JPH0270A

JPH0270A - パターン形成材料

Info

Publication number: JPH0270A
Application number: JP63264512A
Authority: JP
Inventors: Masataka Endo; 政孝遠藤; Masaru Sasako; 勝笹子; Kazufumi Ogawa; 一文小川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1987-10-20
Filing date: 1988-10-20
Publication date: 1990-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、半導体装置を製造するときに用いられるパタ
ーン形成材料すなわちレジヌト材料に係り、露光エネル
ギー源として例えば２４９　ｎｍのすなわちＫｒＦエキ
シマレーザ、遠紫外光等を用いてパターン形成する際の
ポジ型レジスト材料に関する。

従来の技術エキシマレーザ（ＡｒＦ；１９３ｎｍ、ＫｒＦ：２４９
ｎｍ。

ＸｅＣ１；３０８ｎｍ等）、遠紫外光（１９０〜３３０
ｎｍ付近）を露光源とする時のレジヌ）（ＤＵＶレジス
ト）としては、ポジ型では、ＡＺ２４００（シラグレー
社）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ネガ型
では、ＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタクリレート）、Ｃ
ＭＳ（クロロメチル化ヌテレン；東洋ソーダ）等が提案
されている。ＰＭＭＡ。

ＰＧＭＡはドライエツチング耐性が悪い上に、非常に感
度が悪い。また、ＣＭＳも感度が悪い（ＰＭＭＡより１
０倍程度良いが、それでも２４９ｎｍのＫｒＦ　レーザ
で約１０ｏｏ〜２０ｏｏｍ７／１４必要（膜厚約０．５
μｍのとき））。ＡＺ２４００は、エツチング耐性もあ
シ（ノボラック樹脂である故）、感度も市販・開発され
たＤＵＶレジヌトの中では最も良いが（２４９ｎｍＫｒ
Ｆレーザで約１ｏ　ｏ　ｍ　Ｉ／ｃｔｉ　（膜厚約１．
０μｍのとき））、ＤＵＶ光で露光したときに、露光後
の透過率が小さく、レジストがＤＵＶ光を吸収する成分
がもともと多量に含まれていることがわかる。

第２図に２４９　ｎｍレーザで照射した場合の紫外外曲
線を示す。このため、ＡＺ２４００を用いてＤＵＶ光で
パターン形成したときには、光がレジスト中で吸収され
るため、コントラストの良好なレジストパターンは形成
できない。〔例えば、Ｈ、Ｉ　ｔ　ｏら、　Ｓｙｍｐｏ
、ｏｎ　ＶＬＳＴ　Ｔｅｃｈ、　（１９８２）　。

Ｋ、Ｊ、ｏｒｖｅｋら、ニス　　ピーアイイ（ＳＰＩＥ
）第３図を用いて従来のＡＺ２４００を用いたレジスト
パターン形成方法を示す。基板１上にＡＺ２４００を回
転塗布し、厚さ１．５μｍのレジスト膜を得る（第３図
（ａ））。次に２４９　ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光
４によシ選択的にレジスト３を露光する（、第３図（ｂ
））。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を施して
レジストパターン３ａが得られる（第３図（Ｃ））。

発明が解決しようとする課題ところが、前述のように従来のＡＺ２４００は下部まで
光が到達しないために、レジストパターン３ａはその形
状が劣化したものとなっている。

このように光の表面吸収が大きいＡＺ２４００のような
従来のレジストでは、露光を例えばＫｒＦ２４９　ｎｍ
エキシマレーザ光のような短波長光源を用いた場合、微
細なパターンを形状良く得ることは不可能である。

すなわち、本発明の目的は従来のレジストにおいてレジ
スト表面での光（特に２４９　ｎｍエキシマレーザ光）
吸収により発生したレジストパターンの解像度・コント
ラストの劣化が発生していたのを防止することにある。

本発明は前記問題点を解決するために、ＤＵＶ光である
２　４９　ｎｍのエキシマレーザ露光等において耐エツ
チング性があシ、感度解像度、コントラストの良好なパ
ターン形成材料を提供するものである。

