JPH02132443A - パターン形成材料 - Google Patents
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- JPH02132443A JPH02132443A JP27342588A JP27342588A JPH02132443A JP H02132443 A JPH02132443 A JP H02132443A JP 27342588 A JP27342588 A JP 27342588A JP 27342588 A JP27342588 A JP 27342588A JP H02132443 A JPH02132443 A JP H02132443A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造のうちのリンクラフィエ程、特に
遠紫外光，エキシマレーザ光を用いたリングラフィに用
いるパターン形成材料（レジスト）に関する。
遠紫外光，エキシマレーザ光を用いたリングラフィに用
いるパターン形成材料（レジスト）に関する。
従来の技術
半導体素子が微細化するにつれて、その製造工程の一つ
であるリソグラフィ工程では、解像力の大きい遠紫外光
であるエキシマレーザを用いることが有望視されている
。［たとえば、Ｖポル他、プロシーディングオプエスピ
ーアイイー（ｖ．Ｐｏｌ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｃ ｏｆ
ＳＰＩＥ），６３３．６（１９８６）］ところが、従
来、遠紫外光（１９０〜３２０ｎｍ付近）やエキシマレ
ーザ光（ １ｓ３ｎｍ， ２４ｓｎｍ，３ｏ８ｎｍ）を
用いたりソグラフィに適するパターン形成材料のうち、
ネガ型レジストについては、大きな問題点がある。即ち
、従来のネガ型レジストは、遠紫外光やエキシマレーザ
光に対してレジストの吸収が大きすぎて（一般に２ ４
８ ｎｍにおける透過率が１μｍ厚レジストで２０％
以下）レジス１・下部まで光が到達しにくくレジスｌ〜
下部が反応しにく６ ・ いために、結果として、レジストパターンが逆台形とな
ったシ、又は、レジストパターンが基板からはがれると
いう問題点である。
であるリソグラフィ工程では、解像力の大きい遠紫外光
であるエキシマレーザを用いることが有望視されている
。［たとえば、Ｖポル他、プロシーディングオプエスピ
ーアイイー（ｖ．Ｐｏｌ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｃ ｏｆ
ＳＰＩＥ），６３３．６（１９８６）］ところが、従
来、遠紫外光（１９０〜３２０ｎｍ付近）やエキシマレ
ーザ光（ １ｓ３ｎｍ， ２４ｓｎｍ，３ｏ８ｎｍ）を
用いたりソグラフィに適するパターン形成材料のうち、
ネガ型レジストについては、大きな問題点がある。即ち
、従来のネガ型レジストは、遠紫外光やエキシマレーザ
光に対してレジストの吸収が大きすぎて（一般に２ ４
８ ｎｍにおける透過率が１μｍ厚レジストで２０％
以下）レジス１・下部まで光が到達しにくくレジスｌ〜
下部が反応しにく６ ・ いために、結果として、レジストパターンが逆台形とな
ったシ、又は、レジストパターンが基板からはがれると
いう問題点である。
第４図を用いて従来のパターン形成材料で遠紫外線用ネ
ガ型レジストの一つであるＨＤ−２０００Ｎ（日立化成
）を用いてパターン形成を行う場合の工程を説明する。
ガ型レジストの一つであるＨＤ−２０００Ｎ（日立化成
）を用いてパターン形成を行う場合の工程を説明する。
基板１上にネガ型レジストであるＲＤ−２０００Ｎを塗
布し８０℃，２０分のオープンペーク後、１．０μｍの
レジスト膜６を得た（第４図ａ）。このレジスト膜の２
４ ８ ｎｍにおける透過率は１７％であった。つぎ
に、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（２４ｓｎｍ，
レンズ開口数０．３５）によシ、マスク４を介して選択
的にＫｒＦエキシマレーザ光５を露光する（第４図ｂ）
ｏなおこのときの露光量は２００ｍＪ／ｄ であシ、
レジスト膜３の２ ４ ８ ｎｍにおける透過率は２６
％であった０アルカリ現像液であるＲＤ現像液を用いて
、６０秒間の現像を行い、パターン６Ａを形成した（第
４図Ｃ）。
布し８０℃，２０分のオープンペーク後、１．０μｍの
レジスト膜６を得た（第４図ａ）。このレジスト膜の２
４ ８ ｎｍにおける透過率は１７％であった。つぎ
に、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（２４ｓｎｍ，
レンズ開口数０．３５）によシ、マスク４を介して選択
的にＫｒＦエキシマレーザ光５を露光する（第４図ｂ）
ｏなおこのときの露光量は２００ｍＪ／ｄ であシ、
レジスト膜３の２ ４ ８ ｎｍにおける透過率は２６
％であった０アルカリ現像液であるＲＤ現像液を用いて
、６０秒間の現像を行い、パターン６Ａを形成した（第
４図Ｃ）。
発明が解決しようとする課題
ところが得られたパターン６人は、透過率の不良により
レジスト下部まで光が到達しにくく、１μｍのパターン
は逆台形であシ、又、０．５μｍのパターンは、逆台形
によシ基板との密着性が不十分となり、隣のパターンに
倒れてし１つだ。このような、パターンはいずれも次工
程であるエッチング工程に用いるマスクとしては不十分
なものとなり、寸法変動やパターン欠陥が生じ、半導体
素子の歩留まり低下の原因となった。
レジスト下部まで光が到達しにくく、１μｍのパターン
は逆台形であシ、又、０．５μｍのパターンは、逆台形
によシ基板との密着性が不十分となり、隣のパターンに
倒れてし１つだ。このような、パターンはいずれも次工
程であるエッチング工程に用いるマスクとしては不十分
なものとなり、寸法変動やパターン欠陥が生じ、半導体
素子の歩留まり低下の原因となった。
又、一般にノボラック樹脂やフェノール樹脂，マレイミ
ド樹脂，ステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂な
どは、それ単体でＤＵＶ光やエキシマ光によってネガ型
の重合を起こし、ネガ型レジストとなシ得るという性質
がある。
ド樹脂，ステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂な
どは、それ単体でＤＵＶ光やエキシマ光によってネガ型
の重合を起こし、ネガ型レジストとなシ得るという性質
がある。
ところが、このような単に樹脂だけによるＤＵＶ用ネガ
型レジストとしての適用は、その感度，解像度とも悪く
（たとえはＫｒＦエキシマレーザに対して感度は１０ｍ
Ｊ／ｃｏｔ以上、解像度は１．０７１ｍ程度である。）
、微細化する素子製造には使用不可である。
型レジストとしての適用は、その感度，解像度とも悪く
（たとえはＫｒＦエキシマレーザに対して感度は１０ｍ
Ｊ／ｃｏｔ以上、解像度は１．０７１ｍ程度である。）
、微細化する素子製造には使用不可である。
７・＼−、
本発明は従来のパターン形成材料の問題点であった光吸
収の過剰による逆台形パターンを防止し、又、微細で高
感度・高コントラストのパターン解像性を有するパター
ン形成材料を提供することを目的とする。
収の過剰による逆台形パターンを防止し、又、微細で高
感度・高コントラストのパターン解像性を有するパター
ン形成材料を提供することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は従来のパターン形成材料の問題点を解決すべき
、ステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂と架橋型
光感応性物質を主組成とするパターン形成材料、あるい
は、アクリジン又はその誘導体を、ノボラック樹脂又は
フェノール樹脂又はマレイミド樹脂又はスチレンとマレ
イン酸の誘導体の共重合樹脂に混合することを特徴とす
るパターン形成材料である。これらは、いずれも良好な
性能を示すネガ型のパターン形成材料である０作用 本発明に係るステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹
脂は、遠紫外線、特に、ＫｒＦエキシマレーザ光の波長
である２ ４ Ｂ ｎｍ付近の透過率が高く、約８０％
以上（１μｍ厚の樹脂膜時）となる０又、この系の樹脂
はアルカリ溶液に非膨潤であシ、又、この樹脂に架橋型
光感応性物質を添加することにより露光部の樹脂アルカ
リ可溶性が阻止され、ネガ型レジストとなることを本発
明者らは見出した。このような本発明のパターン材料（
ネガ型レジスト）は、前述の如き樹脂の透明性によりレ
