JPS63193139A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS63193139A JPS63193139A JP2453687A JP2453687A JPS63193139A JP S63193139 A JPS63193139 A JP S63193139A JP 2453687 A JP2453687 A JP 2453687A JP 2453687 A JP2453687 A JP 2453687A JP S63193139 A JPS63193139 A JP S63193139A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パターン形成方法に関する。とくに集積回路
(IC)、大規模集積回路(LSI)などの半導体微細
加工に用いるパターン形成方法であって、簡略化したレ
ジスト構成で、高感度、高コントラスト、の耐ドライエ
ツチング被膜を形成させるパターン形成方法に関する。
(IC)、大規模集積回路(LSI)などの半導体微細
加工に用いるパターン形成方法であって、簡略化したレ
ジスト構成で、高感度、高コントラスト、の耐ドライエ
ツチング被膜を形成させるパターン形成方法に関する。
従来のパターン形成方法、例えばフォトリソグラフィー
(光蝕刻法)では、主に投影露光装置が用いられている
。しかし、得ようとするパターンがサブミクロン領域に
なると、マスクパターンのコントラストが高くてもレン
ズ光学系を通ってきた光の像イメージのコントラストが
低下する。ことに、半導体の微細加工に伴ってパターン
サイズが小さくなるにつれてこの影響は顕著になる。こ
の低コントラスト化を防ぐ技術として、応用物理第50
巻第11号(1981)第1118頁から第1130頁
に記載のようなカルコゲナイドガラス薄膜による無機フ
ォトレジスト法がある0例えばカルコゲナイド(Ss−
Ge)層の上層として銀の薄層を蒸着法または無電解メ
ッキ法を用いて形成し、放射線照射により銀をカルコゲ
ナイド層にドーピングさせ、カルコゲナイド層のアルカ
リ溶解性またはプラズマエツチング耐性の変化を利用し
て、パターンを形成させる方法がある。このパターン形
成方法は、コントラストエンハンスメントの効果があり
、極めて高コントラストを有するパターン形成が可能で
あるという特徴がある。
(光蝕刻法)では、主に投影露光装置が用いられている
。しかし、得ようとするパターンがサブミクロン領域に
なると、マスクパターンのコントラストが高くてもレン
ズ光学系を通ってきた光の像イメージのコントラストが
低下する。ことに、半導体の微細加工に伴ってパターン
サイズが小さくなるにつれてこの影響は顕著になる。こ
の低コントラスト化を防ぐ技術として、応用物理第50
巻第11号(1981)第1118頁から第1130頁
に記載のようなカルコゲナイドガラス薄膜による無機フ
ォトレジスト法がある0例えばカルコゲナイド(Ss−
Ge)層の上層として銀の薄層を蒸着法または無電解メ
ッキ法を用いて形成し、放射線照射により銀をカルコゲ
ナイド層にドーピングさせ、カルコゲナイド層のアルカ
リ溶解性またはプラズマエツチング耐性の変化を利用し
て、パターンを形成させる方法がある。このパターン形
成方法は、コントラストエンハンスメントの効果があり
、極めて高コントラストを有するパターン形成が可能で
あるという特徴がある。
しかし、このパターン形成方法が実用化されるためには
、以下の課題を解決する必要がある。まず溶解性または
耐エツチング性を変化させるに要するエネルギー照射量
を、約1桁下げること、また膜形成が、より簡便な方法
、例えばスピン塗布で行なえるようにすること、さらに
はカルコゲナイドの熱安定性を高めることである。
、以下の課題を解決する必要がある。まず溶解性または
耐エツチング性を変化させるに要するエネルギー照射量
を、約1桁下げること、また膜形成が、より簡便な方法
、例えばスピン塗布で行なえるようにすること、さらに
はカルコゲナイドの熱安定性を高めることである。
一方、現在半導体微細加工に実用化されているレジスト
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない、コントラストを改善するための
方法として、特開昭59−10642に記載のように、
油溶性のポリマーとアリールニトロンからなる層をホト
レジストの上層として形成し、レジストに照射される像
のイメージコントラストを改善するコントラストエンハ
ンスメントリソグラフィー法(CEL法)がある。
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない、コントラストを改善するための
方法として、特開昭59−10642に記載のように、
