JPS6275440A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
- Publication number
- JPS6275440A JPS6275440A JP21461385A JP21461385A JPS6275440A JP S6275440 A JPS6275440 A JP S6275440A JP 21461385 A JP21461385 A JP 21461385A JP 21461385 A JP21461385 A JP 21461385A JP S6275440 A JPS6275440 A JP S6275440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- titled composition
- weight
- repeating unit
- photosensitive composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は感光性組成物に関し、ざらに°詳しくは、半導
体素子の集積回路の製造において微細なレジストパター
ンを形成することが可能な感光性組成物に関する。
体素子の集積回路の製造において微細なレジストパター
ンを形成することが可能な感光性組成物に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
半導体をはじめとする多くの平板プロセスの分野におい
ては、感光性組成物が広く用いられているが、電子機器
の多機能化、高度化に伴う高密度集蹟化を図るため、パ
ターンの微細化が強く要請されている。
ては、感光性組成物が広く用いられているが、電子機器
の多機能化、高度化に伴う高密度集蹟化を図るため、パ
ターンの微細化が強く要請されている。
一般に、感光性樹脂には、光照射により現像液に対し不
溶化するネガ型と、可溶化するポジ型の２種類がある。
溶化するネガ型と、可溶化するポジ型の２種類がある。
そして、このような感光性樹脂には、その使用の際、常
用の露光・現像の各工程が適用されることとなる。
用の露光・現像の各工程が適用されることとなる。
この現象処理には、通常、リン醜ナトリウム。
水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウムなどのアルカリ性
溶液からなる現像液を使用し、洗浄により行なわれる。
溶液からなる現像液を使用し、洗浄により行なわれる。
この洗浄工程により、レジスト層の形成に使用されたバ
インダーは除去されるのであるが、この場合に、バイン
ダーを構成する化合物中に含まれる水酸基の数が、ある
程度多い方が現像時における除去性がよい。
インダーは除去されるのであるが、この場合に、バイン
ダーを構成する化合物中に含まれる水酸基の数が、ある
程度多い方が現像時における除去性がよい。
したがって、当業界では、現像工程における除去性が優
れた感光性組成物が強く望まれていた。
れた感光性組成物が強く望まれていた。
［発明の目的］
本発明の目的は、微細なレジストパターンを形成するこ
とが可能な感光性組成物を提供することにある。
とが可能な感光性組成物を提供することにある。
［発明の概要］
本発明の感光′性組成物は、
（Ａ）一般式：
（式中、Ｒ１〜ＲＩＱは、その内の少なくとも １つの
基は水酸基を表わし、かつ、その残部の基は同一であっ
ても異なっていてもよく、それぞれ、炭素原子数 １〜
１０のアルキル基又はアリール基を表わし、Ｒ１１は、
水素原子、メチル基を表わす、ｍ及びｎは、それぞれ、
Ｏ〜３の整数であり、かつ、 ＋ｓ＋ｎｍ３を満たす数
である）で示される繰り返し単位を有する有機ケイ素化
合物
１００ 重量部（Ｂ）感光剤 ５〜
１００重量部からなることを特徴とするものである。
基は水酸基を表わし、かつ、その残部の基は同一であっ
ても異なっていてもよく、それぞれ、炭素原子数 １〜
１０のアルキル基又はアリール基を表わし、Ｒ１１は、
水素原子、メチル基を表わす、ｍ及びｎは、それぞれ、
Ｏ〜３の整数であり、かつ、 ＋ｓ＋ｎｍ３を満たす数
である）で示される繰り返し単位を有する有機ケイ素化
合物
１００ 重量部（Ｂ）感光剤 ５〜
１００重量部からなることを特徴とするものである。
本発明の （Ａ）成分である有機ケイ素化合物は、前記
した一般式で示される化合物であって１分子量 ９０
０〜２５０００を有する化合物である。前記した式中、
炭素原子数 １〜１０のアルキル基とは、例えば、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、□
