TWI278458B - Novel photoresist monomers having stability to post exposure delay, polymers thereof and photoresist compositions containing the same - Google Patents

Novel photoresist monomers having stability to post exposure delay, polymers thereof and photoresist compositions containing the same Download PDF

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TWI278458B
TWI278458B TW089115682A TW89115682A TWI278458B TW I278458 B TWI278458 B TW I278458B TW 089115682 A TW089115682 A TW 089115682A TW 89115682 A TW89115682 A TW 89115682A TW I278458 B TWI278458 B TW I278458B
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Jae-Chang Jung
Geun-Su Lee
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Description

1278458 A7 B7 五、發明說明（/ ) 發明背景 1. 發明領域 本發明係關於一種光阻劑單體，衍生自該單體之聚合 物及含該聚合物之光阻劑組成物。尤其是，本發明係關於 一種光阻劑聚合物及含該聚合物之光阻劑組成物，當製造 高整合半導體裝置之微細電路時，其對光學微影程序(或使 用紫外光源）中之環境胺污染物不敏感，且本發明亦提供一 種製備該光阻劑聚合物及光阻劑組成物之方法。 2. 背景技藝之說明 近來，已硏究使用化學放大類型之光阻劑(亦即光阻劑 組成物)以達到在製造半導體裝置之中微細成像之高敏感性 。該光阻劑可藉由摻混光酸產生劑及含酸不安定基之母質 樹脂聚合物(亦即，光阻劑聚合物)以製備之。· 在製造半導體裝置之光學微影程序中，成像之解析度 是取決於所使用之波長。因此，較短之波長，較高之解析 度，亦即，較短波長可有較小圖案生成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了使光阻劑(PR)有用於光學微影程序中，光阻劑必 須具有極佳抗蝕刻性及黏著性。再者，爲了降低製造半導 體裝置之成本，PR應能在常用之顯影溶液中顯影，例如 2.38重量％四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中顯影。這些特 性在利用短波長光源，包括KrF (248 nm)、ArF (193 nm) 、VUV (157nm)及EUV (13nm))之光學微影程序中爲尤其重 要。 然而，要合成能滿足所有要求之光組劑組成物爲相當 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1278458 A7 ___B7_ 五、發明說明（> ) 困難的，已發展具有經改良抗蝕刻性、黏著性及解析度之 各種不同光阻劑聚合物。然而，不幸地，大部分現今可得 之化學放大光阻劑具有相當短後曝光延遲(PED)安定性。一 般，當對光曝光之光阻劑及經曝光之光阻劑之顯影之間有 延遲時，產生於經曝光之區域中之酸會被可能存在於生產 環境中之胺所中和。因爲圖案生成是取決於曝光所產生之 酸，所以用來降低、避免或改變圖案生成，例如T-頂現象 之環境胺化合物中和酸可能會發生於圖案頂部部分形成T-形之處。 發明摘述 因此，本發明之目的爲提供一種具有經增強PED安定 性之光阻劑單體。 本發明之另一目的爲提供使用前述PR單體之聚合物 ，及其製備方法。 本發明之另一目的爲提供使用前述PR聚合物之光阻 劑組成物，及其製備方法。 本發明之又一目的爲提供一種使用前述PR組成物所 生產之半導體裝置。 圖式簡單說明 圖1爲顯示使用沒有後曝光延遲(PED)之光阻劑組成物 ，所獲得之圖案之照片； 圖2顯示使用本發明之光阻劑組成物並在顯影之前留 著經曝光之光阻劑組成物歷30分鐘，所獲得之圖案之照片 f 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· n n 01 ϋ n n n )5J· n n n ϋ n 1 I- 1 n ·