油溶性のポリマーとアリールニトロンからなる層をホト
レジストの上層として形成し、レジストに照射される像
のイメージコントラストを改善するコントラストエンハ
ンスメントリソグラフィー法(CEL法)がある。
しかし、このCEL法においては、コントラストを改善
しようとすると露光量が増大するという問題がある。
しようとすると露光量が増大するという問題がある。
また、フォトリソグラフィー用のマスク製造に用いられ
ているEB(電子線)リソグラフィーレジストプロセス
においては、電子線の散乱による近接効果防止のために
、複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
ているEB(電子線)リソグラフィーレジストプロセス
においては、電子線の散乱による近接効果防止のために
、複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
上述した従来技術である無線フォトレジストプロセスに
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が低いことなどが
問題となっている。また、現在実用化されているフォト
レジストプロセスにおいては、感度を低下させることな
く高コントラスト化することはほとんど期待できないと
いう問題がある。さらにEBレジストプロセスでは、レ
ジスト構成の簡略化を実現することが要望されている。
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が低いことなどが
問題となっている。また、現在実用化されているフォト
レジストプロセスにおいては、感度を低下させることな
く高コントラスト化することはほとんど期待できないと
いう問題がある。さらにEBレジストプロセスでは、レ
ジスト構成の簡略化を実現することが要望されている。
本発明の目的は、高コントラスト及び高感度の両者を兼
ね備えると共に、高解像性を有する、新規なレジストプ
ロセスによるパターン形成方法を提供することにある。
ね備えると共に、高解像性を有する、新規なレジストプ
ロセスによるパターン形成方法を提供することにある。
C問題点を解決するための手段〕
上記本発明の目的は、第1図に示すごとく、物体上に、
アルカリ可溶性フェノール樹脂などのアルカリ可溶性高
分子化合物とアジド化合物の混合層を形成し、この混合
層の上に、ジアゾニウム塩などを含む感放射線組成物層
を形成させた二層レジストに、レジストプロセスにより
パターンを形成することによって達成される。
アルカリ可溶性フェノール樹脂などのアルカリ可溶性高
分子化合物とアジド化合物の混合層を形成し、この混合
層の上に、ジアゾニウム塩などを含む感放射線組成物層
を形成させた二層レジストに、レジストプロセスにより
パターンを形成することによって達成される。
アルカリ可溶性高分子化合物中にアジド化合物を混入す
ることにより、混合層の表面層がジアゾニウム塩の光分
解生成物との界面反応で強く不溶されるだけでなく、混
合層内部も不溶化される。
ることにより、混合層の表面層がジアゾニウム塩の光分
解生成物との界面反応で強く不溶されるだけでなく、混
合層内部も不溶化される。
このため、アルカ、り水溶液による現像プロセスにおけ
るサイドエツチングが防止され、高解像度の微細パター
ンの形成が可能となった。
るサイドエツチングが防止され、高解像度の微細パター
ンの形成が可能となった。
本発明において、アルカリ可溶性高分子化合物は、ポリ
ビニルフェノール、ノボラック樹脂などのアルカリ可溶
性フェノール樹脂、または上記の樹脂のハロゲン化物な
どであり、これらの樹脂を2種以上含有する場合も含ま
れる。
ビニルフェノール、ノボラック樹脂などのアルカリ可溶
性フェノール樹脂、または上記の樹脂のハロゲン化物な
どであり、これらの樹脂を2種以上含有する場合も含ま
れる。
本発明において、混合層の上に形成される感放射線組成
物層は、塩化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩ジアゾニウム
フッ化ホウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジア
ゾニウム硫酸塩などのうちよりiばれる少なくとも1種
を含む芳香族ジアゾニウム塩、水溶性もしくはアルカリ
可溶性の高分子化合物などを含む感放射線組成物によっ
て構成されることが好ましい。
物層は、塩化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩ジアゾニウム
フッ化ホウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジア
ゾニウム硫酸塩などのうちよりiばれる少なくとも1種