ジスト下部まで露光された光が通過しやすくなり、逆台
形パターンとならず、又樹脂の非膨潤性によシ、高解像
度のレジストパターンが得られる０ 又、アクリジン又はその誘導体は、ノボラツク樹脂やフ
ェノール樹脂，マレイミド樹脂と混合して、ＤＵＶ光や
エキシマレーザ光を照射すると、それが樹脂の架橋剤と
して働くことが本発明者らの研究の結果わかった。この
ことにより、樹脂のネガ型レジストとしての感度，解像
度は向上する０アクリジン又はその誘導体の樹脂に対す
る添加量としては、重量比で１％程度で十分、前記の効
果があらわれる。
、ステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂と架橋型
光感応性物質を主組成とするパターン形成材料、あるい
は、アクリジン又はその誘導体を、ノボラック樹脂又は
フェノール樹脂又はマレイミド樹脂又はスチレンとマレ
イン酸の誘導体の共重合樹脂に混合することを特徴とす
るパターン形成材料である。これらは、いずれも良好な
性能を示すネガ型のパターン形成材料である０作用 本発明に係るステレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹
脂は、遠紫外線、特に、ＫｒＦエキシマレーザ光の波長
である２ ４ Ｂ ｎｍ付近の透過率が高く、約８０％
以上（１μｍ厚の樹脂膜時）となる０又、この系の樹脂
はアルカリ溶液に非膨潤であシ、又、この樹脂に架橋型
光感応性物質を添加することにより露光部の樹脂アルカ
リ可溶性が阻止され、ネガ型レジストとなることを本発
明者らは見出した。このような本発明のパターン材料（
ネガ型レジスト）は、前述の如き樹脂の透明性によりレ
ジスト下部まで露光された光が通過しやすくなり、逆台
形パターンとならず、又樹脂の非膨潤性によシ、高解像
度のレジストパターンが得られる０ 又、アクリジン又はその誘導体は、ノボラツク樹脂やフ
ェノール樹脂，マレイミド樹脂と混合して、ＤＵＶ光や
エキシマレーザ光を照射すると、それが樹脂の架橋剤と
して働くことが本発明者らの研究の結果わかった。この
ことにより、樹脂のネガ型レジストとしての感度，解像
度は向上する０アクリジン又はその誘導体の樹脂に対す
る添加量としては、重量比で１％程度で十分、前記の効
果があらわれる。
実施例
９・・−７
本発明に係るスチレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹
脂は、前述のごとく、ＫｒＦエキシマレーザ光の波長で
ある２ ４ Ｂ ｎｕ付近の透過率が高く、約８ｏ％以
上（１μｍ厚の樹脂膜時）となる〇又、この系の樹脂は
アルカリ溶液に非膨潤であり、又、この樹脂に架橋型光
感応性物質を添加することにより露光部の樹脂アルカリ
可溶性が阻止され、このような本発明のパターン材料（
ネガ型レジスト）は、前述の如き樹脂の透明性によシレ
ジスト下部まで光が通過しゃすくなシ逆台形パターンと
ならず、又、樹脂の非膨潤性によシ、高解像度のパター
ンが得ラレル。
脂は、前述のごとく、ＫｒＦエキシマレーザ光の波長で
ある２ ４ Ｂ ｎｕ付近の透過率が高く、約８ｏ％以
上（１μｍ厚の樹脂膜時）となる〇又、この系の樹脂は
アルカリ溶液に非膨潤であり、又、この樹脂に架橋型光
感応性物質を添加することにより露光部の樹脂アルカリ
可溶性が阻止され、このような本発明のパターン材料（
ネガ型レジスト）は、前述の如き樹脂の透明性によシレ
ジスト下部まで光が通過しゃすくなシ逆台形パターンと
ならず、又、樹脂の非膨潤性によシ、高解像度のパター
ンが得ラレル。
なお、本発明に係るスチレンとマレイン酸の誘導体の共
重合樹脂は、芳香環の働きによシ耐エッチング性という
面からも有用である。共重合の割合については任意であ
り特に制限はない。マレイン酸の誘導体としては、マレ
イン酸，マレイン酸エステル，マレイン酸ハーフエステ
ル−１．トカ：＄Ｍられる。
重合樹脂は、芳香環の働きによシ耐エッチング性という
面からも有用である。共重合の割合については任意であ
り特に制限はない。マレイン酸の誘導体としては、マレ
イン酸，マレイン酸エステル，マレイン酸ハーフエステ
ル−１．トカ：＄Ｍられる。
本発明に係る架橋型光感応性物質は、遠紫外線１ ０
・ やエキシマレーザ光に感光性を有するものであれば特に
制限はなく、たとえば、ジアゾニウム塩化合物，ジアゾ
化合物，アジド化合物などが挙げられる。アジド化合物
の例としては、たとえば、（Ｘはハロゲン又は水素原子
） などが挙げられる。又、これらの架橋型感応性物の融点
が、パターン形成材料を基板上に形成する際のプリベー
ク温度よりも低いか、又は、同じであるときには、プリ
ベーク時に基板との界面部分のパターン形成材料が熱架
橋を起こし、パターンが逆台形になることを防ぐ働きを
する場合があシ、良い結果が得られることがある。
・ やエキシマレーザ光に感光性を有するものであれば特に
制限はなく、たとえば、ジアゾニウム塩化合物，ジアゾ
化合物，アジド化合物などが挙げられる。アジド化合物
の例としては、たとえば、（Ｘはハロゲン又は水素原子
） などが挙げられる。又、これらの架橋型感応性物の融点
が、パターン形成材料を基板上に形成する際のプリベー
ク温度よりも低いか、又は、同じであるときには、プリ
ベーク時に基板との界面部分のパターン形成材料が熱架
橋を起こし、パターンが逆台形になることを防ぐ働きを
する場合があシ、良い結果が得られることがある。
本発明のパターン形成材料としては、樹脂，架橋型光感
応性物質以外にこれらを溶解させる溶媒やその他の樹脂
の溶解性を制御するだめの他の樹脂（キシレノール樹脂
，クレゾール樹脂など）や化合物（ビスフェノール人，
カテコールなど）、又、感度を向上させるだめの増感剤 が含まれていても良い。
応性物質以外にこれらを溶解させる溶媒やその他の樹脂
の溶解性を制御するだめの他の樹脂（キシレノール樹脂
，クレゾール樹脂など）や化合物（ビスフェノール人，
カテコールなど）、又、感度を向上させるだめの増感剤 が含まれていても良い。
なお溶媒としては、シクロヘキサノン，ジエチレングリ
コールジメテルエーテル，エチルセルンルプアセテート
，キシレン，シクロベンタノンなどが挙げられ、これら
を混合して用いても良い。
コールジメテルエーテル，エチルセルンルプアセテート
，キシレン，シクロベンタノンなどが挙げられ、これら
を混合して用いても良い。
なお、本発明中の架橋型光感応性物質が紫外光に反応性
を有する場合には、本発明の樹脂が紫外域においても透
明性が高いために、紫外線用ネガ型レジストとして用い
ることができる。
を有する場合には、本発明の樹脂が紫外域においても透
明性が高いために、紫外線用ネガ型レジストとして用い
ることができる。
又、アクリジン又はその誘導体は、前述のごとく、ノボ
ラック樹脂やフェノール樹脂，マレイミド樹脂と混合し
て、ＤＵＶ光やエキシマレーザ光を照射すると、それが
樹脂の架橋剤として働き、樹脂のネガ型レジストとして
の感度，解像度は向上する。
ラック樹脂やフェノール樹脂，マレイミド樹脂と混合し
て、ＤＵＶ光やエキシマレーザ光を照射すると、それが
樹脂の架橋剤として働き、樹脂のネガ型レジストとして
の感度，解像度は向上する。
又、アルカリ可溶のスチレン共重合樹脂は、遠紫外光や
紫外光に対する透明性が従来の材料に比べて６０％以上
高く、パターン形成材料として露光後の透過率を十分高
くできることから、露光の光が容易にパターン形成材料
下部まで到達する。
紫外光に対する透明性が従来の材料に比べて６０％以上
高く、パターン形成材料として露光後の透過率を十分高
くできることから、露光の光が容易にパターン形成材料
下部まで到達する。
従って、これをパターン形成材料のポリマーとして用い
ても良く、パターンの逆テーパ現象は皆無となる。特に
、本発明に係るアジド化合物を用いた場合には、未露光
部は樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性が大であり、
又、露光部はアジド化合物のＮ５基が樹脂と反応して分
子量の増大やアルカリ可溶阻止の働きを行い、結局露光
部がアルカリに溶解するというネガ型レジストとなる。
ても良く、パターンの逆テーパ現象は皆無となる。特に
、本発明に係るアジド化合物を用いた場合には、未露光
部は樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性が大であり、
又、露光部はアジド化合物のＮ５基が樹脂と反応して分
子量の増大やアルカリ可溶阻止の働きを行い、結局露光
部がアルカリに溶解するというネガ型レジストとなる。
本発明の材料は、上述の如く、逆テーパ状にもならず、
又、露光・未露光部の差かはっきシあらわれ１ ３・＼