−ブチル基、ｔ−ブチル基、５ｅａ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へブチル基、オクチル
基、ノニル基、デカニル基を意味する。また、分子量が
８００未満の場合には、塗布した場合、平滑な塗膜が得
られないので好ましくない。好ましくは、８００〜２５
０００である。さらにまた、前記した一般式で示される
化合物に含まれる水酸基の数は、通常、 １−１ｏ個で
ある。水酸基の数が １個未満の場合にはアルカリ溶液
に溶解せず、１０個を超える場合には逆にアルカリ溶液
に対する溶解性が高くなり、レジストとした場合、未露
光部の膜減りが激しくなり、好ましくない、好ましくは
、 １〜６個である。
した一般式で示される化合物であって１分子量 ９０
０〜２５０００を有する化合物である。前記した式中、
炭素原子数 １〜１０のアルキル基とは、例えば、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、□
−ブチル基、ｔ−ブチル基、５ｅａ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へブチル基、オクチル
基、ノニル基、デカニル基を意味する。また、分子量が
８００未満の場合には、塗布した場合、平滑な塗膜が得
られないので好ましくない。好ましくは、８００〜２５
０００である。さらにまた、前記した一般式で示される
化合物に含まれる水酸基の数は、通常、 １−１ｏ個で
ある。水酸基の数が １個未満の場合にはアルカリ溶液
に溶解せず、１０個を超える場合には逆にアルカリ溶液
に対する溶解性が高くなり、レジストとした場合、未露
光部の膜減りが激しくなり、好ましくない、好ましくは
、 １〜６個である。
この有機ケイ素化合物の繰り返し単位の具体例としては
、 が挙げられる。なお、この有機ケイ素化合物は他のビニ
ル単量体との共重合体であってもよい。
、 が挙げられる。なお、この有機ケイ素化合物は他のビニ
ル単量体との共重合体であってもよい。
本発明の （Ｂ）成分である感光剤は、一般に感光剤と
して知られているものであればいかなるものであっても
よく、例えば、アジド化合物、ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル、ジアゾニウム塩が挙げられる。この
アジド化合物の具体例としては、４，４°−ジアジドカ
ルコン、２，６−ビス（４°−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン、２．６−ビス（４゛−アジドベンザル）−
４−メチレンシクロヘキサノン、１．３−ビス（４−ア
ジドベンザル）−２−プロパノン、１．３−ビス（４′
−アジドシンナミリデン）−２−プロパノン、４，４−
ジアジドスチルベン、４，４°−ジアジドビフェニル、
４．４−ジアジドジフェニルスルフィド、３．３′−ジ
アジドジフェニルスルフィド、４，４゛−ジアジドジフ
ェニルスルホン、３．３−ジアジドジフェニルスルホン
、４，４°−ジアジドスチルベンが挙げらる。また、特
開昭５０−７０１０５号公報、同５Ｏ−４０Ｅ１２１３
号公報、同４９−８２１４号公報、同４８−９４４２０
号公報、同４８−９４４１９号公報に記載された化合物
も挙げられる。さらにまた、ナフトキノンジアジド基や
ベンゾキノンジアジド基を含む化合物も挙げられる。こ
の化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を弱ア
ルカリの存在下に縮合されることにより得られる。
して知られているものであればいかなるものであっても
よく、例えば、アジド化合物、ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル、ジアゾニウム塩が挙げられる。この
アジド化合物の具体例としては、４，４°−ジアジドカ
ルコン、２，６−ビス（４°−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン、２．６−ビス（４゛−アジドベンザル）−
４−メチレンシクロヘキサノン、１．３−ビス（４−ア
ジドベンザル）−２−プロパノン、１．３−ビス（４′
−アジドシンナミリデン）−２−プロパノン、４，４−
ジアジドスチルベン、４，４°−ジアジドビフェニル、
４．４−ジアジドジフェニルスルフィド、３．３′−ジ
アジドジフェニルスルフィド、４，４゛−ジアジドジフ
ェニルスルホン、３．３−ジアジドジフェニルスルホン
、４，４°−ジアジドスチルベンが挙げらる。また、特
開昭５０−７０１０５号公報、同５Ｏ−４０Ｅ１２１３