I -n n I «I n n n n < 1278458 A7 五、發明說明（3 ) 圖3顯示使用本發明之光阻劑組成物並在顯影之前胃 著經曝光之光阻劑組成物歷60分鐘，所獲得之圖案之照片 ;及 圖4顯示使用本發明之光阻劑組成物並在顯影之前胃 著經曝光之光阻劑組成物歷120分鐘，所獲得之圖案之照 片； 較佳具體實施例詳述 本發明將以有助於說明本發明之特徵之圖式來說明。 所提供之圖式爲說明本發明實施之目的用，並不構成限制 其範疇。 本發明之一方面爲提供一種下式光阻劑單體·/=£ ' w i / \ t η
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中每個Ζι及Ζ2分別爲CH2，CH2CH2，〇或s; 每個Ri及R2分別爲經取代或未經取代之(Ci-C5)直鏈 或支鏈烷基； 每個R;及R4分別爲氫或經取代或未經取代之(〇τ5) 直鏈或支鏈烷基； R5爲氫或甲基；且 P爲0至5之整數。 較佳地，本發明之PR單體爲選自下式la至ld之化 合物所組成之族群中。 6 t · n n if n n ϋ ϋ^tfJI MV MM W MM am 蜃 線丨 — — — III, -II n n ϋ n I· n 11 n < 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） n 278458
五、發明說明（¥ )
〇 〇 Ο
1h3Γ I
ch3 1 a， L3 ch3 lb 1 叫 CHj 1 c 及 ch, ch» 1 d 雖然式1化合物可由各種不同之方法以製備’在本胃 明之一特別具體實施例中，式1化合物，其中p爲0 ’是 藉由下述所製備； (a)反應下式化合物： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 與下式醛化合物醛化合物: 以產生下式環醛化合物：
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 (b)在觸媒存在下，並在足以產生式.丨(其中Rl，r2， R3 ’仏及R5爲先前所定義，且Z指Z2)化合物之條件下， 反應式4化合物與醇。 本方法包括步驟(c):中和存在於反應混合物中之酸與鹼 (亦即，驗化合物）。 在一方面，在前述製備方法之步驟⑷中，式2化合物 被加到有機溶劑中’且所得溶液被冷卻到45至-25。(：之溫 *. -- I I l· I I I I ·1111111! I —AVI — — — — — — — III — — — — — — — — — — — . 1278458 A7 B7 五、發明說明（cT) ✓ 度範圍。然後，式3化合物被逐滴加到反應混合物中，且 攪拌所得混合物歷8至12小時。式4化合物的獲得可藉由 濃縮反應混合物並在減壓下蒸餾式4化合物。 在步驟(b)及.(c)中，在酸觸媒存在下，將式4化合物與 醇(例如，lOH，R2〇H或其混合物)反應，較佳具有回流。 存在於反應混合物中之任何酸然後以鹼化合物中和(亦即， 鹼化合物）。在反應中所產生之式1化合物可在減壓下藉由 蒸餾以從反應混合物中獲得。在步驟(b)中之較佳酸觸媒包 括三氟甲烷磺酸。 本發明亦提供一種衍生自含式1化合物之單體的光阻 劑聚合物。光阻劑聚合物可進一步包括下式之第二單體：
Re OH 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第 其中每個1及Y2分別爲CHb，CH2CH2，0或S ; r6爲氫或甲基； Rs爲氫或經取代或未經取代之(G-G)直鏈或支鏈烷基 R!◦爲經取代或未經取代之(CVG)直鏈或支鏈烷基；且 Q爲0至5之整數。 本發明之聚合物可進一步包括具有酸不安定保護基之 .單體。示範性酸不安定保護基包括特丁基，四氫呋喃- _ · I I I I I 1 -1 — — — 1 — — · — — — — —I1I11IIIIII — I1 — — · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1278458 A7 B7 五、發明說明（ 2-基，四氫吡喃-2-基，2-乙氧基乙基及特丁氧基乙基。 尤其是，含酸不安定基之化合物較佳爲下式之化合物 .^7
6 其中每個幻及X2分別爲CH2，CH2CH2，〇或S ; R7爲氮或甲基； R9爲氫’或經取代或未經取代之(G-G)直鏈或支鏈烷 基；及 r爲0至5之整數。 在一特別具體實施例中，本發明之聚合物爲下式 ^―〇 r8 c=o