課題を解決するための手段本発明のパターン形成材料は、露光によって分解又は転
移反応が生じアルカリ可溶性となる感光体と、樹脂と、
前記感光体と樹脂を溶解させる溶媒を含むことを特徴と
する。

作　　用本発明は、遠紫外光又はエキシマレーザ光によシその露
光部が分解又は転移反応を起こし、これにより成分中の
樹脂の現像時における溶解性を増大し、ポジ型のパター
ンを形成できるパターン形成材料を提供するものである
。本発明の材料は、解像性・コントラストとも良好でた
とえばＫｒＦエキシマレーザ露光によ５ｏ、ｓμｍ以下
のレジストパターンを容易に得ることができる。

実施例感光体としては、２４Ｑｎｍ付近に感度があフ、露光に
よって分解又は転移反応が生じアルカリ可溶性となり、
かつ、未露光部のパターン形成材料のアルカリ溶解抑止
効果のあるものを用いた。

この要求に応じるために、本発明者らは樹脂として、例
えば、アルカリ可溶性樹脂として、フェノール■脂、ク
レゾール樹脂、キシレノール樹脂。

スチレン樹脂、マレイン酸樹脂、マレイン酸エステル樹
脂、マレイン酸ハーフエステル樹脂マレイミド樹脂のい
ずれか又はその混合物又はその共重合体等を用いた。

本発明の感光体である（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は置換基）なる化合物は、露光前に
は２４　Ｓ　ｎｍ付近や遠紫外光に対して感度が大きく
、以下の反応が２４９　ｎｍ光や遠紫外光に対る膜ベク
は全く生じない。膜ベフを防止するために感光体中に−
８０２−や−〇〇−等の結合基、エヌテル基を含んでお
れば、樹脂のＯＨ基のアルカリ溶解性を阻止して良好で
あることも本発明者らによって見い出した。

本発明の感光体である一般式（Ｒ１，Ｒ２は各々水素原子、アルキル基、アルまた、
上記反応物は酸である故に、アルカリ水溶液で溶解する
ことになる。

未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液に対す
る溶解性を阻止するために、パターン形成材料としての
未露光部のアルカリ現像液に対すＲ〃本発明の感光体であるＲ　７ｔｔ　、　Ｒ，、Ｊｉ８ｚ　Ｒ８／／は各々水素
原子、アルキル基。

アルコキシ基、ニトロ基、ニトロン基、アミノ基。

ヒドロキシル基ｔりｉｊ：フェニル基）（Ｒ４，Ｒ５は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、
ニトロソ基、アミン基、ヒドロキシル基またはフェニル
基。）の化合物は、２４９　ｎｍ付近や遠紫外光に対して感度
が大きく以下の反応を生じ、樹脂に対するアルカリ溶解
阻止能が減少する。

即ち、未露光部は樹脂のアルカリ溶解性を阻止し、露光
部はその阻止能が減少しアルカリ水溶液に溶けだし、ポ
ジ型の未露光部・露光部の差かはつきシした良好なパタ
ーンが得られる。

を有する化合物は、露光前には２４　ｅ　ｎｍ付近や遠
紫外光に対して感度が大きく、以下の反応を生じる。

また上記生成物はカルボン酸、ヌルホン酸であるゆえに
、アルカリ水溶液で溶解することとなる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、パターン形成材料と
しての未鱈部のアルカリ現像液に対する膜ペリはまった
く生じない。

又、本発明は、下記−最大［ＩＤで表わされる感光体で
あるオルトニトロベンジル化合物をステレンーマレイン
酸共重合体に直接エヌテル化した樹脂である。

（ｌ、ｍは１以上の整数、ｎはＯを含む整数。

Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキ
シル基またはアルコキシ基。Ｒ２、Ｒ３は各々水素原子
、アルキル基、アルケニル基、Ｒ４（式中、７１．ｍは
整数、Ｒ２は置換基）上記の感光体であるオルトニトロ
ベンジン化合物はモノニトロ体の他ジニトロ体、トリニ
トロ体でもよく、又ニトロベンジル化合物はスチレン−
マレイン酸共重合体のいずれかのカルボキシル基に対し
て、或は双方のカルボキシル基に対して少くともその１
部をエステル化したものであってもよく、従って本発明
で用いられる感光体を含んだ樹脂は下記−最大〔Ｉ）で
表わすことができる。