を含む芳香族ジアゾニウム塩、水溶性もしくはアルカリ
可溶性の高分子化合物などを含む感放射線組成物によっ
て構成されることが好ましい。
感放射線組成物層の厚みは、0.1〜2μmの範囲が好
ましく、0.2〜1μmの範囲がより好ましい。感放射
線組成物層が前述の如く芳香族ジアゾニウム塩と有機高
分子化合物とからなるときは、芳香族ジアゾニウム塩の
量は、有機高分子化合物に対して40〜300wt%で
あることが好ましく、80〜150wt%であることが
より好ましい。
ましく、0.2〜1μmの範囲がより好ましい。感放射
線組成物層が前述の如く芳香族ジアゾニウム塩と有機高
分子化合物とからなるときは、芳香族ジアゾニウム塩の
量は、有機高分子化合物に対して40〜300wt%で
あることが好ましく、80〜150wt%であることが
より好ましい。
本発明に用いられるアジド化合物としては、放射線に対
し高い感度を有する芳香族アジド化合物を用いることが
好ましい。
し高い感度を有する芳香族アジド化合物を用いることが
好ましい。
アジド化合物の量は高分子化合物に対して5〜30wt
′%であることが好ましく、10〜20IIt%の範囲
であることがより好ましい。また、混合層の厚みは、0
.3〜4μmの範囲が好ましく、0.5〜2.5μmの
範囲がより好ましい。
′%であることが好ましく、10〜20IIt%の範囲
であることがより好ましい。また、混合層の厚みは、0
.3〜4μmの範囲が好ましく、0.5〜2.5μmの
範囲がより好ましい。
本発明の特徴の1つである高コントラスト化は、感放射
線組成物層と混合層の界面で、放射線誘起化学反応を起
こさせることによって達成される。
線組成物層と混合層の界面で、放射線誘起化学反応を起
こさせることによって達成される。
また本発明のもう1つの特徴であるレジストの高解像性
はアルカリ可溶性高分子化合物とアジド化合物を予め混
入し、混合層の表面層だけでなく内部も不溶化させるこ
とにより達成される。放射線として紫外光を用いた場合
を例にして、本発明の技術的手段の作用について詳細に
説明する。
はアルカリ可溶性高分子化合物とアジド化合物を予め混
入し、混合層の表面層だけでなく内部も不溶化させるこ
とにより達成される。放射線として紫外光を用いた場合
を例にして、本発明の技術的手段の作用について詳細に
説明する。
下記の一般式(1)で示される芳香族ジアゾニウム塩を
含む感放射線組成物層を、アルカリ可溶性フェノール樹
脂、例えばポリビニルフェノール。
含む感放射線組成物層を、アルカリ可溶性フェノール樹
脂、例えばポリビニルフェノール。
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及びそれら
のハロゲン化物、又はこれらの樹脂を2種以上含むアル
カリ可溶性高分子化合物と芳香族アジド化合物から成る
混合層の上層として形成したものを露光試料とした。
のハロゲン化物、又はこれらの樹脂を2種以上含むアル
カリ可溶性高分子化合物と芳香族アジド化合物から成る
混合層の上層として形成したものを露光試料とした。
(式中、Ri+ Rz+ R3? R4は水素、アルキ
ル基、アルコキシ基、アリール基を表わし、これらの基
の1部がヒドロキシアルキル基に置換されていてもよい
、又はアニオンを表わし、CQ−Z n CQz。
ル基、アルコキシ基、アリール基を表わし、これらの基
の1部がヒドロキシアルキル基に置換されていてもよい
、又はアニオンを表わし、CQ−Z n CQz。
CQ”−(ZnCQ 2 ) 1/ 2. BFa
−、5OsH−。
−、5OsH−。
SO4”−などである。また、N、N−ジアルキルル基
であってもよい、) アルカリ可溶性高分子化合物と予め混合するアジド化合
物としては、一般式(2)で表わされるビスアジド化合
物及び一般式(3)で表わされるモノアジド化合物が好
ましい。
であってもよい、) アルカリ可溶性高分子化合物と予め混合するアジド化合
物としては、一般式(2)で表わされるビスアジド化合
物及び一般式(3)で表わされるモノアジド化合物が好
ましい。
式中Xはスルホン−8○2−、メチレン−CH2−*ス
ルフィドー8−、カルボニルーC〇−を表わす。
ルフィドー8−、カルボニルーC〇−を表わす。
N3
一般式(3)で表わされるアジド化合物の中でも、放射
線感度の高い例えば、3−(4−アジドスチリル)−5
,5−ジチメルー2−シクロヘキサン−1−オン、4−
アジド−21−メトキシカルコン、4−アジド−4′−
メトキシカルコン、4−N、N−ジメチルアミノ−4′
−アジドカルコン、3− (4−(P−アジドフェニル
)−1,3−ブタジェニル)−5,5−ジメチル−2−
シクロヘキセン−1−オンが特に好ましい。
線感度の高い例えば、3−(4−アジドスチリル)−5