号公報、同４９−８２１４号公報、同４８−９４４２０
号公報、同４８−９４４１９号公報に記載された化合物
も挙げられる。さらにまた、ナフトキノンジアジド基や
ベンゾキノンジアジド基を含む化合物も挙げられる。こ
の化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を弱ア
ルカリの存在下に縮合されることにより得られる。
ここで低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾ
ルシン、フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３．４− トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、没食子酸アルキルエステル等があげられ、高分子化
合物の例としてはフェノール−ホルムアルデヒドノボラ
ック樹脂、グレゾールーホルムアルデヒドノポラック樹
脂、ポリヒドロキシスチレン等があげられる。
ルシン、フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３．４− トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、没食子酸アルキルエステル等があげられ、高分子化
合物の例としてはフェノール−ホルムアルデヒドノボラ
ック樹脂、グレゾールーホルムアルデヒドノポラック樹
脂、ポリヒドロキシスチレン等があげられる。
これらの化合物の中でも、アジド化合物が好ましい。更
に好ましくは、ナフトキノンシアシトスルホン酸エステ
ルが良い、これらは単独で又は混合系で用いられる。
に好ましくは、ナフトキノンシアシトスルホン酸エステ
ルが良い、これらは単独で又は混合系で用いられる。
この （Ｂ）成分の配合割合は、 （Ａ）成分 １００
重量部に対し、通常、５〜１００重量部である。５重量
部未満の場合には、未露光部と露光部のアルカリ溶解性
の差がとれなく、きれいなパターンができず、 １００
重量部を超えると塗膜にならない。
重量部に対し、通常、５〜１００重量部である。５重量
部未満の場合には、未露光部と露光部のアルカリ溶解性
の差がとれなく、きれいなパターンができず、 １００
重量部を超えると塗膜にならない。
本発明の感光性組成物は、上記した各成分を、例えば、
溶剤に溶解させるなどの常用の方法を用いて容易に得る
ことができる。なお、本発明の組成物は、必要に応じて
、増感剤、染料、界面活性剤、塗膜の改質のため他のポ
リマーたとえば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル、プロピレンオキシド−エチレンオキシド共重合体、
ポリスチレン等が配合されてもよい。
溶剤に溶解させるなどの常用の方法を用いて容易に得る
ことができる。なお、本発明の組成物は、必要に応じて
、増感剤、染料、界面活性剤、塗膜の改質のため他のポ
リマーたとえば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル、プロピレンオキシド−エチレンオキシド共重合体、
ポリスチレン等が配合されてもよい。
以下、本発明の組成物を用いたパターンの形成について
説明する。まず１本発明の組成物を溶剤に溶かしてから
塗布するのであるが、かかる溶剤としては格別限定され
ず、例えば、トルエン、キシレン、０−ジクロロベンゼ
ン、クロロホルム、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸セロソ
ルブ、メチルエチルケトンが挙げられる。また、塗布方
法も常法に従い行われるが、好ましくはスピンコード法
が採用される。
説明する。まず１本発明の組成物を溶剤に溶かしてから
塗布するのであるが、かかる溶剤としては格別限定され
ず、例えば、トルエン、キシレン、０−ジクロロベンゼ
ン、クロロホルム、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸セロソ
ルブ、メチルエチルケトンが挙げられる。また、塗布方
法も常法に従い行われるが、好ましくはスピンコード法
が採用される。
上記樹脂を塗布した後、乾燥するが、その乾燥条件は、
下層用樹脂の場合、通常５０〜２５０℃好ましくは８０
〜２２０℃で、通常０．５〜１２０分間、好ましくは
１〜９０分間であり、感光性シリコーン樹脂の場合１通
常５０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃で通常０
．５〜１２０分間、好ましくは １〜６０分間である。