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^to 7 其中
Xi，χ2，Yi，γ2，z!，z2，Ri，R2，R3，R4，r5，r6，R7 ’ R8 ’ R9 ’ Rio ’ p ’ q及r爲先前所定義；及 a，b，c及d代表每個單體之相對量，其中a : b : c : d •線丨#-------------1--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1278458 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（j) 之莫耳比例=0.50 : 0.125〜0.40 : 0.025〜0.10 : 0.05〜0.35。 在式7之聚合物中之每個單體單元代表每個單體之總 相對比例。因此，式7並不意圖要被指定爲每個單體單元 之任何特別順序。例如衍生自馬來酐之單元的總量“a”可分 散於聚合物中或可被集中在聚合物之一特別位置上。 傾相信用於改良光阻劑組成物之PED安定性之方法爲 改變在光阻劑組成物中之聚合物之形狀。改變在光阻劑組 成物中之聚合物之形狀的方法爲使用剪切稀釋之光阻劑。 剪切稀釋之光阻劑的製備可藉由⑴使用非牛頓剪切稀釋之 溶劑作爲光阻劑組成物之成分；（U)改變聚合物之結構；及 /或(iii)當光阻劑組成物被塗覆於半導體基板上時，控制光 阻劑組成物之溫度。 因此，本發明之另一具體實施例爲關於藉由改變聚合 物之結構以製備剪切稀釋光阻劑。本發明之聚合物作用爲 剪切稀釋劑，不似傳統光阻劑聚合物。在不被任何理論束 縛下，傾相信本發明之聚合物爲剛性棒或橢圓形並對剪切 方向定位平行，以在經塗覆層之分子間提供具有很小或無 間隙之更緊密塡充結構。傾相信該緊密塡充結構可預防在 光學微影程序中所產生之酸被環境胺所中和。結果，本發 明之光阻劑聚合物提供良好光阻劑圖案，即使有後曝光延 遲。 較佳地，本發明聚合物之分子量在約4000至約12000 之範菌內。 本發明較佳聚合物包括下式7a及7b之聚合物。 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •f 訂· 1 λ 丨·11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1278458 A7 B7 五、發明說明（t)
Γ OH Γ
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，a，b，c及d爲先前所定義。 本發明之聚合物可藉由具有傳統自由基聚合引發劑之 自由基聚合單體以製·備之。一種用於製備本發明之聚合物 的示範性程序包括下列步驟： (a) 較佳在有機溶劑中，混合 ⑴式1化合物， (ii) 式5化合物， (iii) 視需要式6化合物， (iv) 馬來酐，及 (iv)聚合引發劑；及 (b) 在鈍氣環境下，聚合該混合物。 適用於聚合反應之有機溶劑爲選自由四氫呋喃，甲苯 ，苯，甲基乙基酮及二噁烷所組成之族群中。 示範性聚合引發劑包括任何傳統自由基聚合引發劑， 例如苯醯化過氧，2,2f-偶氮異丁腈(AIBN)，乙醯化過氧， 訂----- -----線丨♦----------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1278458 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（f) 月桂基化過氧，特丁基過醋酸酯，特丁基氫過氧化物及= 特丁基過氧。 本發明亦提供一種光阻劑組成物，其包括本發明之光 阻劑聚合物，有機溶劑及光酸產生劑。 較佳光酸產生劑包括硫化物或鎗類型之化合物。在本 發明之一特別具體實施例中，光酸產生劑爲選擇自由二苯 基碘六氟磷酸鹽，二苯基碘六氟砷酸鹽，二苯基碘六氟銻 酸鹽，二苯基對-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-異丁基苯基三氟甲烷磺 酸鹽，二苯基對-特丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六 氟磷酸鹽，三苯基銃六氟砷酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽， 三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽及二丁基萘基銃三氟甲烷_鹽 所組成之族群中。典型地，所使用之光酸產生劑之份量爲 所使用之光阻劑樹脂的約0.1重量％至約10重量％。 傾發現當光酸產生劑以少於約0.1%使用時，其會降低 PR組成物之光敏感性，且當光酸產生劑以大於約10%使用 時，其會因吸收較多DUV(深紫外線)而導致較差圖案生成 〇 適用於本發明之PR組成物中之示範性有機溶劑包括 甲基3-甲氧基丙酸酯，乙基3-乙氧基丙酸酯，丙二醇甲基 醚醋酸酯，環己酮，環戊酮，2-庚酮及(2-甲氧基）乙基醋酸 酯。所使用之溶劑的份量較佳地爲PR樹脂(亦即，共聚物) 之約200重量％至約800重量％。當光阻劑被塗覆於產生半 導體兀件之合適基板，例如砂晶圓上時，該比例被發現特 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # *111 -線丨#! 1278458 A7 B7 五、發明說明（丨ύ) 別適用於獲得所欲厚度之光阻層。 由本發明製備之PR組成物具有極佳抗蝕刻性、黏著 性及抗熱性。同時，明顯地，經增強PED安定性使其更適 用於例如ArF光阻劑膜上。 本發明亦提供一種用於形成PR圖案之方法，其包括 下列步驟：（a)塗覆先前所述之光阻劑組成物於半導體元件 之基板上以形成光阻劑膜；（b)使用光源將光阻劑膜曝光； 及(c)使用鹼性溶液，例如2.38重量％TMAH溶液以顯影經 曝光光阻劑膜。視需要地，光阻劑膜可較佳在步驟(b)之前 及/或之後，在約70 °C至約200 °C之溫度下被加熱(亦即 ，烘烤）。 適用於形成PR圖案之示範性光源包括ArF(193nm)、 KrF(248nm)、VUV(157nm)、EUV、E-束、X-射線或離子束 。照射能量較佳爲約lmJT/cm2至約100 mT/cm2。 本發明亦提供一種由使用先前所述之光阻劑組成物所 製造出之半導體裝置。 本發明之額外目的，優點及新穎特徵在取決於審查下 述不意圖作爲限制用之實施例，而使熟於此技藝者更佳明 白。 I.單體的製備 實施例1:式la之單體的合成 在1000毫升圓頸燒瓶中，加入1莫耳式2a環戊二烯 及100克THF。溶液被冷卻至-20°C，且逐滴加入1.2莫耳 式3a丙烯醛。攪拌反應混合物歷10小時，且使用真空蒸 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ;鲁·--------訂i 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7
1278458 五、發明說明（“） 發器濃縮。所得殘餘物在40°C之減壓下蒸餾以提供式4 a 單體(產率:80%，106克）。 在1000毫升圓頸燒瓶中，加入106克式4a單體，400 克甲醇，及0.1莫耳三氟甲烷磺酸。混合物被回流歷10小 時。此後，藉由加入KOH以中和反應混合物至約pH 7， 且在50°C之減壓下蒸餾以提供式式la單體(產率：70%，74 克）。 Ο r。 實旆例2:式lb單體的合成 重複實施例1之步驟，但使用乙醇取代甲醇以提供式lb單 體。 .II.聚合物的製備 f施例3:式7a聚合物的备成 在250cc燒瓶中’加入0.1莫耳馬來酐，〇·〇6莫耳式 6a單體，〇·〇1莫耳式5a單體，0.03莫耳式la單體(於實施 例1中製備），作爲聚合引發劑之0·5克AIBN及20克四氫 呋喃，在65°C下，及在氮氣或氬氣環境下，攪拌混合物歷 10小時。乙基醚被加入到反應混合物中，且式7a聚合物 以沉澱物獲得(產率:30%，8.5克）。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------^ 4 IAW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1278458 A7 B7
五、發明說明（（i)
c=o 〇H 5a 5 6a ’ 實施例學式7b聚合物的合疫 重複實施例3之步驟，但使用實施例2製備之式1b單 體以取代式la單體以獲得式7b聚合物。 III.光阻劑組成物的製備及圖案的生成 實施例5: 光阻劑組成物可藉由添加20式7a聚合物(在實施例3 中製備)及0.24克三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽到丨6〇克丙二醇 甲基醚醋酸酯中以製備之。 將組成物塗覆於矽晶圓上。經塗覆晶圓於150°C下軟 烤歷90秒，使用ArF曝光機對光曝光，在H〇°C下後烘烤 歷90秒，並在2.38重量％TMAH顯影溶液中顯影以獲得 〇·13 μιη L/S之超微圖案。 實施例6: 重複實施例5之步驟，但使用實施例4製備之式7b聚 合物以取代式7a聚合物。 7: PED安宙件的實驗 在使用實施例5及6製備之光阻劑組成物以形成圖案 之方法中，爲模擬後曝光延遲，在顯影經曝光矽晶圓之前 ’經曝光矽晶圓被置於含超過30ppb胺之環境下歷0，30， 60及120分鐘。圖1至4顯示圖案大小變化之結果，而表 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I ϋ n H ϋ n n i I I n n n ϋ ϋ n I I ϋ n n n ϋ 1· n 1 ϋ ϋ n i n n « 五、發明說明U、） 1顯示由於時間延遲所導致之臨界大小(CD)的變化。 表1由於PED所導致之臨界大小(CD)之變化。 1278458 A7 B7 時間(分鐘） 聚合物 — 0 30 60 120 實施例3 ί 式 7a) . CD(nm) 150nm 150 151 153 170 實施例4 (式 7b) CD(nm) 150nm 151 152 153 169 沒有式1單體之聚合物 CD(nm) 150nm 170 (T-頂發生） *T-頂 *T-頂 *T-頂 *因爲T-頂，因此所生成之圖案不佳 由圖1至4及表1中所顯示，本發明之光阻劑組成物 在相對於傳統光阻劑組成物下，對於環境胺不敏感。因此 ，可不管後曝光延遲，而生成微細圖案。如前述所討論， 本發明之光阻劑組成物具有極佳PED安定性，而結果適用 於使用超短波長區域，例如ArF(193nm)光源之光源的光學 微影程序中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) : --------------------------------------- 」_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱）

Claims (1)

  1. [218458 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1. 一種光阻劑聚合物，其爲衍生自含有下式化合物之 1¾¾ 単體： #5
    傾.¾..灰—¾示，本繫^Ji. ’P'? 其中 每個Zj z2分別爲CH2，CH2CH2 ’ 〇或S ; 每個1及R2分別爲經取代或未經取代之(ChCO直鏈 或支鏈烷基·， 每個1及R4分別爲氫，或經取代或未經取代之(G-C5)直鏈或支鏈烷基； R5爲氫或甲基；且 P爲0至5之整數。 2.根據申請專利範圍第1項之光阻劑聚合物，其中該 單體進一步包括下式化合物： ---------……ί!-------------------IT---------……-t·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    Re ^10 OH 其中每個Yl及Y2分別爲CH2，CH2CH2，〇或S ; R6爲氫或甲基； R8爲氫，或Μ代料，細代之(Gi_G5)麵或支鏈院 適用中國國家標準(CNS)A4規格 W
    1278458 A8 B8 _ C8 '' --—^_ 六、申請專利範圏 基； Rl°胃&取代或未經取代之(CVG)直鏈或支鏈烷基；且 Q爲0至5之整數。 _ 請專利範圍第2項之光阻劑聚合物，其中該 早體進一步包括具有酸不安定保護基之化合物。 4.根據申請專利範圍第3項之光阻劑聚合物，其中該 酸不女疋保護基爲選擇自由特丁基，四氫呋喃_2_基，四氫 Dtt喃-2-基’ 2-乙氧基乙基及特丁氧基乙基所組成之族群中 〇 5·根據申請專利範圍第3項之光阻劑聚合物，其中該 具有酸不专定保護基之化合物爲下式化合物： 其中母個Χι及X2分別爲CH2，CH2CH2，〇或s; R?爲氫或甲基； R9爲氫，或經取代或未經取代之(Ci_C5)直鏈或支鏈烷 基；及 r爲0至5之整數。 6.根#申請專利範圍第5項之光阻劑聚合物，其爲下 式： 用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公愛) ---------------f ! {請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、-'α A8B8C8D8 1278458 六、申請專利範圍
    其中 a : b : c : d 之莫耳比例=〇·5〇 : 0.125〜0.40 : 0.025〜〇.1〇 : 0.05-0.35 ° 7·根據申請專利範圍第6項之光阻劑聚合物，其爲下 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    ΓΓΟΗ
    或 、\呑 線·- 8.根據申請專利範圍第1項之光阻劑聚合物’其中該 光阻劑聚合物之分子量在約4000至約12000之範圍內。 9·一種製備申請專利範圍第6項之光阻劑聚合物之方 法’其包括下列步驟： (a)在有機溶劑中，混合 (0下式化合物： 紙張尺度適$ t國ϋ家標準(CNS)A4；%格(210 X 297]公爱) """"" 1278458 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍
    (η)下式化合物 W
    ^10 OH (iii)下式化合物 ,/ \ , r
    R9 (iv)馬來酐，及 (iV)聚合引發劑，且 (b)在鈍氣環境下，聚合該混合物。 10. 根據申請專利範圍第9項之方法，其中該有機溶劑 爲選自由四氫呋喃，甲苯，苯，甲基乙基酮及二噁烷所組 成之族群中。 11. 根據申請專利範圍第9項之方法，其中該聚合引發 劑爲選擇自苯醯化過氧，2,2M禺氮異丁腈(AIBN)，乙醯化 過氧，月桂基化過氧，特丁基過醋酸酯，特丁基氫過氧化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1278458 韶 C8 D8 六、申請專利範圍 物及二特丁基過氧所組成之族群中。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 12. —種光阻劑組成物，其包括申請專利範圍第1項之 光阻劑聚合物，有機溶劑及光酸產生劑。 13. 根據申請專利範圍第12項之光阻劑組成物，其中 該光酸產生劑包括硫化物或鎗類型之化合物。 14. 根據申請專利範圍第12項之光阻劑組成物，其中 該光酸產生劑爲選擇自由二苯基碘六氟磷酸鹽，二苯基碘 六氟砷酸鹽，二苯基碘六氟銻酸鹽，二苯基對-甲氧基苯基 三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯 基對-異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-特丁基苯基 三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽，三苯基銃六氟砷 酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽及 二丁基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽所組成之族群中。 15. 根據申請專利範圍第12項之光阻劑組成物，其中 所使用之該光酸產生劑之份量爲所使用之該光阻劑樹脂的 0.1重量％至10重量％。 16. 根據申請專利範圍第12項之光阻劑組成物，其中 該有機溶劑爲選擇自甲基3-甲氧基丙酸酯，乙基3-乙氧基 丙酸酯，丙二醇甲基醚醋酸酯，環己酮，及2-庚酮所組成 之族群中。 17. 根j靡申請專利範圍第12項之光阻劑組成物，其中 所使用之有機溶劑的份量爲該光阻劑聚合物之200重量％ 至800重量％。 18. —種用於形成光阻劑圖案之方法，其包括下列步驟 ________§---- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐） 1278458 頌 C8 D8 六、申請專利範圍 (a) 塗覆申請專利範圍第12項之光阻劑組成物於半導 體元件之基板上以形成光阻劑膜； (b) 使用光源將光阻劑膜曝光；及 (c) 顯影經曝光光阻劑膜。 19. 根據申請專利範圍第18項之方法，其在步驟(b)之 前及/或之後，進一步包括一烘烤步驟。 20. 根據申請專利範圍第19項之方法，其中該烘烤步 驟在約70 °C至約200 °C之溫度下進行。 21. 根據申請專利範圍第18項之方法，其中該光源爲 ArF、KrF、VUV、EUV、E-束、X-射線或離子束。 22. 根據申請專利範圍第18項之方法，其中該光阻劑 膜在1至100 irJ/cm2之曝光能量下被照射。 23. —種半導體元件，其係由申請專利範圍第18項之 方法所製造出。 ........... ! -------------1T:·...........線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 x 297公釐）
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