JPH0274A - パターン形成用コントラストエンスト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この材料は、エネルギー線特に遠紫外線やエキシマレー
ザ光に対する初期透過率が低く、エネルギー線特に遠紫
外線やエキシマレーザ光に対して漂白作用を付加させ完
全に漂白した後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギ
ー（Ｘ）、縦軸透過率（Ｙ）とした特性式、Ｙ＝ＡＸ＋
Ｂとした場合Ａが大で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、
レジスト上に塗布した後にこの材料薄膜を介してレジス
トを露光することによって、従来の露光方法に比べ、解
像上の向上を可能とする微細パターン形成材料に関する
ものである。

従来の技術 １９８３年、米国ＧＥ社のＢ、Ｆ、　Ｇｒｉｆｆｉｎｇ
らはパターン形成用のレジスト上に光強度プロファイル
のコントラストを促進させるコントラストエンハンスト
層を積層することによシ、解像度およびパターン形状の
改善を図る方法を発表した（コントラスト　エンハンス
ト　フォトリソグラフィ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ　Ｅｎｈａ
ｎｃｅｄ　Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）。

Ｂ、Ｒ，グリフイン他　アイイーイーイー−ＥＤ。

ＥＤＬ−４巻（Ｂ、Ｆ、　Ｇｒｉｆｆｉｎｇｅｔａｌ　
、　ＩＥＥＥＥＤ、ＶＯＬ、ＥＤＬ−４）、Ａ１．Ｊａ
ｎ、　１９８３）。

この発表によると通常の縮小投影法（λ：４３６ｎｍ、
Ｎ、Ａ：０．３２）で０．４ｐｍまでの解像が可能と報
告されている。

発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンストす
るためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明で
きる。

一般に縮小投影法における出力の光強度プロファイルは
、その光学レンズ系により加工される。

説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行なった場合
、回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な
矩形波といえ、そのコントラストＣは次式 ％式％ で示される。その時、コントラストＣは１０ｏ％となる
。その入力波形は光学レンズを通過することで、その光
学レンズ系の伝達関数とよって、フ＋ＨＩＪ工変換した
後、出力波形として余弦波の形状に近くなりコントラス
トＣも劣化する。このコントラストの劣化はパターン形
状例えば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ち
なみにレジストパターン解像に要するコントラストは、
レジスト自身の特性より６０％以上とされ、コントラス
トＣ値が６０チ以下となるとパターン形成が不可能とな
る。

そこで、パターン形成有機膜の特性曲線、っまシ露光時
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に対する
透過率が小さく（工ｍｉユの増加が少ない）、露光エネ
ルギーの犬なる領域では紫外線に対する透過率が大きい
（工ｍａｗの増加が多い）傾向の膜に、前述の出力波形
を通過させることによシコントラストＣ値が増大する傾
向が発見される。これをさらに定量的に説明するため、
米国ＩＢＭ社のＦ、ＨｌＤｉｌｌらの報告（キャラクタ
ライゼーション　オブ　ポジティブフォトレジスト（Ｃ
ｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｏ５ｉｔｉ
ｖｅ　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）。

Ｆ、Ｈ，ディル他アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤ−２２
巻（Ｆ、Ｈ，Ｄｉｌｌ　ｅｔａｌ　、　ＩＥＥＥ−ＥＤ
、　ＶＯＬ、ＥＤ−２２）　、　Ａ７．　　Ｊｕｌ、　
１９７６　）の中でポジレジストの露光吸収項Ａにあら
れされるパラメータを使用する。一般的にＡは で示され、コントラストエンハンストはＡ値が犬なる傾
向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚）を
薄く、Ｔ（０）（初期透過率）、Ｔ（→（最終透過率）
の比が犬になることが必要である。

発明が解決しようとする課題 しかし、従来のコントラストエンハンスト材料は４３６
　ｎｍや３６５　ｎｍや４０６　ｎｍの紫外線に適した
材料であり、ＤＵＶ光や２４９　ｎｍのエキシマ・レー
ザ光を用いた露光の際には、これらの波長に全く吸収感
度を示さないことから、全くコントラストエンハンスト
作用を示さない。第４図に通常のコントラストエンハン
スト膜（Ｏ，３Ｓμｍ）の紫外分光曲線を示す（ＤＵＶ
領域に吸収がないことがわかる）。

第５図に、従来のコントラストエンハンスト材料をエキ
シマ・レーザ光やＤＵＶ光による露光を用いたパターン
形成方法について説明する。基板１上にレジスト２を回
転塗布する〔第６図（ａ）〕。

次にレジスト上に水溶性コントラストエンハンスへドレ
イヤ−６を回転塗布する〔第５図（ｂ）　）、そして、
縮小投影法によシマスフ７を介して選択的にエキシマ・
レーザ光４で露光する〔第６図（Ｃ）〕。

このとき、レジスト２の一部も選択露光される。

そして最後に通常の現像処理を施し水溶性コントラスト
エンハンスドレイヤーを除去すると同時にレジスト２の
パターン形成を行なう〔第５図（ｄ）〕。

しかし、先に記したように、従来のコントラストエンハ
ンスト材料は、ＤＵＶ領域の光をほとんど透過させるた
めに、この材料を用いた場合にも全くコントラストエン
ハンスト作用を示さず、レジストパターン２ｂは通常の
場合の露光したパターンと相違はない。

従って、本発明は遠紫外線特に２４９　ｎｍエキシマレ
ーサ光ニ大シてコントラストエンハンスト効果を示すパ
ターン形成用コントラストエンハンスト材料を提供する
ことを目的とする。

課題を解決するだめの手段 本発明は、２４　Ｑ　ｎｍ付近の光に吸収の少ない水系
溶媒可能なポリマーと２４９　ｎｍ付近の光に反応する
光反応試薬と前記ポリマーと前記光反応試薬の両者を溶
解する溶媒よりなシ、膜としたときの露光前後の吸収率
の自然対数値を膜厚で除した値が５以上であることを特
徴とする、光照射の有無にかかわらず全て水系溶媒にて
溶解可能なパターン形成用コントラストエンハンスト材
料を提供するものである。

作　　用 本発明の材料は、コントラストを示すＡ値が６以上であ
シ、このときレジストパターンのコントラストを十分向
上させることができ、特にＤＵＶＵＶエヤエキシマーザ
光による露光、現像に際してのレジストパターン形成が
高コントラスト、高解像度で行うことができる。

実施例 ２４９ｎｍエキシマ・レーザ露光等におけるコントラス
トエンハンスト材料の要求に応じるため、本発明者らは
ポリマーとして、水溶性ポリマー（プルラン等）や２４
　ｅ　ｎｍ付近に吸収の少ないノボラック樹脂（ｍ−ク
レゾールホルムアルデヒドノボラック系樹脂、０−クロ
ロ−ｍ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック系樹脂
、ｐ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック系樹脂等
）や環状ポリイミド化合物の誘導体やキシレノール樹脂
、スチレン樹脂、マイレン酸エステル樹脂またはその共
重合体スチレン・マレイン酸共重合樹脂。

マチレン・マレイン酸エステル共重Ｈ脂、スチレン・マ
レイン酸ハーフエステル共重合樹脂やその混合物等を見
い出した。一般には１μｍｇ厚で２４９　ｎｍにおける
透過率が９０係以上であることが望ましい。

なお、一般に水溶性ポリマーは厚膜（約１．０μｍ以上
）では２４９　ｎｍで９０係以下の透過率であるが、約
０．５μｍ以下の薄膜にすれば２４９　ｎｍで９ｏ％以
上の透過率となることから、本発明のコントラストエン
ハンスト材料を０．５μｍ以下でレジスト上に塗布して
パターン形成に用いれば問題なくコントラストエンハン
スト効果を示す。また、これらの水溶性ポリマーの混合
物は、下地レジストからのＮ２　　ガスを透過させ易い
という利点ももつ。

光漂白試薬としては２４９　ｎｍ露光前後の透過率の比
を上げるものとして、 （Ｒ１，Ｌ！はいずれかがベンゼン環を含む置換基）を
用いた。この化合物は露光前には２４　Ｑ　ｎｍ付近に
大きな吸収をもち、また、露光後には、の反応により２
４　Ｑ　ｎｍ付近の吸収がほとんどなくなる。

　Ｎ２０ 有する化合物は他の同様の化合物例えば６−ジアシメル
ドラム酸に比べてその光反応感度が４割程度良好となシ
、実際のパターン形成工程の歩留まり向上にきわめて有
効である。

まだ、本発明に係る光漂白試薬の置換基にベンゼン環が
含まれておれば熱安定性が良好となるが、ベンゼン環が
直接脂肪環に結合するとその立体配位から、化合物がか
えって不安定となる。

本発明の如く少なくとも１つのメチレン基を脂肪環とベ
ンゼン環の間に介することにより非常に安定な（例えば
、２６℃、１年間保存も全く劣化なしの）化合物となっ
た。

又、本発明に係る光反応試薬としては、２４９ｎｍ露光
前後の透過率の比を上げるものとして−Ｃ−Ｃ−なる結
合単位を含む化合物を用いた。

１１Ｉ 　Ｎ２ すなわち、このような化合物は、露光前（未照射時）に
は２５Ｏｎｍ付近に大きな吸収をもち、また、露光後に
は −Ｃ−Ｃ−−−→０＝Ｃ＝＝Ｃ〜十Ｎ２↑Ｎ２ の反応が起こシ、２５　Ｏｎｍ付近の吸収がほとんどな
くなる。

なお、通常、本発明のパターン形成材料に係る一Ｃ−Ｃ
−基を含む光反応試薬は熱的に不安定で　Ｎ２ あシ、室温保存でも特性劣化が生じる場合が多いが、本
発明の如くベンゼン環と−Ｃ−や−８−基の存在如より
、安定化される。なお、ベンゼン環に他の置換基が含ま
れていても全く特性は変化なく、また、ＮＯ２基やＦ基
、ｏＣＨ３基等の基はよシ本光反応試薬を安定にするこ
とを本発明者らは見い出している。

また、本発明試薬のベンゼン環のかわシにナフタレン環
やアントラセン環が少なくとも１つ含ま環による場合と
同様に安定化されるだめに、これらの環とベンゼン環が
置換されてもよい。

又、本発明に係る光反応試薬としては、２４９ｎｍ露先
前後の透過率の比を上げるものとじて２ｏＮ２ 即ち、このような化合物は、露光前（未照射時）２０　
Ｎ２ の反応が起こシ、２５　Ｏｎｍ付近の吸収がほとんどな
くなる。

又、本発明に係る光漂白試薬としては、２４９ｎｍ露光
前後の透過率の比を上げるものとして、アクリジンの透
導体を用いた。

たとえばアクリジン・オレンジは第３図に示す如く遠紫
外領域、特に２５Ｏｎｍ付近の光で透過率が上がる（吸
収率が下がる）ために、コントラストエンハンスト効果
が大きくなる。他のアクリジンの誘導体についても同様
である。

溶媒としては、コントラストエンハンスト効果を、溶媒
の吸収によって阻害しないように２４９ｎｍにできるだ
け吸収の少ないジエチレングリコールジメチルエーテル
などを用いた。なお、前記ポリマーと同様な理由によシ
、コントラストエンハンスト材料を薄膜にしたときには
、溶媒がほぼ完全に蒸発するため、２４９　ｎｍに吸収
が大のエチルセルンルプアセテートを用いても全く問題
はなかった。

本発明のパターン形成コントラストエンハンスト材料を
２４９　ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザー露光に用いる
ことによシ、コントラストの増大した微細レジストパタ
ーンを形成することができる。

以下具体的な例を述べる。

（その１） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

プルラン（分子量４万：林原生物化学研究所製）２．５
．９ 純　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　２０．
０９この発明のパターン形成コントラストエンハンスト
材料を用いてレジストパターン形成を行なったりソゲラ
フイエ程を第１図に示す。半導体等の基板１上にポジレ
ジスト２を１．５μｍ厚に回転塗布する〔第１図（ａ）
〕。次に本発明のパターン形成用材料の層３を厚さ約０
．１２μｍでレジスト上に回転塗布形成した〔第１図０
））〕。そして、縮小投影露光法（５：１縮小、ＮＡ＝
０．３０）によシ選択的１／Ｃ２４９ｎｍ　　ＫｒＦエ
キシマ・レーザ光４を露光する〔第１図（Ｃ）〕。この
とき必要な露光量は１３０ｍ工／ｃｒＡであり、通常の
レジストのみの場合の３０％増のみであった。そして通
常のアルカリ現像液によってコントラストエン／Ｓンス
トの層である本発明のパターン形成コントラスト二ン７
１ンスト膜３を除去すると同時に下地レジスト２を現像
してレジストパターン２ａを形成した〔第１図（ｄ）　
）、このときレジストパターン２ａはコントラストの向
上した０、３μｍのラインアンドスペースを現像できた
。

（その２） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

メタ・クレゾールノボラック樹脂　　２．５ｇエチルセ
ルソルブアセテート　　　　２０　、　Ｏｐこのように
調整されたパターン形成コントラストエンハンスト材料
はこれを膜としてノ（ターン形成有機膜としたとき、厚
さ０．１２μｍで２４９　ｎｍのＫｒＦエキシマ・レー
ザ光での露光前後で２４９−における透過率の差が非常
に大きくなり、コントラスト向上ノ・ンストの程度を示
す係数Ａは１８．５を示した。

この本発明のパターン形成コントラスト向上ノ・ンスト
材料を用いてレジストパターン形成を行なったりソゲラ
フイエ程を第２図に示す。

半導体等の基板１上にレジスト２を１．５μｍ厚に回転
塗布する〔第２図（ａ）〕。次にポジレジスト２上に水
溶性有機膜５、例えばプルランとポリビニルピロリドン
の混合溶液を塗布形成する。このときプルランとポリビ
ニルピロリドンの混合重量比は４：１であシ、このとき
の膜厚はパターン形成に影響のないように０．１〜０．
３μｍ程度とした。

なお、この中間層である水溶性有機膜は下層レジストと
上層パターン形成有機膜が混合しないように設けている
ことは言うまでもない〔第２図（ｂ））。

次に、本発明のパターン形成コントラストエンハンスト
材料の層３を厚さ約０．１２μｍで回転塗布形成した。

なお、ここで下層レジストと中間層水溶性有機膜、水溶
性有機膜と上層パターン形成有機膜は全く密着性良く積
層できた。そして、縮小投影露光法（５：１縮小、ＮＡ
＝０．３０）により選択的に２４９　ｎｍ　ＫｒＦエキ
シマ・レーザ光４を露光する〔第２図（Ｃ）〕。そして
通常のアルカリ現像液によってコントラストエンハンス
トの層である本発明のパターン形成コントラストエンハ
ンスト３および中間層である水溶性有機膜６を同時に除
去すると同時に下地レジスト２を現像してレジストパタ
ーン２ａを形成した〔第２図（ｄ）〕。このときレジス
トパターン２ａはコントラストの向上した０、３μｍの
ラインアンドスペースを解像できた。

なお、ここで従来のパターン形成材料を用いた場合には
、２４９　ｎｍ光に対して感度を示さないために全くコ
ントラストエンハンスト効果を示すことができず、従っ
てレジストパターンのコントラスト向上も見られなかっ
た。

なお、本発明では、ポリマーとして、プルランとポリビ
ニルピロリドン、プルランとポリエチレングリコール、
プルランとポリエチレンオキサイド。

プルランとプリランアセテート、ポリビニルアルコール
とポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールとポリ
エチレングリコール、ポリビニルアルコールとポリエチ
レンオキサイド、ポリビニルアルコールドフルランアセ
テート、セルロースとポリビニルピロリドン、セルロー
スとポリエチレンクリコール、セルロースとポリエチレ
ンオキサイド、セルロースとプルランアセテートの組合
せを１つ以上含むものがあげられる。また、ポリマーが
ガス透過性の悪い水溶性有機物とガス透過性の良い水溶
性有機物の混合体であるものとして、プルラン、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレン
グリコール、ポリエチレンオキサイド、セルロースのい
ずれか、またはそれらの中のいくつかを混合した水溶性
有機物がある。

（その３） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

ｏ３Ｈ プルラン（分子量４万；林原生物化学研究所製）２．６
ｇ 純　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　２０．
０ｐこの材料を用いて実施例１と同様の実験を行い、８
５０の高アスペクト比の０．３μｍパターンを得た。

なお、本実施例のコントラスト二ンハンスト材料の光反
応試薬として以下の試薬を用いたときもほぼ同様の結果
が得られた。

（その４） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

パラ・ノボラック樹脂　　　　　　　２．６ｇエチルセ
ルソルブアセテート　　　　　　２ｏ、ｏｇなお、２４
　ｅ　ｎｍ付近に吸収の少ない樹脂としては他に下記（
１）式のような樹脂、また、２４Ｓｎｍ付近に吸収の少
ない溶媒としてはジエチルグリコールジメチルエーテル
があげられ、これらを本発明のパターン形成コントラス
トエンハンスト材料に用いることも可能であシ同様の良
好な効果が期待できる。なお、本発明のパターン形成有
機膜に適合可能な樹脂、溶媒はこの限りではない。

樹脂、スチレン・マレイン酸エステル共重合樹脂。

スチレン［相］マレイン酸ハーフエステル共重合樹脂。

また、本実施例のパターン形成コントラストエンハンス
ト材料の光反応試薬として以下の試薬を用いても同様の
結果が得られた。

（（■）式において、Ｒ１，Ｒ２はフェニル基又はＨ又
は炭素数１から２０″！でのアルキル基又はそれぞれの
誘導体である）。

本発明の材料を用いて、実施例その２と同様の実験を行
い、８５°の高コントラストの０．３μｍパターンを得
た。

なお、本実施例のパターン形成コントラストエンハンス
ト材料の樹脂のかわりに以下の樹脂を用いても同様の効
果が得られた。

パラ・クレゾールノボラック樹脂、メタ・クレゾールノ
ボラック樹脂とパラ・クレゾールノボラック樹脂の任意
の比率による混合樹脂、オルト・クロロメタ・クレゾー
ルノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、スチレン
拳マレイン酸共重合Ｎ２ （その５） 以下の本発明のパターン形成材料を用いて実施例その１
と同様の実験を行い０．３μｍの高アスペクト比のライ
ン・アンド・スペースパターンを得た。

など）を含む化合物としているが、試薬が水溶性であれ
ばこの限シではない。

（その６） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

なお、本実施例のパターン形成コントラストエンハンス
ト材料の光反応試薬として以下の試薬を用いたときもほ
ぼ同様の結果が得られた。

なお、本実施例では、光反応試薬が水溶性となるために
５Ｏ３Ｈ，Ｃ０ＯＨ，水溶性Ｎ原子（ピリジンパラ・ノ
ボラック樹脂　　　・・・・・・・・・・・・２．５ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・−・・
・・・・・２０．０ｇ この材料を用いて実施例その２と同様の実験を行った結
果、０．３μｍの切シ立ったライン・アンド・スペース
パターンが得られた。

又、本実施例のパターン形成コントラストエンハンスト
材料の光反応試薬として以下の試薬を用いても同様の結
果が得られた。

（その７） 本発明のパターン形成用コントラストエンノ１ンスト材
料として以下の材料を調整した。

もちろん、本発明に用いられる樹脂。

は上記の限シではない。

光反応試薬 このように調整されたパターン形成用コントラストエン
ハンスト材料はこれを膜としてパターン形成有機膜とし
たとき、厚さ０．１２μｍで２４９ｎｍのＫｒＦエキシ
マ・レーザ光での露光前後で大きな光漂白作用を示した
。この材料を用いて、実施例その１と同様の実験を行い
、８５°のアスペクト比をもつ０．３μｍライン・アン
ド・スペースパターンを得た。

（その８） 以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。

アクリジン　　　　　　　　　　　　２．５ｇパラクレ
ゾール−ノボラック樹脂　　　　　２．５ｇエチルセル
ソルブアセテ−）　　　　２０．０．９この材料を用い
、実施例その２と同様の実験を行い、０．３μｍの切り
立ったライン・アンド・スペースパターンを得だ。なお
、アクリジンはこの露光前後で第３図の如く、２４　ａ
　ｎｍ付近で光漂白することがよくわかる。

（その９） 下記の本発明のパターン形成用コントラストエンハンス
ト材料を用いて、実施例その２と同様の実験を行い、切
り立った０、３μｍのライン・アンド・スペースパター
ンヲ得り。

ジエチレンクリコールジメチルエーテル２０＋ＯＩ （その１０） 実施例その８で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わシに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンハンスト材料を用いる以外は実施例その２と同
様の実験を行った結果、Ａ値は２０．０となり、０．３
μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。

アクリジン・イエロー　　　　　　　６゜０ｇスチレン
・マレイン酸共重合樹脂　　　　５．０ｇジエチレンク
リコールジメチルエーテル　　２０．０ｇ発明の効果 本発明によれば、特にＤＵＶ光やエキシマ・レーザ光に
よる露光・現像に際してのレジストパターン形成が高コ
ントラスト、高解像度で行なうことができ、結果として
半導体装置の微細化２歩留まり向上につながシ、工業的
価値が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のパターン形成コントラスト
エンハンスト材料を用いたパターン形成方法の工程を示
す断面図、第２図は本発明のコントラストエンハンスト
材料を用いたプロセス７０−断面図、第３図はアクリジ
ンの紫外分光曲線図、第４図は従来の材料のＤＵＶ領域
での紫外分光曲線図、第５図は従来のパターン形成工程
を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト材料
、２ａ・・・・・・レジストパターン、３・・・・・・
本発明のパターン形成コントラストエンハンスト材料、
４・・・・・・エキシマレーザ光、６・・・・・・水溶
性有機膜、７・・・・・・マスク。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名／一
基板 ？−レジスト ３−−一本兄明のノクダーン形式コントラスＦエンハン
ストネオ矛＋４−−−２４９ｎｍＫｒＦエキシマＶ−ザ
ー光７・−マスク １−・一基板 ２・−ポ・ジレ・ノスト Ｌ′−レジ゛ストハ０グーン ３−　本号ごＩＩＩＩＩＩのノぐターン汗ネ式ゴンドラ
ストエンハンストλ才料マ スフ ３θθ う皮 長 （ｆ！りｔ） 第 図 う１シー 蚤 （習りｔ） ｌ−・基板 ２゛−レジスト ４−−一工午ンマレー丈゛−元 、ｇ−　、ｉｓのコントラストエンハンストｔ１Ｍ−７
゛−マスク

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）２４９ｎｍ付近の光に吸収の少ない水系溶媒可能
   なポリマーと２４９ｎｍ付近の光に反応する光反応試薬
   と前記ポリマーと前記光反応試薬の両者を溶解する溶媒
   よりなり、膜としたときの露光前後の吸収率の自然対数
   値を膜厚で除した値が５以上であることを特徴とする、
   光照射の有無にかかわらず全て水系溶媒にて溶解可能な
   パターン形成用コントラストエンハンスト材料。
2. （２）２４９ｎｍ付近の光で吸収の少ない水系溶媒可能
   なポリマーと ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿１、Ｒ＿２はいずれかがベンゼン環を含む置換基
   ）なる光反応試薬と、前記ポリマーと前記光反応試薬の
   両者を溶解する溶媒よりなり、光照射の有無にかかわら
   ず全て水系溶媒にて溶解可能な特許請求の範囲第１項に
   記載のパターン形成用コントラストエンハンスト材料。
3. （３）２４９ｎｍ付近の光で吸収の少ない樹脂と▲数式
   、化学式、表等があります▼なる結合単位及びベンゼン
   環及び−Ｏ−又は−Ｓ−なる結合単位を含む光反応試薬
   と、前記樹脂と前記光反応試薬の両者を溶解する溶媒を
   含み、光照射の有無にかかわらず全て水系溶媒にて溶解
   可能な特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成用コ
   ントラストエンハンスト材料。
4. （４）光反応試薬が▲数式、化学式、表等があります▼
   （Ｒ＿１、Ｒ＿２は互に結合していない置換基でありい
   ずれか少なくとも１つはベンゼン環を含む）から成り、
   置換基Ｒ＿１又はＲ＿２がＳＯ＿３Ｈ又はＣＯＯＨを含
   むことを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載のパタ
   ーン形成用コントラストエンハンスト材料。
5. （５）２４９ｎｍ付近の光で吸収の少ない樹脂と、▲数
   式、化学式、表等があります▼なる結合単位を含む光反
   応試薬と、 前記両者を溶解する溶媒を含み、光照射の有無にかかわ
   らずすべて水系溶媒にて溶解可能である特許請求の範囲
   第１項に記載のパターン形成用コントラストエンハンス
   ト材料。
6. （６）置換基Ｒ＿１又はＲ＿２がＳＯ＿３Ｈ又はＣＯＯ
   Ｈを含む特許請求の範囲第５項に記載のパターン形成用
   コントラストエンハンスト材料。
7. （７）２４９ｎｍ付近の光で吸収の少ない水系溶媒可能
   なポリマーとアクリジンの誘導体と前記ポリマーと前記
   光反応試薬の両者を溶解する溶媒を有し、光照射の有無
   にかかわらず全て水系溶媒にて溶解可能な特許請求の範
   囲第１項に記載のパターン形成用コントラストエンハン
   スト材料。
8. （８）２４９ｎｍ付近の光がＫｒＦエキシマレーザから
   発振されるパルス光であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項、第３項、第５項又は第７項に記載のパター
   ン形成用コントラストエンハンスト材料。
9. （９）ポリマーが水溶性ポリマーであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項、第３項、第５項又第７項に記
   載のパターン形成用コントラストエンハンスト材料。
10. （１０）ポリマーが２４９ｎｍにおいて、膜厚１．０μ
    ｍ時、９０％以上の光透過率であることを特徴とする特
    許請求の範囲第２項、第３項、第５項又は第７項に記載
    のパターン形成用コントラストエンハンスト材料。
11. （１１）ポリマーがｍ−クレゾールホルムアルデヒドノ
    ボラック樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第
    ２項、第３項、第５項又は第７項に記載のパターン形成
    用コントラストエンハンスト材料。
12. （１２）ポリマーがｏ−クロロ−ｍクレゾールホルムア
    ルデヒドノボラック樹脂であることを特徴とする特許請
    求の範囲第２項、第３項、第５項又は第７項に記載のパ
    ターン形成用コントラストエンハンスト材料。
13. （１３）ポリマーが下記（１）式の化合物であるか、又
    は、スチレン・マレイン酸共重合樹脂、又は、スチレン
    、マレイン酸ハーフエステル共重合樹脂又はスチレン・
    マレイン酸共重合樹脂であることを特徴とする特許請求
    の範囲第２項、第３項、第５項又は第７項に記載のパタ
    ーン形成用コントラストエンハンスト材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（１） （ｎは整数） ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はフェニル基またはＨまたは炭
    素数１から２０までのアルキル基またはアリル基または
    アルキリル基またはそれぞれの誘導体である。
14. （１４）溶媒が２４９ｎｍ付近に光の吸収の少ない溶媒
    であることを特徴とする特許請求の範囲第２項、第３項
    、第５項又は第７項に記載のパターン形成用コントラス
    トエンハンスト材料。
15. （１５）溶媒がジエチレングリコールジメチルエーテル
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載
    のパターン形成用コントラストエンハンスト材料。
16. （１６）溶媒がエチルセルソルブアセテートであること
    を特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載のパターン
    形成用コントラストエンハンスト材料。