ＲＯＲＯＯＲ１２３（Ｎｏ２）ＰＲ４はアルコキシ基またはヒドロキシル基、Ｒ５は水素
原子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシル基、ア
ルコキシ基、ハロゲンマタハニトロ（Ｎ０２）　ｐこの感光体を含んだ樹脂は、２４９　ｎｍ付近の感度が
大で、又、露光後の透過率が大となるために良好なパタ
ーン形成材料となる。

即ち、本発明に係る樹脂は以下の如き光反応を生じる。

：Ｒはパターン形成材料と相溶性が良ければ特に限定は
しない。

ｈν 等があげられる。

本発明の感光体である（ｌ、ｍは整数、Ｒ２は置換基）また上記生成物はカルボン酸を含んだ樹脂である為にア
ルカリ水溶液で溶解する事となる。

なお、更に未露光部のアルカリ可溶性を阻止する為に鋭
意検討した結果、５Ｏ２Ｃ１基を含むイし金物を混合さ
せる事により、理由は良くわ′ｌＪ）らないが、未露光
部は全くアルカリ現像液で溶解せず、露光部のみが溶解
するという事を見出した。

更にパターンプロファイルが改良される事を見出した。

ここで用いられるｓｏ２ｃｇ化合物は、Ｒ５Ｏ２Ｃ１ｏ
２なる骨格を有する化合物は、露光前には２４　ｅｎｍ付
近や遠紫外光に対して感度が大きく、以下の反応が生ず
る。

Ｏ２Ｏ２また、上記反応物は極性であるために、アルカリ水溶液
で溶解することになる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、パターン形成材料と
しての未露光部のアルカリ現像液に対する膜ベシは全く
生じない。

本発明の感光体であるを有する化合物は、露光前には２４　ｅ　ｎｍ付近や遠
紫外光に対して感度が大きく、以下の反応が生じる。

（Ｒ１〜Ｒ４は置換基）を有する化合物は、露光前には２４Ｑｎｍ付近や遠紫外
光に対して感度が大きく、以下の反応が生じる。

また上記生成物はカルボン酸であるために、アルカリ水
溶液で溶解することとなる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、パターン形成材料と
しての未露光部のアルカリ現像液に対する膜べりはまっ
たく生じない。５ｏ２Ｃ４基や−５０２−エステル基を
含有していればさらに樹脂のアルカリ阻止性が多くなる
。

本発明の感光体であるまた上記生成物はスルホン酸であるために、アルカリ水
溶液で溶解することとなる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、パターン形成材料と
しての未露光部のアルカリ現像液に対する膜べりはまっ
たく生じない。５ｏ２Ｃｌ基や一５ｏ２−エステル基が
感光体に含まれていれば一層のアルカリ溶解阻止効果を
呈する。

本発明の感光体である（ｎは２以上の任意の整数、Ｒは置換基）を有する化合
物は、露光前には２４　Ｓ　ｎｍ付近や遠紫外光に対し
て感度が大きく、以下の反応が生を有する化合物は、露
光前には２４９ｎｍ付近や遠紫外光に対して感度が大き
く、以下の反応が生じる。

また上記生成物はＮ基によシ、アルカリ水溶液で溶解す
ることとなる。

なお、未露光部の本発明の感光体はＮ３基により樹脂の
アルカリ溶液に対する溶解性を阻止するために、パター
ン形成材料としての未露光部のアルカリ現像液に対する
膜ベシ／ｌｉまったく生じない。

感光体中に−５０２−基を有している場合には、なお−
層のアルカリ溶液阻止を行うことができる。

本発明の感光体であるまだ上記生成物はスルホン酸なので、アルカリ水溶液で
溶解することとなる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、パターン形成材料と
しての未露光部のアルカリ現像液に対する膜ベリはまっ
たく生じない。溶解阻止能を上げるために８０２Ｃｌや
、−５Ｏ３−エステル基をベンゼン環に導入しても良い
。

しる。

なお、未露光部の本発明の感光体は樹脂のアルカリ溶液
に対する溶解性を阻止するために、バタン形成材料とし
ての未露光部のアルカリ現像液に対する膜べりはまった
く生じない。

本発明の感光体である ○Ｒ３を有する化合物は、露光前には２４　ｅ　ｎｍ付近や遠
紫外光に対して感度が大きく、以下の反応が生なお、未
露光部の本発明の感光体はその〉Ｃ＝０の働きにより樹
脂のアルカリ溶液に対する溶解性を阻止するために、パ
ターン形成材料としての未露光部のアルカリ現像液に対
する膜べりはまったく生じない。露光後は上記感光体の
Ｃ基が光反応により消滅するためにアルカリ水溶液への
阻止能はなくなり、現像液に溶解することになる。

本発明において、溶媒としては、パターン形成材料を溶
解する様な溶媒であれば、いずれの溶媒でも良い。

例えばエチルセロソルブアセテート、メチルインブチル
ケトン、ジイソブチルケトン、ジオキサン等があげられ
る。好ましくは露光に用いる光を吸収しない溶媒が良く
、例えば２４９　ｎｍの光に対シては、ジエチレングリ
コールジメチルエーテルトカ、シエチレングリコールシ
エチルエーテルトカ、ジプロピレングリコールジメ千ル
エーテルトカ、ジプロピレングリコールジエチルエーテ
ル等があげられる。

以下、具体的な例を述べる。

（その１）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

ｇ・・・・・・１　０　ｇ（ｍ：ｎ＝＝３：１；分子量２０００）ジエチレングリ
コールジメチルエーテル・・・・・・５０ｇこの発明の
パターン形成材料を用いたレジストパターン形成方法を
第１図で説明する。半導体等の基板１上に本発明のパタ
ーン形成材料２を回転塗布し、厚さ１．５μｍのレジス
ト膜を得る（第１図（ａ））。１００は基板１表面の絶
縁又は導電膜であり、通常基板１上にはこうした膜１０
０が形成されていることが多い。次に２　４　９　ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザ光４により選択的にレジスト２
をパルス露光する（第１図（ｂ）　）。そして、最後に
通常のアルカリ現像処理を施してレジストパターン２ａ
が得られた（第１図（Ｃ））。なお、このときレジスト
パターン２ａはマスク設計通りに精度よくコントラスト
の良い微細パターン（０．３μｍ）であった。

なお、このパターン形成材料は樹脂であることからエツ
チング耐性は良好であった。

（その２）実施例その１で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行なった結果、０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。

ジエチレングリコールジメチルエーテルなお、本実施例
以外にも以下の感光体を用いた○ メタクレゾール・ホルムアノＬｆヒト・ノボラック樹脂
・・・・・・　７ｇジエチレングリコールジメチルエー
テル　　・・・・・・２５９この材料を用いて実施例そ
の１と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレ
ジストパターンが得られた。

（その４）実施例その３で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３５μｍのｄ明なレジス
トパターンが得られた。

（その３）以下の組成から成るパターン形成材料を調製した。

Ｈ３ジエチレングリコールジメチルエーテル・旧・・２５９
（その５）実施例その３で用いたパターン形成材料の代ゎシに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジスト
パターンが得られた。感度は約ｓ２ｍｌ／ｄであった。

（その６）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

ジメチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・４
３９ジエチルグリコールジメチルエーテルこの材料を用いて実施例その１と同様の実験を行った結
果、０．３６μｍの鮮明なレジストパターンが得られた
。

（その７）実施例その６で用いたパターン形成材料の代わりに下記
組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１と
同様の実験を行った結果、感度約５０ｍＴ／ｄで０．３
μｍの鮮明なレジストパターンが得られた。

本発明の如き−８０２−基の導入は未露光部の樹脂のＯ
Ｈ基と結合を形成するために、アルカリ溶解阻止性が一
層大きくなる。

（その８）以下の組成からなるパターン形成材料を調製した。

（１：ｍ＝１：１）（分子量３０００）　　　・・・・・・　４！！ジエチ
レングリコールジメチル：Ｉ−−ｆ　／ｌ／・・・２１
ｇ本材料を用いて実施例１と同様の実験を行った結果、
アスペクト比８５°の０．３０μｍパターンが得られた
。

なお、このパターン形成材料のエツチング耐性を測定し
たところ市販のノボラック樹脂とほぼ同根の良好な結果
が得られた。

なお、本発明の実施例以外にもたとえば以下の如き例が
挙げられる。もちろんこれに限るものではない。

ＮＯ２ＮＯ２（ｊ７：ｍ：ｎの比は任意）Ｓｏ２Ｃ＃（その９）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

ｏ　　　　　　０パラクレゾールノボラック樹脂　　・・・・・・１０ｇ
メタクレゾールノボラック樹脂　　・・・・・・　２Ｉ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・２
５ｇこの本発明のパターン形成材料を用いて、実施例そ
の１と同様の実験を行った結果、感度的８０ｍ１／ｃａ
で０．３μｍの切シ立ったパターンが得られた。

（その１０）実施例その９で用いた、パターン形成材料の代わシに下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行なった結果、０．３μｍの鮮明なレジ
ヌトパターンが得られた。

（ｍ：ｎ＝＝１：２．分子量１５００）ジエチレングリ
コールジメチルエーテル・・・・・・５０ｇなお、この
ようｑ、Ｐ＝Ｏ基を含むことにより、感度が２〜３割向
上できることが本発明の研究に−５０２−基を含んだエ
ステルが本発明の化合物中に含まれている場合にも、未
露光部の樹脂のアルカリ可溶性を阻止する働きが大きく
有用であることがわかった。

（その１１）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

行った結果、０．３μｍの鮮明なパターンを得た。

（その１３）実施例その１２で用いたパターン形成材料の代わシに下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジヌ
トパターンが得られた。

この材料を用いて、実施例その１と同様の実験を行った
結果、感度約１００　ｍ　Ｊ　／ｃＡで０．３μｍの高
アスペクト比パターンを得た。

（その１２）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

この材料を用いて、実施例その１と同様の実験を（その
１４）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

このパターン形成材料を用いて、実施例その１と同様の
実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なパターンを得た
。

（その１５）実施例その１４で用いたパターン形成材料の代わシに下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を打った結果、感度約１ｏＯｍ工／ｃｄで
０．３μｍの鮮明なレジヌトパターンが得られた。

（その１６）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

メタクレゾールノボラック樹脂　　・・・・・−１５１
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・５
０１本発明の材料を用いて、実施例その１と同様の実験
を行った結果、感度も約ｉｓ　２　ｍ　Ｊ　／ｃｒｉｌ
　　というＡ好で、−ｏ、ｓμｍの鮮明なパターンヲ得
り。

（その１７）実施例その１６で用いたパターン形成材料の代わ９に下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。

メタクレゾールノボラック樹脂　　・・・・・・１２ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・５
２９（その１８）以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。

本発明の材料を用いて実施例その１と同様の実験を行っ
た結果、０．３μｍの鮮明なパターンを得た。

（その１９）実施例その１８で用いたパターン形成材料の代わシに下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍの鮮明なレジス
トパターンが得られた。

上記の如＜−５Ｏ２−基を含む感光体は未露光部の厨脂
がアルカリ水溶液に溶解することを防止する。

（その２０）以下の組成から成る本発明のパターン形成材料を調整し
た。

この材料を用いて実施例その１と同様の実験を行った結
果、０．３μｍの鮮明なパターンを得た。

（その２１）実施例その２０で用いたパターン形成材料の代わりに下
記組成のパターン形成材料を用いる以外は実施例その１
と同様の実験を行った結果、０．３μｍ　ｔ７）　鮮明
なレジストパターンが得られた。

本発明の如く−８０２−結合はやはり未露光部の樹脂の
溶解を阻止する役目をする。

発明の効果本発明によれば、特にＤＵＶ光やエキシマレーザ光によ
る露光、現像に際してのレジストパターン形成が高コン
トラスト、高解像度、高精度で行なうことができ、結果
として半導体素子の微細化。