,5−ジチメルー2−シクロヘキサン−1−オン、4−
アジド−21−メトキシカルコン、4−アジド−4′−
メトキシカルコン、4−N、N−ジメチルアミノ−4′
−アジドカルコン、3− (4−(P−アジドフェニル
)−1,3−ブタジェニル)−5,5−ジメチル−2−
シクロヘキセン−1−オンが特に好ましい。
上記の露光試料に紫外線を照射すると、ジアゾニウム塩
を含む感放射線組成物層と混合層との界面での反応によ
り、露光部の混合層アルカリ水溶液に対し著しく溶解性
が低下する。
を含む感放射線組成物層と混合層との界面での反応によ
り、露光部の混合層アルカリ水溶液に対し著しく溶解性
が低下する。
一方、混合層の内部も、混入したアジド化合物との光不
溶化反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が低下す
る。しかもアジド化合物とアルカリ可溶性高分子化合物
との光不溶化反応は、ジアゾニウム化合物の光ブリーチ
により、コントラストの改善された光で誘起される。
溶化反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が低下す
る。しかもアジド化合物とアルカリ可溶性高分子化合物
との光不溶化反応は、ジアゾニウム化合物の光ブリーチ
により、コントラストの改善された光で誘起される。
このため、アルカリ水溶液で現像すれば高コントラスト
、高解像性を有するネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部の二層の界面でのアルカリ水溶液に対
する溶解性の低下のメカニズムは現在よく判っていない
が、その原因の一つとして、紫外線照射によってジアゾ
ニウム塩の分解生成物である有機アミンと、アルカリ可
溶性高分子化合物が反応し不溶化物が形成されるものと
考えられる。
、高解像性を有するネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部の二層の界面でのアルカリ水溶液に対
する溶解性の低下のメカニズムは現在よく判っていない
が、その原因の一つとして、紫外線照射によってジアゾ
ニウム塩の分解生成物である有機アミンと、アルカリ可
溶性高分子化合物が反応し不溶化物が形成されるものと
考えられる。
上述したごとく、本発明の特徴の1つは、膜厚の薄い感
放射線組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との
著しい溶解性の差を利用した高コントラストな感光特性
を有する二層レジストに。
放射線組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との
著しい溶解性の差を利用した高コントラストな感光特性
を有する二層レジストに。
アジド化合物を用いることにより、高解像性を付加した
ことにある。
ことにある。
以下に本発明の一実施例を挙げ1図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例1
シリコンウェハ上に、15wt%ポリビニルフェノール
(丸善石油社製レジンM)、2.3wt%3−(4−ア
ジドスチリル)−5,5−ジメチル−2−シクロヘキサ
ン−1−オンを含むシクロヘキサノン溶液を回転塗布し
、厚さ0.7μmの混合層を形成し、80℃で10分間
ベークした1次に、下記の組成1を有する水溶液を用い
て、膜厚が0.25μmの感放射線組成物層を、混合層
の上に形成し、これを露光試料とした。この露光試料の
断面構造を第1図に示す。
(丸善石油社製レジンM)、2.3wt%3−(4−ア
ジドスチリル)−5,5−ジメチル−2−シクロヘキサ
ン−1−オンを含むシクロヘキサノン溶液を回転塗布し
、厚さ0.7μmの混合層を形成し、80℃で10分間
ベークした1次に、下記の組成1を有する水溶液を用い
て、膜厚が0.25μmの感放射線組成物層を、混合層
の上に形成し、これを露光試料とした。この露光試料の
断面構造を第1図に示す。
この第1図に示す露光試料に、ハノビア社製X e −
Hg灯を用い、UV36Aフイルタを介して、露光時間
を変えた露光を行ない、水洗により。
Hg灯を用い、UV36Aフイルタを介して、露光時間
を変えた露光を行ない、水洗により。
感放射線層を除去後、水酸化テトラメチルアンモニウム
1.2wt%を含む水溶液に、45秒間浸漬することに
より現像した。現像後、試料の各露光時間での残膜厚を
測定し、感光特性を評価した。
1.2wt%を含む水溶液に、45秒間浸漬することに
より現像した。現像後、試料の各露光時間での残膜厚を
測定し、感光特性を評価した。
得られた感光特性曲線を、第2図に示す。図から明らか
なごとく、コントラストが高く、感度もAZ系ポジ型ホ
トレジスト(東京応化工業社製0FPR800)と同程
度であり、良好な感光特性を有していることが判る。ま
た、上記露光試料に、日立層i線縮小投影露光装置を用
いて、微細パターンを転写したところ高解像度のパター
ンが形成された。
なごとく、コントラストが高く、感度もAZ系ポジ型ホ
トレジスト(東京応化工業社製0FPR800)と同程
度であり、良好な感光特性を有していることが判る。ま
た、上記露光試料に、日立層i線縮小投影露光装置を用
いて、微細パターンを転写したところ高解像度のパター
ンが形成された。
さらに、上記組成1において、芳香族ジアゾニウム塩N
a 1の代りに、第1表に示すNci2,3,4゜5.
6,8,9,10,14,15のジアゾニウム塩を用い
た場合においても、良好な感光特性を示した。第1表に
おいて、コントラスト値(γ値)のi線の欄に、i線(
UV36Aフイルタを用いた場合)での露光におけるγ
値を示す。
a 1の代りに、第1表に示すNci2,3,4゜5.
6,8,9,10,14,15のジアゾニウム塩を用い
た場合においても、良好な感光特性を示した。第1表に
おいて、コントラスト値(γ値)のi線の欄に、i線(
UV36Aフイルタを用いた場合)での露光におけるγ
値を示す。
実施例2
実施例1のアジド化合物の代りに、3−(4−(p−ア
ジドフェニル)−1,3−ブタジェニル)−5,5−ジ
メチル−2−シクロヘキサン−1−オンを用い、ジアゾ
ニウム塩に第1表のNα6のジアゾニウム塩を用いて、
実施例1と同様の方法で露光試料を作成した。
ジドフェニル)−1,3−ブタジェニル)−5,5−ジ
メチル−2−シクロヘキサン−1−オンを用い、ジアゾ
ニウム塩に第1表のNα6のジアゾニウム塩を用いて、
実施例1と同様の方法で露光試料を作成した。
この露光試料に東芝製色ガラスフィルタV−Y43を介
して露光した以外は、実施例1と同様の方法で感光特性
を評価したところ良好な感光特性を有していることが判
った。
して露光した以外は、実施例1と同様の方法で感光特性
を評価したところ良好な感光特性を有していることが判
った。
またこの試料に日立製g線縮小投影露光装置を用いて微
細パターンを転写したところ高解像・度のパターンが形
成された。
細パターンを転写したところ高解像・度のパターンが形
成された。
さらに、ジアゾニウム塩Nα6の代わりに第1表の&7
,11,12,13のジアゾニウム塩を用いた場合にお
いても、良好な感光特性を示した。
,11,12,13のジアゾニウム塩を用いた場合にお
いても、良好な感光特性を示した。
第1表において、コントラスト値(γ)のg線欄に、
gM、 (V−Y 43フイルタを用いた場合)での露
光におけるγ値を示す。
gM、 (V−Y 43フイルタを用いた場合)での露
光におけるγ値を示す。
実施例3
実施例1のアジド化合物の代りに3,3′−ジアジドジ
フェニルスルホンを用い、ジアゾニウム化合物・とじて
4−メトキシベンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複
塩 以外は実施例1と同様の方法で露光試料を作成した。
フェニルスルホンを用い、ジアゾニウム化合物・とじて
4−メトキシベンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複
塩 以外は実施例1と同様の方法で露光試料を作成した。
この露光試料に、東芝製UV29フィルタを介して露光
した以外は、実施例1と同様の方法で感光特性の評価を
行なったところ、良好な感光特性を有していることが判
った。
した以外は、実施例1と同様の方法で感光特性の評価を
行なったところ、良好な感光特性を有していることが判
った。
実施例4
実施例1のポリビニルフェノールの代わりに。
ノボラック樹脂(商品名アルノポールPN−430)を
用い5組成1の代わりに組成2の感光液を用いて感光層
を形成したこと及び現像を2.38vt%水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液を用いたこと以外は、実施例
1と同様の方法で露光試料を作成し、aI光特性の評価
を行なつl−ところ良好な感光特性を示すことが判った
。
用い5組成1の代わりに組成2の感光液を用いて感光層
を形成したこと及び現像を2.38vt%水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液を用いたこと以外は、実施例
1と同様の方法で露光試料を作成し、aI光特性の評価
を行なつl−ところ良好な感光特性を示すことが判った
。
実施例5
実施例4のノボラック樹脂の代わりに、クレゾールノボ
ラック樹脂を用いたこと以外は、実施例4と同様の方法
で露光試料の作成及び、感光特性の評価を行なったとこ
ろ良好な感光特性を有していることが判った。
ラック樹脂を用いたこと以外は、実施例4と同様の方法
で露光試料の作成及び、感光特性の評価を行なったとこ
ろ良好な感光特性を有していることが判った。
実施例6
実施例4で述べた露光試料に1日立製EB描画装置を用
いて、電子線を照射量を変えて照射し。
いて、電子線を照射量を変えて照射し。
照射後2.38wt%水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液で2分間現像した。現像後各照射量における残膜
厚を測定し、電子線感度曲線を作成し、感電子線特性を
評価したところ良好な感電子線特性を有することが判っ
た。
水溶液で2分間現像した。現像後各照射量における残膜
厚を測定し、電子線感度曲線を作成し、感電子線特性を
評価したところ良好な感電子線特性を有することが判っ
た。
以上詳細に説明したごとく1本発明の二層構造を基本と
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラスト、高解像性を有する微細パターンの形成が
可能となるので、半導体素子の製造における微細加工の
精度の向上、および製造効率の向上が実現できる効果が
ある。
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラスト、高解像性を有する微細パターンの形成が
可能となるので、半導体素子の製造における微細加工の
精度の向上、および製造効率の向上が実現できる効果が
ある。
第1図は本発明の実施例1における二層レジストの断面
ll1t造を示す模式図、第2図は実施例1における二
層レジストのi線(365nm)による感光特性を示す
グラフである。 1・・・芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層
、2・・・ポリビニルフェノールとアジド化合物との混
合層、3・・・基板。
ll1t造を示す模式図、第2図は実施例1における二
層レジストのi線(365nm)による感光特性を示す
グラフである。 1・・・芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層
、2・・・ポリビニルフェノールとアジド化合物との混
合層、3・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レジストプロセスによるパターン形成方法において
、物体上に、アルカリ可溶性高分子化合物とアジド化合
物を含む混合層を形成し、該混合層の上に、ジアゾニウ
ム塩を含む感放射線組成物層を形成して二層構造のレジ
ストを構成し、これにレジストプロセスによりパターン
を形成することを特徴とするパターン形成方法。 2、上記アルカリ可溶性高分子化合物は、アルカリ可溶
性フェノール樹脂であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のパターン形成方法。 3、上記感放射線組成物層は、芳香族ジアゾニウム塩及
び有機高分子化合物を含む感放射線組成物よりなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の
パターン形成方法。 4、上記感放射線組成物層に含まれる有機高分子化合物
は、水溶性もしくはアルカリ可溶性の高分子化合物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載のパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2453687A JPS63193139A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2453687A JPS63193139A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63193139A true JPS63193139A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12140874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2453687A Pending JPS63193139A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63193139A (ja) |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP2453687A patent/JPS63193139A/ja active Pending
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