JPH0210355A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
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- JPH0210355A JPH0210355A JP16164988A JP16164988A JPH0210355A JP H0210355 A JPH0210355 A JP H0210355A JP 16164988 A JP16164988 A JP 16164988A JP 16164988 A JP16164988 A JP 16164988A JP H0210355 A JPH0210355 A JP H0210355A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造工程のエキシマレーザや遠紫外線
を用いたリングラフィ工程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
を用いたリングラフィ工程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
従来の技術
遠紫外線・エキシマレーザを用いたリングラフィはその
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収性が大きいために（１９８了）、） 第２図を用いて、従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法を説明する。
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収性が大きいために（１９８了）、） 第２図を用いて、従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法を説明する。
基板１上に従来のパターン形成材料２′であるＭＰ２４
００（シブレイ）を１．０μｍ形成しく第２図（Ａ））
、マスク３を介して所望のパターン露光４ ｆ ＫｒＦ
エキシマレーザ・ステッパ（Ｎ人０．３６）により行う
（第２図中））。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２
４０１．２０％水溶液（シブレイ）にて６０秒間の現像
を行い、パターン２′人を形成した（第２図（Ｃ））。
００（シブレイ）を１．０μｍ形成しく第２図（Ａ））
、マスク３を介して所望のパターン露光４ ｆ ＫｒＦ
エキシマレーザ・ステッパ（Ｎ人０．３６）により行う
（第２図中））。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２
４０１．２０％水溶液（シブレイ）にて６０秒間の現像
を行い、パターン２′人を形成した（第２図（Ｃ））。
得られた０、４μｍライン・アンド・スペースパターン
２′人は２ｏ％膜減りしたアスペクト比６００の不良パ
ターンであった。このような不良パターンは以後の半導
体製造工程での歩留まり低下の要因となるために危惧す
べき事態であった。
２′人は２ｏ％膜減りしたアスペクト比６００の不良パ
ターンであった。このような不良パターンは以後の半導
体製造工程での歩留まり低下の要因となるために危惧す
べき事態であった。
発明が解決しようとする課題
本発明は従来の技術が有していた遠紫外線・エキシマレ
ーザ光に対するパターン形成材料のパターン不良という
課題を解決することを目的とする。
ーザ光に対するパターン形成材料のパターン不良という
課題を解決することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は従来のパターン形成材料の課題を解決Ｎ２０
と樹脂と水素結合を発生せしめる化合物、又は、光によ
る酸を発生する化合物を含むことを特徴とするパターン
形成材料を提供する。
る酸を発生する化合物を含むことを特徴とするパターン
形成材料を提供する。
作用
本発明に係る一Ｃ−Ｃ−Ｃ−を含む感光体は遠Ｎ２０
紫外光・エキシマレーザ光により光退色性が良好であり
、たとえばこれを感光体として用いることによりパター
ン形成材料の露光後の２４８ ｎｍにおける透過率は従
来に比べて５０％以上向上した。
、たとえばこれを感光体として用いることによりパター
ン形成材料の露光後の２４８ ｎｍにおける透過率は従
来に比べて５０％以上向上した。
又、本発明に係る、樹脂と水素結合を発生せしめる化合
物、又は、光による酸を発生する化合物はそれぞれ樹脂
のアルカリ溶解阻止剤として作用することを見出した。
物、又は、光による酸を発生する化合物はそれぞれ樹脂
のアルカリ溶解阻止剤として作用することを見出した。
即ち、これらの化合物は、パターン形成材料の未露光部
が現像液のアルカリ水溶液によって膜ペリすることを防
ぐために結果として高コントラストパターンが形成でき
ることになる。なお、露光部のアルカリ溶解性はほとん
ど変化はなかった。これは、前記化合物の溶解阻止性よ
シも露光部の感光体の酸発生によるアルカリ溶解性の方
が非常に大きかったためと考えられる。
が現像液のアルカリ水溶液によって膜ペリすることを防
ぐために結果として高コントラストパターンが形成でき
ることになる。なお、露光部のアルカリ溶解性はほとん
ど変化はなかった。これは、前記化合物の溶解阻止性よ
シも露光部の感光体の酸発生によるアルカリ溶解性の方
が非常に大きかったためと考えられる。
このように、本発明のパターン形成材料は露光後の透過
性の向上及び未露光部の膜減り解消により、エキシマレ
ーザ露光により高アスペクト比の微細パターンの形成を
可能とした。
性の向上及び未露光部の膜減り解消により、エキシマレ
ーザ露光により高アスペクト比の微細パターンの形成を
可能とした。
なお、本発明における感光体としては、ＳＯＣ；ｌ
０Ｎ２０ 合物などが挙げられるがもちろんこれらの限りではない
。
０Ｎ２０ 合物などが挙げられるがもちろんこれらの限りではない
。
樹脂と水素結合を発生せしめる化合物としては、安息香
酸、マレイン酸などの酸化合物や、５ｕｄａｎＩＶＰＡ
Ｎなどのナフトール化合物などが挙げられる。
酸、マレイン酸などの酸化合物や、５ｕｄａｎＩＶＰＡ
Ｎなどのナフトール化合物などが挙げられる。
光により酸を発生する化合物としては、トリアリルスル
ホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩などのオニウム塩
化合物が挙げられるがこれに限らない。
ホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩などのオニウム塩
化合物が挙げられるがこれに限らない。
実施例
（その１）
本発明のパターン形成材料の一実施例として以含む化合
物が挙げられ、樹脂としては、クレゾール・ノボラック
樹脂、ポリビニルフェノール、スチレン樹脂、又は、こ
れらのうちのいずれかの混この本発明のパターン形成材
料を用いたパターン形成方法を第１図を用いて説明する
。
物が挙げられ、樹脂としては、クレゾール・ノボラック
樹脂、ポリビニルフェノール、スチレン樹脂、又は、こ
れらのうちのいずれかの混この本発明のパターン形成材
料を用いたパターン形成方法を第１図を用いて説明する
。
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料２を１
．０μｍ形成しく第１図（Ａ））、マスク３ｆ。
．０μｍ形成しく第１図（Ａ））、マスク３ｆ。
介して所望のパターン露光４ ｆ ＫｒＦエキシマレー
ザ・ステッパ（ＮＡｏ、３６）により行う（第１図中）
）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ ２４０１２０
％水溶液にて６０秒間の現像全行い、パターン２人を形
成した（第１図じ）〕。得られたパターン２人はアスペ
クト比８８°の膜減りのない０．４μｍ ライン・アン
ド・スペースパターンであった。
ザ・ステッパ（ＮＡｏ、３６）により行う（第１図中）
）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ ２４０１２０
％水溶液にて６０秒間の現像全行い、パターン２人を形
成した（第１図じ）〕。得られたパターン２人はアスペ
クト比８８°の膜減りのない０．４μｍ ライン・アン
ド・スペースパターンであった。
（その２）
本発明のパターン形成材料の一実施例として以下の組成
より成るパターン形成材料を合成した。
より成るパターン形成材料を合成した。
本発明のパターン形成材料を用いることにより、実施例
その１と同様の工程にて０．４μｍ ライン・アンド・
スペースパターンｆ：、８８°の高コントラストで得た
。
その１と同様の工程にて０．４μｍ ライン・アンド・
スペースパターンｆ：、８８°の高コントラストで得た
。
発明の効果
本発明のパターン形成材料を用いることにより、半導体
製造工程における微細パターンの形成が高アスペクト比
で容易に得ることができることから、半導体素子製造の
歩留まりが向上し工業的価値が非常に大きい。
製造工程における微細パターンの形成が高アスペクト比
で容易に得ることができることから、半導体素子製造の
歩留まりが向上し工業的価値が非常に大きい。
第１図（ム）〜（（１）は本発明の一実施例のパターン
形成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパ
ターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、３・・・・・・マスク、４・・・・・・Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
形成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパ
ターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、３・・・・・・マスク、４・・・・・・Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (6)
- （１）▲数式、化学式、表等があります▼を含む感光体
と樹脂と樹脂と 水素結合を発生せしめる化合物より成ることを特徴とす
るパターン形成材料。 - （２）樹脂と水素結合を発生せしめる化合物の代わりに
、光により酸を発生する化合物を含むことを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成材料。 - （３）▲数式、化学式、表等があります▼を含む感光体
がＳＯ＿２Ｃｌ基を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載のパターン形成材料。 - （４）樹脂がノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、
スチレン樹脂のいずれか、又は、これらのうちの混合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
パターン形成材料。 - （５）樹脂と水素結合を発生せしめる化合物が、酸化合
物又はナフトール化合物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のパターン形成材料。 - （６）光により酸を発生する化合物がオニウム塩化合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の
パターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164988A JPH0210355A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164988A JPH0210355A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210355A true JPH0210355A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15739201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16164988A Pending JPH0210355A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210355A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284648A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
| JPH02101462A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH02209977A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高感度ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| WO1998042507A1 (en) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Kodak Polychrome Graphics, L.L.C. | Positive-working infrared radiation sensitive composition and printing plate and imaging method |
| WO1998054621A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Kodak Polychrome Graphics, L.L.C. | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
| EP0897134A2 (en) * | 1997-08-13 | 1999-02-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Positive photosensitive composition, photosensitive lithographic printing plate and method for forming a positive image |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16164988A patent/JPH0210355A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284648A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
| JPH02101462A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH02209977A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高感度ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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| WO1998054621A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Kodak Polychrome Graphics, L.L.C. | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
| US6083662A (en) * | 1997-05-30 | 2000-07-04 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
| EP0897134A2 (en) * | 1997-08-13 | 1999-02-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Positive photosensitive composition, photosensitive lithographic printing plate and method for forming a positive image |
| EP0897134A3 (en) * | 1997-08-13 | 2000-01-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Positive photosensitive composition, photosensitive lithographic printing plate and method for forming a positive image |
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