歩留まり向上につながり、工業的価値が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のパターン形成材料を用いた
パターン形成方法の工程を示す断面図、第２図は従来の
レジス）　（ＡＺ２４００）の露光後のＤＵＶ領域での
紫外分光曲線図、第３図は従来のパターン形成工程を示
す断面図である。１・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン形成材料、２ａ・・・
・・・レジス斗パターン、４・・・・・・エキシマレ− ザ光、５・・・・・・マスク。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）露光によって分解又は転移反応が生じアルカリ可
溶性となる感光体と、樹脂と、前記感光体と樹脂を溶解
させる溶媒を含むことを特徴とするパターン形成材料。
（２）感光体が、下記のものからなることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のパターン形成材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は置換基）
（３）感光体が、下記のものからなる特許請求の範囲第
（１）項に記載のパターン形成材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿１、Ｒ＿２は各々水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、ヒドロキシアルキル基、▲数式、化学式、表等
があります▼基又は▲数式、化学式、表等があります▼
基。Ｒ＿３はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシア
ルキル基、▲数式、化学式、表等があります▼基、▲数
式、化学式、表等があります▼ 基、アルキルアミノ基、▲数式、化学式、表等がありま
す▼基または ▲数式、化学式、表等があります▼基（Ｒ＿６、Ｒ＿６
′、Ｒ＿６″、Ｒ＿７、Ｒ＿７′、Ｒ＿７″、Ｒ＿８、
Ｒ＿８′、Ｒ＿８″は各々水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、ヒドロキ
シル基またはフェニル基）Ｒ＿４、Ｒ＿５は各々水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ニトロソ基
、アミノ基、ヒドロキシル基またはフェニル基。）
（４）感光体が、下記のものを含む特許請求の範囲第（
１）項記載のパターン形成材料。▲数式、化学式、表等
があります▼（Ｒは置換基）
（５）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（ｌ、ｍは１以上の整数、ｎは０を含む整数。Ｒ＿１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロ
キシル基またはアルコキシ基。Ｒ＿２、Ｒ＿３は各々水
素原子、アルキル基、アルケニル基、Ｒ＿４基含有アル
キル基、フェニル基、▲数式、化学式、表等があります
▼基または▲数式、化学式、表等があります▼基（Ｐは
０、１、２または３、Ｒ＿４はアルコキシ基またはヒドロキシル基、Ｒ＿５は
水素原子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシル基
、アルコキシ基、ハロゲンまたはニトロ基）（ただし、
Ｒ＿２および／またはＲ＿３の少くとも一部は ▲数式、化学式、表等があります▼基を含む））で表わされる１種の樹脂あるいは２種以上の樹脂の混合
物と、ＳＯ＿２Ｃｌ基を含む化合物と、溶媒から成るパ
ターン形成材料。
（６）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼ なる結合単位を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のパターン形成材料。
（７）感光体が▲数式、化学式、表等があります▼なる
結合単位を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（６
）項に記載のパターン形成方法。
（８）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１、Ｒ＿２は
置換基）なる結合単位を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のパターン形成材料。
（９）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿１〜Ｒ＿４は置換基）なる結合単位を含む特許請求の範囲第（１）項に記載の
パターン形成材料。
（１０）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎは２以上の任意の整数、Ｒは置換基）なる骨格を含む特許請求の範囲第（１）項に記載のパタ
ーン形成材料。
（１１）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１、Ｒ＿２は
置換基）なる結合単位を含む特許請求の範囲第（１）項に記載の
パターン形成材料。
（１２）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１〜Ｒ＿４は
置換基）なる結合単位を含む特許請求の範囲第（１）項に記載の
パターン形成材料。
（１３）感光体が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１〜Ｒ＿５は
置換基）なる骨格を含む特許請求の範囲第（１）項に記載のパタ
ーン形成材料。
（１４）樹脂がアルカリ可溶性樹脂である特許請求の範
囲第（１）項に記載のパターン形成材料。