有し、例えばポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ことに非芳香族環式ア
ルコール単位、（ビニルシクロヘキサノール−４単位）
を１５モル％まで含有するポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ
ン）を、酸の存在下において、対応する量のテトラヒド
ロピランと、重合類似反応により製造され得る。この適
当な製造方法は、例えばヨーロッパ特願公告３４２４９
８号公報（西独特願公開３８１７０１２号公報）に記載
されている。
（ａ）は、一般的に２０００から１０００００、ことに
４０００から３００００の分子量ＭＷを有し、例えばポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ことに非芳香族環式ア
ルコール単位、（ビニルシクロヘキサノール−４単位）
を１５モル％まで含有するポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ
ン）を、酸の存在下において、対応する量のテトラヒド
ロピランと、重合類似反応により製造され得る。この適
当な製造方法は、例えばヨーロッパ特願公告３４２４９
８号公報（西独特願公開３８１７０１２号公報）に記載
されている。
【００１８】本発明により使用されるべきポリマー
（ａ）を製造するために適当な他の出発材料は、日本国
特願公開平１−１０３６０４号公報、ヨーロッパ特願公
開４０１４９９号公報に記載されている、部分的水素化
ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）である。
（ａ）を製造するために適当な他の出発材料は、日本国
特願公開平１−１０３６０４号公報、ヨーロッパ特願公
開４０１４９９号公報に記載されている、部分的水素化
ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）である。
【００１９】ポリマー（ａ）は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、
（ＩＩＩ）の各単位を、（Ｉ）３５から７０モル％、
（ＩＩ）３０から５０モル％、（ＩＩＩ）０から１５モ
ル％の割合で含有する。
（ＩＩＩ）の各単位を、（Ｉ）３５から７０モル％、
（ＩＩ）３０から５０モル％、（ＩＩＩ）０から１５モ
ル％の割合で含有する。
【００２０】ポリマー（ａ）が式（ＩＩ）の単位を全く
含有しない場合には、式（Ｉ）の単位を５０±７０モル
％、式（ＩＩ）の単位を３０±５０モル％含有する。
含有しない場合には、式（Ｉ）の単位を５０±７０モル
％、式（ＩＩ）の単位を３０±５０モル％含有する。
【００２１】しかしながら、ポリマー（ａ）は、式（Ｉ
ＩＩ）の単位を、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の構
造単位合計モル％に対して、２から１５モル％、ことに
６から１４モル％含有するのが好ましい。この場合、ポ
リマー（ａ）は、式（Ｉ）の構造単位を一般的に３７か
ら６０モル％、ことに３８から５８モル％、、式（Ｉ
Ｉ）の構造単位を３８から４８モル％含有する。
ＩＩ）の単位を、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の構
造単位合計モル％に対して、２から１５モル％、ことに
６から１４モル％含有するのが好ましい。この場合、ポ
リマー（ａ）は、式（Ｉ）の構造単位を一般的に３７か
ら６０モル％、ことに３８から５８モル％、、式（Ｉ
Ｉ）の構造単位を３８から４８モル％含有する。
【００２２】組成分（ａ）は、本発明による感放射線組
成物中において、組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計
量に対して、一般的に９０から９７．９９重量％、こと
に９３から９６重量％の割合で含有されるのが好まし
い。
成物中において、組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計
量に対して、一般的に９０から９７．９９重量％、こと
に９３から９６重量％の割合で含有されるのが好まし
い。
【００２３】（ｂ）本発明によれば、有機化合物（ｂ）
として、化学作用線の作用下に酸を形成する式（ＩＶ）
のスルホニウム塩が使用される。このスルホニウム塩の
製造方法は公知であって、例えばＪ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃ
ｉ．Ｃｈｅｍ．１８版（１９８０）の１０２１頁に記載
されている方法により製造され得る。この有機化合物
（ｂ）は、本発明による感放射線組成物中において、組
成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計量に対して、一般的
に２から８重量部、ことに３から６重量部の割合で存在
する。
として、化学作用線の作用下に酸を形成する式（ＩＶ）
のスルホニウム塩が使用される。このスルホニウム塩の
製造方法は公知であって、例えばＪ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃ
ｉ．Ｃｈｅｍ．１８版（１９８０）の１０２１頁に記載
されている方法により製造され得る。この有機化合物
（ｂ）は、本発明による感放射線組成物中において、組
成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計量に対して、一般的
に２から８重量部、ことに３から６重量部の割合で存在
する。
【００２４】（ｃ）本発明において使用されるべき有機
化合物（ｃ）は、前記式（Ｖ）で表わされ、Ｒ′、
Ｒ′′、Ｒ′′′が、相互に同じでも異なってもよく、
それぞれ炭素原子数１から４のアルキル、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチルを意味し、あるいはＲ′がＣＨ2 を介してＲ2
と合体して５員環を形成する場合の化合物である。
Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がそれぞれＣＨ3 を意味する場
合の化合物がことに好ましい。
化合物（ｃ）は、前記式（Ｖ）で表わされ、Ｒ′、
Ｒ′′、Ｒ′′′が、相互に同じでも異なってもよく、
それぞれ炭素原子数１から４のアルキル、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチルを意味し、あるいはＲ′がＣＨ2 を介してＲ2
と合体して５員環を形成する場合の化合物である。
Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がそれぞれＣＨ3 を意味する場
合の化合物がことに好ましい。
【００２５】このような化合物（ｃ）は、例えば２−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピルフェニルジア
ルキルスルホニウムトリフラートと、ほぼ当モル量のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドとをアルカノール
のような不活性溶媒中で反応させることにより得られ
る。
チル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピルフェニルジア
ルキルスルホニウムトリフラートと、ほぼ当モル量のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドとをアルカノール
のような不活性溶媒中で反応させることにより得られ
る。
【００２６】組成分（ｃ）は、本発明の組成物中におい
て、組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計量に対し、一
般的に０．０１から２重量％、ことに０．０５から１重
量％の割合で存在するのが好ましい、本発明による感放
射線組成物は、附可的に他の慣用助剤および添加剤（増
感剤、着色剤、レベリング剤、湿潤剤、安定剤など）を
含有してもよい。これら添加剤は、組成分（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）合計量に対し、一般的に３重量％以下の
量で添加される。
て、組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計量に対し、一
般的に０．０１から２重量％、ことに０．０５から１重
量％の割合で存在するのが好ましい、本発明による感放
射線組成物は、附可的に他の慣用助剤および添加剤（増
感剤、着色剤、レベリング剤、湿潤剤、安定剤など）を
含有してもよい。これら添加剤は、組成分（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）合計量に対し、一般的に３重量％以下の
量で添加される。
【００２７】レジストを調製するため、上述した感放射
線組成物は、適当な不活性、極性有機溶媒中に溶解せし
められ、固体分５から４０重量％の溶液になされる。適
当な溶媒は、原則的に脂肪族ケトン、アルコール、エー
テル、エステル、これらの混合溶媒である。エチルセロ
ソルブ、ブチルグリコール、メチルセロソルブ、１−メ
トキシ−２−プロパノールのようなアルキレングリコー
ルモノアルキルエーテル、メチルセロソルブアセター
ト、メチルプロピレングリコールアセタートのようなア
ルキレングリコールアルキルエーテルエステル、シクロ
ヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトンの
ようなケトン類、ブチルアセタート、エチルアセタート
のようなアセタート類、エチルラクタート、ブチロラク
トンのようなその他のエステル、これらとトルエン、キ
シレンのような芳香族溶媒との混合溶媒がことに好まし
い。適当な溶媒、混合溶媒の選定は、それぞれの場合の
組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）混合物の溶解性に応じて
なされる。
線組成物は、適当な不活性、極性有機溶媒中に溶解せし
められ、固体分５から４０重量％の溶液になされる。適
当な溶媒は、原則的に脂肪族ケトン、アルコール、エー
テル、エステル、これらの混合溶媒である。エチルセロ
ソルブ、ブチルグリコール、メチルセロソルブ、１−メ
トキシ−２−プロパノールのようなアルキレングリコー
ルモノアルキルエーテル、メチルセロソルブアセター
ト、メチルプロピレングリコールアセタートのようなア
ルキレングリコールアルキルエーテルエステル、シクロ
ヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトンの
ようなケトン類、ブチルアセタート、エチルアセタート
