JPH04121748A - 感光性組成物 - Google Patents

感光性組成物

Info

Publication number
JPH04121748A
JPH04121748A JP2412975A JP41297590A JPH04121748A JP H04121748 A JPH04121748 A JP H04121748A JP 2412975 A JP2412975 A JP 2412975A JP 41297590 A JP41297590 A JP 41297590A JP H04121748 A JPH04121748 A JP H04121748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
hydrogen atom
alkyl group
compound
tables
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2412975A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2717602B2 (ja
Inventor
Toshiaki Aoso
利明 青合
Mitsunori Ono
光則 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Publication of JPH04121748A publication Critical patent/JPH04121748A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2717602B2 publication Critical patent/JP2717602B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[0001]
【産業上の利用分野】
本発明は、平版印刷、多色印刷の校正刷、オーバーヘッ
ドプロジェクタ−用図面、更には半導体素子の集積回路
を製造する際に微細なレジストノ<ターンを形成するこ
とが可能なポジ型感光性組成物に関する。 [0002]
【従来の技術】
平版印刷版等の用途において活性光線により可溶化する
、いわゆるポジチブに作用する感光性物質としては、従
来オルトキノンジアジド化合物が知られており実際平版
印刷版等に広く利用されてきた。このようなオルトキノ
ンジアジド化合物の例は、例えば、米国特許27661
18.同2767092.同2772972、同285
9112.同2907665.同3046110.同3
046111、同3046115.同30461・18
.同3046119.同3046120、同30461
21.同3046122.同3046123.同306
1430、同3102809.同3106465.同3
635709.同3647443の各明細書をはじめ、
多数の刊行物に記載されている。 これらのオルトキノンジアジド化合物は、活性光線の照
射により分解を起こして5員環のカルボン酸を生じ、ア
ルカリ可溶性となる性質が利用されるものであるが、光
分解により窒素ガスを生じるため、感光層に密着させた
原画が浮き上がり、焼きボケを生じたり、現像時未分解
のオルトキノンジアジド化合物がカップリング反応を起
こす等の問題があった。 [0003] 一方、半導体素子、磁気バブルメモリー 集積回路等の
電子部品を製造するためのパターン形成法としては、従
来より、紫外線または可視光線に感光するフォトレジス
トを利用する方法が幅広く実用に供されている。フォト
レジストには、光照射により被照射部が現像液に不溶化
するネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがあるが、ネ
ガ型はポジ型に比べて感度が良く、湿式エツチングに必
要な基板1さ開平4−121748 (5) との接着性及び耐薬品性にも優れていることから、近年
までフォトレジストの主流を占めていた。しかし、半導
体素子等の高密度化、高集積化に伴い、パターンの線幅
や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエツチングに
はドライエツチングが採用されるようになったことから
、フォトレジストには高解像度及び高ドライエツチング
耐性が望まれるようになり、現在ではポジ型フォトレジ
ストが大部分を占めるようになった。特に、ポジ型フォ
トレジストの中でも、感度、解像度ドライエツチング耐
性に優れることから、例えばジエー・シー・ストリエー
タ著、コダック・マイクロエレクトロニクス・セミナー
・プロシーデインゲス、第116頁(1976年)(J
、C,5trieter、Kodak  Micr。 electronics  Sem1nar  Pro
ceedings、116 (1976))等に挙げら
れた、アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースにした
アルカリ現像型のポジ型フォトレジストが現行プロセス
の主流になっている。 [0004] しかしながら、近年、電子機器の多機能化、高度化に伴
い、更に高密度、並びに高集積化を図るべく、パターン
の微細化が強く要請されている。 これに対し近年、露
光光源の短波長化、即ちg線(436nm)からi線(
365nm)更には、Deep−UV光(200〜30
0nm)へと検討が進められているカミ従来のポジ型フ
ォトレジストの感光物であるオルトキノンジアジド化合
物はDeep−UV領域での吸収が大きく、またこの領
域の光ブリーチ性が/J1eいため、Deep−UV光
を光源として使用した場合、レジストパターンの形状が
劣化するという問題があった。 これに対して、オルト
キノンジアジド化合物を用いずにポジチブに作用させる
感光性組成物に関して、いくつかの提案がされている。 その1つとして、例えば特公昭56−2696.米国特
許4551416J、Vac、Sci、Technol
、、19巻、1338頁(1981)J、Electr
ochem、Soc、、129巻、2552頁(198
2)、同130巻、1433頁(1983)等に記載さ
れている、2−ニトロベンジルエステルもしくは2,6
−シニトロベンジルエステル基を有する化合物、また特
開昭60−243653.Macromolecule
s、21巻、2001頁(1988)  5PIE、9
20巻、67頁(1988)等に記載されている2−二
トロベンジルスルホネートもしくは2,6−シニトロベ
ンジルスルホネート基を有する化合物が挙げられる。し
かし、これらの化合物の場合においても、Deep−U
V領域の吸収が大きく、また光ブリーチしないため、同
様な問題が発生している。 [0005] 更に、Deep−UV領域の光ブリーチ性を上げる試み
として、IEEE  Trans、Electron 
 Devices、ED−28巻、1300頁(198
1)、5PIE  771巻、2頁(1987)、同9
20巻、51頁(1988)、J、Photopoly
m、Sc i、Technol、、2巻、392頁(1
989)、及び米国特許4522911.同46019
69.同4622283、同4624908.同462
6491.同4752551.同4808512、特開
昭63−163340.同64−540.同64−33
543.特開平1−106034.同1−106035
.同1−106036.同1−106037、同1−1
24849.同1−152451.同1−188852
等に記載されている、2−ジアゾ−1,3−ジオン(−
C(=O) −C(=N2)C(=○)−)基を有する
化合物を挙げることができる。これらの化合物は確かに
Deep−UV領域において光ブリーチ性を示すが、こ
れらの化合物自体のべ一り時における昇華性が大きい、
及び未露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻止能が小
さいという問題がある。 [0006] また更に、露光により脱CO2反応を生起させ、露光部
のアルカリ現像液に対する溶解阻止能を低下させること
によりポジ型パターンを得る方法として、特開平1−1
40144記載の種々の置換ベンジルエステル化合物を
用いた系が挙げられるが、この場合露光部と未露光部の
アルカリ現像液に対する溶解性の差が十分に大きくはな
らな′いという問題がある。 [0007]
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題点が解決された新規なポジ型
感光性組成物を提供することである。即ち露光時ガスを
発生せず、また現像時カップリング反応を起こかない新
規なポジ型感光性組成物を提供することである。 本発明の別の目的は、短波長の光、特にDeep−UV
領域の光に対し、良好なレジストパターンを形成し得る
新規なポジ型感光性組成物を提供することである。 [0008]
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を加えた
結果、アルコキシベンジルエステル基もしくはアルコキ
シベンジルスルホネート基を有する新規な高分子化合物
を用いることにより、上記目的が達成されることを見い
だし、本発明に到達した。即ち本発明の目的は、下記一
般式(I)もしくは(II)で表される活性光線の照射
によりカルボン酸もしくはスルホン酸を発生する基を有
する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物に
より達成された。 [0009]
【化4】 [0010] ここで、 R2−R6:同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも1つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、2つが結合し
て環を形成しても良い。 を表す。 以下に、本発明の詳細な説明する。 [0011] 一般式(I)もしくは(II)で表される基を有する化
合物としては、下記−般式(III)、(■v)  (
V)もしくは(v■)で表gれる一E/マーに由来する
構造単位を少なくとも1モル%有する高分子化合物であ
ることが好ましい。
【0O12】
【化5】 [0013] ここで、 R:水素原子、 ハロゲン原子もしくはアルキル基、 好ましくは水素原子もしく は炭素数1〜4個のアルキル基、 更に好ましくは水素原子もしくはメチル基、 R゛水素原子、アルキル基もしくはアリール基、好まし
くは水素原子もしくは炭素数1〜4個のアルキル基、 R〜R°同一でも異なっていても良く、水素原子、ノ\
ロゲン原子、アルコキ2 6゛ シ基、アリーロキシ基、シアノ基もしくはアルキル基、
好ましくは水素原子、塩素原子、炭素数1〜6個のアル
コキシ基、炭素数6〜15個のアリーロキシ基、または
炭素数1〜4個の直鎖もしくは分枝アルキル基、更に好
ましくは水素原子もしくは炭素数1〜6個のアルコキシ
基、を示す。 ただし、R−Rの少なくとも1つはアルコキシもしくは
アリーロキシ基、好ましくはR〜Rの少なくとも1つは
アルコキシもしくはアリーロキシ基であり、R2−R6
のうちの2つが結合して環を形成しても良い。 具体的には、CH2=C(−R) −A−または[00
14]
【化6】 [0015] を除く基としニー、2−アルコキシベンジル、3−アル
コキシベンジル、2.3−ジアルコキシベンジル、2,
4−ジアルコキシベンジル、2,5−ジアルコキシベン
ジル、2,6−ジアルコキシベンジル、3,4−ジアル
コキシベンジル、35−ジアルコキシベンジル、2,3
.4−トリアルコキシベンジル、3,4゜5−トリアル
コキシベンジルのエステルもしくはスルホネート基を示
す。 A:単結合、もしくは2価の脂肪族もしくは芳香族炭化
水素基、好ましくは単結合、2価の炭素数1〜30個の
脂肪族基、または2価の炭素数6〜20個の単環もしく
は多環芳香族基、更に好ましくは単結合、2価の炭素数
1〜10個の脂肪族基、または2価の炭素数6〜15個
の単環もしくは多環芳香族基を示す。 また、A中にケトン、エーテル、エステル、アミド、ウ
レタン、ウレイド基を含有してもよく、更にこれらの基
を介してCH2=C(−)−R基もしくは[0016]
【化7】 [0017] 基と結合してもよい。 これらの高分子化合物は、活性光線もしくは放射線の照
射によりカルボン酸もしはくスルホン酸を発生して、ア
ルカリ水溶液に対する溶解性が増大する特性を有してい
る。 これらの化合物と、水不溶性でかつアルカリ水溶液に可
溶な樹脂を含有する組成物としても良い。 また、−殺伐(I)もしくは(II)で表される基を有
する化合物力板下記−般式(VII)もしくは(VII
I)で表される化合物であっても良い。 [0018]
【化8】 [0019] ここで、 R1:水素原子、アルキル基もしくはアリール基、好ま
しくは水素原子もしくは炭素数1〜4個のアルキル基、 R2−R6:同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基、好ましくは水素原子、塩素原子
、炭素数1〜6個のアルキコシ基、炭素数6〜15個の
アリーロキシ基、又は炭素数1〜4個の直鎖もしくは分
枝アルキル基、更に好ましくは水素原子、もしくは炭素
原子数1〜6個のアルコキシ基、を示す。ただし、R2
−R6の少なくとも1つはアルコキシ基もしくはアリー
ロキシ基であり、好ましくはR2もしくはR3の少なく
とも1つはアルコキシ基もしくはアリーロキシ基である
。更にR2−R6のうちの2つが結合して環を形成して
も良い。 具体的には、Aを除く基として、2−アルコキシベンジ
ル、3−アルコキシベンジル、2.3−ジアルコキシベ
ンジル、 2,4−ジアルコキシベンジル、25−ジア
ルコキシベンジル、2,6−ジアルコキシベンジル、3
,4−ジアルコキシベンジル、3,5−ジアルコキシベ
ンジル、2,3.4−トリアルコキシベンジル、3,4
.5−トリアルコキシベンジルのエステルもしくはスル
ホネート基を示す。 A:n価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基、好ましく
は炭素数1〜30個の脂肪族基、又−は炭素数6〜20
個の単環もしくは多環芳香族基を示す。また、A中にケ
トン、エーテル、エステル、アミド、ウレタン、ウレイ
ド、ハロゲン等の基を含有しても良い、 n:1以上の整数、好ましくは1〜10の整数、を示す
。 これら−殺伐(VII)もしくは(VIII)で表され
る化合物を用いる場合には、上記水不溶でアルカリ水溶
液に可溶な樹脂は、必須成分となる。 以下に、本発明の成分について詳細に説明する。 [0020] [式(III)、(IV)(V)もしくは(V I )
で表されるモノマー単位を有する高分子化合物1 一般式(III)もしくは(V)で表されるモノマーは
、例えば、[002月
【化9] [0022] もしくは CH2=C(−R)−A−C○○Hと、下記−殺伐(I
X)で表される化合物との脱水試剤による脱水縮合反応
、またはこれらの化合物と下記−殺伐(X)で表される
化合物との塩基存在下における求核置換反応、あるいは
、[0023] 【化101 [0024] もしくはCH2=C(−R) −A、−COClと、下
記−殺伐(IX)で表される化合物との、塩基存在下に
おける脱HCI縮合反応、等の公知の方法により合成さ
れる。 [0025] 【化11】 [0026] (ここで、R1−R6、R1及びAは、−殺伐(III
)の場合と同義である。 またXは塩素原子もしくは臭素原子を示す。)−殺伐(
IV)もしくは(V I )で表されるモノマーにおい
ても同様に一般式(IX)の化合物と [0027]
【化12】 [0028] もしくはCH=C(−R)−A−3O2C1との塩基存
在下による脱HCI縮合反応により合成できる。 一般式(IX)の化合物は、下記−殺伐(X I )の
化合物と金属水素化合物との還元反応等により合成され
る。また、−殺伐(X)の化合物は一般式(X I )
の化合物から、オキシ塩化燐、チオニルクロリド等のハ
ロゲン化試剤の作用により変換できる。 [0029]
【化13】 [0030] (ここで、R2−R6は一般式(III)もしくは(I
V)の場合と同義である。R7は水素原子、アルキルも
しくはアリール基を表す。)本発明に用いられる高分子
化合物は、−殺伐(III)〜(V I )で示される
モノマーに由来する構造単位を2種以上含有していても
よい。以下に、−殺伐(I I I)、(IV)、(V
)もしくは(VI)で表されるモノマーの具体例(1)
〜(44)を示す。なお、具体例中のRは水素原子もし
くはメチル基を表す。 [0031]
【化14】
【化15】
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
【化201 【化21】
【化22】
【化23】 [0041] 本発明においては、他の重合可能なエチレン性不飽和結
合を有する化合物(1種以上)との共重合体の形で使用
することもできる。この場合には、−殺伐(III)〜
(VI)で表されるモノマーの重合比は、使用する共重
合モノマーの種類により変わるカミ少なくとも1モル%
、好ましくは5モル%以上、更に好ましくは10モル%
以上である。 好適な重合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合物
としては、以下に示すものが含まれる。例えばアクリル
酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエー
テル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エ
ステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有
する化合物である。 [0042] 具体的には、 アクリル酸エステル類:例えばアルキル(該アルキル基
の炭素数が1〜10のものが好ましい)アクリレート(
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロ
ピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−
t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、2,2−ジメチルヒドロキシ
プロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリ
レート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペ
ンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルアク
リレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルア
クリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、等) アリールアクリレート(
フェニルアクリレート等)。 [0043] メタクリル酸エステル類:アルキル(該アルキル基の炭
素数が1〜10のものが好ましい)メタクリレート(メ
チルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピル
メタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミル
メタクリレートへキシルメタクリレート、シクロへキシ
ルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベ
ンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−
ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロキシブチ
ルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメタクリレ
ート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、グリシ
ジルメタクリレート、フルフリルメタクリレートテトラ
ヒドロフルフリルメタクリレート等)、アリールメタク
リレート(フェニルメタクリレート、クレジルメタクリ
レート、ナフチルメタクリレート等)。 アクリルアミ
ド類:例えばアクリルアミド、N−アルキルアクリルア
ミド(該アルキル基としては、炭素数1〜10のもの、
例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t
−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基、等)、N−アリ
ールアクリルアミド(該アリール基としては、フェニル
基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノ
フェニル基、ヒドロキシフェニル基、等)、N、N−ジ
アルキルアクリルアミド(該アルキル基としては、炭素
数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、ブチル
基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル
基、等)、N、N−アリールアクリルアミド(該アリー
ル基としては、フェニル基、等)N−メチル−N−フェ
ニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチ
ルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−
アセチルアクリルアミド、等。 メタクリルアミド類:メタクリルアミド、N−アルキル
メタクリルアミド(該アルキル基としては、炭素数1〜
10のもの、例えばメチル基、エチル基、tブチル基、
エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシ
ル基、等)N−アリールメタクリルアミド(該アリール
基としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、等)
、N、N−ジアルキルメタクリルアミド(該アルキル基
としては、エチル基、プロピル基、ブチル基、等)、N
、N−ジアリールメタクリルアミド(該アリール基とし
ては、フェニル基等)、N−ヒドロキシエチル−N−メ
チルメタクリルアミド、N−メチル−N−フェニルメタ
クリルアミド、N−エチル−N−フェニルメタクリルア
ミド、等。 [0044] アリル化合物:アリルエステル類(酢酸アリル、カプロ
ン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パ
ルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリ
ル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、等)、アリルオキ
シエタノール、ビニルエーテル類:アルキルビニルエー
テル(ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテ
ル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエー
テル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチル
ビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メ
チル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−
エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニル
エーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメ
チルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチ
ルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル
、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビ
ニルエーテル、等) ビニルアリールエーテル(ビニル
フェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロ
ルフェニルエーテル、ビニル−2,4−ジクロルフェニ
ルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラ
ニルエーテル、等)。 [0046] ビニルエステル類:ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロへキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニル、等。 [0047] スチレン類:スチレン、アルキルスチレン(メチルスチ
レン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチル
スチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、
ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロヘキシルス
チレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロルメ
チルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、エトキシ
メチルスチレン、アセトキシメチルスチレン、等)、ア
ルコキシスチレン(メトキシスチレン、4−メトキシ−
3−メチルスチレン、ジメトキシスチレン等)、ハロゲ
ンスチレン(クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリ
クロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロル
スチレン、ブロムスチレンジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレン、等)。 [0048] クロトン酸エステル類:クロトン酸アルキル(クロトン
酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロト
ネート、等)。 イタコン酸ジアルキル類:イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、等。 マレイン酸またはフマール酸のジアルキル類ニジメチル
マレレート、ジブチルフマレート、寺。 アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、メタク
リルロニトリル、等。 がある。 その他、一般的には前記(III)〜(V I )で示
される化合物と共重合可能である付加重合性不飽和化合
物であればよい。 [0049] 本発明の高分子化合物の分子量は、重量平均で1,00
0以上、好ましくは5000〜1,000,000であ
る。 本発明の、−殺伐(III)、(IV)、(V)もしく
は(V I )で表されるモノマーに由来する構造単位
を有する高分子化合物の含量は、全組成物の固形分に対
し、5〜100重量%が適当であり、好ましくは10〜
80重量%、更に好ましくは20〜60重量%である。 [0050] [−殺伐(VII)もしくは(VIII)で表される化
合物]−一般式VII)で表される化合物は、例えば、
上記−殺伐(IX)の化合物とA (−COOH)  
との脱水試剤による脱水縮合反応、−殺伐(IX)の化
合物とA(−COCI)  との塩基存在下における脱
HCI縮合反応、または一般式(X)の化合物とA (
−COOH)  との塩基存在下における求核置換反応
等の公知の方法により合成される。 一般式(VIII)で表される化合物においても同様に
、−殺伐(IX)の化成できる。 本発明に使用される一般式(VII)もしくは(VII
I)で表される化合物は、活性光線もしくは放射線の照
射により、カルボン酸もしくはスルホン酸を発生し、ア
ルカリ水溶液に対する溶解性を増大させることを特徴と
する。 −殺伐(VII)もしくは(VIII)で表される本発
明の化合物の含量は、全組成物の固形分に対し、5〜9
5重量%が適当であり、好ましくは10〜80重量%、
更に好ましくは20〜60重量%である。 以下に、これらの化合物の具体例(45)〜(102)
を示す。 [0051]
【化24】
【化25】
【化26】 [0054]
【化27】 [0055]
【化28】 [0056]
【化29】 CR3 / [0057]
【化30】
【化31】
【化32】
【化33】
【化34】
【化35】
【化36】
【化37】
【化38】 [0066] [アルカリ可溶性樹脂] アルカリ可溶性樹脂は、露光部のアルカリ溶解性をより
効率的にするため、ま た皮膜性・耐熱性を付与するため添加する。 このようなアルカリ可溶性ポリマーは、好ましくはフェ
ノール性水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基、イミド
基、スルホンアミド基、N−スルホニルアミド基、N−
スルホニルウレタン基、活性メチレン基等の、pKal
 1以下の酸性水素原子を有するポリマーである。好適
なアルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラック型フェ
ノール樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒド樹
脂、O−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−クレ
ゾール−ホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾール−ホル
ムアルデヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒド樹
脂、またこれらの共縮合物等がある。更に、特開昭50
−125806に記載されている様に、上記のようなフ
ェノール樹脂と共に、t−ブチルフェノールホルムアル
デヒド樹脂のような炭素数3〜8のアルキル基で置換さ
れたフェノールもしくはクレゾールとホルムアルデヒド
との縮合物とを併用してもよい。またN−(4−ヒドロ
キシフェニル)メタクリルアミドのようなフェノール性
ヒドロキシ基し含有子ツマ−を共重合成分するポリマー
 p−ヒドロキシスチレン、0−ヒドロキシスチレン、
m−イソプロペニルフェノール、p−インプロペニルフ
ェノール等の単独もしくは共重合のポリマー 更にまた
これらのポリマーを部分エーテル化、部分エステル化し
たポリマーも使用できる。 更に、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含
有モノマーを共重合成分とするポリマー 無水マレイン
酸とスチレン等の共重合物を加水分解もしくはアルコー
ルでハーフエステル化させたポリマー、特開昭61−2
67042記載のカルボキシル基含有ポリビニルアセタ
ール樹脂、特開昭63−124047記載のカルボキシ
ル基含有ポリウレタン樹脂も好適に使用できる。 更にまた、N−(4−スルファモイルフェニル)メタク
リルアミド、N−フェニルスルホニルメタクリルアミド
、マレイミドを共重合成分とするポリマー 特開昭63
−127237記載の活性メチレン基含有ポリマーも使
用できる。これらのアルカリ可溶性ポリマーは、単一で
使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。 感光性組成物中の好ましい添加量は、感光性組成物全固
形分に対し、5〜95重量%、好ましくは20〜90重
景%、更に好ましくは40〜80重量%の範囲である。 [0067] [その他の好ましい成分] 本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて、更に
染料、顔料、可塑剤及び光分解効率を増大させる化合物
(いわゆる増感剤)等を含有させることができる。 染料は着色剤として用いることができるが、好適な染料
としては、油溶性染料及び塩基性染料がある。具体的に
は、オイルイエロー#101、オイルイエロー#130
、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイル
ブルーBO3、オイルブルー#603、オイルブラック
BY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505
(以上、オリエント化学工業(株)製)、クリスタルバ
イオレツ) (CI42555) 、メチルバイオレッ
ト(CI42535)、ローダミンB(CI45170
B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレ
ンブルー(CI52015)等を挙げることができる。 また露光後直ちに可視像を得るための焼きだし剤を加え
ることができる。このような焼きだし剤としては、露光
によって酸を放出する感光性化合物と塩を形成し得る有
機染料の組合せを代表として挙げることができる。具体
的には、特開昭50−36209、同53−8128に
記載されている0−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組合せや、特開昭
53−36223、同54−74728に記載されてい
るトリハロメチル化合物と塩形成性の有機染料の組合せ
を挙げることができる。 本発明の組成物中には、更に感度を高めるために環状酸
無水物、その他のフィラー等を加えることができる。環
状酸無水物としては、米国特許4115128に記載さ
れているように無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル
酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3,6−ニンドオキシ
ー△4−テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロル無水
フタル酸、無水マレイン酸、クロル無水マレイン酸、α
−フェニル無水マレイン酸、無水琥珀酸、ピロメリット
酸等がある。これらの環状酸無水物を全組成物中の固形
分に対して1〜15重量%含有させることによって、感
度を最大3倍程度に高めることができる。 [0068] [溶媒] 本発明のポジ型感光性組成物を、平版印刷用の材料とし
て使用する場合は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かし
て支持体上に塗布する。また半導体等のレジスト材料用
としては、溶媒に溶解したままで使用する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール
、プロパツール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、1−メトキシ−2−プロパツール、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテー
ト、2−エトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2
−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル
、乳酸エチル、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メ
チルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
y−ブチロラクトントルエン、酢酸エチル等があり、こ
れらの溶媒を単独もしくは混合して使用7する。そして
上記成分中の濃度(添加物を含む全固形分)は、2〜5
0重量%である。また、塗布して使用する場合、塗布量
は用途により異なるカミ例えば感光性平版印刷版につい
ていえば、一般的に固形分として0. 5〜3.0g/
m2が好ましい。塗布量が少なくなるにつれて感光性は
大になるが、感光膜の物性は低下する。 [0069] [平版印刷版等の製造] 本発明のポジ型感光性組成物を用いて平版印刷版を製造
する場合、その支持体としては、例えば紙、プラスチッ
クス(ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等
)がラミネートされた紙、アルミニウム(アルミニウム
合金を含む)亜鉛、銅等のような金属の板、2酢酸セル
ロース、3酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、
酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース
、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリス
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール等のようなプラスチックのフィルム、上記
のごとき金属がラミネートもしくは蒸着された紙もしく
はプラスチックフィルム等が含まれる。これらの支持体
の内、アルミニウム板は寸度的に著しく安定であ−り、
しかも安価であるので特に好ましい。更に、特公昭48
−18327に記載されているようなポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にアルミニウムシートが結合され
た複合体シートも好ましい。アルミニウム板の表面はワ
イヤブラシダレイニング、研磨粒子のスラリーを注ぎな
がらナイロンブラシで粗面化するブラシダレイニング、
ボールダレイニング、溶体ホーニングによるグレイニン
グ、バフグレイニング等の機械的方法、HF、AlCl
3やHCIをエッチャントとするケミカルダレイニング
、硝酸もしくは塩酸を電解液とする電解グレイニング、
もしくはこれらの粗面化法を複合させて行った複合グレ
イニングによって表面を砂目立てした後、必要に応じて
酸もしくはアルカリによりエツチング処理され、引続き
硫酸、燐酸、蓚酸、はう酸、クロム酸、スルファミン酸
もしくはこれらの混酸中で直流もしくは交流電源にて陽
極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不働態皮膜を設
けた物が好ましい。このような不働態皮膜自体でアルミ
ニウム表面は親水化されてしまうが、更に必要に応じて
米国特許2714066、同3181461に記載され
ている珪酸塩処理(珪酸ナトリウム、珪酸カリウム)、
米国特許2946638に記載されているフッ化ジルコ
ニウム酸カリウム処理、米国特許3201247に記載
されているホスホモリブデート処理、英国特許1108
559に記載されているアルキルチタネート処理、強国
特許1091433に記載されているポリアクリル酸処
理、強国特許1134093や英国特許1230447
に記載されているポリビニルホスホン酸処理、特公昭4
4−6409に記載されているホスホン酸処理、米国特
許3307951に記載されているフィチン酸処理、特
開昭58−16893、同58−18291に記載され
ている親水性有機高分子化合物と2価の金属よりなる複
合処理、特開昭59−101651に記載されているス
ルホン酸基を有する水溶性重合体の下塗によって親水化
処理を行ったものは特に好ましい。その他の親水化処理
方法としては、米国特許3658662に記載されてい
るシリケート電着を挙げることができる。 また、砂目立て処理、陽極酸化後、封孔処理を施したも
のも好ましい。ががる封孔処理は熱水及び無機塩もしく
は有機塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水蒸気浴等によ
って行われる。 [00701 [活性光線もしくは放射線] 本発明に用いられる活性光線の光源としては、水銀灯、
メタルハライドランフキセノンランプ、ケミカルランプ
、カーボンアーク灯等がある。放射線トしては、電子線
、X線、イオンビーム、遠紫外線等がある。好ましくは
、フォトレジスト用の光源として、g線、i線、Dee
p−UV光が使用される。また高密度エネルギービーム
(レーザービームもしくは電子線)による走査もしくは
パルス露光も本発明に使用することができる。このよう
なレーザービームとしては、ヘリウム・ネオンレーザ−
アルゴンレーザー クリプトンイオンレーザ−ヘリウム
・カドミウムレーザー KrFエキシマ−レーザー等が
挙げられる。 [0071] [現像液] 本発明のポジ型感光性組成物に対する現像液としては、
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三燐酸ナトリウム、
第二燐酸ナトリウム、第三燐酸アンモニウム、第二燐酸
アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム
、ランモニア水等のような無機アルカリ剤及びテトラア
ルキルアンモニウムOH塩等のような有機アルカリ剤の
水溶液が適当であり、それらの濃度が0.1〜10重量
%、好ましくは0.5〜5重量%になるように添加され
る。 また、該アルカリ性水溶液には、必要に応じて界面活性
剤やアルコール等のような有機溶媒を加えることもでき
る。 以下、本発明を、合成例、実施例により更に詳細に説明
する力ξ本発明はこれらに限定されるものではない。 [0072]
【実施例】
合成例13,5−ジメトキシベンジルアルコールの合成
リチウムアルミニウムハイドライド(L iA I H
4) 7 、 6 gを脱水乾燥したTHFlooml
に分散した。これに、3,5−ジメトキシ安息香酸36
.4gの脱水THF200mlの溶液を撹拌下、1時間
かけて滴下した。その後、室温にて1時間撹拌を続けた
。水20m1を滴下し、残存のL iA I Hi、を
処理した後、この反応混合物を水1.51中に投入した
。濃塩酸20gを加え酸性化し、酢酸エチル700rn
’lにて2回抽出した。抽出液を水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムにて乾燥させた。乾燥させた酢酸エチル溶
液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー(充填剤ニジリ
カゲル、展開液:ヘキサン/酢酸エチル=271)で精
製したところ、無色針状結晶31gを得た。NMRによ
りこの結晶が下に示す、3.5−ジメトキシベンジルア
ルコールであることを確認した。 [0073]
【化39】 [0074] 合成例23,5−ジメトキシベンジルメタクリレートの
合成3.5−ジメトキシベンジルアルコール16.8g
 (0,100モル)、トリエチルアミン9.5g (
0,094モル)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン1
3g (0,011モル)をアセトン120m1に溶解
し、これにメタクリロイルクロリド11.0g (0,
105モル)のアセトン50m1溶液を室温下、30分
間かけて滴下した。その後、1時間撹拌を続けた。生成
した塩を濾別し、濃縮した後、カラムクロマトグラフィ
ー(充填剤ニジリカゲル、展開液、ヘキサン/酢酸エチ
ル=5/1)にて精製したところ、オイル状液体17.
5gを得た。 NMRにより、この液体が下に示す、3,5−ジメトキ
シベンジルメタクリレートであることを確認した。 [0075]
【化40】 [0076] 合成例34−クロロスルホニルスチレンの合成4−スチ
レンスルホン酸Na塩82.5gをCHC13400r
n 1に分散させ、水冷下、5塩化燐124.9gを撹
拌しながら徐々に添加した。その後、5時間加熱還流さ
せた。放冷後、反応混合物を氷水600m1に投入し、
CHCl3層を更に水で洗浄した。無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥させた後、濃縮し、減圧蒸留にて精製した。オ
イル状液体45gを得た。NMR1元素分析により、こ
の液体が4−クロロスルホニルスチレンであることを確
認した。 [0077]
【化41】 [0078] 合成例43,5−ジメトキシベンジル−4−スルホネー
トの合成合成例2の、メタクリロイルクロリドの代わり
に、4−クロロスルホニルスチレン21.3g (0,
105モル)を用い、合成例2と同様に反応、後処理を
行った。粘稠オイル25.2gを得た。NMRより、こ
のオイルが下に示す、3゜5−ジメトキシベンジル−4
−スチレンスルホネートであることを確認した。 [0079] [化42] [0080] 合成例53.5−ジメトキシベンジルメタクリレートの
重合体の合成3.5−ジメトキシベンジルメタクリレー
ト23.6gを2−メトキシエタノール80m・1に溶
解し、窒素気流下、65℃に加熱して、2,2″−アゾ
ビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)0.025g
を添加した。3時間加熱・撹拌を続けた後、2,2′−
アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)0.02
5gを再度添加し、更に4時間反応を続けた。 反応溶液を水21中に撹拌しながら投入し、析出した白
色樹脂を濾取・乾燥して、重合体22gを得た。ゲルパ
ーミェーションクロマトグラフィー(GPC)により分
子量を測定したところ、重量平均(ポリスチレン標準)
で55,000であった。 [0081] 合成例63,5−ジメトキシベンジル−4−スチレンス
ルボネート/スチレン共重合体の合成 合成例5の3,5−ジメトキシベンジルメタクリレート
の代わりに、3,5−ジメトキシベンジル 4−スチレ
ンスルホネート20.1g (0,060モル)、及び
スチレン4.2g (0,040モル)を用い、合成例
5と同様にして反応・後処理を行った。白色樹脂23g
を得た。分子量は重量平均(GPC、ポリスチレン標準
)で43,000であった。 [0082] 実施例1〜6 下記感光液[A]の、本発明の高分子化合物の種類を変
えて、表1に示す6種類の感光液[A]−1〜[A]−
6を調製し、シリコーンウェハー上にスピナーで塗布し
た。更にホットプレート上で90℃において2分間乾燥
させた。膜厚は1.0μmであった。 感光液[A]の処方 本発明の高分子化合物               
    1,0gエチルセロソルブアセテート    
            7.0g[0083]
【表1】 [0084] 次に、フィルターを介して254 nm光を取り出し、
マスクを通してコンタクト露光した。その後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキシドの2.4%水溶液で
60秒間現像することにより、レジストパターンを形成
させた。その結果0.5μmのライン及スペースの良好
なパターンが得られた。 なお、表1における本発明の高分子化合物の分子量は重
量子tQ(GPC、ポリスチレン標準)で42,000
〜68,000であった。 [0085] 実施例7〜12 下記感光液[B]の本発明の高分子化合物の種類を変え
て、表2に示す6種類の感光液[B]−1〜[B]−6
を調製し、シリコンウェハー上にスピナーで塗布した。 更にホットプレート上で90℃において2分間乾燥させ
た。膜厚は10μmであった。 感光液[B] 本発明の高分子化合物               
      0.5gポリ(p−ヒドロキシスチレン)
(丸首石油(株)製、重量平均分子量6.000)  
                      1.0
gエチルセロソルブアセテート           
      8.5g[0086]
【表2】 [0087] 次に、249 nm(7)Kr Fエキシマレーザ−光
により、マスクを介してパルス露光し、その後、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシドの2.4%水溶液
で60秒間現像することによりレジストパターンを形成
させた。その結果、0゜3μmのライン&スペースの良
好なパターンが得られた。 なお、表2における本発明の高分子化合物の分子量は重
量平均(GPC、ポリスチレン標準)で43,000〜
65,000であった。 [0088] 合成例7 化合物例(50)の合成 3.5−ジメトキシベンジルアルコール16.8g (
0,100モル)、トリエチルアミン9.5g (0,
094モル)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン13g
(0,011モル)をアセトン120m1に溶解し、こ
れに2−ナフチロイルクロリド20.0g (0,10
5モル)のアセトン50m1溶液を室温下、30分間か
けて滴下した。その後、1時間撹拌を続けた。生成した
塩を濾別し、濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(
充填剤ニジリカゲル、展開液、ヘキサン/酢酸エチル=
5/1)にて精製したところ、無色結晶21.5gを得
た。 NMRにより、この結晶が化合物例(50)であること
を確認した。 [0089] 合成例8 化合物例(69)の合成 3−メトキシベンジルアルコール13.8g (0,1
00モル)、トリエチルアミン9.5g (0,094
モル)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン1.3g(0
,011モル)をアセトン120m1に溶解し、これに
フタロイルクロリド10.6g (0,052−EE−
ル)ノア七トン50m1溶液を室温下、30分間かけて
滴下した。その後、1時間攪拌を続けた。生成した塩を
濾別し、濃縮した後、合成例1と同様に精製したところ
、無色結晶13.5gを得た。 NMRにより、この結晶が化合物例(69)であること
を確認した。 [0090] 合成例9 化合物例(96)の合成 2.3−ジメトキシベンジルアルコール16.8g (
0,100モル)、トリエチルアミン9.5g (0,
094モル)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン13g
 (0,011−Eル)をアセトン120m1に溶解し
、これに、1.5−ビス(クロロスルホニル)ナフタレ
ン17.Og (0,052モル)のアセトン50m1
溶液を室温下、30分間かけて滴下した。その後、1時
間攪拌を続けた。 生成した塩を濾別し、濃縮した後、合成例1と同様に精
製したところ、無色結晶12.8gを得た。NMRによ
り、この結晶が化合物例(96)であることを確認した
。 [0091] 実施例13〜18 下記感光液[C]の本発明の化合物の種類を変えて、6
種類の感光液[C] −1〜[C]−6を調製し、シリ
コンウェハー上にスピナーで塗布した。更に、ポットプ
レート上で90℃において2分間乾燥させた。膜厚は、
1.0μmであった。 感光液[C] 本発明の化合物                  
   0.40gm / p = 476クレゾールー
ホルムアルデヒドノボラツク樹脂 1.0gエチルセロ
ソルブアセテート                 
8.5gなお、感光液[C]−1〜[C] −6に用い
た本発明の化合物を表3に示す。 [0092]
【表3】 [0093] 次に、フィルターを介して254nm光を取り出し、マ
スクを通してコンタクト露光した。その後、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシドの2.4%水溶液で6
0秒間現像することにより、レジストパターンを形成さ
せた。その結果0.5μmのライン&スペースの良好な
パターンが得られた。 [0094] 実施例19〜24 下記感光液[D]の本発明の化合物の種類を変えて、表
4に示す6種類の感光液[DI−1〜[DI−6を調製
し、シリコンウェハー上にスピナーで塗布した。更にホ
ットプレート上で90℃において2分間乾燥させた。膜
厚は1.0gmであった。 感光液[DI 本発明の化合物                  
      0.5gポリ(p−ヒドロキシスチレン)
(丸首石油(株)製、重量平均分子量6.000)  
、                      1.
0gエチルセロソルブアセテート          
       8.5g[00′95]
【表4】 [0096] 次に、249nmのKrFエキシマレーザ−光により、
マスクを介してパルス露光し、その後、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキシドの2.4%水溶液で60秒
間現像することによりレジストパターンを形成させた。 その結果、0゜3μmのライン&スペースの良好なパタ
ーンが得られた。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式( I )もしくは(II)で表さ
    れる、活性光線の照射によりカルボン酸もしくはスルホ
    ン酸を発生する基を有する化合物を含有することを特徴
    とする感光性組成物。 【化1】 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) ここで、 R_1:水素原子、アルキル基もしくはアリール基。 R_2〜R_6:同一でも異なっていても良く、水素原
    子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シ
    アノ基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも1つは
    アルコキシ基もしくはアリーロキシ基であり、2つが結
    合して環を形成しても良い。 を表す。
  2. 【請求項2】請求項1において、一般式( I )もしく
    は(II)で表される基を有する化合物が、下記一般式(
    III)、(IV)、(V)もしくは(VI)で表されるモノ
    マーに由来する構造単位を少なくとも1モル%有する高
    分子化合物であることを特徴とする感光性組成物。 【化2】 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) ここで、 R:水素原子、ハロゲン原子もしくはアルキル基。 R_1:水素原子、アルキル基もしくはアリール基。 R_2〜R_6:同一でも異なっていても良く、水素原
    子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シ
    アノ基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも1つは
    アルコキシ基もしくはアリーロキシ基であり、2つが結
    合して環を形成しても良い。 A:単結合もしくは2価の脂肪族もしくは芳香族炭化水
    素基。 を表す。
  3. 【請求項3】請求項1において、更に水不溶でアルカリ
    水溶液に可溶な樹脂を含有することを特徴とする感光性
    組成物。
  4. 【請求項4】請求項3において、一般式( I )もしく
    は(II)で表される基を有する化合物が、下記一般式(
    VII)もしくは(VIII)で表されることを特徴とする感
    光性組成物。 【化3】 ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) ここで、 R_1:水素原子、アルキル基もしくはアリール基。 R_2〜R_6:同一でも異なっていても良く、水素原
    子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シ
    アノ基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも1つは
    アルコキシ基もしくはアリーロキシ基であり、2つが結
    合して環を形成しても良い。 A:n価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基。 n:1以上の整数 を表す。
JP2412975A 1990-01-16 1990-12-25 感光性組成物 Expired - Fee Related JP2717602B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP680690 1990-01-16
JP2-6807 1990-01-16
JP2-6806 1990-01-16
JP680790 1990-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04121748A true JPH04121748A (ja) 1992-04-22
JP2717602B2 JP2717602B2 (ja) 1998-02-18

Family

ID=26341010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2412975A Expired - Fee Related JP2717602B2 (ja) 1990-01-16 1990-12-25 感光性組成物

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5204217A (ja)
JP (1) JP2717602B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212961A (ja) * 1990-01-27 1992-08-04 Hoechst Ag 照射感応性混合物およびこれから製造する照射感応性記録材料
US5344742A (en) * 1993-04-21 1994-09-06 Shipley Company Inc. Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2717602B2 (ja) * 1990-01-16 1998-02-18 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US5821231A (en) * 1993-12-06 1998-10-13 Cytel Corporation CS-1 peptidomimetics, compositions and methods of using same
US5770573A (en) * 1993-12-06 1998-06-23 Cytel Corporation CS-1 peptidomimetics, compositions and methods of using the same
WO1995015973A1 (en) * 1993-12-06 1995-06-15 Cytel Corporation Cs-1 peptidomimetics, compositions and methods of using the same
US5936065A (en) * 1993-12-06 1999-08-10 Cytel Corporation CS-1 peptidomimetics, compositions and methods of using the same
JPH09509146A (ja) * 1993-12-06 1997-09-16 サイテル コーポレイション Cs−1ペプチド模擬物、組成物およびその使用法
DE69804876T2 (de) * 1997-01-24 2002-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd Flachdruckplatte
US6007964A (en) * 1997-04-03 1999-12-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic original plate
TW562999B (en) * 2001-05-09 2003-11-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition for electronic or X-rays
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US6939662B2 (en) 2002-05-31 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working resist composition
CN1802603A (zh) 2003-07-17 2006-07-12 霍尼韦尔国际公司 用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4551704B2 (ja) 2004-07-08 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4621451B2 (ja) 2004-08-11 2011-01-26 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1637927A1 (en) 2004-09-02 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4474256B2 (ja) 2004-09-30 2010-06-02 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7947421B2 (en) 2005-01-24 2011-05-24 Fujifilm Corporation Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8741537B2 (en) 2005-03-04 2014-06-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
TWI443461B (zh) 2005-12-09 2014-07-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物、用於正型光阻組成物之樹脂、用於合成該樹脂之化合物及使用該正型光阻組成物之圖案形成方法
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975716B1 (en) 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
EP2138898B1 (en) 2007-04-13 2014-05-21 FUJIFILM Corporation Method for pattern formation, and use of resist composition in said method
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR20100030616A (ko) 2007-06-15 2010-03-18 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성용 표면 처리제, 및 상기 처리제를 이용한 패턴 형성 방법
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088550B2 (en) 2007-07-30 2012-01-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
TWI470345B (zh) 2007-08-03 2015-01-21 Fujifilm Corp 含新穎化合物之光阻組成物、使用該光阻組成物之圖案形成方法、及新穎化合物
US7923196B2 (en) 2007-08-10 2011-04-12 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009122325A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Fujifilm Corp トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5106285B2 (ja) 2008-07-16 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法
JP5277128B2 (ja) 2008-09-26 2013-08-28 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
ATE526322T1 (de) 2008-12-12 2011-10-15 Fujifilm Corp Polymerisierbare verbindung, lactonhaltige verbindung, verfahren zur herstellung der lactonhaltigen verbindung und durch polymerisierung der polymerisierbaren verbindung erhaltene polymerverbindung
JP5177418B2 (ja) * 2008-12-12 2013-04-03 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
US8795944B2 (en) 2008-12-12 2014-08-05 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition
JP5377172B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR102082839B1 (ko) 2011-08-12 2020-02-28 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 이에 이용되는 폴리페놀 화합물 및 이로부터 유도될 수 있는 알코올 화합물
KR101986544B1 (ko) 2011-11-18 2019-06-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 환상 화합물, 그 제조 방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR102004692B1 (ko) 2011-11-18 2019-07-29 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 환상 화합물, 그 제조방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법
WO2014061710A1 (ja) 2012-10-17 2014-04-24 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10377734B2 (en) 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition
KR20160019422A (ko) 2013-06-07 2016-02-19 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10134588B2 (en) 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
EP3587385A4 (en) 2017-02-23 2021-02-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, PATTERN FORMING PROCESS AND PURIFICATION PROCESS
US10317793B2 (en) 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
EP3605227A4 (en) 2017-03-31 2020-04-22 The School Corporation Kansai University RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME, AND COMPOUND AND RESIN
KR20190129901A (ko) 2017-03-31 2019-11-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 화합물, 화합물을 포함하는 레지스트 조성물 및 이를 이용하는 패턴형성방법
CN110856451A (zh) 2017-06-28 2020-02-28 三菱瓦斯化学株式会社 膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光学部件形成用材料、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、抗蚀剂用永久膜、辐射敏感组合物、非晶膜的制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法及电路图案形成方法
KR20200054998A (ko) 2017-09-29 2020-05-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 리소그래피용 조성물, 패턴 형성방법, 및 화합물
CN111373326A (zh) 2017-11-20 2020-07-03 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用膜形成用组合物、光刻用膜、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法
CN111615507A (zh) 2018-01-22 2020-09-01 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物和图案形成方法
KR20200116460A (ko) 2018-01-31 2020-10-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 수지의 정제방법
JP7248956B2 (ja) 2018-01-31 2023-03-30 三菱瓦斯化学株式会社 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法
KR20210049094A (ko) 2018-08-24 2021-05-04 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 및 그것을 포함하는 조성물, 그리고, 레지스트패턴의 형성방법 및 절연막의 형성방법
CN114450631A (zh) 2019-09-30 2022-05-06 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN115362412A (zh) 2020-03-30 2022-11-18 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、光掩模制造用感光化射线性或感放射线性树脂组合物及光掩模的制造方法
WO2021200179A1 (ja) 2020-03-31 2021-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603625A (ja) * 1983-06-22 1985-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
JPH01140144A (ja) * 1987-11-27 1989-06-01 Tosoh Corp パターン形成材料
JPH01300250A (ja) * 1988-05-30 1989-12-04 Tosoh Corp フォトレジスト組成物
JPH0270A (ja) * 1987-10-20 1990-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EG11383A (en) * 1972-07-11 1979-03-31 Sumitomo Chemical Co Novel composition for controlling nixious insects and process for preparing thereof
US4046799A (en) * 1976-04-02 1977-09-06 American Cyanamid Company α-Cyano benzyl-2-naphthaleneacetates
GB8628003D0 (en) * 1986-11-22 1986-12-31 Ciba Geigy Ag Polymerisable compounds
JP2717602B2 (ja) * 1990-01-16 1998-02-18 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603625A (ja) * 1983-06-22 1985-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
JPH0270A (ja) * 1987-10-20 1990-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料
JPH01140144A (ja) * 1987-11-27 1989-06-01 Tosoh Corp パターン形成材料
JPH01300250A (ja) * 1988-05-30 1989-12-04 Tosoh Corp フォトレジスト組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212961A (ja) * 1990-01-27 1992-08-04 Hoechst Ag 照射感応性混合物およびこれから製造する照射感応性記録材料
US5344742A (en) * 1993-04-21 1994-09-06 Shipley Company Inc. Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
US5204217A (en) 1993-04-20
JP2717602B2 (ja) 1998-02-18
US5294511A (en) 1994-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04121748A (ja) 感光性組成物
JP2547626B2 (ja) モノマーの製造方法
JPH067263B2 (ja) 光可溶化組成物
JPH0769605B2 (ja) 感光性組成物
JPH04365049A (ja) 感光性組成物
JPH08217815A (ja) 化学増幅型感放射線性樹脂組成物
JPH04365048A (ja) 感光性組成物
JPH0480758A (ja) 感光性組成物
US5346975A (en) Light-sensitive composition
JP2597163B2 (ja) 感光性組成物
JPH05150453A (ja) 感光性組成物
US5300397A (en) Light-sensitive composition comprising a diazonium compound and a macromer as the polymeric binder
JP2598998B2 (ja) 感光性組成物
JPH01231043A (ja) 感光性組成物
JPH0519477A (ja) 感光性組成物
JP2704319B2 (ja) 感光性組成物
JPH0511444A (ja) 感光性組成物
JPH08259627A (ja) ポリマーおよびそれから調製した感光性混合物
JP2598979B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP2613789B2 (ja) 感光性平版印刷版
JPH0514896B2 (ja)
JP2736939B2 (ja) 機能性基含有ポリシロキサンの合成法
JPH05100429A (ja) 感光性組成物
JP2930310B2 (ja) 感光性平版印刷版
JP2759387B2 (ja) 感光性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071114

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071114

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101114

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees