KR20010018077A - 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 - Google Patents
노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010018077A KR20010018077A KR1019990033886A KR19990033886A KR20010018077A KR 20010018077 A KR20010018077 A KR 20010018077A KR 1019990033886 A KR1019990033886 A KR 1019990033886A KR 19990033886 A KR19990033886 A KR 19990033886A KR 20010018077 A KR20010018077 A KR 20010018077A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- formula
- photoresist
- compound
- hydrogen
- substituted alkyl
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/30—Compounds having groups
- C07C43/305—Compounds having groups having acetal carbon atoms as rings members or bound to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
- C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
- C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Polymerization Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 원자외선 영역에서 사용될 수 있는 새로운 포토레지스트 물질에 관한 것으로, 하기 화학식 1의 단량체로 구성되는 중합체를 함유하는 본 발명의 포토레지스트 조성물은 우수한 에칭 내성 및 내열성을 가질 뿐만 아니라 원자외선 영역, 특히 ArF 용 레지스트의 노광후 지연 안정성 (post exposure delay stability)을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
[화학식 1]
상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R5, Z 및 o 는 명세서에 정의한 바와 같다.
Description
본 발명은 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 중합체 및 그 중합체를 이용한 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고집적 반도체 소자의 미세회로 제조시 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에서 외부 아민의 오염에 민감하지 않은 포토레지스트 중합체 및 그 중합체를 함유한 포토레지스트 조성물 및 이들의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조의 미세가공 공정에서 고감도를 달성하기 위하여, 근래에는 KrF (249nm), ArF (193nm) 또는 EUV와 같은 화학증폭성인 원자외선 (DUV: Deep Ultra Violet) 영역의 광원을 사용하는 리소그래피에 적합한 포토레지스트가 각광을 받고 있으며, 이러한 포토레지스트는 광산 발생제 (photoacid generator)와 산에 민감하게 반응하는 구조의 포토레지스트용 중합체를 배합하여 제조된다.
이러한 포토레지스트의 작용 기전은 광산 발생제가 광원으로부터 자외선을 받게 되면 산을 발생시키고, 이렇게 발생된 산에 의해 매트릭스 고분자의 주쇄 또는 측쇄가 반응하여 분해되거나 고분자의 극성이 크게 변하여, 현상액에 의해 용해되어 없어지게 된다. 반면, 빛을 받지 않은 부분은 본래의 구조를 그대로 갖기 때문에 현상액에 녹아 없어지지 않게 된다. 이렇게 하여 마스크의 상을 기판 위에 양화상으로 남길 수 있게 된다. 이와 같은 리소그래피 공정에서 해상도는 광원의 파장에 의존하여 광원의 파장이 작아질수록 미세 패턴을 형성시킬 수 있으며, 이에 따라 이러한 광원에 적합한 포토레지스트가 요구되고 있다.
또한, 일반적으로 포토레지스트는 우수한 에칭 내성과 내열성 및 접착성을 가져야 하며, 공지의 현상액, 예를 들어 2.38테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액에 현상 가능한 것이 공정비용을 절감할 수 있는 등, 여러 측면에서 유리하다. 그러나 이러한 모든 성질을 만족하는 중합체 특히, 원자외선용 포토레지스트를 제조하기는 매우 어렵다. 예를 들어 주쇄가 폴리아크릴레이트계인 중합체는 합성하기는 쉽지만, 에칭 내성의 확보 및 현상 공정에 문제가 있다.
이후 주쇄에 지방족환 단위체 (alicyclic unit)가 포함된 포토레지스트를 사용하여 에칭 내성을 확보하였으나, 지방족환 단위체의 도입이 실제 반도체 제조 공정에서 중대한 문제를 발생시켰는데, ArF 레지스트에 있어서의 큰 문제점 중 하나인 노광후 지연 안정성 (post exposure delay stability)은 아직까지 해결되지 않은 실정이다.
즉, 반도체 제조 공정에서 노광한 다음 열처리할 때까지 시간이 지체됨에 따라 노광후 레지스트 내에 발생된 산이 외부 오염 물질, 주로 아민류의 화합물과 중화 반응하여 소멸됨으로써 현상할 때 노광 부위의 표면이 녹지 않아 미세 패턴을 얻을 수 없거나 혹은 T-top 이 발생되는 문제점이 있다.
이에 본 발명자들은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 노력하여 오던 중, 아세탈이 포함된 지방족환 화합물을 단량체로 하는 중합체가 에칭 내성 및 내열성도 우수할 뿐만 아니라, 노광후 열처리 지연에 안정한 감광제를 제조할 수 있다는 점을 알아내어 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 원자외선 영역에서 사용될 수 있으며, 노광후 열처리 지연에 간한 신규의 포토레지스트 단량체, 상기 단량체를 포함하는 중합체, 및 상기 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 노광후 지연 없이 얻어진 패턴을 나타낸 사진이고,
도 2는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 노광후 30분간 지연시킨 경우의 패턴을 나타낸 사진이며,
도 3은 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 노광후 60분간 지연시킨 경우의 패턴을 나타낸 사진이고,
도 4는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 노광후 120분간 지연시킨 경우의 패턴을 나타낸 사진이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 아세탈이 포함된 지방족환 화합물인 포토레지스트 단량체 및 그의 제조방법; 상기 단량체의 공중합체 및 그의 제조방법; 상기 공중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물; 및 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에서는 우선, 포토레지스트 단량체로 사용되는 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 식에서,
Z 는 산소, 황 또는 탄소이고,
R1및 R2는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,
R3및 R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,
R5는 수소 또는 메틸이며,
o 는 1 또는 2 이다.
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a 내지 화학식 1d의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 1a]
[화학식 1b]
[화학식 1c]
[화학식 1d]
상기 화학식 1의 화합물은 하기와 같은 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조된다:
(a) 하기 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물을 반응시켜 화학식 4의 화합물을 얻는 단계;
(b) 화학식 4의 화합물을 촉매 존재하에서 알코올 (R1OH 또는 R2OH)과 반응시키는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 알칼리로 중화시켜 화학식 1의 화합물을 얻는 단계.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 2 내지 화학식 4에서,
Z 는 산소, 황 또는 탄소이고,
R1및 R2는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,
R3및 R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,
R5는 수소 또는 메틸이며,
o 는 1 또는 2 이다.
상기 제조방법 중 (a)단계에서는 화학식 2의 화합물을 유기 용매와 함께 -15 내지 -25℃ 까지 냉각·교반한 다음 여기에 화학식 3의 화합물을 한 방울씩 적가하여 8 내지 12시간 동안 교반하고, 미반응물 및 용매를 제거한 후 감압 증류하여 화학식 4의 화합물을 얻는다.
다음 (b) 및 (c)단계에서는, 상기 화학식 4의 화합물과 알코올 (R1OH 또는 R2OH)을 촉매 존재하에서 환류하면서 반응시키고, 환류 종료 후 알칼리로 중화한 후 감압 증류하여 목적하는 화학식 1의 화합물을 얻는다. 이 때 (b)단계의 촉매는 트리플루오로메탄설폰산 (trifluoromethanesulfonic acid)을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 제 1 단량체로 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 포토레지스트용 공중합체를 제공한다.
상기 본 발명의 공중합체는 제 2 단량체로서 하기 화학식 5의 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 5]
상기 식에서,
Y 는 산소, 황 또는 탄소이고,
R6은 수소 또는 메틸이며,
R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,
R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,
n 은 1 또는 2 이다.
본 발명의 공중합체는 또한 제 3 단량체로서 산에 민감한 보호기 (acid labile group)를 갖는 화합물을 더 포함할 수 있다. 이 때 산에 민감한 보호기를 갖는 화합물은 하기 화학식 6의 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 6]
상기 식에서,
X 는 산소, 황 또는 탄소이고,
R7은 수소 또는 메틸이며,
R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,
m 은 1 또는 2 이다.
상기 공중합체는 하기 화학식 7의 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 7]
상기 식에서,
X, Y 및 Z 는 서로 같거나 다르며, 산소, 황 또는 탄소이고,
R5, R6및 R7은 서로 같거나 다르며, 수소 또는 메틸이고,
R1, R2및 R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,
R3, R4, R8및 R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,
m, n 및 o 는 1 또는 2 이며,
a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 향상시키기 위한 방법의 하나로 레지스트 용액 중의 폴리머의 구조를 변화시키는 방법을 고려할 수 있는데, 이러한 개념의 레지스트로는 쉬어 (shear)에 의해 점도가 감소되는 레지스트 (shear thinning resist)가 있다. 이러한 쉬어에 의해 점도가 감소되는 레지스트를 제조하기 위하여는 ⅰ) 레지스트 용매로서 쉬어에 의해 점도가 감소되는 용매 (shear thinning solvent)인 비뉴튼계 용매를 사용하는 방법, ⅱ) 폴리머의 구조를 변형시키는 방법 및 ⅲ) 레지스트 용액의 온도를 조절하는 방법 등이 있다. 본 발명의 경우, 상기 방법들 중 두 번째 방법에 해당하여 폴리머의 구조를 변형시킴으로써 쉬어에 의해 점도가 감소되는 레지스트를 제조하고자 하는 것이다. 즉, 상기 본 발명의 폴리머는 기존의 포토레지스트용 폴리머와는 달리 용매 내에서 쉬어에 의해 점도가 감소되는 유체 (shear thinning fluid)처럼 존재하여 폴리머가 용매 내에서 강성 막대형 (rigid rod) 또는 타원형 (ellipsoidal) 구조를 가짐으로써 레지스트 내에 생성된 산의 증발을 막아 외부 아민에 의해 중화되어 소멸되는 것을 방지할 수 있고, 따라서 노광후 지연 안정성을 갖게 되는 것이다.
상기 화학식 7의 화합물은 분자량이 4,000 내지 12,000인 하기 화학식 7a 또는 화학식 7b의 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 7a]
[화학식 7b]
상기 식에서, a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
상기 본 발명의 공중합체는 단량체들을 통상의 라디칼 중합개시제로 라디칼 중합하여 제조할 수 있는데 그 과정은 하기와 같은 단계로 이루어진다 :
(a) 화학식 7의 공중합체를 이루는 단량체들을 유기용매에 용해시키는 단계;
(b) 상기 (a) 단계의 결과물 용액에 중합개시제를 첨가하는 단계; 및
(c) 상기 (b) 단계의 용액을 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 반응시키는 단계.
중합용매인 상기 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 중합개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 벤조일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한, 본 발명의 포토레지스트용 수지와, 유기용매와, 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
상기 광산발생제로는 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 중에서 선택되는 황화염계 또는 오니움염계 화합물이 주로 사용되며, 상기 공중합체에 대하여 0.1 내지 10 중량비율로 함유되는 것이 바람직하다. 광산발생제가 0.1 중량미만일 때는 포토레지스트의 광에 대한 민감도가 취약하게 되고, 10 중량가 초과할 때는 광산발생제가 원자외선을 많이 흡수하여 단면이 좋지 않은 패턴을 얻게 된다.
또한 상기 유기용매는 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논 및 2-헵타논으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 수지에 대해 200 내지 800 중량비율로 사용되는 것이 바람직하다. 이 비율은 원하는 두께의 포토레지스트를 얻기 위한 양이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 에칭 내성, 내열성 및 접착성이 우수할 뿐만 아니라 노광후 지연 안정성이 획기적으로 향상되어, 특히 ArF 감광막으로 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명에서는 또한 하기와 같은 단계로 이루어지는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다 :
(a) 본 발명의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계.
상기 과정에서, (b)단계의 i) 노광전 및 노광후; 또는 ii) 노광전 또는 노광후에 각각 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이러한 베이크 공정은 70 내지 200℃에서 수행된다.
또한 상기 노광공정은 광원으로서 ArF, KrF 및 EUV를 포함하는 원자외선 (DUV; Deep Ultra Violet), E-빔, X-선 또는 이온 빔을 이용하고, 1 내지 100 mJ/cm2의 노광에너지로 수행되는 것이 바람직하다.
구체적으로 상기 포토레지스트 패턴 형성방법을 예로 들면; 본 발명의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 도포하여 박막을 제조한 다음, 80 내지 170℃의 오븐 또는 열판에서 1 내지 5분간 소프트 베이크하고, 원자외선 노광장치 또는 엑시머 레이저 노광장치를 이용하여 노광한 후, 100 내지 200℃에서 노광후 베이크한다. 이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38TMAH 수용액에서 1분 30초간 침지함으로써 초미세 레지스트 화상을 얻을 수 있게 된다.