のようなアセタート類、エチルラクタート、ブチロラク
トンのようなその他のエステル、これらとトルエン、キ
シレンのような芳香族溶媒との混合溶媒がことに好まし
い。適当な溶媒、混合溶媒の選定は、それぞれの場合の
組成分（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）混合物の溶解性に応じて
なされる。
【００２８】さらに、接着促進剤、可塑剤のようなその
他の添加剤も１重量％までの量割合で添加され得る。
他の添加剤も１重量％までの量割合で添加され得る。
【００２９】本発明による新規の感放射線組成物は、Ｘ
線、電子線、紫外線に対して感応する。組成物を比較的
長波長のＵＶ線から可視波長帯域に至るまでの光線に感
応させるため、ピレン、ペリレンなどの増感剤を添加し
てもよい。特殊波長帯域、例えば短波長ＵＶ（３００ｎ
ｍ以下）の露出のため、特殊波長帯域における層の高度
の透明性が要求される。水銀灯を使用する慣用の露出装
置において、２５４ｎｍ波長またはエキシマレーザ光
（２４８ｎｍ）が使用される。従って、感放射線記録材
料は、この波長帯域において極めて低い光学的密度を持
たねばならない。感放射線被覆材料およびポジチブ処理
レリーフ構造体を製造するため、本発明による感放射線
組成物から構成される感放射線記録層は、このような放
射線に画像形成露出され、４０から１６０℃で後処理焼
付けされてから、アルカリ水溶液で現像される。記録層
の露出された部分の溶解性は増大せしめられ、従って現
像処理によりこの部分は選択的に洗除され得る。
線、電子線、紫外線に対して感応する。組成物を比較的
長波長のＵＶ線から可視波長帯域に至るまでの光線に感
応させるため、ピレン、ペリレンなどの増感剤を添加し
てもよい。特殊波長帯域、例えば短波長ＵＶ（３００ｎ
ｍ以下）の露出のため、特殊波長帯域における層の高度
の透明性が要求される。水銀灯を使用する慣用の露出装
置において、２５４ｎｍ波長またはエキシマレーザ光
（２４８ｎｍ）が使用される。従って、感放射線記録材
料は、この波長帯域において極めて低い光学的密度を持
たねばならない。感放射線被覆材料およびポジチブ処理
レリーフ構造体を製造するため、本発明による感放射線
組成物から構成される感放射線記録層は、このような放
射線に画像形成露出され、４０から１６０℃で後処理焼
付けされてから、アルカリ水溶液で現像される。記録層
の露出された部分の溶解性は増大せしめられ、従って現
像処理によりこの部分は選択的に洗除され得る。
【００３０】本発明の感放射線組成物を含有するフォト
レジスト溶液は、適当な基体シート、例えば表面酸化シ
リコンウエーハ上にスピンコーティング法で施されて、
厚さ０．１から５μｍ、ことに０．５から１．５μｍ厚
さの層になされ、乾燥され、（例えば７０から１５０℃
で）、フォトマスクを介して適当な光源、例えば短波長
（２００から３００ｎｍ）の紫外線（デイプＵＶ）に露
出される。ことに適当な光源はＫｒＦエキシマレーザ光
（２４８ｎｍ）である。画像形成露出後、必要に応じて
１６０℃までの温度で後処理焼付けされ、慣用の一般に
ｐＨ１２から１４のアルカリ水溶液で現像される。これ
により層の露出された部分が洗除される。解像力はサブ
ミクロンの範囲にある。本発明による感放射線組成物に
要求される露出エネルギーは、層厚さ１μｍで、１０か
ら３００ｍＪ／ｃｍ2 である。
レジスト溶液は、適当な基体シート、例えば表面酸化シ
リコンウエーハ上にスピンコーティング法で施されて、
厚さ０．１から５μｍ、ことに０．５から１．５μｍ厚
さの層になされ、乾燥され、（例えば７０から１５０℃
で）、フォトマスクを介して適当な光源、例えば短波長
（２００から３００ｎｍ）の紫外線（デイプＵＶ）に露
出される。ことに適当な光源はＫｒＦエキシマレーザ光
（２４８ｎｍ）である。画像形成露出後、必要に応じて
１６０℃までの温度で後処理焼付けされ、慣用の一般に
ｐＨ１２から１４のアルカリ水溶液で現像される。これ
により層の露出された部分が洗除される。解像力はサブ
ミクロンの範囲にある。本発明による感放射線組成物に
要求される露出エネルギーは、層厚さ１μｍで、１０か
ら３００ｍＪ／ｃｍ2 である。
【００３１】本発明による感放射線組成物は、高感応
性、良好な解像力、改善されたコントラスト、改善され
た焦点深度、大きい処理許容度において秀れており、従
って短波長帯域におけるリトグラフィーにことに適す
る。
性、良好な解像力、改善されたコントラスト、改善され
た焦点深度、大きい処理許容度において秀れており、従
って短波長帯域におけるリトグラフィーにことに適す
る。
【００３２】以下の実施例、対比例により、本発明の利
点、従ってその技術的進歩性を実証する。ここで使用さ
れる部、パーセントは、特に明確にされない限り、すべ
て重量に関する。
点、従ってその技術的進歩性を実証する。ここで使用さ
れる部、パーセントは、特に明確にされない限り、すべ
て重量に関する。
【００３３】なお焦点深度は、米国Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ Ｗｏｒｌｄの１９９５年春の集会にお
いてクリス．Ａ．マックの発表報告の記録２０、２１頁
に開示された方法に類似する方法で測定された。
ｏｇｒａｐｈｙ Ｗｏｒｌｄの１９９５年春の集会にお
いてクリス．Ａ．マックの発表報告の記録２０、２１頁
に開示された方法に類似する方法で測定された。
【００３４】ガンマ値（Гｐ）で表わされるフォトレジ
ストのコントラストは、露出線量に対する層厚さをプロ
ットして測定された。ポジチブレジストに関して、ガン
マ値は下式で定義される。
ストのコントラストは、露出線量に対する層厚さをプロ
ットして測定された。ポジチブレジストに関して、ガン
マ値は下式で定義される。
【００３５】
【数１】 ここで、Ｄ０、Ｄ１は暗失活エネルギーカーブから補外
された露出エネルギーである。
された露出エネルギーである。
【００３６】対比例１ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：４５：
６）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。出発材料が溶解してから、０．２
μｍ網目のフィルターで濾過した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：４５：
６）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。出発材料が溶解してから、０．２
μｍ網目のフィルターで濾過した。
【００３７】この溶液を表面酸化シリコンウエーハ上に
スピンコーティング法で施し、約０．８μｍ厚さの層を
形成し、１３０℃で１分間乾燥した。パターンテストマ
スクを介して、２４８ｎｍ波長のエキシマレーザ光に露
出し、このウエーハを１３０℃で１分間後処理焼付け
し、アルカリ水溶液で１分間現像した。
スピンコーティング法で施し、約０．８μｍ厚さの層を
形成し、１３０℃で１分間乾燥した。パターンテストマ
スクを介して、２４８ｎｍ波長のエキシマレーザ光に露
出し、このウエーハを１３０℃で１分間後処理焼付け
し、アルカリ水溶液で１分間現像した。
【００３８】フォトレジスト層を観察し、レジストのコ
ントラストを測定したところ６のガンマ値を示した。
ントラストを測定したところ６のガンマ値を示した。
【００３９】実施例１ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：４５：６）
および４００部のエチルラクタートからフォトレジスト
溶液を調製した。得られた溶液を０．２μｍ網目のフィ
ルターで濾過し、対比例１と同様に処理した。この場合
のガンマ値は８を示した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：４５：６）
および４００部のエチルラクタートからフォトレジスト
溶液を調製した。得られた溶液を０．２μｍ網目のフィ
ルターで濾過し、対比例１と同様に処理した。この場合
のガンマ値は８を示した。
【００４０】対比例２ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝５２：４０：
８）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍ網目のフィル
ターで濾過した。この場合のレジスト値は６．５を示し
た。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝５２：４０：
８）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍ網目のフィル
ターで濾過した。この場合のレジスト値は６．５を示し
た。
【００４１】実施例２ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝５２：４０：８）
および４００部のエチルラクタートからフォトレジスト
溶液を調製した。この場合のガンマ値は９を示した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝５２：４０：８）
および４００部のエチルラクタートからフォトレジスト
溶液を調製した。この場合のガンマ値は９を示した。
【００４２】対比例３ ６部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９４部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４０：４７：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、０．２μｍ網目のフィルターで濾過
した。この場合のガンマ値は６．５であった。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９４部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４０：４７：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、０．２μｍ網目のフィルターで濾過
した。この場合のガンマ値は６．５であった。
【００４３】実施例３ ６部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９４部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーの当モル割合＝４７：４０：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は１０を示し
た。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９４部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーの当モル割合＝４７：４０：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は１０を示し
た。
【００４４】対比例４ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４２：４５：１
３）および３４５部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍ網目のフィル
ターで濾過した。この溶液を表面酸化シリコンウエーハ
上に施し、約１μｍ厚さの層を形成した。この場合のガ
ンマ値は７．５であった。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４２：４５：１
３）および３４５部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍ網目のフィル
ターで濾過した。この溶液を表面酸化シリコンウエーハ
上に施し、約１μｍ厚さの層を形成した。この場合のガ
ンマ値は７．５であった。
【００４５】実施例４ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１５
部の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝４２：４５：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は１２を示し
た。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１５
部の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサノ
ール−４］（コモノマーのモル割合＝４２：４５：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は１２を示し
た。
【００４６】対比例５ ４部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９６部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：３８：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は６．４であ
った。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９６部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロヘキサ
ノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：３８：１
３）および４００部のエチルラクタートからフォトレジ
スト溶液を調製した。この場合のガンマ値は６．４であ
った。
【００４７】実施例５ ４部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１５
部の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、
Ｒ′′′がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９
６部のポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロ
ヘキサノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：３
８：１３）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジスト溶液を調製した。この場合のガンマ値は９を
示した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１５
部の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、
Ｒ′′′がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９
６部のポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロ
ヘキサノール−４］（コモノマーのモル割合＝４９：３
８：１３）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジスト溶液を調製した。この場合のガンマ値は９を
示した。
【００４８】上記各実施例１、２、３、４、５による本
発明組成分（ｃ）の添加は、フォトレジストの特性を明
らかに改善する。これはまた焦点深度を改善し、これに
より処理許容度が大きくなる。
発明組成分（ｃ）の添加は、フォトレジストの特性を明
らかに改善する。これはまた焦点深度を改善し、これに
より処理許容度が大きくなる。
【００４９】実施例６ 実施例１により得られたフォトレジスト溶液をシリコン
ウエーハ（直径２００ｎｍ）上に厚さ１００ｎｍの反射
コーティング装置（例えば米国ミズーリ州ローラのブル
ーアー、サイエンス、インコーポレーテッドのＡＲＣ
ＣＤ９）により施し、厚さ７００ｎｍの層を形成し、１
３０℃で乾燥した。
ウエーハ（直径２００ｎｍ）上に厚さ１００ｎｍの反射
コーティング装置（例えば米国ミズーリ州ローラのブル
ーアー、サイエンス、インコーポレーテッドのＡＲＣ
ＣＤ９）により施し、厚さ７００ｎｍの層を形成し、１
３０℃で乾燥した。
【００５０】ＡＳＭリトグラフィー社製のウエーハステ
ッパでそれぞれ異なる焦点深度で画像形成露出し、後処
理焼付けし、噴霧現像機でアルカリ水溶液により現像し
た。
ッパでそれぞれ異なる焦点深度で画像形成露出し、後処
理焼付けし、噴霧現像機でアルカリ水溶液により現像し
た。
【００５１】焦点深度を測定するため、それぞれ異なる
焦点で形成された線条の幅を測定した。その結果を下表
に示す。
焦点で形成された線条の幅を測定した。その結果を下表
に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】これに対して、組成分（ｃ）を添加しない
対比例１の対照試料は、下表に示されるように貧弱な結
果を示した。
対比例１の対照試料は、下表に示されるように貧弱な結
果を示した。
【００５４】
【表２】
【００５５】対比例７ さらに３部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプ
ロピルフェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９
７部のポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロ
ヘキサノール−４］（コモノマーのモル割合＝４６：４
５：９）および４００部のエチルラクタートからフォト
レジスト溶液を調製し、実施例６と同様に処理した。２
５０ｎｍの大きい幅を有する線条を観測して以下の結果
を得た。
ロピルフェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９
７部のポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン−ｃｏ−ビニルシクロ
ヘキサノール−４］（コモノマーのモル割合＝４６：４
５：９）および４００部のエチルラクタートからフォト
レジスト溶液を調製し、実施例６と同様に処理した。２
５０ｎｍの大きい幅を有する線条を観測して以下の結果
を得た。
【００５６】
【表３】
【００５７】実施例７ 上記対比例のレジストに、０．１部の有機化合物（ｃ）
（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がすべてメチルを意
味する場合の化合物）を添加したところ、下表に示され
る良好な結果を得た。
（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がすべてメチルを意
味する場合の化合物）を添加したところ、下表に示され
る良好な結果を得た。
【００５８】
【表４】
【００５９】対比例８ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝
６０：４０）および４００部のエチルラクタートからフ
ォトレジスト溶液を調製し、０．２μｍの網目のフィル
ターで濾過した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９５部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝
６０：４０）および４００部のエチルラクタートからフ
ォトレジスト溶液を調製し、０．２μｍの網目のフィル
ターで濾過した。
【００６０】この溶液を表面酸化シリコンウエーハ上に
スピンコーティング法で施して、約０．８μｍ厚さの層
を形成し、１３０℃で後処理焼付けした。テストマスク
を介して、波長２４８ｎｍのエキシマレーザ光に露出し
た後、ウエーハを１３０℃で１分間後処理焼付けし、次
いでアルカリ水溶液で１分間現像した。
スピンコーティング法で施して、約０．８μｍ厚さの層
を形成し、１３０℃で後処理焼付けした。テストマスク
を介して、波長２４８ｎｍのエキシマレーザ光に露出し
た後、ウエーハを１３０℃で１分間後処理焼付けし、次
いでアルカリ水溶液で１分間現像した。
【００６１】実施例１と同様に処理して、コントラスト
を測定したところ、この場合のガンマ値は、６．４であ
った。
を測定したところ、この場合のガンマ値は、６．４であ
った。
【００６２】実施例８ ５部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝６
０：４０）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジスト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍの網目
のフィルターで濾過した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の有機化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′
がすべてメチルを意味する場合の化合物）、９５部のポ
リ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝６
０：４０）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジスト溶液を調製し、この溶液を０．２μｍの網目
のフィルターで濾過した。
【００６３】実施例１と同様に処理してコントラストを
測定したところ、この場合のガンマ値は７．５を示し
た。
測定したところ、この場合のガンマ値は７．５を示し
た。
【００６４】対比例９ ４部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９６部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝
５９：４１）および４００部のエチルラクタートからフ
ォトレジストを調製し、０．２μｍの網目のフィルター
で濾過した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、９６部の
ポリ［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒド
ロピラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝
５９：４１）および４００部のエチルラクタートからフ
ォトレジストを調製し、０．２μｍの網目のフィルター
で濾過した。
【００６５】実施例１と同様に処理した後、コントラス
トを測定したところ、ガンマ値は６．５であった。
トを測定したところ、ガンマ値は６．５であった。
【００６６】実施例９ ４部の２−メチル−４−ヒドロキシ−５−イソプロピル
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がす
べてメチルを意味する場合の化合物）、９６部のポリ
［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロピ
ラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝５
９：４１）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジストを調製し、実施例１と同様に処理した。この
場合のガンマ値は８．４を示した。
フェニルジメチルスルホニウムトリフラート、０．１部
の化合物（ｃ）（式Ｖ中のＲ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がす
べてメチルを意味する場合の化合物）、９６部のポリ
［４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−テトラヒドロピ
ラニルオキシスチレン］（コモノマーのモル割合＝５
９：４１）および４００部のエチルラクタートからフォ
トレジストを調製し、実施例１と同様に処理した。この
場合のガンマ値は８．４を示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルスト、ビンダー ドイツ、68623、ラムペルトハイム、シュ ヴィムバートシュトラーセ、24
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）酸不安定基を含有し、水に不溶性
であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対して可溶
性になる少なくとも１種類のポリマー、 （ｂ）化学作用線の作用下に酸を形成する少なくとも１
種類の有機化合物、および （ｃ）上記（ｂ）とは異なる、少なくとも１種類のさら
に他の有機化合物を含有し、 上記ポリマー（ａ）が、下式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ
Ｉ） 【化１】 で表わされる単位を、 単位（Ｉ）が３５−７０モル％、 単位（ＩＩ）が３５−５０モル％、 単位（ＩＩＩ）が０−１５モル％の割合でポリマー構造
単位として含有し、 上記有機化合物（ｂ）が、下式（ＩＶ） 【化２】 で表わされるスルホニウム塩であり、 上記有機化合物（ｃ）が、下式（Ｖ） 【化３】 で表わされ、かつＲ′、Ｒ′′が相互に同じでも異なっ
てもよく、それぞれ炭素原子数１から４のアルキルを意
味するか、あるいはＲ′、Ｒ′′がＣＨ2 を介して相互
に合体して５員環を形成し、 Ｒ′′′が炭素原子１から４のアルキルを意味すること
を特徴とする、ポジチブ処理用の感放射線組成物。 - 【請求項２】 化合物（ｃ）の式（Ｖ）において、
Ｒ′、Ｒ′′、Ｒ′′′がそれぞれＣＨ3 であることを
特徴とする、請求項（１）の組成物。 - 【請求項３】 有機溶媒もしくは混合溶媒に溶解された
溶液の形態で存在することを特徴とする、請求項（１）
または（２）の組成物。 - 【請求項４】 各組成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）が、 （ａ）９０から９７．９９重量％、 （ｂ）２から８重量％、 （ｃ）０．０１から２重量％の量割合で使用されている
ことを特徴とする、請求項（１）または（２）の組成
物。 - 【請求項５】 請求項（１）から（４）のいずれかの感
放射線組成物を使用することを特徴とする感放射線コー
ティング材料の製造方法。 - 【請求項６】 請求項（１）から（４）のいずれかの感
放射線組成物溶液を、慣用の態様で予備処理された基体
上に施して０．１から５μｍの厚さの層を形成し、７０
から１５０℃で乾燥し、化学作用線に画像形成露出し、
必要であれば４０−１６０℃で後処理焼付けし、アルカ
リ水溶液で現像することを特徴とするレリーフ構造体の
製造方法。
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