−７ ることからそのアスベクト比も良いことになる。
又、露光・未露光部の差かはっきシあらわれ１ ３・＼
−７ ることからそのアスベクト比も良いことになる。
一般に、スチレン共重合樹脂のアルカリ溶解性は大きい
が、本発明に係るアジド化合物の働きにょシ、露光部の
膜ベシは全くない。
が、本発明に係るアジド化合物の働きにょシ、露光部の
膜ベシは全くない。
本発明に係るアジド化合物としては、他にｎ
脂との反応が阻止されることによるパターン形成不良を
防止するために、１００％以下であることが望ましい。
防止するために、１００％以下であることが望ましい。
もちろん、本発明においてはアジド化合物以外にも架橋
型光感応性物質であればいずれでも良いことは前述の通
シである。
型光感応性物質であればいずれでも良いことは前述の通
シである。
（その１）
第１図を用いて本発明の一実施例のパターン形成材料を
用いたパターン形成方法を説明する。
用いたパターン形成方法を説明する。
なお本発明のパターン形成材料の組成は以下の如くとし
た。
た。
など又はその混合物などが挙げられるが、これらの限り
ではなく、又、これらの樹脂に対する重量％は、アジド
化合物自身の光による架橋により樹なお、上記樹脂の紫
外分光曲線（１μｍ厚時）は第２図に示す如く、遠紫外
域や２ ４ ８ ｎｕにおける透過率が８０％以上と良
好であることがゎがる０ １ ６ ・＼−７ 半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料を塗布
し、８０℃２０分のオープンベーク後、１．０μｍのレ
ジスト膜２を得た。このレジスト膜の２ ４ ８ ｎｍ
における透過率は４２％であった（第１図ａ）。つぎに
、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（２４８ｎｍ ，ｖ
：ｙズ開口数０．３６）により、マスク４を介して選択
的にＫｒＦエキシマレーザ光５を露光する（第１図ｂ）
。なおこのときの露光量は２ １ ０ ｍＪ／ｃｎＪ
で６Ｃ、レジスト膜２の２４８ｎｍにおける透過率は
８２％でおった。つぎにアルカリ現像液ＮＭＤ−３２０
％水溶液（東京応化製）を用いて６ｏ秒間の現像を行い
、レジスト２の露光部を除去してレジストパターン２人
を形成した（第１図Ｃ）。レジストの元透過が良好でレ
ジスト下部まで十分に光が到達したために、レジストハ
ターン２人はその１μｍや０．５μｍの大小のパターン
を共に寸法変動のない形状の良い（アスペクト比８９°
）ものとなった。
ではなく、又、これらの樹脂に対する重量％は、アジド
化合物自身の光による架橋により樹なお、上記樹脂の紫
外分光曲線（１μｍ厚時）は第２図に示す如く、遠紫外
域や２ ４ ８ ｎｕにおける透過率が８０％以上と良
好であることがゎがる０ １ ６ ・＼−７ 半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料を塗布
し、８０℃２０分のオープンベーク後、１．０μｍのレ
ジスト膜２を得た。このレジスト膜の２ ４ ８ ｎｍ
における透過率は４２％であった（第１図ａ）。つぎに
、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（２４８ｎｍ ，ｖ
：ｙズ開口数０．３６）により、マスク４を介して選択
的にＫｒＦエキシマレーザ光５を露光する（第１図ｂ）
。なおこのときの露光量は２ １ ０ ｍＪ／ｃｎＪ
で６Ｃ、レジスト膜２の２４８ｎｍにおける透過率は
８２％でおった。つぎにアルカリ現像液ＮＭＤ−３２０
％水溶液（東京応化製）を用いて６ｏ秒間の現像を行い
、レジスト２の露光部を除去してレジストパターン２人
を形成した（第１図Ｃ）。レジストの元透過が良好でレ
ジスト下部まで十分に光が到達したために、レジストハ
ターン２人はその１μｍや０．５μｍの大小のパターン
を共に寸法変動のない形状の良い（アスペクト比８９°
）ものとなった。
なお、本発明のパターン形成材料に係るスチレンとマレ
イン酸の誘導体の共重合樹脂として例えば、以下の如き
樹脂を用いても良く、本実施例と同様の良好な結果が得
られる。もちろん、これらの例に限定されるものではな
い０ １ ７ ・＼− ／ １ ８ 、 （ｍ，ｎは任意の整数，Ｒ，〜Ｒ４はーＣＨ，，どのア
ルキル基又は、アリル基，又は、アリール基又はアルケ