下層用樹脂の場合、通常５０〜２５０℃好ましくは８０
〜２２０℃で、通常０．５〜１２０分間、好ましくは
１〜９０分間であり、感光性シリコーン樹脂の場合１通
常５０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃で通常０
．５〜１２０分間、好ましくは １〜６０分間である。
つぎに、本発明の感光性組成物層を所定パターンのマス
クを通して露光するが、露光は常法に従い、可視・赤外
・紫外光線又は電子線等のエネルギー線を照射すること
により行われる。
クを通して露光するが、露光は常法に従い、可視・赤外
・紫外光線又は電子線等のエネルギー線を照射すること
により行われる。
しかる後、溶剤で現像する。現像時間は通常０．５〜ｌ
Ｏ分間であり、溶剤としてはアルカリ水溶液、アセトン
等の適宜の溶剤が使用される。次に、通常５０〜２００
℃で０．５〜１２０分間乾燥する。
Ｏ分間であり、溶剤としてはアルカリ水溶液、アセトン
等の適宜の溶剤が使用される。次に、通常５０〜２００
℃で０．５〜１２０分間乾燥する。
最後に、下層を酸素ガスプラズマ又は適宜の溶剤を用い
てエツチングすることにより所定のレジストパターンが
得られる。なお、好ましくは酸素ガスプラズマでエツチ
ングする。この場合は、通常ＩＸ ＩＱ４〜ＩＸ ＩＱ
−’ Ｔａｒｒ、Ｑ、ＯＩ 〜ＩＯＷ／ｄで１〜１２０
分間処理する。
てエツチングすることにより所定のレジストパターンが
得られる。なお、好ましくは酸素ガスプラズマでエツチ
ングする。この場合は、通常ＩＸ ＩＱ４〜ＩＸ ＩＱ
−’ Ｔａｒｒ、Ｑ、ＯＩ 〜ＩＯＷ／ｄで１〜１２０
分間処理する。
以下に、実施例を掲げ、本発明をさらに詳しく説明する
。
。
［発明の実施例］
支直誇ユ
次式：
の繰り返し単位を有する有機ケイ素化合物 ［分子料＝
１万、Ｒ−Ｈ，７０％、Ｒ−ＣＨ３：３Ｏ％１８０重量
部、４−アジド−２°−メチル−４’−［８−（２−エ
トキシエチル）−Ｎ−二チルーアミノ１−α−シアノス
チルベン ２０重量部をシクロヘキサノン４５０重量部
に溶解して本発明の感光性組成物を得た。
１万、Ｒ−Ｈ，７０％、Ｒ−ＣＨ３：３Ｏ％１８０重量
部、４−アジド−２°−メチル−４’−［８−（２−エ
トキシエチル）−Ｎ−二チルーアミノ１−α−シアノス
チルベン ２０重量部をシクロヘキサノン４５０重量部
に溶解して本発明の感光性組成物を得た。
つぎに、シリコーンウェハー上に、ノボラック樹脂を酢
酸セロソルブに溶かした溶液を、スピナーで塗布し、
２２０℃で １時間乾燥させ下層を形成した。その厚さ
は、 ２．０であった。その上に、前記により得られた
本発明の組成物をスピナーで塗布し、ホットプレート上
で９０℃２分間乾燥させ、０．３μの感光塗膜を形成し
た。その後。
酸セロソルブに溶かした溶液を、スピナーで塗布し、
２２０℃で １時間乾燥させ下層を形成した。その厚さ
は、 ２．０であった。その上に、前記により得られた
本発明の組成物をスピナーで塗布し、ホットプレート上
で９０℃２分間乾燥させ、０．３μの感光塗膜を形成し
た。その後。
４３８ｎｍの単色光を用いたステッパーにより露光し、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドの １．５
％水溶液で４５秒間現像し、レジストパターンを形成し
た０次いで、酸素ガスプラズマ（２，ＯＸ １Ｏ−２Ｔ
ｏｒｒ、 ０．０８Ｗ／ａｄ） テ３０分間エツチング
を行なった結果、 ｏ、ｅ−の線幅のパターンが形成
された。
テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドの １．５
％水溶液で４５秒間現像し、レジストパターンを形成し
た０次いで、酸素ガスプラズマ（２，ＯＸ １Ｏ−２Ｔ
ｏｒｒ、 ０．０８Ｗ／ａｄ） テ３０分間エツチング
を行なった結果、 ｏ、ｅ−の線幅のパターンが形成
された。
で示される繰り返し単位を有する有機ケイ素化合物 ［
分子量＝２万、Ｒ−Ｈ： ９０％、 Ｒ−ＣＨ３：１０
％］ ８０重量部及び２，３．４−）リヒドロキシベン
ゾキノンのナフトキノンジアジドスルホン酸・エステル
（平均導入率：２） ２０重量部をシクロヘキサン４５
０重量部に溶解して本発明の感光性組成物を得た。
分子量＝２万、Ｒ−Ｈ： ９０％、 Ｒ−ＣＨ３：１０
％］ ８０重量部及び２，３．４−）リヒドロキシベン
ゾキノンのナフトキノンジアジドスルホン酸・エステル
（平均導入率：２） ２０重量部をシクロヘキサン４５
０重量部に溶解して本発明の感光性組成物を得た。
つぎに、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）【丸善石油■、