또한 본 발명에서는 상기 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 상기 패턴 형성방법에 의하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Ⅰ. 단량체의 제조
실시예 1) 화학식 1a의 단량체 합성
하기 화학식 2a의 사이클로펜타디엔 (화학식 2에 해당) 1몰과 THF 100g을 1000㎖ 라운드 플라스크에 넣고 영하 20℃까지 냉각, 교반하였다. 여기에 하기 화학식 3a의 아크롤레인 (화학식 3에 해당) 1.2몰을 한 방울씩 적가하여 10시간 동안 교반한 후 감압 증발기로 미반응물 및 용매를 제거하고 40℃에서 감압 증류하여 하기 화학식 4a의 단량체를 얻었다 (수율:80, 106g). 하기 화학식 4a의 단량체 106g을 메탄올 400g과 함께 1000㎖ 라운드 플라스크에 넣고 여기에 트리플루오로메탄설폰산 0.1㎖를 첨가한 후 85℃에서 10시간 동안 환류시켰다. 환류 종료 후 여기에 수산화 칼륨 (KOH)을 넣어 pH 7이 되도록 중화한 후 50℃에서 감압 증류하여 하기 화학식 1a의 단량체를 얻었다 (수율:70, 74g).
[화학식 1a]
[화학식 2a]
[화학식 3a]
[화학식 4a]
실시예 2) 화학식 1b의 단량체 합성
실시예 1에서 메탄올 대신 에탄올을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반응을 수행하여 하기 화학식 1b의 단량체를 얻었다.
[화학식 1b]
Ⅱ. 중합체의 제조
실시예 3) 화학식 7a의 중합체 합성
말레익안하이드라이드 0.1몰과 하기 화학식 6a의 단량체 0.06몰, 하기 화학식 5a의 단량체 0.01몰, 상기 실시예 1에서 제조한 화학식 1a의 단량체 0.03몰, 중합개시제인 AIBN 0.5g에 테트라하이드로퓨란 20g을 250cc 플라스크에 넣고 질소 혹은 아르곤 상태에서 65℃의 온도에서 10시간 반응시켰다. 고분자 반응 완료후 에틸 에테르 용매에서 고분자 침전을 시켜 하기 화학식 7a의 중합체를 얻었다 (수율 30, 8.5g).
[화학식 5a]
[화학식 6a]
[화학식 7a]
실시예 4) 화학식 7b의 중합체 합성
실시예 3에서 화학식 1a의 단량체를 사용하는 대신 실시예 2에서 제조한 화학식 1b의 단량체를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 반응을 수행하여 하기 화학식 7b의 중합체를 얻었다.
[화학식 7b]
Ⅲ. 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴 형성
실시예 5)
실시예 3에서 제조한 화학식 7a의 중합체 20g에 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.24g을 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트 용매 160g에 녹여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
이 조성물을 실리콘 웨이퍼에 도포하여 150℃에서 90초 동안 베이크 한 후 ArF 노광장비로 노광하고 이어 140℃에서 90초 동안 다시 베이크 한 후 2.38wtTMAH 현상액에서 현상하여 0.13㎛ L/S의 초미세패턴을 얻었다.
실시예 6)
실시예 5에서 화학식 7a의 중합체 대신 실시예 4에서 제조한 화학식 7b의 중합체를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하여 패턴을 형성하였다.
실시예 7) 노광후 지연 안정성 실험
상기 실시예 5 및 실시예 6에서 제조한 포토레지스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 과정에서, 30ppb 이상의 아민 존재하에서 각각 노광후 0분, 30분, 60분 및 120분 동안 지연한 후 현상하여 패턴 크기 변화를 측정한 결과를 도 1 내지 도 4에서 나타내고, 시간의 지연에 따른 CD (선폭; Critical Dimension)의 변화를 표 1에 나타내었다.
〈표 1〉
시간(분)중합체 종류 | 0 | 30 | 60 | 120 | |
실시예 3(화학식 7a) | CD(nm)150nm 기준 | 150 | 151 | 153 | 170 |
실시예 4(화학식 7b) | CD(nm)150nm 기준 | 151 | 152 | 153 | 169 |
본 발명의 화학식 1의 단량체가 포함되지 않은 중합체 | CD(nm)150nm 기준 | 170T-top발생 | *T-top | *T-top | *T-top |
* T-top 발생으로 패턴이 제대로 형성되지 않음. |
도 1 내지 도 4 및 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이 본 발명의 포토레지스트 조성물을 사용하는 경우, 다른 감광제를 사용한 경우보다 외부 아민 오염에 민감하게 반응하지 않고 시간 지연에도 불구하고 미세 패턴을 형성할 수 있었다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 다른 감광제보다 외부 아민 오염에 민감하게 반응하지 않는 노광후 지연 안정성이 매우 우수한 감광제이므로, 초미세 패턴, 특히 ArF (193nm) 광원과 같은 극단파장 영역의 광원을 채용하는 포토리소그래피에 적합하다.
Claims (27)
- 포토레지스트 단량체로 사용되는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 화합물.[화학식 1]상기 식에서,Z 는 산소, 황 또는 탄소이고,R1및 R2는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3및 R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,R5는 수소 또는 메틸이며,o 는 1 또는 2 이다.
- 제 1항에 있어서,상기 단량체는 화학식 1a 내지 화학식 1d의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 화합물.[화학식 1a][화학식 1b][화학식 1c][화학식 1d]
- (a) 하기 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물을 반응시켜 화학식 4의 화합물을 얻는 단계;(b) 화학식 4의 화합물을 촉매 존재하에서 알코올 (R1OH 또는 R2OH)과 반응시키는 단계; 및(c) 상기 결과물을 알칼리로 중화시켜 화학식 1의 화합물을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 화합물의 제조방법.[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,Z 는 산소, 황 또는 탄소이고,R1및 R2는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3및 R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,R5는 수소 또는 메틸이며,o 는 1 또는 2 이다.
- 제 3항에 있어서,(a) 단계의 반응은 화학식 2의 화합물을 유기 용매와 함께 -15 내지 -25℃ 까지 냉각·교반한 다음 여기에 화학식 3의 화합물을 한 방울씩 적가하여 8 내지 12시간 동안 교반하고, 미반응물 및 용매를 제거한 후 감압 증류하여 화학식 4의 화합물을 얻는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 화합물의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,(b) 단계의 촉매는 트리플루오로메탄설폰산 (trifluoromethanesulfonic acid)인 것을 특징으로 하는 화학식 1의 화합물의 제조방법.
- 제 1 단량체로 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.[화학식 1]상기 식에서,Z 는 산소, 황 또는 탄소이고,R1및 R2는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3및 R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,R5는 수소 또는 메틸이며,o 는 1 또는 2 이다.
- 제 6항에 있어서,제 2 단량체로서 하기 화학식 5의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.[화학식 5]상기 식에서,Y 는 산소, 황 또는 탄소이고,R6은 수소 또는 메틸이며,R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,n 은 1 또는 2 이다.
- 제 7항에 있어서,제 3 단량체로서 산에 민감한 보호기 (acid labile group)를 갖는 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
- 제 8항에 있어서,산에 민감한 보호기를 갖는 화합물은 하기 화학식 6의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.[화학식 6]상기 식에서,X 는 산소, 황 또는 탄소이고,R7은 수소 또는 메틸이며,R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,m 은 1 또는 2 이다.
- 제 6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공중합체는 하기 화학식 7의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.[화학식 7]상기 식에서,X, Y 및 Z 는 서로 같거나 다르며, 산소, 황 또는 탄소이고,R5, R6및 R7은 서로 같거나 다르며, 수소 또는 메틸이고,R1, R2및 R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3, R4, R8및 R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,m, n 및 o 는 1 또는 2 이며,a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
- 제 10항에 있어서,상기 화학식 7의 화합물은 하기 화학식 7a 또는 화학식 7b의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.[화학식 7a][화학식 7b]상기 식에서, a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
- 제 6항에 있어서,상기 공중합체는 분자량이 4,000 내지 12,000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
- (a) 화학식 7의 공중합체를 이루는 단량체들을 유기용매에 용해시키는 단계;(b) 상기 (a) 단계의 결과물 용액에 중합개시제를 첨가하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계의 용액을 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 7의 포토레지스트용 공중합체의 제조방법.[화학식 7]상기 식에서,X, Y 및 Z 는 서로 같거나 다르며, 산소, 황 또는 탄소이고,R5, R6및 R7은 서로 같거나 다르며, 수소 또는 메틸이고,R1, R2및 R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3, R4, R8및 R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,m, n 및 o 는 1 또는 2 이며,a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
- 제 13항에 있어서,상기 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체의 제조방법.
- 제 13항에 있어서,상기 중합개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 벤조일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체의 제조방법.
- 포토레지스트용 수지와, 유기용매와, 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 포토레지스트용 수지는 하기 화학식 7의 공중합체인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.[화학식 7]상기 식에서,X, Y 및 Z 는 서로 같거나 다르며, 산소, 황 또는 탄소이고,R5, R6및 R7은 서로 같거나 다르며, 수소 또는 메틸이고,R1, R2및 R10은 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이며,R3, R4, R8및 R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 주쇄 또는 측쇄 치환된 알킬이고,m, n 및 o 는 1 또는 2 이며,a : b : c : d 는 각 단량체의 중합 몰비로서 0.50 : 0.20∼0.40 : 0.025∼0.10 : 0.05∼0.35 이다.
- 제 16항에 있어서,상기 광산발생제는 황화염계 또는 오니움염계인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
- 제 17항에 있어서,상기 광산발생제는 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 하나 또는 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
- 제 16항에 있어서,광산발생제는 포토레지스트용 수지에 대해 0.1 내지 10 중량비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
- 제 16항에 있어서,상기 유기용매는 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논 및 2-헵타논으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
- 제 16항에 있어서,상기 유기용매는 상기 포토레지스트용 수지에 대해 200 내지 800 중량비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
- (a) 제 16항 기재의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및(c) 상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 22항에 있어서,상기 (b)단계의 i) 노광전 및 노광후; 또는 ii) 노광전 또는 노광후에 각각 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 23항에 있어서,상기 베이크 공정은 70 내지 200℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 22항에 있어서,상기 노광공정은 광원으로서 ArF, KrF 및 EUV를 포함하는 원자외선(DUV; Deep Ultra Violet), E-빔, X-선 또는 이온 빔을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 22항에 있어서,상기 노광공정은 1 내지 100mJ/㎠의 노광에너지로 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 22항 기재의 방법을 이용하여 제조된 반도체 소자.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990033886A KR100557594B1 (ko) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 |
TW089115682A TWI278458B (en) | 1999-08-17 | 2000-08-04 | Novel photoresist monomers having stability to post exposure delay, polymers thereof and photoresist compositions containing the same |
GB0019157A GB2354763B (en) | 1999-08-17 | 2000-08-07 | Photoresist polymers and photoresist compositions containing the same |
US09/640,261 US6455225B1 (en) | 1999-08-17 | 2000-08-16 | Photoresist monomers having stability to post exposure delay, polymers thereof and photoresist compositions containing the same |
JP2000246940A JP4663075B2 (ja) | 1999-08-17 | 2000-08-16 | フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法及びフォトレジスト組成物 |
JP2009175421A JP4665043B2 (ja) | 1999-08-17 | 2009-07-28 | フォトレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990033886A KR100557594B1 (ko) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010018077A true KR20010018077A (ko) | 2001-03-05 |
KR100557594B1 KR100557594B1 (ko) | 2006-03-10 |
Family
ID=19607499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990033886A KR100557594B1 (ko) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6455225B1 (ko) |
JP (2) | JP4663075B2 (ko) |
KR (1) | KR100557594B1 (ko) |
GB (1) | GB2354763B (ko) |
TW (1) | TWI278458B (ko) |
Families Citing this family (311)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7070914B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
JP6517066B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-05-22 | 三井化学株式会社 | 樹脂組成物およびその用途 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
TWI671792B (zh) | 2016-12-19 | 2019-09-11 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
JP7515411B2 (ja) | 2018-06-27 | 2024-07-12 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
WO2020172481A1 (en) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | Lam Research Corporation | Photoresists for making euv patternable hard masks |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4576742A (en) * | 1982-03-02 | 1986-03-18 | International Flavors & Fragrances Inc. | Perfume uses of reactive product containing mono-oxomethyl substituted polyhydrodimethanonaphthalene derivatives |
DE3785672T2 (de) * | 1986-10-14 | 1993-09-16 | Loctite Corp | Thiolenzusammensetzungen aus bizyklischen en-verbindungen. |
JPH02146045A (ja) * | 1988-02-17 | 1990-06-05 | Tosoh Corp | フォトレジスト組成物 |
JP2638887B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-08-06 | 東ソー株式会社 | 感光性組成物 |
US5705503A (en) * | 1995-05-25 | 1998-01-06 | Goodall; Brian Leslie | Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents |
EP0885405B1 (en) * | 1996-03-07 | 2005-06-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
US6103845A (en) * | 1996-10-11 | 2000-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemically amplified resist polymers |
KR100228771B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-11-01 | 김영환 | 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법 |
JP3785726B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2006-06-14 | Jsr株式会社 | 半導体デバイス製造用感放射線性樹脂組成物 |
KR100195583B1 (ko) * | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
JPH11102065A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Hitachi Ltd | 感光性樹脂組成物、その組成物を用いたパターン形成方法、および、電子装置の製造方法 |
KR100321080B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
KR20010040758A (ko) * | 1998-02-09 | 2001-05-15 | 우메하라 이와오 | 담색 p-비닐페놀계 중합체의 제조방법 |
KR19990081722A (ko) * | 1998-04-30 | 1999-11-15 | 김영환 | 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법 |
KR100281902B1 (ko) * | 1998-08-18 | 2001-03-02 | 윤종용 | 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
US6235447B1 (en) * | 1998-10-17 | 2001-05-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same |
US6359153B1 (en) * | 1998-10-28 | 2002-03-19 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist monomers and preparation thereof |
KR100557608B1 (ko) * | 1999-02-10 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 |
TWI274230B (en) * | 1999-07-30 | 2007-02-21 | Hyundai Electronics Ind | Novel photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it |
KR100647380B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
-
1999
- 1999-08-17 KR KR1019990033886A patent/KR100557594B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-08-04 TW TW089115682A patent/TWI278458B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-07 GB GB0019157A patent/GB2354763B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-16 US US09/640,261 patent/US6455225B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-16 JP JP2000246940A patent/JP4663075B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-28 JP JP2009175421A patent/JP4665043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4665043B2 (ja) | 2011-04-06 |
KR100557594B1 (ko) | 2006-03-10 |
JP2001122927A (ja) | 2001-05-08 |
GB2354763A (en) | 2001-04-04 |
GB2354763B (en) | 2004-03-24 |
JP2009244904A (ja) | 2009-10-22 |
US6455225B1 (en) | 2002-09-24 |
TWI278458B (en) | 2007-04-11 |
GB0019157D0 (en) | 2000-09-27 |
JP4663075B2 (ja) | 2011-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100557594B1 (ko) | 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 | |
US6235448B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
JP2002088124A (ja) | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
KR20120052884A (ko) | 염기 반응성 포토애시드 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 | |
US7504195B2 (en) | Photosensitive polymer and photoresist composition | |
KR20000056467A (ko) | 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 | |
KR100557608B1 (ko) | 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 | |
KR100632572B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
KR100647379B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 | |
KR20010011768A (ko) | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 | |
US6737217B2 (en) | Photoresist monomers containing fluorine-substituted benzylcarboxylate and photoresist polymers comprising the same | |
KR100557555B1 (ko) | 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체 | |
KR20000034148A (ko) | 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 | |
KR100673097B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
JPH11352696A (ja) | 化学増幅型フォトレジストの溶解抑制剤及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 | |
KR100327338B1 (ko) | 감광성 리소콜산 에스테르 유도체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 | |
KR20010011767A (ko) | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 | |
KR100583096B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
KR100400297B1 (ko) | 신규의포토레지스트가교제및이를이용한포토레지스트조성물 | |
KR100362936B1 (ko) | 신규한포토레지스트의중합체및그를이용한포토레지스트조성물 | |
KR100557610B1 (ko) | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 | |
KR100219498B1 (ko) | 화학 증폭형 레지스트의 베이스 레진 및 레지스트 조성물 | |
KR100626907B1 (ko) | 디하이드로피란계 유도체를 포함하는 포토레지스트 중합체및 조성물 | |
KR20000014580A (ko) | 신규한 포토레지스트 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 | |
KR20030000660A (ko) | 사이클로헥센 유도체를 이용한 포토레지스트 단량체 및그의 중합체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120126 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |