JPH0488348A - 新規なレジスト材料 - Google Patents
新規なレジスト材料Info
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- JPH0488348A JPH0488348A JP2204560A JP20456090A JPH0488348A JP H0488348 A JPH0488348 A JP H0488348A JP 2204560 A JP2204560 A JP 2204560A JP 20456090 A JP20456090 A JP 20456090A JP H0488348 A JPH0488348 A JP H0488348A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体素子等の製造に於て用いられるレジスト
材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として４００
ｎｍ以下の光源、例えば３６５ｎｍのｉ線光、３００ｎ
ｍ以下の遠紫外光、例えば２４８．４ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザ−光等を用いてポジ型のパターンを形成する
際のレジスト材料に関する。
材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として４００
ｎｍ以下の光源、例えば３６５ｎｍのｉ線光、３００ｎ
ｍ以下の遠紫外光、例えば２４８．４ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザ−光等を用いてポジ型のパターンを形成する
際のレジスト材料に関する。
［従来の技術］
近年、半導体デバイスの高密度集積化に伴い、微細加工
、中でもフォトリソグラフィに用いら九る露光装置の光
源は益々、短波長化し、今ではＫｒＦエキシマレーザ（
２４８，４ｎｍ）光が検討されるまでになってきている
。しかしながらこの波長に適したレジスト材料は末だ適
当なものが見出されていない。
、中でもフォトリソグラフィに用いら九る露光装置の光
源は益々、短波長化し、今ではＫｒＦエキシマレーザ（
２４８，４ｎｍ）光が検討されるまでになってきている
。しかしながらこの波長に適したレジスト材料は末だ適
当なものが見出されていない。
例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光に対してかなり感光性
が高く、光透過率も良いと言われているＭＰ２４００
（シブレイ社製）を用いた場合、ベースポリマーのノボ
ラック樹脂自身の露光光に対する大きな表面吸収や感光
剤のナフトキノンジアジド系化合物の光反応性が良くな
い為、現像後のパターン形状は非常に悪く使用出来ない
。また、ＫｒＦエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とす
るレジスト物より成るレジスト材料が開発されている。
が高く、光透過率も良いと言われているＭＰ２４００
（シブレイ社製）を用いた場合、ベースポリマーのノボ
ラック樹脂自身の露光光に対する大きな表面吸収や感光
剤のナフトキノンジアジド系化合物の光反応性が良くな
い為、現像後のパターン形状は非常に悪く使用出来ない
。また、ＫｒＦエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とす
るレジスト物より成るレジスト材料が開発されている。
（例えば、特開昭６４−８０９４４号公報；特開平１−
１５４０４８号感光性化合物と２４８．４ｎｍ付近で高
い光透過性を有する樹脂より成るパターン形成材料も開
発されている。（例えば、特開平１−１８８８５２号公
報； Ｙ、Ｔａｎ１ら、５ＰＩＥ’Ｓ １９８９ Ｓｙ
ｍｐｏ、、１０８６−０３等）、第４図を用いて、この
レジスト材料によるパターン形成方法を示す。半導体基
板１上にレジスト材料５を回転塗布し、１．０μ口のレ
ジスト材料膜を得る（第４図（ａ））。なお、基板１上
には酸化膜、導電膜、絶縁膜が形成されている場合が多
い。次に２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光３で
マスク４を介し選択的に露光する（第４図（ｂ））。そ
して最後に通常のアルカリ現像液（０，２４％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を用いて現像を
行うことによりレジスト材料５の露光部を溶解除去しパ
ターン５ａを得る（第４図（Ｃ）） このレジスト材料
膜（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第５図に示
す、使用樹脂が１μｍ厚で７０％であるのに対し、この
レジスト材料の露光後の透過率は４０％と低く、十分な
光線色性が得られていないことがわかる。また、パター
ン形成実験の結果、パターンのアスペクト比は約７０度
と十分なパターン形状は得られていない。更にこのレジ
スト材料膜（１μｍ）のγ特性を第６図に示すが、この
レジス材料を使用する場合、一般的にその感度は１００
〜３００ｍＪ／ａｎ２程度であり、高出力の割にエネル
ギー効率が良くないＫｒＦエキシマレーザ光（２４８，
４ｎｍ）を用いての実用化は困難な状況にある。また、
近年、露光エネルギー量を低減させる手段として露光に
より発生した酸を媒体とする化学増幅型のレジスト材料
が提案され［Ｈ，Ｉｔｏら、Ｐｏｌｙｍ、Ｅｎｇ、５ｃ
ｉ１，２３巻、 １０１２頁（１９８３年）］、これに
関して種々の報告がなされている。（例えば、Ｗ、Ｒ，
Ｂｒｕｎｓｖｏｌｄら、５ＰＩＥ’ｓ １９８９ Ｓｙ
ｍｐｏ、、１０８６−４０ ； Ｔ、Ｎｅｅｎａｎら、
５ｐＩＥ’ｓ １９８９Ｓｙｍｐｏ、、１０８６−０１
） 、しかしながら、これ等化学増幅型レジスト材料に
使用される樹脂は芳誉環を比較的多く有することに起因
して２４８．４ｎ訪付近の光透過性が不十分であったり
、樹脂の耐熱性が乏しい等の問題がある。
１５４０４８号感光性化合物と２４８．４ｎｍ付近で高
い光透過性を有する樹脂より成るパターン形成材料も開
発されている。（例えば、特開平１−１８８８５２号公
報； Ｙ、Ｔａｎ１ら、５ＰＩＥ’Ｓ １９８９ Ｓｙ
ｍｐｏ、、１０８６−０３等）、第４図を用いて、この
レジスト材料によるパターン形成方法を示す。半導体基
板１上にレジスト材料５を回転塗布し、１．０μ口のレ
ジスト材料膜を得る（第４図（ａ））。なお、基板１上
には酸化膜、導電膜、絶縁膜が形成されている場合が多
い。次に２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光３で
マスク４を介し選択的に露光する（第４図（ｂ））。そ
して最後に通常のアルカリ現像液（０，２４％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を用いて現像を
行うことによりレジスト材料５の露光部を溶解除去しパ
ターン５ａを得る（第４図（Ｃ）） このレジスト材料
膜（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第５図に示
す、使用樹脂が１μｍ厚で７０％であるのに対し、この
レジスト材料の露光後の透過率は４０％と低く、十分な
光線色性が得られていないことがわかる。また、パター
ン形成実験の結果、パターンのアスペクト比は約７０度
と十分なパターン形状は得られていない。更にこのレジ
スト材料膜（１μｍ）のγ特性を第６図に示すが、この
レジス材料を使用する場合、一般的にその感度は１００
〜３００ｍＪ／ａｎ２程度であり、高出力の割にエネル
ギー効率が良くないＫｒＦエキシマレーザ光（２４８，
４ｎｍ）を用いての実用化は困難な状況にある。また、
近年、露光エネルギー量を低減させる手段として露光に
より発生した酸を媒体とする化学増幅型のレジスト材料
が提案され［Ｈ，Ｉｔｏら、Ｐｏｌｙｍ、Ｅｎｇ、５ｃ
ｉ１，２３巻、 １０１２頁（１９８３年）］、これに
関して種々の報告がなされている。（例えば、Ｗ、Ｒ，
Ｂｒｕｎｓｖｏｌｄら、５ＰＩＥ’ｓ １９８９ Ｓｙ
ｍｐｏ、、１０８６−４０ ； Ｔ、Ｎｅｅｎａｎら、
５ｐＩＥ’ｓ １９８９Ｓｙｍｐｏ、、１０８６−０１
） 、しかしながら、これ等化学増幅型レジスト材料に
使用される樹脂は芳誉環を比較的多く有することに起因
して２４８．４ｎ訪付近の光透過性が不十分であったり
、樹脂の耐熱性が乏しい等の問題がある。
また、感光性化合物に関しては、例えばトリフェニルス
ルホニウムテトラフルオロボレイトのようなオニウム塩
の場合は溶液安定性が乏しくレジスト材料を調製した直
後ではその本来の性能を発揮するが、半導体製造ライン
に於て実用化することは困難であると言われているし、
２，６−シニトロベンジルのスルホン酸エステルの場合
は化合物としての安定性は認められるが露光により生成
する２ニトロ−６−ニトロツベンズアルデヒドが一般に
使われている現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液）に溶解しないため、現像処理後、露光部
にスカムが残存したり、パターン形状が悪くなる等の問
題が生ずる。また、トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼンは前記感光性化合物と比べて感度が低いため化
学増幅型レジストの感光性化合物としては適さない。
ルホニウムテトラフルオロボレイトのようなオニウム塩
の場合は溶液安定性が乏しくレジスト材料を調製した直
後ではその本来の性能を発揮するが、半導体製造ライン
に於て実用化することは困難であると言われているし、
２，６−シニトロベンジルのスルホン酸エステルの場合
は化合物としての安定性は認められるが露光により生成
する２ニトロ−６−ニトロツベンズアルデヒドが一般に
使われている現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液）に溶解しないため、現像処理後、露光部
にスカムが残存したり、パターン形状が悪くなる等の問
題が生ずる。また、トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼンは前記感光性化合物と比べて感度が低いため化
学増幅型レジストの感光性化合物としては適さない。
ればならないことから、良好なパターン形状が得られ難
く、且つ露光エネルギー量を多く必要とする。また、化
学増幅型レジスト材料については樹脂の２４８．４ｎｍ
付近の光透過性を改善するか、樹脂の耐熱性を向上させ
ない限り使用に供し得ないし、また同時に感光性化合物
に関してはより低い露光エネルギー量で酸を発生し、且
つ溶液安定性があり、しかも生成物が現像液に溶解する
という特性が求められている。
く、且つ露光エネルギー量を多く必要とする。また、化
学増幅型レジスト材料については樹脂の２４８．４ｎｍ
付近の光透過性を改善するか、樹脂の耐熱性を向上させ
ない限り使用に供し得ないし、また同時に感光性化合物
に関してはより低い露光エネルギー量で酸を発生し、且
つ溶液安定性があり、しかも生成物が現像液に溶解する
という特性が求められている。
［発明の目的コ
本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので、ｉ線
光や、遠紫外光、例えばにｒＦエキシマレーザ光等によ
り高感度（低露光エネルギーりで効率良く酸を発生し、
且つ溶液中で安定で、しかも光反応による生成物が現状
用いられている現像液に溶解可能な感光性化合物を含ん
で成るレジスト材料を提供することを目的とする・ ［発明の構成コ 上記目的を達成するため、本発明は下記の構成より成る
。
光や、遠紫外光、例えばにｒＦエキシマレーザ光等によ
り高感度（低露光エネルギーりで効率良く酸を発生し、
且つ溶液中で安定で、しかも光反応による生成物が現状
用いられている現像液に溶解可能な感光性化合物を含ん
で成るレジスト材料を提供することを目的とする・ ［発明の構成コ 上記目的を達成するため、本発明は下記の構成より成る
。
［Ｗ光により酸を発生する感光性化合物と、生成した酸
で化学変化を受けてアルカリ可溶性になる官能基を有す
る溶解阻害化合物と、アルカリ可溶性樹脂及びこれら三
者を溶解可能な溶剤とから成るレジスト材料に於て、露
光により酸を発生する感光性化合物として下記一般式Ｅ
Ｔ］〜［ＶＩ］で示される化合物のいずれかを用いるこ
とを特徴とするレジスト材料。
で化学変化を受けてアルカリ可溶性になる官能基を有す
る溶解阻害化合物と、アルカリ可溶性樹脂及びこれら三
者を溶解可能な溶剤とから成るレジスト材料に於て、露
光により酸を発生する感光性化合物として下記一般式Ｅ
Ｔ］〜［ＶＩ］で示される化合物のいずれかを用いるこ
とを特徴とするレジスト材料。
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は夫々独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状
のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、−Ｏ
Ｒ’ （但し、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキル置換シリル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜２０の
アルコキシアルキル基、炭素数２〜１１の直鎖状又は分
枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わす。）、ニト
ロ基、ニトリル基、アミド基又は−ＣＯＯＲ’基（但し
、Ｒ７は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル
基を表わす。）を表わし、Ｒ４、Ｒ５は夫々独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、−〇Ｒ８（但し、Ｒ８は炭素数１〜１０の直鎖状
又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又はニ
トリル基を表わし、Ｘは炭素原子、フェニル基又はナフ
チル基を表わし、ｎはＯ〜３の整数を表わす。コラヒド
ロフラニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素
数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１１の
直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わ
す。）、ニトロ基、ニトリル基、アミド基又は−ＣＯＯ
Ｒ″０基（但し、Ｒ１６は炭素数１〜１０の直鎖状又は
分枝状のアルキル基゛を表わす。
ロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状
のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、−Ｏ
Ｒ’ （但し、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキル置換シリル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜２０の
アルコキシアルキル基、炭素数２〜１１の直鎖状又は分
枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わす。）、ニト
ロ基、ニトリル基、アミド基又は−ＣＯＯＲ’基（但し
、Ｒ７は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル
基を表わす。）を表わし、Ｒ４、Ｒ５は夫々独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、−〇Ｒ８（但し、Ｒ８は炭素数１〜１０の直鎖状
又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又はニ
トリル基を表わし、Ｘは炭素原子、フェニル基又はナフ
チル基を表わし、ｎはＯ〜３の整数を表わす。コラヒド
ロフラニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素
数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１１の
直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わ
す。）、ニトロ基、ニトリル基、アミド基又は−ＣＯＯ
Ｒ″０基（但し、Ｒ１６は炭素数１〜１０の直鎖状又は
分枝状のアルキル基゛を表わす。
）を表わし、Ｒ１２，Ｒ１３、Ｒ１４は夫々独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状７分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、−ＱＲ１？ （但し、Ｒ１７は炭素数１〜１０の
直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基
又はニトリル基を表わし、ｍは１〜４の整数を表わす。
素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状７分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、−ＱＲ１？ （但し、Ｒ１７は炭素数１〜１０の
直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基
又はニトリル基を表わし、ｍは１〜４の整数を表わす。
コ
［式中、Ｒ９、ＲＩＯｌＲｌｌは夫々独立して水素原子
、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状９分枝状又は
環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、
−ＱＲ１５（但し、ＲＩ５は炭素数１〜１０の直鎖状又
は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキル置換
シリル基、テトラヒドロピラニル基、テト［式中、Ｒ１
１１〜Ｒｅ１は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、
炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、−０Ｒ２８（但し
、Ｒ２Ｂは炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基、炭素数１〜１０のアルキル置換シリル基、テトラ
ヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、炭素数１
〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルコキシ
アルキル基、炭素数２〜１１の直鎖状又は分枝状のアル
キルオキシカルボニル基を表わす。）、ニトロ基、ニト
リル基、アミド基又は−Ｃ００Ｒ２９基（但し、Ｒ２９
は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表
わす。）を表わし、Ｒ２２〜Ｒ２７は夫々独立して水素
原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状
又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル
基、−ＱＲ３０（但し、Ｒ３０は炭素数１〜１０の直鎖
状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又は
ニトリル基を表わし、Ｙは単結合、酸素原子、−ＣＨ＝
Ｎ−基、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数１〜１
０の置換アルキレン基又は炭素数３〜１０のシクロアル
キレン基を表わし、ｋ、１は夫々独立して１〜４の整数
を表わす。
、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状９分枝状又は
環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、
−ＱＲ１５（但し、ＲＩ５は炭素数１〜１０の直鎖状又
は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキル置換
シリル基、テトラヒドロピラニル基、テト［式中、Ｒ１
１１〜Ｒｅ１は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、
炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、−０Ｒ２８（但し
、Ｒ２Ｂは炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基、炭素数１〜１０のアルキル置換シリル基、テトラ
ヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、炭素数１
〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルコキシ
アルキル基、炭素数２〜１１の直鎖状又は分枝状のアル
キルオキシカルボニル基を表わす。）、ニトロ基、ニト
リル基、アミド基又は−Ｃ００Ｒ２９基（但し、Ｒ２９
は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表
わす。）を表わし、Ｒ２２〜Ｒ２７は夫々独立して水素
原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝状
又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル
基、−ＱＲ３０（但し、Ｒ３０は炭素数１〜１０の直鎖
状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又は
ニトリル基を表わし、Ｙは単結合、酸素原子、−ＣＨ＝
Ｎ−基、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数１〜１
０の置換アルキレン基又は炭素数３〜１０のシクロアル
キレン基を表わし、ｋ、１は夫々独立して１〜４の整数
を表わす。
［式中、Ｒ″′、Ｒ３２は夫々独立して炭素数１〜１０
の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１
０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、
フェニル基、置換フェニル基（置換基は、ハロゲン原子
、炭素数１〜１０の直鎖状１分枝状又は環状のアルキル
基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリ
ル基又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラルキル基又
は！換アラルキル基（置換基は、ハロゲン原子、炭素数
１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素
数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭素数
１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリル基又［
式中、Ｒ３３、Ｒ３″１． Ｒ３５、Ｒ３６は夫々独立
して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状
２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロ
アルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアル
コキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数７〜
１０のアラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置
換基は、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ
基、ニトロ基、ニトリル基又はアミド基。）を表わす。
の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１
０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、
フェニル基、置換フェニル基（置換基は、ハロゲン原子
、炭素数１〜１０の直鎖状１分枝状又は環状のアルキル
基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリ
ル基又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラルキル基又
は！換アラルキル基（置換基は、ハロゲン原子、炭素数
１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素
数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭素数
１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリル基又［
式中、Ｒ３３、Ｒ３″１． Ｒ３５、Ｒ３６は夫々独立
して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状
２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロ
アルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアル
コキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数７〜
１０のアラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置
換基は、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ
基、ニトロ基、ニトリル基又はアミド基。）を表わす。
また、Ｒ３３とＲ９４，Ｒ３４とＲ３５及びＲ３５とＲ
３６は夫々独立して、互いに結合して脂環、ヘテロ脂環
、芳香環又はヘテロ芳香環を形成していても良い。］ ［式中Ｒ３７、Ｒ４０は夫々独立して炭素数１〜１０の
直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０
のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状
のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェ
ニル基、置換フェニル基、（置換基は、ハロゲン原子、
炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基
、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、
炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直
鎖状又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、ニトリル
基、又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラルキル基又
は置換アラルキル基（Ｉ［換基は、ハロゲン原子、炭素
数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭
素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭素
数１〜１０のハロアルキル基、炭素繋１〜１０の直鎖状
又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、ニトリル基又
はアミド基）を表わし、Ｒ３８、Ｒ３９は夫々独立して
水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基又はハロゲン原子を表わし、Ａ、Ｂは夫々独立して
カルボニル基、スルホニル基又はスルフィニル基を表わ
す。コ」 本発明者らは露光により酸を発生する感光性化合物につ
いて鋭意研究を重ねた結果、溶液中で安定で、しかも光
反応による生成物が現状用いられている現像液に溶解可
能な上記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］で示される感光性化合
物を見出し、更に、一般式［１］〜［ｍ］で示される感
光性化合物の如くベンゼンスルホン酸エステルに電子吸
引基であるニトロ基を導入したもの、より好ましくはス
ルホニル基のオルト位にニトロ基を導入したものは、露
光によりニトロ基の効果でスルホニル基が励起されてス
ルホン酸エステルが解離しやすくなり、レジスト膜に存
在する水の影響で低露光量でニトロベンゼンスルホン酸
が効率良く生成すること、一般式［ＩＶ］、 ［Ｖ］で
示される化合物の如く、露光によりブリーチする感光性
化合物を用いた場合には、その内部セル効果により、従
来の感光性化合物を用いた場合よりも露光後の透過性が
著しく改善され、解像度が大幅に向上すること、及び一
般式［ＶＩ］で示される化合物を用いた場合には、露光
による酸の発生効率が高く、解像度が大幅に向上するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
３６は夫々独立して、互いに結合して脂環、ヘテロ脂環
、芳香環又はヘテロ芳香環を形成していても良い。］ ［式中Ｒ３７、Ｒ４０は夫々独立して炭素数１〜１０の
直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０
のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状
のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェ
ニル基、置換フェニル基、（置換基は、ハロゲン原子、
炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基
、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、
炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直
鎖状又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、ニトリル
基、又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラルキル基又
は置換アラルキル基（Ｉ［換基は、ハロゲン原子、炭素
数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭
素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭素
数１〜１０のハロアルキル基、炭素繋１〜１０の直鎖状
又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、ニトリル基又
はアミド基）を表わし、Ｒ３８、Ｒ３９は夫々独立して
水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基又はハロゲン原子を表わし、Ａ、Ｂは夫々独立して
カルボニル基、スルホニル基又はスルフィニル基を表わ
す。コ」 本発明者らは露光により酸を発生する感光性化合物につ
いて鋭意研究を重ねた結果、溶液中で安定で、しかも光
反応による生成物が現状用いられている現像液に溶解可
能な上記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］で示される感光性化合
物を見出し、更に、一般式［１］〜［ｍ］で示される感
光性化合物の如くベンゼンスルホン酸エステルに電子吸
引基であるニトロ基を導入したもの、より好ましくはス
ルホニル基のオルト位にニトロ基を導入したものは、露
光によりニトロ基の効果でスルホニル基が励起されてス
ルホン酸エステルが解離しやすくなり、レジスト膜に存
在する水の影響で低露光量でニトロベンゼンスルホン酸
が効率良く生成すること、一般式［ＩＶ］、 ［Ｖ］で
示される化合物の如く、露光によりブリーチする感光性
化合物を用いた場合には、その内部セル効果により、従
来の感光性化合物を用いた場合よりも露光後の透過性が
著しく改善され、解像度が大幅に向上すること、及び一
般式［ＶＩ］で示される化合物を用いた場合には、露光
による酸の発生効率が高く、解像度が大幅に向上するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明で用いられる一般式ＩＩ］で示される感光性化合
物に於て、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３で示されるハロゲン原子及
びハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗
素、沃素が挙げられ、直鎖状１分枝状又は環状のアルキ
ル基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基、Ｒ６
で示される直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基
、同じ＜Ｒ’で示されるアルキル置換シリル基のアルキ
ル基、同ハロアルキル基のアルキル基、同アルコキシア
ルキル基のアルキル基及びアルコキシ基のアルキル基、
同直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基のア
ルキル基及びＲ７で示される直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オク
チル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げ
られる。また、Ｒａ。
物に於て、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３で示されるハロゲン原子及
びハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗
素、沃素が挙げられ、直鎖状１分枝状又は環状のアルキ
ル基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基、Ｒ６
で示される直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基
、同じ＜Ｒ’で示されるアルキル置換シリル基のアルキ
ル基、同ハロアルキル基のアルキル基、同アルコキシア
ルキル基のアルキル基及びアルコキシ基のアルキル基、
同直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基のア
ルキル基及びＲ７で示される直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オク
チル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げ
られる。また、Ｒａ。
Ｒ５で示されるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロ
ゲンとしては塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖
状２分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロア
ルキル基のアルキル基及びＲ１１で示される直鎖状又は
分枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘ
キシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０のア
ルキル基が挙げられる。
ゲンとしては塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖
状２分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロア
ルキル基のアルキル基及びＲ１１で示される直鎖状又は
分枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘ
キシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０のア
ルキル基が挙げられる。
本発明で用いられる一般式［ＩＩで示される感光性化合
物の内、特に好ましいものとしては下記−般式［Ｉ ａ
］で示される化合物が挙げられる。
物の内、特に好ましいものとしては下記−般式［Ｉ ａ
］で示される化合物が挙げられる。
（式中、Ｒ′〜Ｒ５、Ｘ及びｎは前記と同じ。）一般式
［１ａ］で示される化合物の中の代表的なものとしては
、例えば下記一般式［１ｂｌ、［Ｉ ｃｌ及び［Ｉ ｄ
］で示される化合物を挙げることができる。
［１ａ］で示される化合物の中の代表的なものとしては
、例えば下記一般式［１ｂｌ、［Ｉ ｃｌ及び［Ｉ ｄ
］で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ１−Ｒ５及びｎは前記と同じ。）本発明で用
いられる一般式［ＩＩ］で示される感光性化合物に於て
、Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１で示されるハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗素、
沃素が挙げられ、直鎖状９分枝状又は環状のアルキル基
のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基、Ｒ１５で
示される直鎖状又は分校状のアルキル基のアルキル基、
同じくＲ１５で示されるアルキル置換シリル基のアルキ
ル基、同ハロアルキル基のアルキル基、同アルコキシア
ルキル基のアルキル基及びアルコキシ基のアルキル基、
同直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基のア
ルキル基及びＲ１６で示される直鎖状又は分枝状のアル
キル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙
げられる。また、Ｒ１２，Ｒ１３，ＲＩｍで示されるハ
ロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては塩素
、臭素。
いられる一般式［ＩＩ］で示される感光性化合物に於て
、Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１で示されるハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗素、
沃素が挙げられ、直鎖状９分枝状又は環状のアルキル基
のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基、Ｒ１５で
示される直鎖状又は分校状のアルキル基のアルキル基、
同じくＲ１５で示されるアルキル置換シリル基のアルキ
ル基、同ハロアルキル基のアルキル基、同アルコキシア
ルキル基のアルキル基及びアルコキシ基のアルキル基、
同直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基のア
ルキル基及びＲ１６で示される直鎖状又は分枝状のアル
キル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙
げられる。また、Ｒ１２，Ｒ１３，ＲＩｍで示されるハ
ロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては塩素
、臭素。
弗素、沃素が挙げられ、直鎖状９分枝状又は環状のアル
キル基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基及び
Ｒ１７で示される直鎖状又は分枝状のアルキル基のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基。
キル基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基及び
Ｒ１７で示される直鎖状又は分枝状のアルキル基のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基。
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられる。
アルキル基が挙げられる。
本発明で用いられる一般式［ＩＩ［］で示される感光性
化合物に於て、Ｒ１８，Ｒ１９，Ｒ２０，Ｒ２１で示さ
れるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとして
は、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基
のアルキル基、Ｒ２１１で示される直鎖状又は分枝状の
アルキル基のアルキル基、同じ＜Ｒ２８で示されるアル
キル置換シリル基のアルキル基、同ハロアルキル基のア
ルキル基、同アルコキシアルキル基のアルキル基及びア
ルコキシ基のアルキル基、同直鎖状又は分枝状のアルキ
ルオキシカルボニル基のアルキル基及びＲ２９で示され
る直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基としては
、例えばメチル基、エチル基、プロピル基。
化合物に於て、Ｒ１８，Ｒ１９，Ｒ２０，Ｒ２１で示さ
れるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとして
は、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状２分枝
状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基
のアルキル基、Ｒ２１１で示される直鎖状又は分枝状の
アルキル基のアルキル基、同じ＜Ｒ２８で示されるアル
キル置換シリル基のアルキル基、同ハロアルキル基のア
ルキル基、同アルコキシアルキル基のアルキル基及びア
ルコキシ基のアルキル基、同直鎖状又は分枝状のアルキ
ルオキシカルボニル基のアルキル基及びＲ２９で示され
る直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基としては
、例えばメチル基、エチル基、プロピル基。
ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基。
デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。
また、Ｒ２２，１２３，Ｒ２４，Ｒ２５，Ｒ２６，Ｒ２
７で示されるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲ
ンとしては塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状
９分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアル
キル基のアルキル基及びＲ３０で示される直鎖状又は分
枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基。
７で示されるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲ
ンとしては塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状
９分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアル
キル基のアルキル基及びＲ３０で示される直鎖状又は分
枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基。
ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基。
デシル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。
Ｙで示されるアルキレン基及び置換アルキレン基のアル
キレン基としては、例えばメチレン基。
キレン基としては、例えばメチレン基。
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基
、ヘキシレン基、オクチレン基、デシル基等炭素数１〜
１０のアルキレン基が挙げられ、シクロアルキレン基と
しては、例えばシクロプロピレン基、シクロペンチレン
基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロ
デシレン基等炭素数３〜１０のシクロアルキレン基が挙
げられ、置換アルキレン基゛の置換基としては、例えば
塩素。
、ヘキシレン基、オクチレン基、デシル基等炭素数１〜
１０のアルキレン基が挙げられ、シクロアルキレン基と
しては、例えばシクロプロピレン基、シクロペンチレン
基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロ
デシレン基等炭素数３〜１０のシクロアルキレン基が挙
げられ、置換アルキレン基゛の置換基としては、例えば
塩素。
臭素、弗素、沃素等のハロゲン原子、例えばメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル
基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル
基等が挙げられる。
エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル
基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０のアルキル
基等が挙げられる。
本発明で用いられる一般式［ＩＶ］で示される感光性化
合物に於て、Ｒ３１，Ｒ３２で示される直鎖状９分枝状
又は環状のアルキル基のアルキル基及びハロアルキル基
のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、アミル基。
合物に於て、Ｒ３１，Ｒ３２で示される直鎖状９分枝状
又は環状のアルキル基のアルキル基及びハロアルキル基
のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、アミル基。
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとし
ては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、アルケニル
基としては、例えばビニル基。
アルキル基が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとし
ては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、アルケニル
基としては、例えばビニル基。
１−プロペニル基、２−プロペニル基（アリル基）。
２−ブテニル基、イソプロペニル基、■、３−ブタジェ
ニル基、２−ペンテニル基、■−へキセニル基等炭素数
２〜１０のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基とし
ては、例えばベンジル基、フェネチル基。
ニル基、２−ペンテニル基、■−へキセニル基等炭素数
２〜１０のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基とし
ては、例えばベンジル基、フェネチル基。
フェニルプロピル基、フェニルブチル基等炭素数７〜１
０のアラルキル基が挙げられる。また、置換フェニル基
及び置換アラルキル基の置換基である直鎖状９分枝状又
は環状のアルキル基のアルキル基、直鎖状又は分枝状の
アルコキシ基のアルキル基及びハロアルキル基のアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基。
０のアラルキル基が挙げられる。また、置換フェニル基
及び置換アラルキル基の置換基である直鎖状９分枝状又
は環状のアルキル基のアルキル基、直鎖状又は分枝状の
アルコキシ基のアルキル基及びハロアルキル基のアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基。
アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数
１−ｉｏのアルキル基が挙げられ、ハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては塩素。
１−ｉｏのアルキル基が挙げられ、ハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては塩素。
臭素、弗素、沃素が挙げら九る。
本発明で用いられる一般式［Ｖ］で示される感光性化合
物に於て、Ｂ３Ｂ、 Ｒ３４，Ｒ３５，Ｒ３６で示され
るハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては
、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状９分校状
又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基の
アルキル基及び直鎖状又は分枝状のアルコキシ基のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デ
シル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、アル
ケニル基としては、例えばビニル基、１−プロペニル基
。
物に於て、Ｂ３Ｂ、 Ｒ３４，Ｒ３５，Ｒ３６で示され
るハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては
、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、直鎖状９分校状
又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基の
アルキル基及び直鎖状又は分枝状のアルコキシ基のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デ
シル基等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、アル
ケニル基としては、例えばビニル基、１−プロペニル基
。
２−プロペニル基（アリル基）、２−ブテニル基、イソ
プロペニル基、１，３−ブタジェニル基、２−ペンテニ
ル基、１−へキセニル基等炭素数２〜１０のアルケニル
基が挙げられ、アラルキル基としては１例えばベンジル
基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチ
ル基等炭素数７〜１０のアラルキル基が挙げられる。ま
た、置換フェニル基の置換基であるハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗素、
沃素が挙げられ、直鎖状９分枝状又は環状のアルキル基
のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基及び直鎖状
又は分枝状のアルコキシ基のアルキル基としては、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１
０のアルキル基が挙げられる。
プロペニル基、１，３−ブタジェニル基、２−ペンテニ
ル基、１−へキセニル基等炭素数２〜１０のアルケニル
基が挙げられ、アラルキル基としては１例えばベンジル
基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチ
ル基等炭素数７〜１０のアラルキル基が挙げられる。ま
た、置換フェニル基の置換基であるハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、弗素、
沃素が挙げられ、直鎖状９分枝状又は環状のアルキル基
のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル基及び直鎖状
又は分枝状のアルコキシ基のアルキル基としては、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１
０のアルキル基が挙げられる。
本発明で用いられる一般式［ＶＩ］で示される感光性化
合物に於て、Ｒ３？、 ［７４０で示される直鎖状９分
枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル
基のアルキル基及び直鎖状又は分校状のアルコキシ基の
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、アミル基。
合物に於て、Ｒ３？、 ［７４０で示される直鎖状９分
枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル
基のアルキル基及び直鎖状又は分校状のアルコキシ基の
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、アミル基。
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとし
ては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、アルケニル
基としては、例えばビニル基。
アルキル基が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとし
ては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、アルケニル
基としては、例えばビニル基。
１−プロペニル基、２−プロペニル基（アリル基）。
２−ブテニル基、イソプロペニル基、１，３−ブタジェ
ニル基、２−ペンテニル基、１−へキセニル基等炭素数
２〜１０のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基とし
ては、例えばベンジル基、フェネチル基。
ニル基、２−ペンテニル基、１−へキセニル基等炭素数
２〜１０のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基とし
ては、例えばベンジル基、フェネチル基。
フェニルプロピル基、フェニルブチル基等炭素数７〜１
０のアラルキル基が挙げられる。また、置換フェニル基
及び置換アラルキル基の置換基である直鎖状２分枝状又
は環状のアルキル基のアルキル基、直鎖状又は分枝状の
アルコキシ基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル
基及び直鎖状又は分枝状のアルキルチオ基のアルキル基
としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基
等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、ハロゲン原
子及びハロアルキル基のハロゲンとしては塩素、臭素、
弗素、沃素が挙げられる。また、Ｒ３８，Ｒ９９で示さ
れる直鎖状又は分枝状のアルキル基としては１例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられ、ハロゲン原子としては塩素、臭
素、弗素。
０のアラルキル基が挙げられる。また、置換フェニル基
及び置換アラルキル基の置換基である直鎖状２分枝状又
は環状のアルキル基のアルキル基、直鎖状又は分枝状の
アルコキシ基のアルキル基、ハロアルキル基のアルキル
基及び直鎖状又は分枝状のアルキルチオ基のアルキル基
としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基
等炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、ハロゲン原
子及びハロアルキル基のハロゲンとしては塩素、臭素、
弗素、沃素が挙げられる。また、Ｒ３８，Ｒ９９で示さ
れる直鎖状又は分枝状のアルキル基としては１例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられ、ハロゲン原子としては塩素、臭
素、弗素。
沃素が挙げられる。
本発明で用いられる化学変化を受けてアルカリ可溶性に
なる官能基を有する溶解阻害化合物としては、例えば、
ビスフェノールＡ、ポリヒドロキシスチレンオリゴマー
、ポリヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂等フェ
ノール性ＯＨ基を有するもので、そのフェノール性ＯＨ
基が酸により脱離しやすい、例えばｔｅｒｔ−ブチル基
、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、シクロアルキル基
、アルキル置換シリル基、テトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基、ハロアルキル基、メトキシメチ
ル基、直鎖状又は分枝状アルキルオキシカルボニル基等
で保護したものが挙げられるが特にこれらに限定される
ものではない。
なる官能基を有する溶解阻害化合物としては、例えば、
ビスフェノールＡ、ポリヒドロキシスチレンオリゴマー
、ポリヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂等フェ
ノール性ＯＨ基を有するもので、そのフェノール性ＯＨ
基が酸により脱離しやすい、例えばｔｅｒｔ−ブチル基
、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、シクロアルキル基
、アルキル置換シリル基、テトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基、ハロアルキル基、メトキシメチ
ル基、直鎖状又は分枝状アルキルオキシカルボニル基等
で保護したものが挙げられるが特にこれらに限定される
ものではない。
本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例え
ば、ノボラック樹脂、ポリＰ−ヒドロキシスチレン樹脂
、スチレンマレイン酸ハーフエステル樹脂及びＰ−ヒド
ロキシスチレン−ｐ−アルコキシスチレン共重合体（但
し、アルコキシ基のアルキル基は炭素数１〜１０で、直
鎖状、分枝状いずれにても可。）等が代表的なものとし
て挙げられるが特にこれらに限定されるものではなく、
通常この種の分野でこの種の目的に使用されるアルカリ
可溶性樹脂であれば何れにても良い。
ば、ノボラック樹脂、ポリＰ−ヒドロキシスチレン樹脂
、スチレンマレイン酸ハーフエステル樹脂及びＰ−ヒド
ロキシスチレン−ｐ−アルコキシスチレン共重合体（但
し、アルコキシ基のアルキル基は炭素数１〜１０で、直
鎖状、分枝状いずれにても可。）等が代表的なものとし
て挙げられるが特にこれらに限定されるものではなく、
通常この種の分野でこの種の目的に使用されるアルカリ
可溶性樹脂であれば何れにても良い。
本発明で用いられる溶剤としては感光性化合物、溶解阻
害化合物及び樹脂の三者を溶解可能なものであれば何れ
にても良いが通常は３６５ｎｍ及び２４８ｎｍ付近に吸
取を有さないものがより好ましく用いられる。より具体
的にはエチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブ
アセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
乳酸エチル、乳酸メチル、ジオキサン又はエチレングリ
コールモノイソプロビルエーテル等が挙げられるが勿論
これ等に限定されるものではない。
害化合物及び樹脂の三者を溶解可能なものであれば何れ
にても良いが通常は３６５ｎｍ及び２４８ｎｍ付近に吸
取を有さないものがより好ましく用いられる。より具体
的にはエチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブ
アセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
乳酸エチル、乳酸メチル、ジオキサン又はエチレングリ
コールモノイソプロビルエーテル等が挙げられるが勿論
これ等に限定されるものではない。
本発明のレジスト材料はＫｒＦエキシマレーザ光はもと
より、ｉ線光でも酸が発生し、化学増幅作用することが
確認されている。従って本発明のレジスト材料は化学増
幅方法を利用して低露光量の遠紫外光、ＫｒＦエキシマ
レーザ光（２４８，４ｎｍ）やｉ線光（３６５ｎｍ）を
用いてパターン形成可能なレジスト材料である。
より、ｉ線光でも酸が発生し、化学増幅作用することが
確認されている。従って本発明のレジスト材料は化学増
幅方法を利用して低露光量の遠紫外光、ＫｒＦエキシマ
レーザ光（２４８，４ｎｍ）やｉ線光（３６５ｎｍ）を
用いてパターン形成可能なレジスト材料である。
［作用］
本発明の作用について説明すると、先ず、ＫｒＦエキシ
マレーザ光、遠紫外光やｉ線光等で露光された部位は例
えば下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）又は
（Ｆ）で示される光反応に従って酸が発生する。
マレーザ光、遠紫外光やｉ線光等で露光された部位は例
えば下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）又は
（Ｆ）で示される光反応に従って酸が発生する。
露光工程に続いて加熱処理を行なうと下記（Ｇ）の反応
式に従って溶解阻害化合物の官能基が酸により化学変化
を受け、アルカリ可溶性となり、現像の際、現像液に溶
出してくる。
式に従って溶解阻害化合物の官能基が酸により化学変化
を受け、アルカリ可溶性となり、現像の際、現像液に溶
出してくる。
他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱処理しても化
学変化は起らず、溶解阻害化合物は変化せず、アルカリ
可溶性基の発現はない。
学変化は起らず、溶解阻害化合物は変化せず、アルカリ
可溶性基の発現はない。
このように本発明のレジスト材料を用いてパターン形成
を行なった場合には露光部と未露光部との間でアルカリ
現像液に対して大きな溶解度差が生じ、その結果、良好
なコントラストを有したポジ型パターンが形成される。
を行なった場合には露光部と未露光部との間でアルカリ
現像液に対して大きな溶解度差が生じ、その結果、良好
なコントラストを有したポジ型パターンが形成される。
尚、前記反応式（Ｇ）で示されるように露光で発生した
酸は触媒的に作用する為、露光は必要な酸を発生させる
だけで良く露光エネルギー量の低減が可能となる。
酸は触媒的に作用する為、露光は必要な酸を発生させる
だけで良く露光エネルギー量の低減が可能となる。
［実施例コ
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれ等により何等制約を受けるものではない。
本発明はこれ等により何等制約を受けるものではない。
実施例 １゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
（ｋ／ｌ／ｐ＝２／１／１） ６．０ｇジエチレング
リコールジメチルエーテル １５．０゜第１図を用いて
上記レジスト材料を使用したパターン形成方法を説明す
る。半導体等の基板１上に上記レジスト材料２を回転塗
布し、９０℃、９０秒間ホントプレートでソフトベーク
後、１．０μｍの膜厚のレジスト材料膜を得た（第１図
（ａ））。次に２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ
光３をマスク４を介して選択的に露光した（第１図（ｂ
））。そして１２０℃、９０秒間ホットプレートでプレ
ベーク後、アルカリ現像液（２，３８％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液）で６０秒間現像するこ
とにより、レジスト材料２の露光部のみを溶解除去し、
ポジ型パターン２ａを得た（第１図（Ｃ））。このレジ
スト材料膜（１，０μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線
を第２図に示す。露光前後の透過率はほとんど変化せず
、露光後も約６５％と高い透過性を示している。また、
この時のポジ型パターンのアスペクト比は約８７度の好
形状の０．３μｍラインアンドスペースであった。更に
このレジスト材料膜（１゜０μｍ）のγ特性を第３図に
示す、この材料は最小露光量的５ｍＪ／ａｎ２という高
感度であった。
リコールジメチルエーテル １５．０゜第１図を用いて
上記レジスト材料を使用したパターン形成方法を説明す
る。半導体等の基板１上に上記レジスト材料２を回転塗
布し、９０℃、９０秒間ホントプレートでソフトベーク
後、１．０μｍの膜厚のレジスト材料膜を得た（第１図
（ａ））。次に２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ
光３をマスク４を介して選択的に露光した（第１図（ｂ
））。そして１２０℃、９０秒間ホットプレートでプレ
ベーク後、アルカリ現像液（２，３８％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液）で６０秒間現像するこ
とにより、レジスト材料２の露光部のみを溶解除去し、
ポジ型パターン２ａを得た（第１図（Ｃ））。このレジ
スト材料膜（１，０μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線
を第２図に示す。露光前後の透過率はほとんど変化せず
、露光後も約６５％と高い透過性を示している。また、
この時のポジ型パターンのアスペクト比は約８７度の好
形状の０．３μｍラインアンドスペースであった。更に
このレジスト材料膜（１゜０μｍ）のγ特性を第３図に
示す、この材料は最小露光量的５ｍＪ／ａｎ２という高
感度であった。
実施例 ２゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ノボラック樹ｎ６−０ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５・０ｇ上
記レジスト材料を用い、光源を２４８．４ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光の代わりに３６５ｎｍのｉ線光を使用
して実施例１と同様の実験を行なった。
記レジスト材料を用い、光源を２４８．４ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光の代わりに３６５ｎｍのｉ線光を使用
して実施例１と同様の実験を行なった。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約３５ｍＪ／ｃ＋ｎ２の露光エネルギー量でパター
ン形成が可能であった。
ンは約３５ｍＪ／ｃ＋ｎ２の露光エネルギー量でパター
ン形成が可能であった。
実施例 ３゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約１０ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約１０ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
実施例 ４゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約８＋Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン形
成が可能であった。
ンは約８＋Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン形
成が可能であった。
実施例 ５゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ノボラック樹ｎ６．０ｇ
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約４５ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約４５ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
実施例 ６゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
（ｋ／１＝５１５）
６．０ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
ジエチレングリコールジメチルエーテル１５．０ｇ
上記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行な
った。
った。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約２７ｍＪ／ｃｔｌ１２の露光エネルギー量でパタ
ーン形成が可能であった。
ンは約２７ｍＪ／ｃｔｌ１２の露光エネルギー量でパタ
ーン形成が可能であった。
実施例 ７゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
パターンは約７０ｍＪ／ａｍ２の露光エネルギー量でパ
ターン形成が可能であった。
ターン形成が可能であった。
実施例 ８゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
（ｋ／１＝９／１）
６．０ｇ
（ｋ／１＝９／１） ６．０ｇジエチレングリ
コールジメチルエーテル １５．０ｇ上記レジスト材料
を用いて実施例２と同様に、１線光を用いて実験を行な
った。
コールジメチルエーテル １５．０ｇ上記レジスト材料
を用いて実施例２と同様に、１線光を用いて実験を行な
った。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型ジエチ
レングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上記レジ
スト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なった。
レングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上記レジ
スト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なった。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約１７ｍＪ／ｃｍ”の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約１７ｍＪ／ｃｍ”の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
実施例 ９゜
実施例８に於て感光性化合物を
に代えて同様の実験を行なったところ、得られたポジ型
パターンは約２０ｍＪ／ｃＩ１１２の露光エネルギー量
でパターン形成が可能であった。
パターンは約２０ｍＪ／ｃＩ１１２の露光エネルギー量
でパターン形成が可能であった。
実施例 １０゜
実施例８に於て感光性化合物を
に代えて同様の実験を行なったところ、得られたポジ型
パターンは約３０ｍＪ／ｃ＋ｎ２の露光エネルギー量で
パターン形成が可能であった。
パターンは約３０ｍＪ／ｃ＋ｎ２の露光エネルギー量で
パターン形成が可能であった。
実施例 １１゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約２５ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約２５ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
実施例 １２゜
実施例１１に於て感光性化合物を
（ｋ／１＝９／１）
６．０ｇ
に代えて同様の実験を行なったところ、得られたポジ型
パターンは約１９ｍＪ／ａｍ２の露光エネルギー量了）
パターン形成が可能であった。
パターンは約１９ｍＪ／ａｍ２の露光エネルギー量了）
パターン形成が可能であった。
実施例 １３゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
記レジスト材料を用いて実施例１と同様の実験を行なっ
た。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約１６ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約１６ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
実施例 １４゜
下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ジエチレングリコールジメチルエーテル １５．０ｇ上
記レジスト材料を用いて実施例２と同様に、ｉ線光を用
いて実験を行なった。
記レジスト材料を用いて実施例２と同様に、ｉ線光を用
いて実験を行なった。
その結果、このレジスト材料を用いて得たポジ型パター
ンは約６２ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
ンは約６２ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン
形成が可能であった。
［発明の効果］
本発明に係るレジスト材料を４００ｒｒｍ以下の光源例
えば３６５ｎｍのｉ線光、３００ｎｍ以下の遠紫外光（
Ｄｅｅｐ ＵＶ） 、例えばＫｒＦエキシマレーザ光
（２４８゜４ｎｍ）等の露光用レジスト材料として用い
た場合には、サブミクロンオーダーの形状の良い微細な
パターンが容易に得られる。従って本発明は、半導体産
業等に於けるＭ微細パターンの形成にとって大きな価値
を有するものである。
えば３６５ｎｍのｉ線光、３００ｎｍ以下の遠紫外光（
Ｄｅｅｐ ＵＶ） 、例えばＫｒＦエキシマレーザ光
（２４８゜４ｎｍ）等の露光用レジスト材料として用い
た場合には、サブミクロンオーダーの形状の良い微細な
パターンが容易に得られる。従って本発明は、半導体産
業等に於けるＭ微細パターンの形成にとって大きな価値
を有するものである。
尚、本レジスト材料はｉ線光や遠紫外光、ＫｒＦエキシ
マレーザ光で特に効果を発揮するが、電子線やＸ線でも
充分使用が可能である。
マレーザ光で特に効果を発揮するが、電子線やＸ線でも
充分使用が可能である。
第１図〜第３図は実施例１で得られた結果を示し、第１
図は本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法の
工程断面図、第２図は本発明のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第３
図は本発明のレジスト材料のγ特性図を夫々示す。また
第４図は従来のレジスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、９Ｊ５図は従来のレジスト材料の紫外線
分光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第
６図は従来のレジスト材料のγ特性図である。 １・・・基板、２・・・本発明のレジスト材料膜、３・
・・ＫｒＦエキシマレーザ光、４・・・マスク、５・・
・従来のレジスト材料膜、２ａ・・−樹脂パターン。 特許出願人 和光純薬工業株式会社 第 図 塑 噌 脣 第 図 禦 す 脣 メ 要 謔 Δコ 藻 員
図は本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法の
工程断面図、第２図は本発明のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第３
図は本発明のレジスト材料のγ特性図を夫々示す。また
第４図は従来のレジスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、９Ｊ５図は従来のレジスト材料の紫外線
分光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第
６図は従来のレジスト材料のγ特性図である。 １・・・基板、２・・・本発明のレジスト材料膜、３・
・・ＫｒＦエキシマレーザ光、４・・・マスク、５・・
・従来のレジスト材料膜、２ａ・・−樹脂パターン。 特許出願人 和光純薬工業株式会社 第 図 塑 噌 脣 第 図 禦 す 脣 メ 要 謔 Δコ 藻 員
Claims (1)
- （１）露光により酸を発生する感光性化合物と、生成し
た酸で化学変化を受けてアルカリ可溶性になる官能基を
有する溶解阻害化合物と、アルカリ可溶性樹脂及びこれ
ら三者を溶解可能な溶剤とから成るレジスト材料に於て
、露光により酸を発生する感光性化合物として下記一般
式［ I ］〜［VI］で示される化合物のいずれかを用い
ることを特徴とするレジスト材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ ［式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は夫々独立して水素原
子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又
は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基
、−ＯＲ＾６（但し、Ｒ＾６は炭素数１〜１０の直鎖状
又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキル置
換シリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフ
ラニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２
〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１１の直鎖
状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わす。 ）、ニトロ基、ニトリル基、アミド基又は−ＣＯＯＲ＾
７基（但し、Ｒ＾７は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルキル基を表わす。）を表わし、Ｒ＾４、Ｒ＾５
は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１
０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜
１０のハロアルキル基、−ＯＲ＾６（但し、Ｒ＾６は炭
素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす
。）、ニトロ基又はニトリル基を表わし、Ｘは炭素原子
、フェニル基又はナフチル基を表わし、ｎは０〜３の整
数を表わす。］▲数式、化学式、表等があります▼［I
I］ ［式中、Ｒ＾９、Ｒ＾１０、Ｒ＾１＾１は夫々独立して
水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分
枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアル
キル基、−ＯＲ＾１＾５（但し、Ｒ＾１＾５は炭素数１
〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１
０のアルキル置換シリル基、テトラヒドロピラニル基、
テトラヒドロフラニル基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数
２〜１１の直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニ
ル基を表わす。）、ニトロ基、ニトリル基、アミド基又
は−ＣＯＯＲ＾１＾６基（但し、Ｒ＾１＾６は炭素数１
〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。 ）を表わし、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾４は夫
々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の
直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０
のハロアルキル基、−ＯＲ＾１＾７（但し、Ｒ＾１＾７
は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表
わす。）、ニトロ基又はニトリル基を表わし、ｍは１〜
４の整数を表わす。］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ ［式中、Ｒ＾１＾８〜Ｒ＾２＾１は夫々独立して水素原
子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又
は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基
、−ＯＲ＾２＾８（但し、Ｒ＾２＾８は炭素数１〜１０
の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０のア
ルキル置換シリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロフラニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、
炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１
１の直鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基を
表わす。）、ニトロ基、ニトリル基、アミド基又は−Ｃ
ＯＯＲ＾２＾９基（但し、Ｒ＾２＾９は炭素数１〜１０
の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）を表わし
、Ｒ＾２＾２〜Ｒ＾２＾７は夫々独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状
のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、−Ｏ
Ｒ＾３＾０（但し、Ｒ＾３＾０は炭素数１〜１０の直鎖
状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又は
ニトリル基を表わし、Ｙは単結合、酸素原子、−ＣＨ＝
Ｎ−基、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数１〜１
０の置換アルキレン基又は炭素数３〜１０のシクロアル
キレン基を表わし、ｋ、ｌは夫々独立して１〜４の整数
を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］ ［式中、Ｒ＾３＾１、Ｒ＾３＾２は夫々独立して炭素数
１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素
数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルケ
ニル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基は、ハロ
ゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状の
アルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアル
コキシ基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基
、ニトリル基又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラル
キル基又は置換アラルキル基（置換基は、ハロゲン原子
、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル
基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリ
ル基又はアミド基）を表わす。］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ ［式中、Ｒ＾３＾３、Ｒ＾３＾４、Ｒ＾３＾５、Ｒ＾３
＾６は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１
〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数
１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又
は分枝状のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル
基、炭素数７〜１０のアラルキル基、フェニル基、置換
フェニル基（置換基は、ハロゲン原子、炭素数１〜１０
の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１
０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルコキシ基、ニトロ基、ニトリル基又はアミド基
。）を表わす。また、Ｒ＾３＾３とＲ＾３＾４、Ｒ＾３
＾４とＲ＾３＾５及びＲ＾３＾５とＲ＾３＾６は夫々独
立して、互いに結合して脂環、ヘテロ脂環、芳香環又は
ヘテロ芳香環を形成していても良い。］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VI］ ［式中Ｒ＾３＾７、Ｒ＾４＾０は夫々独立して炭素数１
〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数
１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又
は分枝状のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、（置換基は、ハロゲ
ン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のア
ルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコ
キシ基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜
１０の直鎖状又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、
ニトリル基、又はアミド基）、炭素数７〜１０のアラル
キル基又は置換アラルキル基（置換基は、ハロゲン原子
、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル
基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基
、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０の
直鎖状又は分枝状のアルキルチオ基、ニトロ基、ニトリ
ル基又はアミド基）を表わし、Ｒ＾３＾６、Ｒ＾３＾９
は夫々独立して水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は
分枝状のアルキル基又はハロゲン原子を表わし、Ａ、Ｂ
は夫々独立してカルボニル基、スルホニル基又はスルフ
ィニル基を表わす。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204560A JP2849666B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 新規なレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204560A JP2849666B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 新規なレジスト材料 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9362836A Division JP2861992B2 (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 新規なレジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488348A true JPH0488348A (ja) | 1992-03-23 |
| JP2849666B2 JP2849666B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16492500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2204560A Expired - Lifetime JP2849666B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 新規なレジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849666B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04149445A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型感光性組成物 |
| EP0588544A2 (en) * | 1992-09-14 | 1994-03-23 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Fine pattern forming material and pattern formation process |
| US6528240B1 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284648A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
| JPH02187764A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感遠紫外線樹脂組成物 |
| JPH03103854A (ja) * | 1989-09-09 | 1991-04-30 | Hoechst Ag | 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料 |
| JPH03223864A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
| JPH03223862A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
| JPH03223865A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204560A patent/JP2849666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284648A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
| JPH02187764A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感遠紫外線樹脂組成物 |
| JPH03103854A (ja) * | 1989-09-09 | 1991-04-30 | Hoechst Ag | 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料 |
| JPH03223864A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
| JPH03223862A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
| JPH03223865A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04149445A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型感光性組成物 |
| EP0588544A2 (en) * | 1992-09-14 | 1994-03-23 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Fine pattern forming material and pattern formation process |
| EP0588544A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-09-28 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Fine pattern forming material and pattern formation process |
| US6528240B1 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2849666B2 (ja) | 1999-01-20 |
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