ニル基又はアルキニル基又はそれらの複合基，ｘ，，ｘ
２はＦ ， Ｃｌ ， Ｂｒ などのノ・ロゲンであ
る。） （その２） 以下の組成の本発明のパターン形成材料を用いてパター
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２２５ｍＪ／ａｄ）、同様の良好な結果を得
た。
イン酸の誘導体の共重合樹脂として例えば、以下の如き
樹脂を用いても良く、本実施例と同様の良好な結果が得
られる。もちろん、これらの例に限定されるものではな
い０ １ ７ ・＼− ／ １ ８ 、 （ｍ，ｎは任意の整数，Ｒ，〜Ｒ４はーＣＨ，，どのア
ルキル基又は、アリル基，又は、アリール基又はアルケ
ニル基又はアルキニル基又はそれらの複合基，ｘ，，ｘ
２はＦ ， Ｃｌ ， Ｂｒ などのノ・ロゲンであ
る。） （その２） 以下の組成の本発明のパターン形成材料を用いてパター
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２２５ｍＪ／ａｄ）、同様の良好な結果を得
た。
（その３）
以下の組成の本発明のパターン形成材料を用いてパター
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２６０ｍＪΔ）、同様の良好な結果を得た。
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２６０ｍＪΔ）、同様の良好な結果を得た。
１ ９ 、
（その４）
以下の組成の本発明のパターン形成材料を用いてパター
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２ ４ ０ ｍＪ／ｃｏ？） 、同様の良好
な結果を得た。
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２ ４ ０ ｍＪ／ｃｏ？） 、同様の良好
な結果を得た。
（その６）
以下の組成の本発明のパターン形成材料を用いてパター
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２ ０ ０ ｍＪ／ｃｎＯ、同様の良好な結
果を得た。
ン形成を行う以外は実施例１と同様の実験を行い（ただ
し露光量は２ ０ ０ ｍＪ／ｃｎＯ、同様の良好な結
果を得た。
（その６）
以下に本発明の他の実施例について説明する。
まず、ポリビニルフェノール１０ｇ，アクリジン０．１
ｆ ，ジエチレングリコール３０１より成るパターン
形成材料を調整した。
ｆ ，ジエチレングリコール３０１より成るパターン
形成材料を調整した。
この材料を用いたパターン形成方法について半導体基板
上に本発明のパターン形成材料を塗布し、９０℃２分の
ホットフ”レート・プリベーク後１．０μｍの膜厚を得
た。この後、ＫｒＦエキシマレーザ（２４９ｎｍ）を用
いるステッパ（ＮＡ０．３５）によシ選択的にマスクを
通して１００ｍＪ／ａｌｌ の露光を行い、アルカリ水
溶液（０．２７規定度４０秒）現像にてパターン形成を
行った。得られたパ２ １ ＼ ， ターンは０．４μｍの高解像度パターンであった。
上に本発明のパターン形成材料を塗布し、９０℃２分の
ホットフ”レート・プリベーク後１．０μｍの膜厚を得
た。この後、ＫｒＦエキシマレーザ（２４９ｎｍ）を用
いるステッパ（ＮＡ０．３５）によシ選択的にマスクを
通して１００ｍＪ／ａｌｌ の露光を行い、アルカリ水
溶液（０．２７規定度４０秒）現像にてパターン形成を
行った。得られたパ２ １ ＼ ， ターンは０．４μｍの高解像度パターンであった。
なお、アクリジンのかわシに、アクリジンオレンジやア
クリジンイエロー等のアクリジンの誘導体を用いた場合
にも同様の効果が得られた。
クリジンイエロー等のアクリジンの誘導体を用いた場合
にも同様の効果が得られた。
（その７）
第３図を用いて本発明さらに他の実施例のパターン形成
材料を用いたパターン形成方法について説明する。
材料を用いたパターン形成方法について説明する。
ここでのパターン形成材料の組成は以下の通シであった
。
。
半導体等の基板１上に、上記の本発明のパターン形成材
料３を１．２μｍ厚に形成した（第３図ａ）この後、Ｎ
Ａ Ｏ．３ ６のＫｒＦエキシマレーザステッパによ
りマスク４を介して選択的に露光６を行い（第３図ｂ）
、ＮＭＤ−３（東京応化）１０％水溶液によシ６ｏ秒間
の浸漬現像によりパターン３人を形成した（第３図Ｃ）
。得られたパターン３人は、逆テーパは全く々く、アス
ペクト比８８°の膜減り０の０．５μｍライン・アンド
・スペースパターンであった。
料３を１．２μｍ厚に形成した（第３図ａ）この後、Ｎ
Ａ Ｏ．３ ６のＫｒＦエキシマレーザステッパによ
りマスク４を介して選択的に露光６を行い（第３図ｂ）
、ＮＭＤ−３（東京応化）１０％水溶液によシ６ｏ秒間
の浸漬現像によりパターン３人を形成した（第３図Ｃ）
。得られたパターン３人は、逆テーパは全く々く、アス
ペクト比８８°の膜減り０の０．５μｍライン・アンド
・スペースパターンであった。
発明の効果
本発明のパターン形成材料を遠紫外線やエキシマレーザ
などを用いたリングラフィに用い半導体素子を製造する
ことにより、歩留まりの向上が大きくなシ、工業的価値
が高い。
などを用いたリングラフィに用い半導体素子を製造する
ことにより、歩留まりの向上が大きくなシ、工業的価値
が高い。
第１図，第３図は本発明の一実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図は本実
施例のパターン形成材料中の樹脂の紫外分光曲線図、第
４図は従来のパターン形成材料を用いたパターン形成方
法の工程断面図である０１・・・・・・基板、２，＼３
・・・・・・本発明のパターン形成材Ｌ ４・・・・・
・−１７．ク、５・・・・・・ＫｒＦエキシマレーザ光
、２人，３人・・・・・・パターン。
を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図は本実
施例のパターン形成材料中の樹脂の紫外分光曲線図、第
４図は従来のパターン形成材料を用いたパターン形成方
法の工程断面図である０１・・・・・・基板、２，＼３
・・・・・・本発明のパターン形成材Ｌ ４・・・・・
・−１７．ク、５・・・・・・ＫｒＦエキシマレーザ光
、２人，３人・・・・・・パターン。
Claims (7)
- （１）スチレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂と架
橋型光感応性物質をその成分とするパターン形成材料。 - （２）ノボラック樹脂又はフェノール樹脂又はマレイミ
ド樹脂又はスチレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂
と、アクリジン又はその誘導体とを含むパターン形成材
料。 - （３）アクリジンの誘導体がアクリジン又はアクリジン
オレンジ又はアクリジンイエローである特許請求の範囲
第２項に記載のパターン形成材料。 - （４）スチレンとマレイン酸の誘導体の共重合樹脂が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは任意の整数、Ｒ＿１〜Ｒ＿４はアルキル基、
アリール基、アリル基、アルケニル基、アルキニル基又
はそれらの複合基、Ｘ＿１、Ｘ＿２はハロゲン） のいずれかである特許請求の範囲第１項又は第２項に記
載のパターン形成材料。 - （５）架橋型光感応性物質がアジド化合物、ジアゾニウ
ム塩化合物、ジアゾ化合物のいずれかである特許請求の
範囲第１項に記載のパターン形成材料。 - （６）アジド化合物が、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ （Ｘはハロゲン又は水素原子） である特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成材料
。 - （７）架橋型光感応性物質の融点が、パターン形成材料
の基板上への形成時のプリベーク温度よりも低いか又は
同じであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27342588A JPH02132443A (ja) | 1987-11-02 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27760587 | 1987-11-02 | ||
| JP62-277605 | 1987-11-02 | ||
| JP63-177105 | 1988-07-18 | ||
| JP27342588A JPH02132443A (ja) | 1987-11-02 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132443A true JPH02132443A (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=26550654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27342588A Pending JPH02132443A (ja) | 1987-11-02 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03107160A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JP2010245327A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Renesas Electronics Corp | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127552A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Daicel Chem Ind Ltd | Photosensitive laminate |
| JPS5710136A (en) * | 1980-06-21 | 1982-01-19 | Somar Corp | Photosensitive image forming material |
| JPS5827141A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-17 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 平版印刷版の製造法 |
| JPS59226002A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光重合性組成物 |
| JPS61162038A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-22 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | 感光性組成物 |
| JPS6269262A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| JPS63108334A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コントラスト向上用組成物 |
| JPH01164937A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-06-29 | Hoechst Celanese Corp | 光重合性組成物および写真要素 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27342588A patent/JPH02132443A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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| JPS55127552A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Daicel Chem Ind Ltd | Photosensitive laminate |
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| JP2010245327A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Renesas Electronics Corp | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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