商品名、マルゼン樹脂Ｍｌで、シリコンウェハー上に、
実施例１と同様の方法で下層を形成した。その厚さは、
１．８ｐ１であった。その上に前記により得られた本
発明の組成物をスピナーで塗布し、ホットプレート上で
、９０℃、 ２分間乾燥させ、 ０．５ｇの感光塗膜
を形成した。その後、４３８ｎ腸の単色光を用いたステ
ッパーにより露光し、テトラメチルアンモニウムハイド
ロキシドの１．５％水溶液で４５秒間現像し、レジスト
パターンを形成した。ついで、酸素ガスプラズマ（２，
０ＸｌＯ゛２丁ｏｒｒ、０．０８Ｗ／ｃｎ） −ｔ’３
０分間ｘ ＋７チングを行なった結果、０．８−の線幅
のパターンが形成された。
商品名、マルゼン樹脂Ｍｌで、シリコンウェハー上に、
実施例１と同様の方法で下層を形成した。その厚さは、
１．８ｐ１であった。その上に前記により得られた本
発明の組成物をスピナーで塗布し、ホットプレート上で
、９０℃、 ２分間乾燥させ、 ０．５ｇの感光塗膜
を形成した。その後、４３８ｎ腸の単色光を用いたステ
ッパーにより露光し、テトラメチルアンモニウムハイド
ロキシドの１．５％水溶液で４５秒間現像し、レジスト
パターンを形成した。ついで、酸素ガスプラズマ（２，
０ＸｌＯ゛２丁ｏｒｒ、０．０８Ｗ／ｃｎ） −ｔ’３
０分間ｘ ＋７チングを行なった結果、０．８−の線幅
のパターンが形成された。
［発明の効果］
以上に詳述したとおり１本発明の感光性組成物は、微細
なレジストパターンの形成を可能とするものであり１例
え、ば、半導体素子の集積回路の製造など幅広い用途に
適用されて有用な組成物である。
なレジストパターンの形成を可能とするものであり１例
え、ば、半導体素子の集積回路の製造など幅広い用途に
適用されて有用な組成物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿１＿０は、その内の少なくとも１
つの基は水酸基を表わし、かつ、その残部の基は同一で
あっても異なっていてもよく、それぞれ、炭素原子数１
〜１０のアルキル基又はアリール基を表わし、Ｒ＿１＿
１は、水素原子、メチル基を表わす、ｍ及びｎは、それ
ぞれ、０〜３の整数であり、かつ、ｍ＋ｎ＝３を満たす
数である）で示される繰り返し単位を有する有機ケイ素
化合物１００重量部 （Ｂ）感光剤５〜１００重量部 からなることを特徴とする感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21461385A JPS6275440A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21461385A JPS6275440A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275440A true JPS6275440A (ja) | 1987-04-07 |
Family
ID=16658622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21461385A Pending JPS6275440A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6275440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370846A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | シリコン含有ネガ型フオトレジスト組成物 |
| JPS6418141A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-20 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21461385A patent/JPS6275440A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370846A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | シリコン含有ネガ型フオトレジスト組成物 |
| JPS6418141A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-20 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
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